JP4777920B2 - 充放電制御回路及び充電式電源装置 - Google Patents
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Description
4.2V−6.0V=−1.8V
になる。この時、N型トランジスタ206のゲート電圧はVSS端子の電圧(0V)になり、ソース電圧は過電流検出端子の電圧(−1.8V)になり、ゲート・ソース間電圧は1.8Vになる。このN型トランジスタ206のゲート・ソース間電圧が閾値電圧以上になると、N型トランジスタ206はオンする。すると、保護回路204のゲート電圧及びソース電圧はほぼ過電流検出端子の電圧になり、ゲート・ソース間電圧は0Vになるので、保護回路204はオフする。よって、抵抗124がVSS端子と過電流検出端子との間の経路から切り離され、寄生ダイオード202、抵抗124及び保護回路204を通過するVSS端子と過電流検出端子との間の経路が遮断され、この経路に充電電流が流れない。
まず、第一実施形態の充電式電源装置の構成について説明する。図1は、第一実施形態の充電式電源装置を示す図である。
4.2V−6.0V=−1.8V
になる。この時、制御回路210は保護回路50のゲート電圧と過電流検出端子の電圧とが等しくなるよう動作し、N型拡散領域10の電圧は−1.8Vであり、N型拡散領域20の電圧は0Vであり、寄生ダイオード70の閾値電圧は0.5Vであるとすると、P型ウェル30の電圧は、
−1.8V+0.5V=−1.3V
になる。寄生ダイオード70は順方向バイアスになり、寄生ダイオード71は逆方向バイアスになる。ゲート電圧(−1.8V)がP型ウェル30の電圧(−1.3V)よりも低いので、保護回路50はオフする。よって、抵抗124がVSS端子と過電流検出端子との間の経路から切り離され、保護回路50及び抵抗125を通過するVSS端子と過電流検出端子との間の経路が遮断され、この経路に充電電流が流れない。
次に、第二実施形態の充電式電源装置の構成について説明する。図3は、第二実施形態の充電式電源装置を示す図である。
3.5V/10MΩ=0.35μA
になる。0.35μAの順方向電流が寄生ダイオード81に流れると、寄生ダイオード81に0.1Vの電圧が発生するとすると、保護回路60のバックゲート電圧は0.1Vになる。保護回路60のゲート電圧は3.5Vであるので、保護回路50はオンする。0.35μAの順方向電流は、ベースであるP型ウェル30、エミッタであるN型拡散領域20及びコレクタであるN型基板40によって形成される寄生バイポーラを動作させるベース電流として不十分であるので、寄生バイポーラは、動作しない。
111 分圧回路 122、123 基準電圧回路
120 過電流検出コンパレータ 121 過充電検出コンパレータ
210 制御回路 124 抵抗
71、70 寄生ダイオード 50 保護回路
102 スイッチ 110 充放電制御回路
103 負荷 104 充電器
Claims (2)
- バッテリの充放電を制御する充放電制御回路であって、
過電流検出端子の電圧を監視し、前記バッテリの過電流状態を検出する過電流検出回路と、
前記過電流検出回路の出力信号に基づき、充電器または負荷と前記バッテリとの間に設けられたスイッチをオンオフ制御する制御回路と、
前記過電流検出端子とVSS端子の間に設けられた保護回路と、を備え、
前記保護回路は、ドレインが前記過電流検出端子と接続され、ソースが前記VSS端子と接続され、バックゲートが寄生ダイオードを介して前記ソースと、抵抗を介してゲートに接続されたN型トランジスタであって、
前記N型トランジスタの前記ゲートは、前記制御回路からの出力信号によって、前記N型トランジスタがオンする時はVDD端子と接続され、前記N型トランジスタがオフする時は前記抵抗を介して前記バックゲートに接続される
ことを特徴とする充放電制御回路。 - 充放電が可能なバッテリと、
前記バッテリと直列に接続されたスイッチと、
前記バッテリの電圧を監視し、その充放電を前記スイッチによって制御する、請求項1に記載の充放電制御回路と、
を備えた充電式電源装置。
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