JP2020099162A - 充放電回路及び電池装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1を参照しながら、第一実施形態に係る電池装置の構成の一例について充放電回路を中心に説明する。図1は、第一実施形態に係る充放電回路の一例を示す図である。図1に示すように、電池装置11は、充放電回路2と、二次電池100と備える。また、図1に示すように、充放電回路2は、第1入力端子201と、第2入力端子202と、P型MОSFET203と、抵抗204と、電流検出抵抗205と、第1回路206と、第2回路207と、電圧降下回路208と、第1インピーダンス素子209と、抵抗210と、第2インピーダンス素子211と、ダイオード212と、ダイオード213と、バイアス回路214とを備える。
図2を参照しながら、第二実施形態に係る電池装置の構成の一例について充放電回路を中心に説明する。図2は、第二実施形態に係る充放電回路の一例を示す図である。図2に示すように、電池装置12は、充放電回路3と、二次電池100と備える。また、図2に示すように、充放電回路3は、第1入力端子301と、第2入力端子302と、N型MОSFET303と、抵抗304と、電流検出抵抗305と、第1回路306と、第2回路307と、電圧降下回路308と、第1インピーダンス素子309と、抵抗310と、第2インピーダンス素子311と、ダイオード312と、ダイオード313と、バイアス回路314とを備える。
Claims (4)
- 充電時に電源から二次電池に供給される充電電流及び放電時に前記二次電池から負荷に供給される放電電流の大きさを調整するMОSFETと、
前記MОSFETの動作を制御する制御回路と、
前記制御回路の動作に関わらず前記MОSFETが前記放電電流を導通させるよう前記MОSFETのゲート端子に電圧を印加する第1インピーダンス素子と、
放電時に前記制御回路に印加される電圧を前記制御回路の動作電圧未満の電圧まで降下させる電圧降下回路と、
を備える充放電回路。 - 前記二次電池に直列接続されている電流検出抵抗と、
一端が前記制御回路に接続され、他端が前記電流検出抵抗の端子の一つ及び前記二次電池に接続されているバイアス回路と、
を更に備える請求項1に記載の充放電回路。 - 一端が前記MОSFETのドレイン端子及び前記二次電池に接続され、他端が前記制御回路及び前記バイアス回路に接続されている第2インピーダンス素子を更に備える請求項2に記載の充放電回路。
- 前記二次電池と、
請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の充放電回路と、
を備える電池装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004113000A (ja) * | 1992-11-24 | 2004-04-08 | Seiko Instruments Inc | 充放電制御回路と充電式電源装置 |
JP2018157679A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 制御装置、受電装置、受電用制御システム、電子機器及び無接点電力伝送システム |
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- 2018-12-19 JP JP2018237422A patent/JP7205210B2/ja active Active
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JP2004113000A (ja) * | 1992-11-24 | 2004-04-08 | Seiko Instruments Inc | 充放電制御回路と充電式電源装置 |
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