JP5610484B2 - 電源逆接続保護回路 - Google Patents
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Description
10 制御部
B バッテリ(直流電源)
Ds 寄生ダイオード
FET、FET1、FET2 電界効果トランジスタ
R1 抵抗
TR トランジスタ(スイッチング素子)
Va バッテリ電圧
Vb 供給電圧
Claims (4)
- 直流電源と負荷回路との間に設けられるFETを有し、前記FETは、ドレインが前記直流電源に接続され、ソースが前記負荷回路に接続され、前記ドレインと前記ソースとの間に寄生ダイオードを有するPチャンネル型FETであって、前記直流電源が逆接続された場合に、前記FETがOFF状態となる電源逆接続保護回路において、
前記FETをONまたはOFFさせるためのスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に対して制御信号を与える制御部と、を備え、
前記制御部は、前記FETのソース側の電圧を検出し、当該電圧が閾値以上であれば、前記FETをOFFさせるための制御信号を前記スイッチング素子に与え、当該電圧が閾値未満であれば、前記FETをONさせるための制御信号を前記スイッチング素子に与え、
前記直流電源が正しく接続されている状態において、前記FETがOFFの状態では、前記直流電源から前記FETの寄生ダイオードを通って前記負荷回路へ至る電流経路が形成され、
前記直流電源が正しく接続されている状態において、前記FETがONの状態では、前記直流電源から前記FETのドレイン・ソース間を通って前記負荷回路へ至る電流経路が形成されることを特徴とする電源逆接続保護回路。 - 直流電源と負荷回路との間に設けられるFETを有し、前記FETは、ドレインが前記直流電源に接続され、ソースが前記負荷回路に接続され、前記ドレインと前記ソースとの間に寄生ダイオードを有するPチャンネル型FETであって、前記直流電源が逆接続された場合に、前記FETがOFF状態となる電源逆接続保護回路において、
前記FETのゲートとグランドとの間に、前記FETをONまたはOFFさせるためのスイッチング素子を接続し、
前記FETのソース側の電圧が閾値以上である場合に、前記スイッチング素子がOFFとなることにより、前記FETがOFFし、
前記FETのソース側の電圧が閾値未満である場合に、前記スイッチング素子がONとなることにより、前記FETがONし、
前記直流電源が正しく接続されている状態において、前記FETがOFFの状態では、前記直流電源から前記FETの寄生ダイオードを通って前記負荷回路へ至る電流経路が形成され、
前記直流電源が正しく接続されている状態において、前記FETがONの状態では、前記直流電源から前記FETのドレイン・ソース間を通って前記負荷回路へ至る電流経路が形成されることを特徴とする電源逆接続保護回路。 - 請求項1または請求項2に記載の電源逆接続保護回路において、
前記スイッチング素子はNPN型トランジスタからなり、
前記トランジスタのコレクタは、抵抗を介して前記FETのゲートに接続され、
前記トランジスタのエミッタは、グランドに接続され、
前記トランジスタのベースは、前記負荷回路に接続されていることを特徴とする電源逆接続保護回路。 - 請求項1または請求項2に記載の電源逆接続保護回路において、
前記スイッチング素子はNチャンネル型FETからなり、
前記Nチャンネル型FETのドレインは、抵抗を介して前記Pチャンネル型FETのゲートに接続され、
前記Nチャンネル型FETのソースは、グランドに接続され、
前記Nチャンネル型FETのゲートは、前記負荷回路に接続されていることを特徴とする電源逆接続保護回路。
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