JP2002095159A - 保護回路 - Google Patents
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バッテリーの電極が逆接続された状態から電
子機器を保護するための保護回路を提供する。 【解決手段】 バッテリー１の負極が接続されるべき電
子機器３のグランド端子ＴＧと、この電子機器３のグラ
ンドラインＬＧ（グランド）との間に、ｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ１を接続する。このｎ型ＭＯＳ電
界効果トランジスタＭＴ１の基板は、グランドラインＬ
Ｇに接続される。また、この電子機器３の電源端子ＴＶ
とグランドラインＬＧとの間には、抵抗Ｒ１，Ｒ２が直
列接続され、これにより分圧された電圧がｎ型ＭＯＳ電
界効果トランジスタＭＴ１のゲートに印加される。この
構成によれば、バッテリー１が正しく接続された場合の
み、グランドラインＬＧとグランド端子ＴＧとが電気的
に接続され、この電子機器３の電源が確立される。
子機器を保護するための保護回路を提供する。 【解決手段】 バッテリー１の負極が接続されるべき電
子機器３のグランド端子ＴＧと、この電子機器３のグラ
ンドラインＬＧ（グランド）との間に、ｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ１を接続する。このｎ型ＭＯＳ電
界効果トランジスタＭＴ１の基板は、グランドラインＬ
Ｇに接続される。また、この電子機器３の電源端子ＴＶ
とグランドラインＬＧとの間には、抵抗Ｒ１，Ｒ２が直
列接続され、これにより分圧された電圧がｎ型ＭＯＳ電
界効果トランジスタＭＴ１のゲートに印加される。この
構成によれば、バッテリー１が正しく接続された場合の
み、グランドラインＬＧとグランド端子ＴＧとが電気的
に接続され、この電子機器３の電源が確立される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、バッテリーによ
り給電されて動作する車載用の電子機器を、バッテリー
の電極が逆に接続された状態から保護するための保護回
路に関する。
り給電されて動作する車載用の電子機器を、バッテリー
の電極が逆に接続された状態から保護するための保護回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子機器は電源端子とグランド
端子を有し、グランド端子に対して電源端子に所定の正
の直流電圧を印加することにより、電子機器が電力の供
給を受けて動作するようになっている。仮に、電源端子
とグランド端子の電位関係を逆にすると、電子機器の内
部を異常電流が流れ、電子機器の故障の原因となる。と
ころで、車載用の電子機器では、例えばバッテリーの交
換時に作業者が誤ってバッテリーの正極と負極を逆に接
続することがあり、このような事態から電子機器を有効
に保護する必要がある。
端子を有し、グランド端子に対して電源端子に所定の正
の直流電圧を印加することにより、電子機器が電力の供
給を受けて動作するようになっている。仮に、電源端子
とグランド端子の電位関係を逆にすると、電子機器の内
部を異常電流が流れ、電子機器の故障の原因となる。と
ころで、車載用の電子機器では、例えばバッテリーの交
換時に作業者が誤ってバッテリーの正極と負極を逆に接
続することがあり、このような事態から電子機器を有効
に保護する必要がある。
【０００３】図５に、この種の車載用の電子機器を保護
するための従来技術として、リレー４１とダイオード４
２とを組み合わせた保護回路の例を示す。この例は、電
子機器３０の外部に保護回路を設置したものである。す
なわち、同図において、保護対象の電子機器３０の電源
端子ＴＶとバッテリ１の正極との間には、イグニッショ
ンキー２と、可動接点および励磁コイルを含んで構成さ
れたリレー４１とが接続され、バッテリー１の負極は電
子機器３０のグランド端子ＴＧに接続される。リレー４
１の励磁コイルの一端側はイグニッションキー２を介し
てバッテリー１の正極に接続され、この励磁コイルの他
端はダイオード４２を介して接地される。
するための従来技術として、リレー４１とダイオード４
２とを組み合わせた保護回路の例を示す。この例は、電
子機器３０の外部に保護回路を設置したものである。す
なわち、同図において、保護対象の電子機器３０の電源
端子ＴＶとバッテリ１の正極との間には、イグニッショ
ンキー２と、可動接点および励磁コイルを含んで構成さ
れたリレー４１とが接続され、バッテリー１の負極は電
子機器３０のグランド端子ＴＧに接続される。リレー４
１の励磁コイルの一端側はイグニッションキー２を介し
てバッテリー１の正極に接続され、この励磁コイルの他
端はダイオード４２を介して接地される。
【０００４】ここで、電子機器３０は、図示しないアク
チュエータなどの外部の負荷に給電すると共に、この負
荷に流れる電流の異常が検出された場合に給電を遮断す
る機能を有する。図５において、電子機器３０を構成す
るレギュレータ３１は、電源端子ＴＶを介してバッテリ
ー側から供給される電圧を所定の内部電圧まで降圧する
ものであり、ＣＰＵ（中央演算処理装置）３２は、レギ
ュレータ３１で降圧された電圧を電源として、上述した
異常電流が検出された場合に給電を遮断するための一連
の制御を実行するものである。
チュエータなどの外部の負荷に給電すると共に、この負
荷に流れる電流の異常が検出された場合に給電を遮断す
る機能を有する。図５において、電子機器３０を構成す
るレギュレータ３１は、電源端子ＴＶを介してバッテリ
ー側から供給される電圧を所定の内部電圧まで降圧する
ものであり、ＣＰＵ（中央演算処理装置）３２は、レギ
ュレータ３１で降圧された電圧を電源として、上述した
異常電流が検出された場合に給電を遮断するための一連
の制御を実行するものである。
【０００５】バイポーラトランジスタ３３は、ＣＰＵ３
２により導通制御されるものであり、抵抗３４，３５
は、電源端子ＴＶとグランド端子ＴＧとの間に現れる電
圧を分圧するものである。上述のバイポーラトランジス
タ３３のコレクタはこれら抵抗３４，３５の間に接続さ
れ、そのエミッタはグランド端子ＴＧに接続される。出
力部３６には、電子機器３０により駆動されるアクチュ
エータなどの外部の負荷が接続され、バッテリー１の電
力が負荷に供給される。ｎ型ＭＯＳ電界効果型トランジ
スタ３７は、出力部３６に流れる電流を遮断するための
もので、そのゲートは抵抗３４と抵抗３５との間に接続
される。
２により導通制御されるものであり、抵抗３４，３５
は、電源端子ＴＶとグランド端子ＴＧとの間に現れる電
圧を分圧するものである。上述のバイポーラトランジス
タ３３のコレクタはこれら抵抗３４，３５の間に接続さ
れ、そのエミッタはグランド端子ＴＧに接続される。出
力部３６には、電子機器３０により駆動されるアクチュ
エータなどの外部の負荷が接続され、バッテリー１の電
力が負荷に供給される。ｎ型ＭＯＳ電界効果型トランジ
スタ３７は、出力部３６に流れる電流を遮断するための
もので、そのゲートは抵抗３４と抵抗３５との間に接続
される。
【０００６】図５に示すリレー４１およびダイオード４
２からなる保護回路によれば、電源端子ＴＶおよびグラ
ンド端子ＴＧに対しバッテリー１の正極および負極が正
しく接続された場合、イグニッションキー２が投入され
ると、ダイオード４２が順バイアスされてリレー４１に
励磁電流が流れ、リレー４１の接点が閉じる。これによ
り、電子機器３０は、バッテリー１から給電されて動作
する。
２からなる保護回路によれば、電源端子ＴＶおよびグラ
ンド端子ＴＧに対しバッテリー１の正極および負極が正
しく接続された場合、イグニッションキー２が投入され
ると、ダイオード４２が順バイアスされてリレー４１に
励磁電流が流れ、リレー４１の接点が閉じる。これによ
り、電子機器３０は、バッテリー１から給電されて動作
する。
【０００７】ここで、負荷の異常電流が検出されない場
合、ＣＰＵ３２は、バイポーラトランジスタ３３をオフ
状態に制御することにより、ｎ型ＭＯＳ電界効果トラン
ジスタ３７のゲートにハイレベルを印加し、このｎ型Ｍ
ＯＳトランジスタ３７をオン状態とする。これにより、
出力部６に接続された外部の負荷に対する給電が行われ
る。また、給電中に負荷の異常電流が検出された場合、
ＣＰＵ３２は、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ３３を
オン状態に制御することにより、ｎ型ＭＯＳ電界効果ト
ランジスタ３７のゲートにロウレベルを印加し、このｎ
型ＭＯＳ電界効果トランジスタ３７をオフ状態とする。
これにより、出力部３６に接続された負荷に流れる電流
が遮断され、この負荷に対する給電が中止される。
合、ＣＰＵ３２は、バイポーラトランジスタ３３をオフ
状態に制御することにより、ｎ型ＭＯＳ電界効果トラン
ジスタ３７のゲートにハイレベルを印加し、このｎ型Ｍ
ＯＳトランジスタ３７をオン状態とする。これにより、
出力部６に接続された外部の負荷に対する給電が行われ
る。また、給電中に負荷の異常電流が検出された場合、
ＣＰＵ３２は、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ３３を
オン状態に制御することにより、ｎ型ＭＯＳ電界効果ト
ランジスタ３７のゲートにロウレベルを印加し、このｎ
型ＭＯＳ電界効果トランジスタ３７をオフ状態とする。
これにより、出力部３６に接続された負荷に流れる電流
が遮断され、この負荷に対する給電が中止される。
【０００８】これに対し、バッテリー１の正極および負
極が電子機器３０の電源端子ＴＶおよびグランド端子Ｔ
Ｇに対して逆に接続された場合、ダイオード４２が逆バ
イアスされる結果、リレー４１に励磁電流は流れず、こ
のリレー４１の接点は開いた状態とされる。このため、
電子機器３０にはバッテリー１から給電が行われず、し
たがってバッテリー１の正極と負極とが逆接続された状
態から電子機器３０が保護される。
極が電子機器３０の電源端子ＴＶおよびグランド端子Ｔ
Ｇに対して逆に接続された場合、ダイオード４２が逆バ
イアスされる結果、リレー４１に励磁電流は流れず、こ
のリレー４１の接点は開いた状態とされる。このため、
電子機器３０にはバッテリー１から給電が行われず、し
たがってバッテリー１の正極と負極とが逆接続された状
態から電子機器３０が保護される。
【０００９】次に、図６を参照して、他の従来技術に係
る保護回路を説明する。この例は、電子機器３００の内
部に保護回路としてダイオード４０１とリレー４０２を
備える。すなわち、電源端子ＴＶとレギュレータ３１の
電源入力部との間にダイオード４０１が接続され、出力
部３６と電源端子ＴＶとの間にリレー４０２が接続され
る。ダイオード４０１は、電源端子ＴＶからレギュレー
タ３１に向けて順方向電流が流れるように接続される。
また、リレー４０２の励磁コイルの一端は、上述のダイ
オード４０１のカソードに接続され、その他端はバイポ
ーラトランジスタ３３を介して接地される。このバイポ
ーラトランジスタ３３の導通状態は、ＣＰＵ３２により
制御される。
る保護回路を説明する。この例は、電子機器３００の内
部に保護回路としてダイオード４０１とリレー４０２を
備える。すなわち、電源端子ＴＶとレギュレータ３１の
電源入力部との間にダイオード４０１が接続され、出力
部３６と電源端子ＴＶとの間にリレー４０２が接続され
る。ダイオード４０１は、電源端子ＴＶからレギュレー
タ３１に向けて順方向電流が流れるように接続される。
また、リレー４０２の励磁コイルの一端は、上述のダイ
オード４０１のカソードに接続され、その他端はバイポ
ーラトランジスタ３３を介して接地される。このバイポ
ーラトランジスタ３３の導通状態は、ＣＰＵ３２により
制御される。
【００１０】この従来技術によれば、バッテリー１の電
極が正しく電子機器３００に接続されていれば、ダイオ
ード４０１を介してレギュレータ３１が給電され、この
レギュレータ３１により降圧された電圧を電源としてＣ
ＰＵ３２が正常に動作する。そして、負荷の異常電流が
検出されない場合、ＣＰＵ３２による制御の下に、バイ
ポーラトランジスタ３３がオン状態とされる。この結
果、リレー４０２が励磁されてリレー４０２の接点が閉
じ、出力部３６に接続された負荷が給電される。
極が正しく電子機器３００に接続されていれば、ダイオ
ード４０１を介してレギュレータ３１が給電され、この
レギュレータ３１により降圧された電圧を電源としてＣ
ＰＵ３２が正常に動作する。そして、負荷の異常電流が
検出されない場合、ＣＰＵ３２による制御の下に、バイ
ポーラトランジスタ３３がオン状態とされる。この結
果、リレー４０２が励磁されてリレー４０２の接点が閉
じ、出力部３６に接続された負荷が給電される。
【００１１】また、バッテリー１の電極が電子機器３０
０に逆に接続された場合、ダイオード４０１が逆バイア
スされるので、レギュレータ３１及びＣＰＵ３２は給電
されず、これらは動作しない。この結果、バイポーラト
ランジスタ３３はオフ状態とされ、リレー４０２は励磁
されず、このリレー４０２の接点が開いた状態に維持さ
れる。すなわちこの場合、電子機器３００の内部回路を
構成するレギュレータ３１やＣＰＵ３２に対して給電が
行われず、バッテリーの電極が逆に接続された状態から
電子機器３００が保護される。
０に逆に接続された場合、ダイオード４０１が逆バイア
スされるので、レギュレータ３１及びＣＰＵ３２は給電
されず、これらは動作しない。この結果、バイポーラト
ランジスタ３３はオフ状態とされ、リレー４０２は励磁
されず、このリレー４０２の接点が開いた状態に維持さ
れる。すなわちこの場合、電子機器３００の内部回路を
構成するレギュレータ３１やＣＰＵ３２に対して給電が
行われず、バッテリーの電極が逆に接続された状態から
電子機器３００が保護される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た図５に示す従来技術によれば、電子機器３０の外部に
リレーやダイオードなどの保護回路を設けるため、車両
側からみた部品点数が増加し、部品コストや組み付け費
が増加するという問題がある。また、図６に示す従来技
術によれば、電子機器３００の内部にリレーやダイオー
ドなどの保護回路を設けるため、これらの部品を搭載す
る回路基板のパターンを増強する必要が生じ、電子機器
の回路基板の面積やコスト等が増加するという問題があ
る。
た図５に示す従来技術によれば、電子機器３０の外部に
リレーやダイオードなどの保護回路を設けるため、車両
側からみた部品点数が増加し、部品コストや組み付け費
が増加するという問題がある。また、図６に示す従来技
術によれば、電子機器３００の内部にリレーやダイオー
ドなどの保護回路を設けるため、これらの部品を搭載す
る回路基板のパターンを増強する必要が生じ、電子機器
の回路基板の面積やコスト等が増加するという問題があ
る。
【００１３】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、バッテリーの電極が逆に接続された状態から車載
用の電子機器を保護するための機能を安価かつ小型に実
現することができる保護回路を提供することを目的とす
る。
ので、バッテリーの電極が逆に接続された状態から車載
用の電子機器を保護するための機能を安価かつ小型に実
現することができる保護回路を提供することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決達成する
ため、本発明は以下の構成を有する。すなわち、本発明
は、バッテリーにより給電されて動作する電子機器を、
前記バッテリーの正極と負極とが逆に接続された状態か
ら保護する保護回路であって、前記バッテリーの一方の
電極が接続されるべき前記電子機器の第１の端子（例え
ば後述するグランド端子ＴＧに相当する構成要素）と該
バッテリーの一方の電極の電位が供給されるべき前記電
子機器の内部ライン（例えば後述するグランドラインＬ
Ｇに相当する構成要素）との間に接続されたスイッチ手
段（例えば後述するｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭ
Ｔ１に相当する構成要素）と、前記バッテリーの他方の
電極が接続されるべき前記電子機器の第２の端子と前記
電子機器の内部ラインとの間の電位関係に応じて前記ス
イッチ手段の導通状態を制御する制御手段（例えば後述
する抵抗Ｒ１，Ｒ２に相当する構成要素）と、前記バッ
テリーの各電極が前記電子機器の第１および第２の端子
に対して正しく接続された状態において順方向電流を流
し得るように前記スイッチ手段と並列接続された整流手
段（例えば後述するダイオードＤに相当する構成要素）
と、を備えたことを特徴とする。
ため、本発明は以下の構成を有する。すなわち、本発明
は、バッテリーにより給電されて動作する電子機器を、
前記バッテリーの正極と負極とが逆に接続された状態か
ら保護する保護回路であって、前記バッテリーの一方の
電極が接続されるべき前記電子機器の第１の端子（例え
ば後述するグランド端子ＴＧに相当する構成要素）と該
バッテリーの一方の電極の電位が供給されるべき前記電
子機器の内部ライン（例えば後述するグランドラインＬ
Ｇに相当する構成要素）との間に接続されたスイッチ手
段（例えば後述するｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭ
Ｔ１に相当する構成要素）と、前記バッテリーの他方の
電極が接続されるべき前記電子機器の第２の端子と前記
電子機器の内部ラインとの間の電位関係に応じて前記ス
イッチ手段の導通状態を制御する制御手段（例えば後述
する抵抗Ｒ１，Ｒ２に相当する構成要素）と、前記バッ
テリーの各電極が前記電子機器の第１および第２の端子
に対して正しく接続された状態において順方向電流を流
し得るように前記スイッチ手段と並列接続された整流手
段（例えば後述するダイオードＤに相当する構成要素）
と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】前記保護回路において、前記スイッチ手段
は、電流経路の一端が基板と共に前記内部ラインに接続
され、前記電流経路の他端が前記第１の端子に接続さ
れ、ゲート電圧が前記制御手段により制御されるＭＯＳ
電界効果トランジスタから構成され、前記整流手段は、
前記ＭＯＳ電界効果トランジスタの前記電流経路の他端
と基板との間に寄生するｐｎ接合から構成されたことを
特徴とする。
は、電流経路の一端が基板と共に前記内部ラインに接続
され、前記電流経路の他端が前記第１の端子に接続さ
れ、ゲート電圧が前記制御手段により制御されるＭＯＳ
電界効果トランジスタから構成され、前記整流手段は、
前記ＭＯＳ電界効果トランジスタの前記電流経路の他端
と基板との間に寄生するｐｎ接合から構成されたことを
特徴とする。
【００１６】前記保護回路において、前記制御手段は、
前記第２の端子と前記内部ラインとの間に直列接続され
た第１および第２の抵抗からなり、これら第１の抵抗と
第２の抵抗との接続点に現れる電圧を前記ＭＯＳ電界効
果トランジスタのゲートに供給するように構成されたこ
とを特徴とする。前記保護回路において、前記制御手段
は、前記内部ラインに対する前記第２の端子の電位を判
断し、該判断の結果に応じた電圧信号を前記ＭＯＳ電界
効果トランジスタのゲートに供給するように構成された
ことを特徴とする。
前記第２の端子と前記内部ラインとの間に直列接続され
た第１および第２の抵抗からなり、これら第１の抵抗と
第２の抵抗との接続点に現れる電圧を前記ＭＯＳ電界効
果トランジスタのゲートに供給するように構成されたこ
とを特徴とする。前記保護回路において、前記制御手段
は、前記内部ラインに対する前記第２の端子の電位を判
断し、該判断の結果に応じた電圧信号を前記ＭＯＳ電界
効果トランジスタのゲートに供給するように構成された
ことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態について説明する。 ＜実施の形態１＞まず、この発明の実施の形態１を説明
する。図１に、本実施の形態１による保護回路を備えた
車載用の電子機器３の構成を示す。図１において、符号
１は、車両に搭載されたバッテリーであり、エンジンの
スターターモータや各種の電子機器の電源として使用さ
れるものである。符号２は、イグニッションスイッチで
あり、車両の利用者の操作により閉じてバッテリー１の
正極と電子機器３の電源端子ＴＶを電気的に接続する。
符号３は、バッテリー１により給電されて動作する車載
用の電子機器であり、その電源端子ＴＶがイグニッショ
ンスイッチ２を介してバッテリー１の正極に接続され、
そのグランド端子ＴＧがバッテリー１の負極に直接接続
されている。
発明の実施の形態について説明する。 ＜実施の形態１＞まず、この発明の実施の形態１を説明
する。図１に、本実施の形態１による保護回路を備えた
車載用の電子機器３の構成を示す。図１において、符号
１は、車両に搭載されたバッテリーであり、エンジンの
スターターモータや各種の電子機器の電源として使用さ
れるものである。符号２は、イグニッションスイッチで
あり、車両の利用者の操作により閉じてバッテリー１の
正極と電子機器３の電源端子ＴＶを電気的に接続する。
符号３は、バッテリー１により給電されて動作する車載
用の電子機器であり、その電源端子ＴＶがイグニッショ
ンスイッチ２を介してバッテリー１の正極に接続され、
そのグランド端子ＴＧがバッテリー１の負極に直接接続
されている。
【００１８】電源端子ＴＶには、電子機器３の内部ライ
ンである電源ラインＬＶが接続され、グランド端子ＴＧ
には、後述のｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１を
介してグランドラインＬＧが接続される。このグランド
端子ＴＧは、電子機器３の内部で接地されている。ここ
で、電源ラインＬＶおよびグランドラインＬＧは、電子
機器３を構成する後述のレギュレータＲＥＧや制御部Ｃ
ＮＴ等の内部回路に電源電位およびグランド電位をそれ
ぞれ供給するための配線である。なお、電子機器の種類
によっては、イグニッションスイッチ２を介さずに、電
子機器の電源端子とグランド端子との間にバッテリーが
直接接続される場合もある。
ンである電源ラインＬＶが接続され、グランド端子ＴＧ
には、後述のｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１を
介してグランドラインＬＧが接続される。このグランド
端子ＴＧは、電子機器３の内部で接地されている。ここ
で、電源ラインＬＶおよびグランドラインＬＧは、電子
機器３を構成する後述のレギュレータＲＥＧや制御部Ｃ
ＮＴ等の内部回路に電源電位およびグランド電位をそれ
ぞれ供給するための配線である。なお、電子機器の種類
によっては、イグニッションスイッチ２を介さずに、電
子機器の電源端子とグランド端子との間にバッテリーが
直接接続される場合もある。
【００１９】電子機器３は、バッテリーが逆に接続され
た状態から内部回路を保護するための機能と、アクチュ
エータやソレノイドなどの負荷に異常電流が流れた場合
に負荷に対する給電を強制的に停止する機能を有するも
のであって、これらの機能を実現するための構成要素と
して、保護回路４、レギュレータＲＥＧ、制御部（ＣＰ
Ｕ）ＣＮＴ、抵抗Ｒ３〜Ｒ６、ｐｎｐバイポーラトラン
ジスタＢＴ１，ＢＴ２、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジス
タＭＴ２、出力部ＯＵＴを備える。
た状態から内部回路を保護するための機能と、アクチュ
エータやソレノイドなどの負荷に異常電流が流れた場合
に負荷に対する給電を強制的に停止する機能を有するも
のであって、これらの機能を実現するための構成要素と
して、保護回路４、レギュレータＲＥＧ、制御部（ＣＰ
Ｕ）ＣＮＴ、抵抗Ｒ３〜Ｒ６、ｐｎｐバイポーラトラン
ジスタＢＴ１，ＢＴ２、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジス
タＭＴ２、出力部ＯＵＴを備える。
【００２０】レギュレータＲＥＧは、バッテリー１から
供給される電圧を適切な内部電圧に降圧し且つ安定化さ
せて制御部ＣＮＴに供給するものである。制御部ＣＮＴ
は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）から構成され、出力部
ＯＵＴに流れる電流の異常を示す信号（図示なし）に基
づいて、この電流を強制的に遮断するための一連の制御
を実行するものである。出力部ＯＵＴには、例えばソレ
ノイドやアクチュエータなどの外部の負荷（図示なし）
が接続される。抵抗Ｒ３〜Ｒ６、ｐｎｐバイポーラトラ
ンジスタＢＴ１，ＢＴ２、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジ
スタＭＴ２は、出力部ＯＵＴに接続された負荷に流れる
電流を遮断するための遮断回路を構成する。
供給される電圧を適切な内部電圧に降圧し且つ安定化さ
せて制御部ＣＮＴに供給するものである。制御部ＣＮＴ
は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）から構成され、出力部
ＯＵＴに流れる電流の異常を示す信号（図示なし）に基
づいて、この電流を強制的に遮断するための一連の制御
を実行するものである。出力部ＯＵＴには、例えばソレ
ノイドやアクチュエータなどの外部の負荷（図示なし）
が接続される。抵抗Ｒ３〜Ｒ６、ｐｎｐバイポーラトラ
ンジスタＢＴ１，ＢＴ２、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジ
スタＭＴ２は、出力部ＯＵＴに接続された負荷に流れる
電流を遮断するための遮断回路を構成する。
【００２１】ここで、上述の遮断回路を構成するｎｐｎ
バイポーラトランジスタＢＴ１のエミッタはグランドラ
インＬＧに接続され、そのベースは、制御部ＣＮＴの出
力部に接続される。電源ラインＬＶとｎｐｎバイポーラ
トランジスタＢＴ１のコレクタとの間には、抵抗Ｒ３，
Ｒ４が直列接続される。ｐｎｐバイポーラトランジスタ
ＢＴ２のエミッタは電源ラインＬＶに接続され、そのベ
ースは抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との間に接続される。ｐｎｐ
バイポーラトランジスタＢＴ２のコレクタとグランドラ
インＬＧとの間には、抵抗Ｒ５，Ｒ６が直列接続され、
これら抵抗間の接続ノードＮＤ２には、ｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ２のゲートが接続される。このｎ
型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２の電流経路は、出
力部ＯＵＴと直列に接続される。
バイポーラトランジスタＢＴ１のエミッタはグランドラ
インＬＧに接続され、そのベースは、制御部ＣＮＴの出
力部に接続される。電源ラインＬＶとｎｐｎバイポーラ
トランジスタＢＴ１のコレクタとの間には、抵抗Ｒ３，
Ｒ４が直列接続される。ｐｎｐバイポーラトランジスタ
ＢＴ２のエミッタは電源ラインＬＶに接続され、そのベ
ースは抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との間に接続される。ｐｎｐ
バイポーラトランジスタＢＴ２のコレクタとグランドラ
インＬＧとの間には、抵抗Ｒ５，Ｒ６が直列接続され、
これら抵抗間の接続ノードＮＤ２には、ｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ２のゲートが接続される。このｎ
型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２の電流経路は、出
力部ＯＵＴと直列に接続される。
【００２２】上述の構成要素と共に電子機器３に組み込
まれた本発明に係る保護回路４は、バッテリー１の正極
と負極とが逆に接続された状態から電子機器３を保護す
るためのものであって、抵抗Ｒ１，Ｒ２、ｎ型ＭＯＳ電
界効果トランジスタＭＴ１、およびダイオードＤから構
成される。ここで、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭ
Ｔ１は、バッテリー１の負極（一方の電極）が接続され
るべき電子機器３のグランド端子ＴＧ（第１の端子）
と、バッテリー１の負極の電位が供給されるべき電子機
器３のグランドラインＬＧとの間に接続され、これらグ
ランド端子ＴＧとグランドラインＬＧとの間を電気的に
接続・切断するためのスイッチ手段として機能する。
まれた本発明に係る保護回路４は、バッテリー１の正極
と負極とが逆に接続された状態から電子機器３を保護す
るためのものであって、抵抗Ｒ１，Ｒ２、ｎ型ＭＯＳ電
界効果トランジスタＭＴ１、およびダイオードＤから構
成される。ここで、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭ
Ｔ１は、バッテリー１の負極（一方の電極）が接続され
るべき電子機器３のグランド端子ＴＧ（第１の端子）
と、バッテリー１の負極の電位が供給されるべき電子機
器３のグランドラインＬＧとの間に接続され、これらグ
ランド端子ＴＧとグランドラインＬＧとの間を電気的に
接続・切断するためのスイッチ手段として機能する。
【００２３】このスイッチ手段をなすｎ型ＭＯＳ電界効
果トランジスタＭＴ１のソース（電流経路の一端）は、
このｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１が形成され
たｐ型の半導体基板（以下、単に「基板」と称す。）と
共に電子機器３のグランドラインＬＧに接続され、その
ドレイン（電流経路の他端）は、電子機器３のグランド
端子ＴＧに接続される。また、電源ノードＬＶとグラン
ドノードＬＧとの間には、抵抗Ｒ１，Ｒ２が直列接続さ
れ、これらの接続ノードＮＤ１は上述のｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ１のゲートに接続され、このｎ型
ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１の導通状態は、接続
ノードＮＤ１に現れる電圧信号により制御されるように
なっている。
果トランジスタＭＴ１のソース（電流経路の一端）は、
このｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１が形成され
たｐ型の半導体基板（以下、単に「基板」と称す。）と
共に電子機器３のグランドラインＬＧに接続され、その
ドレイン（電流経路の他端）は、電子機器３のグランド
端子ＴＧに接続される。また、電源ノードＬＶとグラン
ドノードＬＧとの間には、抵抗Ｒ１，Ｒ２が直列接続さ
れ、これらの接続ノードＮＤ１は上述のｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ１のゲートに接続され、このｎ型
ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１の導通状態は、接続
ノードＮＤ１に現れる電圧信号により制御されるように
なっている。
【００２４】ダイオードＤは、上述のｎ型ＭＯＳ電界効
果トランジスタＭＴ１のドレイン（ｎ型）と基板（ｐ
型）との間にデバイス構造上寄生するｐｎ接合であっ
て、バッテリー１の各電極が電子機器３のグランド端子
ＴＧおよび電源端子ＴＶに対して正しく接続された状態
において順方向電流を流し得るようにｎ型ＭＯＳ電界効
果トランジスタＭＴ１の電流経路と並列接続された整流
手段として機能する。一般に、ＭＯＳ電界効果トランジ
スタのソースは、チャンネル電流のキャリアを発生する
ノードとして定義され、ドレインは、このキャリアを吸
収するノードとして定義される概念であるが、この実施
の形態では、基板が接続された電極をソースとし、他方
をドレインとして定義する。
果トランジスタＭＴ１のドレイン（ｎ型）と基板（ｐ
型）との間にデバイス構造上寄生するｐｎ接合であっ
て、バッテリー１の各電極が電子機器３のグランド端子
ＴＧおよび電源端子ＴＶに対して正しく接続された状態
において順方向電流を流し得るようにｎ型ＭＯＳ電界効
果トランジスタＭＴ１の電流経路と並列接続された整流
手段として機能する。一般に、ＭＯＳ電界効果トランジ
スタのソースは、チャンネル電流のキャリアを発生する
ノードとして定義され、ドレインは、このキャリアを吸
収するノードとして定義される概念であるが、この実施
の形態では、基板が接続された電極をソースとし、他方
をドレインとして定義する。
【００２５】抵抗Ｒ１，Ｒ２は、電源端子ＴＶとグラン
ドラインＬＧとの間の電圧を分圧してｎ型ＭＯＳ電界効
果トランジスタＭＴ１のゲートに与えるもので、バッテ
リー１の正極（他方の電極）が接続されるべき電子機器
３の電源端子ＴＶ（第２の端子）とグランドラインＬＧ
との間の電位関係に応じて、ｎ型ＭＯＳ電界効果トラン
ジスタＭＴ１の導通状態を制御する制御手段として機能
する。
ドラインＬＧとの間の電圧を分圧してｎ型ＭＯＳ電界効
果トランジスタＭＴ１のゲートに与えるもので、バッテ
リー１の正極（他方の電極）が接続されるべき電子機器
３の電源端子ＴＶ（第２の端子）とグランドラインＬＧ
との間の電位関係に応じて、ｎ型ＭＯＳ電界効果トラン
ジスタＭＴ１の導通状態を制御する制御手段として機能
する。
【００２６】次に、この実施の形態１の動作を説明す
る。まず、図１に示すように、バッテリー１の正極と負
極が正しく接続されている場合を説明する。初期状態で
イグニッションスイッチ２がオフ状態にあるものとす
る。この初期状態ではイグニッションスイッチ２がオフ
状態にあり、バッテリー１から電子機器３に対して給電
が行われないため、電気機器３の電源端子ＴＶの電位
は、抵抗Ｒ１，Ｒ２等を介してグランドラインＬＧと同
電位になる。この結果、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジス
タＭＴ１のソースとゲートとの間の電圧がゲートしきい
値電圧以下となり、このトランジスタＭＴ１がオフ状態
とされる。
る。まず、図１に示すように、バッテリー１の正極と負
極が正しく接続されている場合を説明する。初期状態で
イグニッションスイッチ２がオフ状態にあるものとす
る。この初期状態ではイグニッションスイッチ２がオフ
状態にあり、バッテリー１から電子機器３に対して給電
が行われないため、電気機器３の電源端子ＴＶの電位
は、抵抗Ｒ１，Ｒ２等を介してグランドラインＬＧと同
電位になる。この結果、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジス
タＭＴ１のソースとゲートとの間の電圧がゲートしきい
値電圧以下となり、このトランジスタＭＴ１がオフ状態
とされる。
【００２７】このとき、制御部ＣＮＴの出力状態は確立
された状態になく、ｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ
１はオフ状態とされる。このため、ｐｎｐバイポーラト
ランジスタＢＴ２のベースは抵抗Ｒ３を介して電源ライ
ンＬＶの電位にプルアップされ、このｐｎｐバイポーラ
トランジスタＢＴ１がオフ状態とされる。この結果、ｎ
型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２のゲートは、抵抗
Ｒ６を介してグランドラインＬＧの電位にプルダウンさ
れ、このｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２がオフ
状態とされる。
された状態になく、ｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ
１はオフ状態とされる。このため、ｐｎｐバイポーラト
ランジスタＢＴ２のベースは抵抗Ｒ３を介して電源ライ
ンＬＶの電位にプルアップされ、このｐｎｐバイポーラ
トランジスタＢＴ１がオフ状態とされる。この結果、ｎ
型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２のゲートは、抵抗
Ｒ６を介してグランドラインＬＧの電位にプルダウンさ
れ、このｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２がオフ
状態とされる。
【００２８】この初期状態から、車両の利用者がイグニ
ッションスイッチ２をオン状態にすると、バッテリー１
の正極が電子機器３の電源端子ＴＶと電気的に接続さ
れ、バッテリー１から電子機器３に対して給電が開始さ
れる。この場合、電源端子ＴＶの電位の上昇に伴い、抵
抗Ｒ１，Ｒ２を介してグランドラインＬＧの電位も上昇
を始め、ダイオードＤのアノードの電位がカソードに対
して高くなる。この結果、ダイオードＤに順方向電流が
流れ、グランドラインＬＧの電位は、グランド端子ＴＧ
の電位（グランド電位）に対してｐｎ接合の障壁電位
（Ｖｆ）分だけ上昇したところで安定し、グランド電位
の近傍に固定される。ただし、この状態では、グランド
ラインＬＧの電位は、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
ＭＴ１に寄生するダイオードＤの微弱な順方向電流で暫
定的に保持されているにすぎないため、スイッチ手段と
してのｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１での損失
は大きい状態にある。
ッションスイッチ２をオン状態にすると、バッテリー１
の正極が電子機器３の電源端子ＴＶと電気的に接続さ
れ、バッテリー１から電子機器３に対して給電が開始さ
れる。この場合、電源端子ＴＶの電位の上昇に伴い、抵
抗Ｒ１，Ｒ２を介してグランドラインＬＧの電位も上昇
を始め、ダイオードＤのアノードの電位がカソードに対
して高くなる。この結果、ダイオードＤに順方向電流が
流れ、グランドラインＬＧの電位は、グランド端子ＴＧ
の電位（グランド電位）に対してｐｎ接合の障壁電位
（Ｖｆ）分だけ上昇したところで安定し、グランド電位
の近傍に固定される。ただし、この状態では、グランド
ラインＬＧの電位は、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
ＭＴ１に寄生するダイオードＤの微弱な順方向電流で暫
定的に保持されているにすぎないため、スイッチ手段と
してのｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１での損失
は大きい状態にある。
【００２９】グランドラインＬＧと電源端子ＴＶとの間
に生じた電圧は、抵抗Ｒ１，Ｒ２によって分圧され、正
の電圧がｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１のゲー
トに印加される。そして、このｎ型ＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタＭＴ１のソースとゲートとの間の電圧がゲート
しきい値電圧を越えると、このｎ型ＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタＭＴ１がオン状態となる。これにより、ｎ型Ｍ
ＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１は、グランド端子ＴＧ
とグランドラインＬＧとの間に大電流を流し得る状態と
なって、このｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ４での損
失が小さくなり、したがってグランドラインＬＧに対し
てバッテリー１の負極の電位が安定的に供給されるよう
になる。以上により、電子機器３の電源が確立されて、
この電子機器３が動作可能な状態とされる。
に生じた電圧は、抵抗Ｒ１，Ｒ２によって分圧され、正
の電圧がｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１のゲー
トに印加される。そして、このｎ型ＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタＭＴ１のソースとゲートとの間の電圧がゲート
しきい値電圧を越えると、このｎ型ＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタＭＴ１がオン状態となる。これにより、ｎ型Ｍ
ＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１は、グランド端子ＴＧ
とグランドラインＬＧとの間に大電流を流し得る状態と
なって、このｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ４での損
失が小さくなり、したがってグランドラインＬＧに対し
てバッテリー１の負極の電位が安定的に供給されるよう
になる。以上により、電子機器３の電源が確立されて、
この電子機器３が動作可能な状態とされる。
【００３０】電子機器３の電源が確立すると、制御部Ｃ
ＮＴの出力状態が確定し、この制御部ＣＮＴは、ｎｐｎ
バイポーラトランジスタＢＴ１をオン状態に制御する。
これにより、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＢＴ２の
ベースが抵抗Ｒ４を介してロウレベルに駆動され、この
ｐｎｐバイポーラトランジスタＢＴ２がオン状態とな
る。この結果、抵抗Ｒ５，Ｒ６により電源ラインＬＶ上
の電圧が分圧されてｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭ
Ｔ２のゲートに印加され、このｎ型ＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタＭＴ２がオン状態となり、出力部ＯＵＴに接続
された外部の負荷に対する給電が行われる。
ＮＴの出力状態が確定し、この制御部ＣＮＴは、ｎｐｎ
バイポーラトランジスタＢＴ１をオン状態に制御する。
これにより、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＢＴ２の
ベースが抵抗Ｒ４を介してロウレベルに駆動され、この
ｐｎｐバイポーラトランジスタＢＴ２がオン状態とな
る。この結果、抵抗Ｒ５，Ｒ６により電源ラインＬＶ上
の電圧が分圧されてｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭ
Ｔ２のゲートに印加され、このｎ型ＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタＭＴ２がオン状態となり、出力部ＯＵＴに接続
された外部の負荷に対する給電が行われる。
【００３１】次に、バッテリー１の正極と負極が電子機
器３に対して逆に接続された場合を説明する。以下の説
明では、図１において、バッテリー１の正極が電子機器
３のグランド端子ＴＧに接続され、バッテリー１の負極
が電子機器３の電源端子ＴＶに接続されたものとする。
前述の初期状態から、車両の利用者がイグニッションス
イッチ２をオン状態にすると、バッテリー１の負極が電
子機器３の電源端子ＴＶと電気的に接続され、電源端子
ＴＶの電位はグランド端子ＴＧに対して低くなる。この
電源端子ＴＶの電位の低下に伴って、抵抗Ｒ１，Ｒ２を
介して電源ラインＬＶに接続されたグランドラインＬＧ
の電位も低下し、ダイオードＤのアノードの電位がカソ
ードに対して低くなる。
器３に対して逆に接続された場合を説明する。以下の説
明では、図１において、バッテリー１の正極が電子機器
３のグランド端子ＴＧに接続され、バッテリー１の負極
が電子機器３の電源端子ＴＶに接続されたものとする。
前述の初期状態から、車両の利用者がイグニッションス
イッチ２をオン状態にすると、バッテリー１の負極が電
子機器３の電源端子ＴＶと電気的に接続され、電源端子
ＴＶの電位はグランド端子ＴＧに対して低くなる。この
電源端子ＴＶの電位の低下に伴って、抵抗Ｒ１，Ｒ２を
介して電源ラインＬＶに接続されたグランドラインＬＧ
の電位も低下し、ダイオードＤのアノードの電位がカソ
ードに対して低くなる。
【００３２】この結果、ダイオードＤが逆バイアス状態
となって順方向電流は発生せず、グランドラインＬＧの
電位は、電源端子ＴＶの電位に安定する。このとき、接
続ノードＮＤ１の電位もグランドラインＬＧの電位と等
しくなるので、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１
のゲートとソースの間の電圧はゼロとされる。したがっ
てｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１もオフ状態に
維持される。この場合、グランド端子ＴＧとグランドラ
インＬＧとの間が電気的に切り離されるので、電子機器
３の電源は確立されず、したがってバッテリー１が逆に
接続された状態から電子機器３が保護される。また、ｎ
型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２もオフ状態に維持
されるので、出力部ＯＵＴに接続された外部の負荷に対
する異常な給電が阻止される。
となって順方向電流は発生せず、グランドラインＬＧの
電位は、電源端子ＴＶの電位に安定する。このとき、接
続ノードＮＤ１の電位もグランドラインＬＧの電位と等
しくなるので、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１
のゲートとソースの間の電圧はゼロとされる。したがっ
てｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１もオフ状態に
維持される。この場合、グランド端子ＴＧとグランドラ
インＬＧとの間が電気的に切り離されるので、電子機器
３の電源は確立されず、したがってバッテリー１が逆に
接続された状態から電子機器３が保護される。また、ｎ
型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２もオフ状態に維持
されるので、出力部ＯＵＴに接続された外部の負荷に対
する異常な給電が阻止される。
【００３３】このように、この実施の形態１では、バッ
テリー１が正しく接続された場合、ｎ型ＭＯＳ電界効果
トランジスタＭＴ１がオン状態となり、このトランジス
タでの損失が最小限に抑えられた状態で電子機器３に給
電される。また、バッテリー１が逆に接続された場合、
ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオフ状態とな
って電子機器３のグランドラインＬＧがグランド端子Ｔ
Ｇから切り離され、電子機器３が保護される。
テリー１が正しく接続された場合、ｎ型ＭＯＳ電界効果
トランジスタＭＴ１がオン状態となり、このトランジス
タでの損失が最小限に抑えられた状態で電子機器３に給
電される。また、バッテリー１が逆に接続された場合、
ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオフ状態とな
って電子機器３のグランドラインＬＧがグランド端子Ｔ
Ｇから切り離され、電子機器３が保護される。
【００３４】この実施の形態１によれば、ダイオードＤ
として、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１のドレ
インに寄生するｐｎ接合を利用したので、このダイオー
ドを別体の部品として設ける必要がなく、従って部品点
数を最小限に抑えることができる。ただし、これに限定
されることなく、ダイオードＤを別体の部品として設け
てもよい。この場合、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
ＭＴ１の基板をグランド端子ＴＧ側に接続するものとす
れば、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１に寄生す
るダイオードＤに電流が流れないので、この寄生ダイオ
ードの許容電流を配慮する必要がなくなる。
として、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１のドレ
インに寄生するｐｎ接合を利用したので、このダイオー
ドを別体の部品として設ける必要がなく、従って部品点
数を最小限に抑えることができる。ただし、これに限定
されることなく、ダイオードＤを別体の部品として設け
てもよい。この場合、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
ＭＴ１の基板をグランド端子ＴＧ側に接続するものとす
れば、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１に寄生す
るダイオードＤに電流が流れないので、この寄生ダイオ
ードの許容電流を配慮する必要がなくなる。
【００３５】＜実施の形態２＞以下、この発明の実施の
形態２を説明する。この実施の形態２に係る電子機器が
備える保護回路は、上述の図１において、電源端子ＴＶ
の電圧を判断してｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ
１の導通状態を２値的に制御するように構成され、同図
に示す実施の形態１に係る構成において、図２に示すよ
うに、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＢＴ３，ＢＴ
４、および抵抗Ｒ７，Ｒ８をさらに備える。
形態２を説明する。この実施の形態２に係る電子機器が
備える保護回路は、上述の図１において、電源端子ＴＶ
の電圧を判断してｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ
１の導通状態を２値的に制御するように構成され、同図
に示す実施の形態１に係る構成において、図２に示すよ
うに、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＢＴ３，ＢＴ
４、および抵抗Ｒ７，Ｒ８をさらに備える。
【００３６】ここで、ｐｎｐバイポーラトランジスタＢ
Ｔ３のエミッタは、電源ラインＬＶに接続され、コレク
タは抵抗Ｒ１の一端に接続される。このｐｎｐバイポー
ラトランジスタＢＴ３のベースは、抵抗Ｒ７を介してエ
ミッタ（即ち電源ラインＬＶ）に接続されると共に、抵
抗Ｒ８およびｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ４を介
してグランドラインＬＧに接続される。ｎｐｎバイポー
ラトランジスタＢＴ４のベースは制御部ＣＮＴの出力部
に接続される。
Ｔ３のエミッタは、電源ラインＬＶに接続され、コレク
タは抵抗Ｒ１の一端に接続される。このｐｎｐバイポー
ラトランジスタＢＴ３のベースは、抵抗Ｒ７を介してエ
ミッタ（即ち電源ラインＬＶ）に接続されると共に、抵
抗Ｒ８およびｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ４を介
してグランドラインＬＧに接続される。ｎｐｎバイポー
ラトランジスタＢＴ４のベースは制御部ＣＮＴの出力部
に接続される。
【００３７】ｐｎｐバイポーラトランジスタＢＴ３，Ｂ
Ｔ４、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ７，Ｒ８および制御部ＣＮＴ
からなる回路系は、グランドラインＬＧに対する電源端
子ＴＶの電圧が９Ｖ（所定の電圧）以上か否かを判断し
て、この判断の結果に応じた電圧信号をｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ１のゲートに印加することによ
り、このｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１の導通
状態を制御する制御手段として機能する。この制御手段
における判断処理は制御部ＣＮＴが行う。なお、制御部
ＣＮＴが電源端子ＴＶの電圧を把握する方法としては、
例えば、レギュレータＲＥＧの入力電圧（電源端子ＴＶ
の電圧）と出力電圧（制御部ＣＮＴに出力する電圧）と
の相関関係を予め把握しておき、この相関関係から電源
端子ＴＶの電圧を推定する方法を用いることができる。
Ｔ４、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ７，Ｒ８および制御部ＣＮＴ
からなる回路系は、グランドラインＬＧに対する電源端
子ＴＶの電圧が９Ｖ（所定の電圧）以上か否かを判断し
て、この判断の結果に応じた電圧信号をｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ１のゲートに印加することによ
り、このｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１の導通
状態を制御する制御手段として機能する。この制御手段
における判断処理は制御部ＣＮＴが行う。なお、制御部
ＣＮＴが電源端子ＴＶの電圧を把握する方法としては、
例えば、レギュレータＲＥＧの入力電圧（電源端子ＴＶ
の電圧）と出力電圧（制御部ＣＮＴに出力する電圧）と
の相関関係を予め把握しておき、この相関関係から電源
端子ＴＶの電圧を推定する方法を用いることができる。
【００３８】また、制御部ＣＮＴは、電源端子ＴＶの電
位が９Ｖ以下の場合にｎｐｎバイポーラトランジスタＢ
Ｔ４をオフ状態とするように構成される。すなわち、制
御部ＣＮＴが動作可能なまでに電源が確立されていない
状態では、ｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ４のベー
スに与えられる信号のレベルがロウレベルに固定される
ように、制御部ＣＮＴの内部回路が構成される。また、
電源端子ＴＶの電圧が制御部ＣＮＴにとって動作可能な
電圧ではあるが、９Ｖ以下である場合には、制御部ＣＮ
Ｔは、ソフトウェア上の判断処理を実行し、ｎｐｎバイ
ポーラトランジスタＢＴ４のベースに与える信号をロウ
レベルに維持する。その他の構成は、上述の図１に示す
実施の形態１に係る構成と同様である。
位が９Ｖ以下の場合にｎｐｎバイポーラトランジスタＢ
Ｔ４をオフ状態とするように構成される。すなわち、制
御部ＣＮＴが動作可能なまでに電源が確立されていない
状態では、ｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ４のベー
スに与えられる信号のレベルがロウレベルに固定される
ように、制御部ＣＮＴの内部回路が構成される。また、
電源端子ＴＶの電圧が制御部ＣＮＴにとって動作可能な
電圧ではあるが、９Ｖ以下である場合には、制御部ＣＮ
Ｔは、ソフトウェア上の判断処理を実行し、ｎｐｎバイ
ポーラトランジスタＢＴ４のベースに与える信号をロウ
レベルに維持する。その他の構成は、上述の図１に示す
実施の形態１に係る構成と同様である。
【００３９】次に、図３に示すフローに沿って、図４に
示す波形図を参照しながら、この実施の形態２の動作を
説明する。図３（ａ）は、イグニッションスイッチ２を
オンにする場合の動作の流れを示し、図３（ｂ）は、イ
グニッションスイッチ２をオフにする場合の動作の流れ
を示す。図４は、イグニッションスイッチ２のオン・オ
フに対するｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１，Ｍ
Ｔ２のオン・オフの制御状態を示す。
示す波形図を参照しながら、この実施の形態２の動作を
説明する。図３（ａ）は、イグニッションスイッチ２を
オンにする場合の動作の流れを示し、図３（ｂ）は、イ
グニッションスイッチ２をオフにする場合の動作の流れ
を示す。図４は、イグニッションスイッチ２のオン・オ
フに対するｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１，Ｍ
Ｔ２のオン・オフの制御状態を示す。
【００４０】初期状態では、イグニッションスイッチ２
はオフ状態にあり、電子機器の電源端子ＴＶは、バッテ
リー１の正極から切り離されると共に、上述のように電
源端子ＴＶの電圧が９Ｖ以下の場合、ｎｐｎバイポーラ
トランジスタＢＴ４はオフ状態に維持される。したがっ
て、この初期状態では、接続ノードＮＤ１とグランドラ
インＬＧとの電位は等しくなり、ｎ型ＭＯＳ電界効果ト
ランジスタＭＴ１のソースとゲートが等電位になる。こ
の結果、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオフ
状態とされる。
はオフ状態にあり、電子機器の電源端子ＴＶは、バッテ
リー１の正極から切り離されると共に、上述のように電
源端子ＴＶの電圧が９Ｖ以下の場合、ｎｐｎバイポーラ
トランジスタＢＴ４はオフ状態に維持される。したがっ
て、この初期状態では、接続ノードＮＤ１とグランドラ
インＬＧとの電位は等しくなり、ｎ型ＭＯＳ電界効果ト
ランジスタＭＴ１のソースとゲートが等電位になる。こ
の結果、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオフ
状態とされる。
【００４１】次に、図３（ａ）に示すフローに沿って、
バッテリー１の正極と負極が正しく接続されている場合
においてイグニッションスイッチ２をオンさせるときの
動作を説明する。上述の初期状態から、イグニッション
スイッチ２がオン状態になると、電子機器３に電源が投
入される（ステップＳ１）。これにより、レギュレータ
ＲＥＧに電源が供給されると共に、上述の実施の形態１
と同様にグランドラインＬＧの電位がバッテリー１の負
極の電位（グランド電位）付近に固定され、レギュレー
タＲＥＧおよび制御部ＣＮＴが動作する上で必要とされ
るグランド電位が確保される。
バッテリー１の正極と負極が正しく接続されている場合
においてイグニッションスイッチ２をオンさせるときの
動作を説明する。上述の初期状態から、イグニッション
スイッチ２がオン状態になると、電子機器３に電源が投
入される（ステップＳ１）。これにより、レギュレータ
ＲＥＧに電源が供給されると共に、上述の実施の形態１
と同様にグランドラインＬＧの電位がバッテリー１の負
極の電位（グランド電位）付近に固定され、レギュレー
タＲＥＧおよび制御部ＣＮＴが動作する上で必要とされ
るグランド電位が確保される。
【００４２】ここで、電源端子ＴＶの電圧が制御部ＣＮ
Ｔにとって動作可能な電圧に達していなければ、上述し
たようにｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ４がオフ状
態とされ、これによりｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
ＭＴ１がオフ状態に維持される。このとき、ｎｐｎバイ
ポーラトランジスタＢＴ１もオフ状態に維持されるの
で、接続ノードＮＤ２に現れるグランド電位がゲートに
印加されるｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２もオ
フ状態に維持される。
Ｔにとって動作可能な電圧に達していなければ、上述し
たようにｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ４がオフ状
態とされ、これによりｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
ＭＴ１がオフ状態に維持される。このとき、ｎｐｎバイ
ポーラトランジスタＢＴ１もオフ状態に維持されるの
で、接続ノードＮＤ２に現れるグランド電位がゲートに
印加されるｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２もオ
フ状態に維持される。
【００４３】次に、電源端子ＴＶの電圧が制御部ＣＮＴ
にとって動作可能な電圧に到達すると、制御部ＣＮＴ
は、ソフトウェア上の処理を実行し、電源端子ＴＶの電
圧が９Ｖ以上か否かを判断する（ステップＳ２）。この
判断処理は、電源端子ＴＶの電圧が９Ｖ以下の場合には
繰り返し実行される（ステップＳ２：ＮＯ）。ここで、
電源端子ＴＶの電圧が９Ｖ以上となった場合（ステップ
Ｓ２：ＹＥＳ）、制御部ＣＮＴは、ｎｐｎバイポーラト
ランジスタＢＴ４をオン状態に制御する。これにより、
ｐｎｐバイポーラトランジスタＢＴ３がオン状態とな
り、接続ノードＮＤ１に抵抗Ｒ１，Ｒ２により分圧され
た正の電圧信号が現れ、これがゲートに印加されるｎ型
ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオン状態とされる
（ステップＳ３）。
にとって動作可能な電圧に到達すると、制御部ＣＮＴ
は、ソフトウェア上の処理を実行し、電源端子ＴＶの電
圧が９Ｖ以上か否かを判断する（ステップＳ２）。この
判断処理は、電源端子ＴＶの電圧が９Ｖ以下の場合には
繰り返し実行される（ステップＳ２：ＮＯ）。ここで、
電源端子ＴＶの電圧が９Ｖ以上となった場合（ステップ
Ｓ２：ＹＥＳ）、制御部ＣＮＴは、ｎｐｎバイポーラト
ランジスタＢＴ４をオン状態に制御する。これにより、
ｐｎｐバイポーラトランジスタＢＴ３がオン状態とな
り、接続ノードＮＤ１に抵抗Ｒ１，Ｒ２により分圧され
た正の電圧信号が現れ、これがゲートに印加されるｎ型
ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオン状態とされる
（ステップＳ３）。
【００４４】これから時間Ｔ２の経過後、制御部ＣＮＴ
は、ｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ１をオン状態に
する。この結果、ｐｎｐバイポーラトランジスタＢＴ２
がオン状態となり、抵抗Ｒ５，Ｒ６により分圧された正
の電圧が接続ノードＮＤ２に現れ、これがゲートに印加
されるｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２がオン状
態となって、出力部ＯＵＴに接続された負荷に対する給
電が開始される（ステップＳ４）。以上により、電子機
器３の電源が確立され、この電子機器の出力部ＯＵＴに
接続された負荷に対する給電が行われる。
は、ｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ１をオン状態に
する。この結果、ｐｎｐバイポーラトランジスタＢＴ２
がオン状態となり、抵抗Ｒ５，Ｒ６により分圧された正
の電圧が接続ノードＮＤ２に現れ、これがゲートに印加
されるｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２がオン状
態となって、出力部ＯＵＴに接続された負荷に対する給
電が開始される（ステップＳ４）。以上により、電子機
器３の電源が確立され、この電子機器の出力部ＯＵＴに
接続された負荷に対する給電が行われる。
【００４５】このように、イグニッションスイッチ２が
オンされる場合、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ
１がオンして出力部ＯＵＴに接続された負荷に対して充
分なグランド電流が供給可能な状態になった後、ｎ型Ｍ
ＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２がオン状態に制御され
る。これにより、イグニッションスイッチ２のオン時
に、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１オフした状
態でダイオードＤに過大な負荷電流が流れ込むことが防
止され、このダイオードＤを過大な負荷電流から保護す
ることができる。
オンされる場合、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ
１がオンして出力部ＯＵＴに接続された負荷に対して充
分なグランド電流が供給可能な状態になった後、ｎ型Ｍ
ＯＳ電界効果トランジスタＭＴ２がオン状態に制御され
る。これにより、イグニッションスイッチ２のオン時
に、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１オフした状
態でダイオードＤに過大な負荷電流が流れ込むことが防
止され、このダイオードＤを過大な負荷電流から保護す
ることができる。
【００４６】次に、図３（ｂ）に示すフローに沿って、
バッテリー１の正極と負極が正しく接続されている場合
においてイグニッションスイッチ２をオフさせるときの
動作を説明する。イグニッションスイッチ２がオフにな
ると（ステップＳ１１）、制御部ＣＮＴにとって動作不
能となる電源電圧以下に電源端子ＴＶの電圧が低下する
以前に、制御部ＣＮＴは、ｎｐｎバイポーラトランジス
タＢＴ１をオフ状態とし、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジ
スタＭＴ２をオフさせる（ステップＳ１２）。それから
時間Ｔ２の経過後、ｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ
４がオフ状態とされ、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
ＭＴ１がオフ状態とされる（ステップＳ１３）。
バッテリー１の正極と負極が正しく接続されている場合
においてイグニッションスイッチ２をオフさせるときの
動作を説明する。イグニッションスイッチ２がオフにな
ると（ステップＳ１１）、制御部ＣＮＴにとって動作不
能となる電源電圧以下に電源端子ＴＶの電圧が低下する
以前に、制御部ＣＮＴは、ｎｐｎバイポーラトランジス
タＢＴ１をオフ状態とし、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジ
スタＭＴ２をオフさせる（ステップＳ１２）。それから
時間Ｔ２の経過後、ｎｐｎバイポーラトランジスタＢＴ
４がオフ状態とされ、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
ＭＴ１がオフ状態とされる（ステップＳ１３）。
【００４７】このように、イグニッションスイッチ２が
オフされる場合、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ
２がオフされて負荷に対する給電が停止された後、ｎ型
ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオフ状態に制御さ
れる。これにより、イグニッションスイッチ２のオフ時
に、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオフした
状態でダイオードＤに過大な負荷電流が流れ込むことが
防止され、このダイオードＤを過大な負荷電流から保護
することができる。
オフされる場合、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ
２がオフされて負荷に対する給電が停止された後、ｎ型
ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオフ状態に制御さ
れる。これにより、イグニッションスイッチ２のオフ時
に、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１がオフした
状態でダイオードＤに過大な負荷電流が流れ込むことが
防止され、このダイオードＤを過大な負荷電流から保護
することができる。
【００４８】最後に、バッテリー１の正極と負極が逆に
接続されている場合を説明する。この場合、電源端子Ｔ
Ｖの電圧は、レギュレータＲＥＧや制御部ＣＮＴ等にと
って動作可能な電圧に達することはなく、しかも、ｎ型
ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１のゲート電圧がソー
ス電圧よりも高くなることはないので、ｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ１がオフ状態に維持される。した
がって、電子機器３に給電が行われず、この電子機器が
バッテリー１の正極と負極が逆に接続された状態から保
護される。
接続されている場合を説明する。この場合、電源端子Ｔ
Ｖの電圧は、レギュレータＲＥＧや制御部ＣＮＴ等にと
って動作可能な電圧に達することはなく、しかも、ｎ型
ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１のゲート電圧がソー
ス電圧よりも高くなることはないので、ｎ型ＭＯＳ電界
効果トランジスタＭＴ１がオフ状態に維持される。した
がって、電子機器３に給電が行われず、この電子機器が
バッテリー１の正極と負極が逆に接続された状態から保
護される。
【００４９】この実施の形態２によれば、制御部ＣＮＴ
の判断処理により、電源端子ＴＶの電圧が所定の電圧以
上になるまでｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１が
オフ状態に維持される。このため、バッテリーが正しく
接続された場合であっても、バッテリーが例えば劣化や
過放電などにより定格の電圧を発生しないものである場
合に、電子機器の電源を確立しないように制御すること
が可能となる。
の判断処理により、電源端子ＴＶの電圧が所定の電圧以
上になるまでｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＭＴ１が
オフ状態に維持される。このため、バッテリーが正しく
接続された場合であっても、バッテリーが例えば劣化や
過放電などにより定格の電圧を発生しないものである場
合に、電子機器の電源を確立しないように制御すること
が可能となる。
【００５０】以上、この発明の実施の形態１及び２を説
明したが、この発明は、これらの実施の形態に限られる
ものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計
変更等があっても本発明に含まれる。例えば、上述の実
施の形態１及び２では、電子機器のグランド端子ＴＧと
グランドラインＬＧとの間にｎ型ＭＯＳ電界効果トラン
ジスタＭＴ１を設けたが、電源電位を与える電源ライン
ＬＶと電源端子ＴＶとの間にｐ型ＭＯＳトランジスタを
設け、このｐ型ＭＯＳ電界効果トランジスタの基板を電
源ラインＬＶに接続するように構成してもよい。もちろ
ん、ｎ型およびｐ型ＭＯＳ電界効果トランジスタを併用
してもよい。
明したが、この発明は、これらの実施の形態に限られる
ものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計
変更等があっても本発明に含まれる。例えば、上述の実
施の形態１及び２では、電子機器のグランド端子ＴＧと
グランドラインＬＧとの間にｎ型ＭＯＳ電界効果トラン
ジスタＭＴ１を設けたが、電源電位を与える電源ライン
ＬＶと電源端子ＴＶとの間にｐ型ＭＯＳトランジスタを
設け、このｐ型ＭＯＳ電界効果トランジスタの基板を電
源ラインＬＶに接続するように構成してもよい。もちろ
ん、ｎ型およびｐ型ＭＯＳ電界効果トランジスタを併用
してもよい。
【００５１】また、上述の実施の形態２では、電源端子
ＴＶの電圧が所定の電圧以上か否かを判断するものとし
たが、これに限定されることなく、例えば、電源端子Ｔ
Ｖの電圧が所定の電圧以下か否かを判断するものとして
もよい。これにより、バッテリー１の電圧が電子機器の
電源定格を越えるものである場合に、電子機器の電源を
確立しないように制御することが可能となり、この電子
機器を過大な電源電圧から保護することが可能となる。
もちろん、電源端子ＴＶの電圧が或る電圧Ｖ１以上か否
かを判断する処理と、電源端子ＴＶの電圧が他の或る電
圧Ｖ２（＞Ｖ１）以下か否かを判断する処理とを組み合
わせるものとしてもよい。
ＴＶの電圧が所定の電圧以上か否かを判断するものとし
たが、これに限定されることなく、例えば、電源端子Ｔ
Ｖの電圧が所定の電圧以下か否かを判断するものとして
もよい。これにより、バッテリー１の電圧が電子機器の
電源定格を越えるものである場合に、電子機器の電源を
確立しないように制御することが可能となり、この電子
機器を過大な電源電圧から保護することが可能となる。
もちろん、電源端子ＴＶの電圧が或る電圧Ｖ１以上か否
かを判断する処理と、電源端子ＴＶの電圧が他の或る電
圧Ｖ２（＞Ｖ１）以下か否かを判断する処理とを組み合
わせるものとしてもよい。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、バッテリーの一方の電極が接続されるべき電子機器
の第１の端子と電子機器の内部ラインとの間に接続され
たスイッチ手段と、前記バッテリーの他方の電極が接続
されるべき前記電子機器の第２の端子と前記電子機器の
内部ラインとの間の電位関係に応じて前記スイッチ手段
の導通状態を制御する制御手段と、前記バッテリーの各
電極が前記電子機器の第１および第２の端子に対して正
しく接続された状態において順方向電流を流し得るよう
に前記スイッチ手段と並列接続された整流手段とを備え
たので、バッテリーの電極が逆に接続された状態から車
載用の電子機器を保護するための機能を安価かつ小型に
実現することができる。また、スイッチ手段としてＭＯ
Ｓ電界効果トランジスタを用いたので、部品点数の増加
を最小限に抑えることができ、したがって電子機器の回
路基板の面積や基板コスト等を抑制することが可能とな
る。
ば、バッテリーの一方の電極が接続されるべき電子機器
の第１の端子と電子機器の内部ラインとの間に接続され
たスイッチ手段と、前記バッテリーの他方の電極が接続
されるべき前記電子機器の第２の端子と前記電子機器の
内部ラインとの間の電位関係に応じて前記スイッチ手段
の導通状態を制御する制御手段と、前記バッテリーの各
電極が前記電子機器の第１および第２の端子に対して正
しく接続された状態において順方向電流を流し得るよう
に前記スイッチ手段と並列接続された整流手段とを備え
たので、バッテリーの電極が逆に接続された状態から車
載用の電子機器を保護するための機能を安価かつ小型に
実現することができる。また、スイッチ手段としてＭＯ
Ｓ電界効果トランジスタを用いたので、部品点数の増加
を最小限に抑えることができ、したがって電子機器の回
路基板の面積や基板コスト等を抑制することが可能とな
る。
【図１】 本発明の実施の形態１に係る保護回路を備え
た電子機器の構成を示す回路図である。
た電子機器の構成を示す回路図である。
【図２】 本発明の実施の形態２に係る保護回路を備え
た電子機器の特徴部を示す回路図である。
た電子機器の特徴部を示す回路図である。
【図３】 本発明の実施の形態２に係る保護回路を備え
た電子機器の動作の流れを示すフローチャートである。
た電子機器の動作の流れを示すフローチャートである。
【図４】 本発明の実施の形態２に係る保護回路を備え
た電子機器の動作を説明するための波形図である。
た電子機器の動作を説明するための波形図である。
【図５】 従来技術に係る保護回路（外部設置）が適用
された電子機器の構成を示す回路図である。
された電子機器の構成を示す回路図である。
【図６】 従来技術に係る保護回路（内部設置）が適用
された電子機器の構成を示す回路図である。
された電子機器の構成を示す回路図である。
１：バッテリー ２：イグニッションスイッチ ３：電子機器 ４：保護回路 ＲＥＧ：レギュレータ ＣＮＴ：制御部 ＭＴ１，ＭＴ２：ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ ＢＴ１，ＢＴ４：ｎｐｎバイポーラトランジスタ ＢＴ２，ＢＴ３：ｐｎｐバイポーラトランジスタ Ｒ１〜Ｒ８：抵抗 Ｄ：ダイオード ＯＵＴ：出力部 ＬＶ：電源ライン（内部ライン） ＬＧ：グランドライン（内部ライン） ＴＶ：電源端子 ＴＧ：グランド端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永沼 司 栃木県塩谷郡高根沢町宝積寺字サギノヤ東 2021番地８ 株式会社ケーヒン栃木開発セ ンター内 Ｆターム(参考） 5G003 BA01 DA02 FA05 FA06 GA01 GC05 5G065 BA03 EA02 EA06 GA09 KA05 LA01 NA05 5H030 AA06 AA09 AS08 AS11 BB01
Claims (4)
- 【請求項１】 バッテリーにより給電されて動作する電
子機器を、前記バッテリーの正極と負極とが逆に接続さ
れた状態から保護する保護回路であって、 前記バッテリーの一方の電極が接続されるべき前記電子
機器の第１の端子と該バッテリーの一方の電極の電位が
供給されるべき前記電子機器の内部ラインとの間に接続
されたスイッチ手段と、 前記バッテリーの他方の電極が接続されるべき前記電子
機器の第２の端子と前記電子機器の内部ラインとの間の
電位関係に応じて前記スイッチ手段の導通状態を制御す
る制御手段と、 前記バッテリーの各電極が前記電子機器の第１および第
２の端子に対して正しく接続された状態において順方向
電流を流し得るように前記スイッチ手段と並列接続され
た整流手段と、 を備えたことを特徴とする保護回路。 - 【請求項２】 前記スイッチ手段は、電流経路の一方が
基板と共に前記内部ラインに接続され、前記電流経路の
他方が前記第１の端子に接続され、ゲート電圧が前記制
御手段により制御されるＭＯＳ電界効果トランジスタか
ら構成され、 前記整流手段は、前記ＭＯＳ電界効果トランジスタの前
記電流経路の他方と基板との間に寄生するｐｎ接合から
構成されたことを特徴とする請求項１に記載された保護
回路。 - 【請求項３】 前記制御手段は、前記第２の端子と前記
内部ラインとの間に直列接続された第１および第２の抵
抗からなり、これら第１の抵抗と第２の抵抗との接続点
に現れる電圧を前記ＭＯＳ電界効果トランジスタのゲー
トに供給するように構成されたことを特徴とする請求項
２に記載された保護回路。 - 【請求項４】 前記制御手段は、前記内部ラインに対す
る前記第２の端子の電位を判断し、該判断の結果に応じ
た電圧信号を前記ＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート
に供給するように構成されたことを特徴とする請求項２
に記載された保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000278792A JP2002095159A (ja) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | 保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000278792A JP2002095159A (ja) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | 保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002095159A true JP2002095159A (ja) | 2002-03-29 |
Family
ID=18763906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000278792A Withdrawn JP2002095159A (ja) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | 保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002095159A (ja) |
Cited By (17)
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-
2000
- 2000-09-13 JP JP2000278792A patent/JP2002095159A/ja not_active Withdrawn
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