JP2006046255A - 内燃機関用点火装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 保護素子の整流作用によって点火装置が誤動作してしまうことを防止する。
【解決手段】 制御回路IC3における点火信号が入力される信号線に、互いにバックトゥバック接続された2つのツェナーダイオード11、12を含む保護素子10が備える。このような構成の点火装置によれば、ツェナーダイオードが有する整流作用によって流れようとする電流に対して、2つのツェナーダイオード11、12の内の一方が逆方向となるため、電流が流れない。したがって、制御回路IC3に点火信号を入力するための信号線の電位レベルが誤ったレベルになるという現象が発生することを防止することができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、コイル電流を通電・遮断するパワースイッチング素子と、それを制御するための制御回路ICとを有し、さらに、制御回路ICにおける点火信号が入力される回路部を外来サージから保護する機能を備えた内燃機関用点火装置(以下、単に点火装置という)に関するものである。
従来、点火コイルへの通電を制御することで、内燃機関での点火タイミングを制御する点火装置が種々提案されている(例えば、特許文献1参照)。
このような点火装置において、点火コイルに流すコイル電流の通電・遮断を行うパワースイッチング素子を制御をするための制御回路ICを外来サージから保護すべく、保護素子となるツェナーダイオードを接続したものがある。具体的には、ツェナーダイオードは、制御回路ICに対して点火信号を送る入力端子側にカソード、GND端子側にアノードがそれぞれ接続された構成となっている。このような接続形態とされることで、外来サージが発生したとしても、それをツェナーダイオードの電圧クランプ機能を抑制できるため、制御回路ICに高電圧が印加されてしまうことを防止できる。
特開平10−274142号公報
近年、点火装置は、プラグホール内に搭載されるようになってきている。この場合、図7の模式図に示したように、点火装置J1のGNDはエンジンJ2に結線されることで、エンジンGNDとされる。
これに対し、信号発生源となる点火装置駆動用のECUJ3のGNDは必ずしもエンジンJ2に直接接続されるわけではなく、例えば、ボディーGNDとされるのが一般的である。
このような場合、エンジンGNDとボディーGNDとの間に配線抵抗等の抵抗が存在していることから、点火装置J1のGNDと信号発生源となるECUJ3とGNDが完全には同電位とならなくなり、電位差が発生することになる。
また、エンジン始動を行うためのスタータJ4は、エンジンJ2内に設置されていると共に、エンジンGNDとされている。したがって、スタータ始動時には、電源J5からスタータJ4に流される大電流が、図中矢印A、つまり、電源J5→スタータJ4→エンジンGND→配線J6→ボディーGND→電源J5の経路を通じて流れるようになっている。
このとき、その経路中の配線抵抗は大きなものではないものの、流れる電流が非常に大きいため、エンジンJ2をボディーGNDに接続するための配線J6での電圧降下量が無視できない大きさとなる。このため、エンジンGNDとボディーGNDとの間の電位差が大きくなる。
このような状態になると、上述したよう従来の保護素子となるツェナーダイオードの順方向に電流が流れることになり、ツェナーダイオードが保護素子として機能しなくなる。このため、電流が流れた保護素子そのもの、さらには保護素子が接続される入力端子との接続部を破損させてしまう可能性がある。
なお、このような現象は、スタータ始動時に限らず、例えばオルタネータ発電時などのように、エンジンGNDを用いる構成部品に一時的に大電流が流れるような場合すべてで発生し得る。
さらに、点火装置がエンジンに搭載されるようになると、信号発生源となる点火装置駆動用ECUとの距離が離れ、これらの間を結ぶための配線の長さ(配線長)が長くなる傾向がある。そのため、点火信号を伝達するための信号線の配線長が長くなり、信号線の配線容量が大きくなる。
そして、従来のように、入力端子側にカソード、GND端子側にアノードがそれぞれ接続されたツェナーダイオードは整流作用があるため、電波照射時にその整流作用により、配線容量に電荷が充電され、入力端子の電圧を変動させてしまう。このとき、上述したように、信号線の配線容量が大きいことから、入力端子の電圧変動も大きくなる。
これにより、例えば、本来ならば信号線の電位レベルがローレベルにならなければならないにも関わらずハイレベルになってしまい、制御回路ICに誤った電位レベルの信号が入力されてしまう。このため、制御回路ICが誤って半導体スイッチング素子をONさせてしまうなど、点火装置を誤動作させてしまうという問題も発生させる。
本発明は上記点に鑑みて、点火装置のGNDと信号発生源となる点火装置駆動用のECUのGNDとの間に発生する電位差に起因して、保護素子などが破損することを防止することを目的とする。
また、保護素子の整流作用によって点火装置が誤動作してしまうことを防止することも目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、制御回路IC(3)における点火信号が入力される信号線とGNDとの間に、互いにバックトゥバック接続された2つのツェナーダイオード(11、12)を含む保護素子(10)が備えることを特徴としている。
このような構成の点火装置によれば、上述したように、点火装置のGNDと信号発生源となる点火装置駆動用ECUのGNDとの間の電位差が大きくなったとしても、2つのツェナーダイオード(11、12)の内の一方がその電位差に基づいて流れようとする電流に対して逆方向となるため、電流が流れない。
したがって、点火装置のGNDと信号発生源となる点火装置駆動用ECUのGNDとの間に発生する電位差に起因して、保護素子(10)などが破損されることを防止することが可能となる。
また、保護素子(10)を構成する2つのツェナーダイオード(11、12)が有する整流作用に関しても、整流作用によって流れようとする電流に対して、2つのツェナーダイオード(11、12)の内の一方が逆方向となるため、電流が流れない。
したがって、制御回路IC(3)に点火信号を入力するための信号線の電位レベルが誤ったレベルになるという現象が発生することを防止することができる。これにより、制御回路IC(3)に誤った電位レベルの信号が入力されることを抑制でき、制御回路IC(3)が誤って半導体スイッチング素子(5)をONさせてしまうなど、点火装置を誤作動させてしまうことを防止することができる。
このような構成の点火装置では、請求項2に示されるように、保護素子(10)が制御回路IC(3)と共に1チップとされて一体化された構成としても良いし、請求項3に示されるように、保護素子(10)と制御回路IC(3)とが別体とされた構成としても良い。
また、請求項4に示されるように、スイッチIC(2)と制御回路IC(3)とが共に1チップとされて一体化された構成としても良いし、請求項5に示されるように、スイッチIC(2)と制御回路IC(3)とが別体とされた構成としても良い。
また、2つのツェナーダイオード(11、12)は、請求項6に示されるように、ポリシリコンPN接合で形成されていても、シリコンへの不純物拡散によるPN接合によって形成されていても、いずれであっても構わない。
請求項7に記載の発明では、制御回路IC(3)には、点火信号の波形整形を行うための波形整形回路(8)が備えられ、該波形整形回路(8)が点火信号をベース電圧として入力する第1PNPトランジスタ(20a)と、第1PNPトランジスタ(20a)がONしたときにはOFFされると共にOFFしたときにはONされる第2PNPトランジスタ(20b)とを備えるコンパレータ(20)によって構成されていることを特徴としている。
バイポーラトランジスタには、OFFからONへの切り替わり動作は速く、ONからOFFへの切り替わり動作は遅いという特性がある。このため、点火信号に高周波ノイズが載っていた場合において、瞬間的に点火信号の電位レベルが増加したとしても、第1PNPトランジスタ(20a)がもともとON状態になっているため、瞬間的な点火信号の電位レベルの増加によって第1PNPトランジスタ(20a)がOFFされてしまわない。
このため、高周波ノイズによって点火装置が誤動作してしまうことを防止することが可能となる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
以下、本発明の一実施形態が適用された車両用の点火装置について説明する。
図1は、本実施形態における点火装置1の回路構成図である。また、図2は、本実施形態における点火装置1の部品構成レイアウト図である。これらの図を参照して、本実施形態における点火装置1について説明する。
図1に示されるように、点火装置1には、スイッチIC2と制御回路IC3とが備えられている。これらスイッチIC2と制御回路IC3とは別々のチップで構成され、互いに配線を介して接続された構成となっている。
スイッチIC2は、点火コイル4の1次巻線4aへの通電のスイッチング制御を行うためのものである。このスイッチIC2には、IGBT5と抵抗6が備えられている。
IGBT5へのゲート電圧は、抵抗6を介して入力される制御回路IC3からの制御信号によって行われるようになっている。そして、IGBT5へのゲート電圧の電位レベルがハイレベルになるとIGBT5がONし、点火コイル4における1次巻線4aへの通電が行われ、ゲート電圧の電位レベルがローレベルになるとIGBT5がOFFし、点火コイル4における1次巻線4aへの通電が遮断されるようになっている。
なお、抵抗6は、IGBT5のゲートに対してゲート電圧を印加するための入力抵抗である。
一方、制御回路IC3は、エンジンECU7から送られてくる点火信号をスイッチIC2におけるIGBT5の制御信号として伝える役割を果たすものである。制御回路IC3には、保護抵抗3aを通じて所定電圧を発生させる電源3bからの電力供給が為されるようになっており、この電源3aからの電力供給に基づいて制御回路IC3が駆動されるようになっている。
この制御回路IC3には、波形整形回路8とゲートドライブ回路9とが備えられている。これらの構成により、制御回路IC3に入力された点火信号は、波形整形回路8によって波形整形されたのち、ゲートドライブ回路9によってIGBT5をON/OFF駆動するためのゲート電圧に変換されるようになっている。このため、ゲートドライブ回路9から印加されるゲート電圧によってIGBT5がON/OFF駆動される。
さらに、エンジンECU7から点火信号が入力される入力端子、具体的には制御回路IC3の前段に、保護素子10が接続されている。この保護素子10は、2つのツェナーダイオード11、12を含んだ構成となっている。2つのツェナーダイオード11、12は、例えばポリシリコンPN接合によって構成されたもので、互いのアノード端子同士、もしくはカソード端子同士が接続されたバックトゥバック接続が為されている。
そして、このように構成される点火装置1の各構成要素が、図2に示されるように、一枚の金属板を打ち抜いて形成した各種端子を構成するリードフレーム14の上の所定位置に実装されたのち、モールド樹脂1aによって樹脂封止されることで、点火装置1が構成されている。
具体的には、スイッチングIC2は、点火コイル4の1次巻線4aに接続される出力端子14aの上に実装され、制御回路IC3、保護素子10および保護抵抗3aは、GND端子14bの上に実装されている。
そして、スイッチングIC2は、ボンディングワイヤ15aを介してGND端子14bと、ボンディングワイヤ15bを介して制御回路IC3と電気的に接続されている。また、制御回路IC3は、ボンディングワイヤ15cを通じてGND端子14bと、ボンディングワイヤ15dを通じて保護素子10と、ボンディングワイヤ15eを通じて保護抵抗3aと電気的に接続されている。保護素子10は、ボンディングワイヤ15fを通じて、エンジンECU8からの点火信号が入力される入力端子14cと電気的に接続されている。さらに、保護抵抗3aは、ボンディングワイヤ15gを通じて電源3bに接続される定電圧(+B)端子14dと電気的に接続されている。
なお、ここでいうGND端子14bは、例えばエンジンGNDに接続される端子であり、上述したように、制御回路IC3をGND端子14bに接続することで、エンジンECU7が接続されるボディーGNDとは異なるアース形態がとられることになる。
以上のような構成により点火装置1が構成されている。そして、スイッチIC2に備えられたIGBT5のコレクタ端子に点火コイル4の1次巻線4aが接続されると共に、点火コイル4の2次巻線4bがプラグ13に接続されることで、点火装置1によるプラグ13の点火タイミングの制御が行われるようになっている。
このような構成の点火装置1は、エンジンECU7からの点火信号がハイレベルとなると、制御回路IC3および抵抗6を介して各IGBT5に高いゲート電圧が印加され、各IGBT5がON状態とされる。このため、各IGBT5のコレクタ−エミッタ間に電流が流れ、点火コイル4の1次巻線4aに流されるコイル電流が上昇していく。これにより、2次巻線4bからプラグ13の放電に必要な電流が流され、内燃機関において点火が行われる。
そして、エンジンECU7からの点火信号がローレベルとなると、IGBT5のゲート電圧が低下するため、IGBT5がOFF状態とされ、点火コイル4の1次巻線4aへのコイル電流が遮断される。
続いて、本実施形態における点火装置1の効果について説明する。
本実施形態の点火装置1では、制御回路IC3の前段において、バックトゥバック接続された2つのツェナーダイオード11、12で構成された保護素子10を接続している。このような構成の点火装置1によれば、上述したように、スタータ始動時などにおいてエンジンGNDとボディーGNDとの間の電位差が大きくなったとしても、2つのツェナーダイオード11、12の内の一方、つまりツェナーダイオード12がその電位差に基づいて流れようとする電流に対して逆方向となるため、電流が流れない。
したがって、点火装置1のGNDとなるエンジンGNDと信号発生源となるエンジンECU7のGNDとなるボディーGNDとの間に発生する電位差に起因して、保護素子10などが破損されることを防止することが可能となる。
また、保護素子10を構成する2つのツェナーダイオード11、12が有する整流作用に関しても、整流作用によって流れようとする電流に対して、2つのツェナーダイオード11、12の内の一方、つまりツェナーダイオード12が逆方向となるため、電流が流れない。
したがって、エンジンECU7と制御回路ICとを結ぶ信号線の電位レベルがローレベルにならなければならないのにも関わらずハイレベルになってしまうという現象が発生することを防止することができる。これにより、制御回路IC3に誤った電位レベルの信号が入力されることを抑制でき、制御回路IC3が誤ってIGBT5をONさせてしまうなど、点火装置1を誤作動させてしまうことを防止することができる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して波形整形回路8の構成の一例を示したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは異なる部分についてのみ説明する。
図3は、本実施形態における点火装置1の模式図である。この図に示されるように、波形整形回路8は、点火信号の電位レベルを所定電圧Vrefと大小比較するコンパレータ20によって構成されている。
図4は、波形整形回路8を構成するコンパレータ20の回路構成例を示したものである。この図に示されるように、コンパレータ20には、2つのPNPトランジスタ20a、20bと2つの抵抗20c、20d、定電流源20eおよびゲート駆動電圧源20fが備えられている。
PNPトランジスタ20aと抵抗20cが直列接続されていると共に、PNPトランジスタ20bと抵抗20dが直列接続されており、直列接続された各ラインが定電流源20eに対して、並列的に接続された構成となっている。そして、PNPトランジスタ20aのゲート端子に点火信号が入力され、PNPトランジスタ20bと抵抗20dとの間(点A)の電位がゲートドライブ回路9へ出力されるようになっている。
このように、波形整形回路8が図4に示されるような回路構成とされる場合、点火信号の電位レベルがローレベルの時には、PNPトランジスタ20aがON、PNPトランジスタ20bがOFFされることになる。このため、点Aでの電位がローレベルとなり、IGBT5がOFFされる。
一方、点火信号の電位レベルがハイレベルの時には、PNPトランジスタ20aがOFF、PNPトランジスタ20bがONされることになる。このため、点Aでの電位がハイレベルとなり、IGBT5がONされることになる。
このようにして点火装置1のIGBT5がON/OFF駆動される。このとき、本実施形態では、点火信号がPNPトランジスタ20aのベース端子に入力されるようになっている。このため、以下の効果を得ることが可能となる。
バイポーラトランジスタには、OFFからONへの切り替わり動作は速く、ONからOFFへの切り替わり動作は遅いという特性がある。このため、点火信号に高周波ノイズが載っていた場合において、瞬間的に点火信号の電位レベルが増加したとしても、PNPトランジスタ20aがもともとON状態になっているため、瞬間的な点火信号の電位レベルの増加によってPNPトランジスタ20aがOFFされてしまわない。
このため、高周波ノイズによって点火装置1が誤動作してしまうことを防止することが可能となる。
(他の実施形態)
(1)上記実施形態では、図2に示されるように、保護素子10、制御回路IC3およびスイッチIC2とがそれぞれ別々のチップで構成されたものについて説明した。しかしながら、これは単なる一例であり、必ずしもすべてを別々のチップで構成しなければならない訳ではない。
図5に、保護素子10と制御回路IC3とを1チップで構成した例を示す。図5(a)は、点火装置1の部品構成レイアウト図、図5(b)は、点火装置1の部分断面図である。この図に示されるように、制御回路IC3と保護素子10とを1つのチップにまとめて一体化することも可能である。
また、図示しないが、スイッチIC2と制御回路IC3とを1つのチップにまとめて一体化することも可能である。
(2)上記実施形態では、2つのツェナーダイオード11、12をポリシリコンPN接合により構成したものを例に挙げて説明したが、これも単なる一例を示したものに過ぎない。例えば、2つのツェナーダイオード11、12をシリコンへの不純物拡散によってPN接合を形成した構成としても構わない。
(3)上記第2実施形態において、コンパレータ20の内部構成の一例を示したが、他の構成としても良い。例えば、図6に示されるように、図4で示した抵抗20c、20dに代えて、カレントミラー接続されたNPNトランジスタ20g、20hによって構成されるものであっても良い。
本発明の第1実施形態における点火装置の回路構成図である。 図1に示す点火装置の部品構成レイアウト図である。 本発明の第2実施形態における点火装置の回路構成図である。 図3に示す点火装置における波形整形回路を構成するコンパレータの内部構成例を示す回路図である。 他の実施形態で示す保護素子と制御回路ICとを1チップで構成した場合を示した図であり、(a)は、点火装置の部品構成レイアウト図、(b)は、点火装置1の部分断面図である。 他の実施形態で示す点火装置における波形整形回路を構成するコンパレータの内部構成例を示す回路図である。 点火装置のGNDと点火装置駆動用のECUのGNDとの関係を示した模式図である。
符号の説明
1…点火装置、2…スイッチIC、3…制御回路IC、4…点火コイル、4a…1次巻線、4b…2次巻線、5…IGBT、8…波形整形回路、9…ゲートドライブ回路、10…保護素子、11、12…ツェナーダイオード、13…プラグ、14a〜14d…端子、15a〜15g…ボンディングワイヤ、20…コンパレータ、20a、20b…PNPトランジスタ(第1、第2トランジスタ)。

Claims (7)

  1. 点火コイル(4)に流されるコイル電流のスイッチングを行う半導体スイッチング素子(5)が備えられたスイッチIC(2)と、
    前記スイッチIC(2)における前記半導体スイッチング素子(5)をON、OFF制御するための制御信号を出力する制御回路IC(3)とを備え、
    前記制御回路IC(3)に対して点火信号を入力することで、該点火信号に基づいて前記制御回路IC(3)から前記半導体スイッチング素子(5)への制御信号が出力されるように構成された点火装置であって、
    前記制御回路IC(3)における前記点火信号が入力される信号線とGNDとの間に、互いにバックトゥバック接続された2つのツェナーダイオード(11、12)を含む保護素子(10)が備えられていることを特徴とする内燃機関用点火装置。
  2. 前記保護素子(10)が前記制御回路IC(3)と共に1チップとされて一体化されていることを特徴とする請求項1に記載の内燃機関用点火装置。
  3. 前記保護素子(10)と前記制御回路IC(3)とが別体とされていることを特徴とする請求項1に記載の内燃機関用点火装置。
  4. 前記スイッチIC(2)と前記制御回路IC(3)とが共に1チップとされて一体化されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の内燃機関用点火装置。
  5. 前記スイッチIC(2)と前記制御回路IC(3)とが別体とされていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の点火装置。
  6. 前記2つのツェナーダイオード(11、12)がポリシリコンPN接合もしくはシリコンへの不純物拡散によるPN接合によって形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の内燃機関用点火装置。
  7. 前記制御回路IC(3)には、前記点火信号の波形整形を行うための波形整形回路(8)が備えられ、該波形整形回路(8)が前記点火信号をベース電圧として入力する第1PNPトランジスタ(20a)と、前記第1PNPトランジスタ(20a)がONしたときにはOFFされると共にOFFしたときにはONされる第2PNPトランジスタ(20b)とを備えるコンパレータ(20)によって構成されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の内燃機関用点火装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014051904A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Rohm Co Ltd 信号検出回路及びイグナイタ
WO2014171127A1 (ja) * 2013-04-16 2014-10-23 株式会社デンソー 駆動制御回路および内燃機関点火装置
JP2016089813A (ja) * 2014-11-11 2016-05-23 ローム株式会社 イグナイタおよび車両、イグニッションコイルの制御方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2972197B1 (fr) * 2011-03-03 2013-12-20 Snf Sas Produit destine a etre additionne a l'eau d'irrigation de cultures
US9488151B2 (en) * 2012-02-08 2016-11-08 Denso Corporation Ignition system
US9022010B2 (en) * 2012-02-08 2015-05-05 Denso Corporation Ignition system
KR101540147B1 (ko) * 2012-10-31 2015-07-28 삼성전기주식회사 오작동 방지 기능이 구비된 전력 모듈 및 그 제어 방법
DE102015201167B3 (de) * 2015-01-23 2016-06-23 Ford Global Technologies, Llc Zündkerze zum Einleiten einer Verbrennung in einem Zylinder eines Verbrennungsmotors sowie Verfahren zum Betreiben einer derartigen Zündkerze

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4099998A (en) * 1975-11-03 1978-07-11 General Electric Company Method of making zener diodes with selectively variable breakdown voltages
JPH1077940A (ja) * 1996-09-03 1998-03-24 Hitachi Ltd 内燃機関用点火装置
JPH10274142A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Hitachi Ltd 内燃機関用点火装置
US6717412B1 (en) * 1999-09-24 2004-04-06 Snap-On Technologies, Inc. Ignition signal pickup interface box
JP3484123B2 (ja) * 2000-01-12 2004-01-06 株式会社日立製作所 内燃機関用点火装置
JP3917865B2 (ja) * 2000-05-26 2007-05-23 株式会社日立製作所 内燃機関用点火装置
JP2002141507A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置とその製造方法
US20020145843A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Parada Aida I Protection circuit for two-wire electrical devices

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014051904A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Rohm Co Ltd 信号検出回路及びイグナイタ
WO2014171127A1 (ja) * 2013-04-16 2014-10-23 株式会社デンソー 駆動制御回路および内燃機関点火装置
JP2014208975A (ja) * 2013-04-16 2014-11-06 株式会社デンソー 駆動制御回路および内燃機関点火装置
JP2016089813A (ja) * 2014-11-11 2016-05-23 ローム株式会社 イグナイタおよび車両、イグニッションコイルの制御方法

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