JP2014200164A - 充放電制御回路、充放電制御装置およびバッテリ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】過電流検出電流値の精度が高く、安全性の高いバッテリ装置を提供する。
【解決手段】過電流検出回路の基準電圧回路を、二次電池の両端に接続した、定電流回路と抵抗と二次電池の電圧によって抵抗値が変化するトランジスタと、で構成し、定電流回路の電流が抵抗とトランジスタに流れることで発生する電圧を基準電圧として出力することを特徴とする充放電制御回路。
【選択図】図１

Description

本発明は、二次電池の充放電を制御する充放電制御回路、充放電制御装置およびバッテリ装置に関し、特にバッテリやバッテリ装置に接続した機器に過度な電流が流れることを防止する技術に関する。

図４に、従来のバッテリ装置の回路図を示す。
従来のバッテリ装置は、二次電池１１と、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２と、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３と、充放電制御回路１４と、抵抗２２、３１と、容量３２と、外部端子２０、２１で構成されている。充放電制御回路１４は、制御回路１５と、過電流検出回路１６と、過電流検出端子１９と、充電制御信号出力端子４１と、放電制御信号出力端子４２と、正極電源端子４４と、負極電源端子４３で構成されている。過電流検出回路１６は、比較回路１８と、基準電圧回路１７で構成されている。

次に、従来のバッテリ装置の動作について説明する。
外部端子２０、２１の間に負荷が接続され、電流が流れると二次電池１１の負極と外部端子２１間に電位差が発生する。この電位差は、外部端子２０、２１間に流れた電流量Ｉ₁、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２の抵抗値Ｒ₁₂、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３の抵抗値Ｒ₁₃によって決定され、Ｉ₁×（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）で表される。過電流検出端子１９の電圧は外部端子２１の電圧と等しい。比較回路１８は、基準電圧回路１７の電圧と過電流検出端子１９の電圧を比較し、過電流検出端子１９の電圧が高ければ、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２をオフし、過電流保護をかける。

過電流検出電流値の設定値をＩ_DOP、基準電圧回路１７の電圧をＶ₁₇、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２の抵抗値をＲ₁₂、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３の抵抗値をＲ₁₃とする。比較回路１８が検出信号を出力する閾値電圧となる時の外部端子２１の電圧はＶ₁₇である。この時、外部端子２０、２１間に流れた電流は、外部端子２１の電圧をＮｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２とＮｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３の抵抗値の合計で割ったものとなり、Ｉ_DOP＝Ｖ₁₇／（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）と表される。

比較回路１８が検出信号を出力する時の充放電制御回路の過電流検出端子の電圧を過電流検出電圧と呼ぶ。

特開２００４−１０４９５６号公報

しかしながら従来の技術では、充放電制御回路の過電流検出電圧は二次電池電圧や温度が変化しても一定の値であるのに対し、Ｎｃｈ充放電制御電界効果トランジスタの抵抗値が二次電池電圧や温度の変化に伴って変化するため、過電流検出電流値が変動してしまう。このため、過電流検出電流値の精度が悪くバッテリ装置の安全性が低いという課題があった。

本発明は、以上のような課題を解決するために考案されたものであり、過電流検出電流値の精度を向上させ、安全性の高いバッテリ装置を提供する。

従来の課題を解決するために、本発明の充放電制御回路は以下のような構成とした。
過電流検出回路の基準電圧回路を、二次電池の両端に接続した、定電流回路と抵抗と二次電池の電圧によって抵抗値が変化するトランジスタと、で構成した。

本発明のバッテリ装置によれば、充放電制御回路の過電流検出電圧の二次電池電圧依存性と温度依存性を充放電制御スイッチの抵抗値の二次電池電圧依存性と温度依存性に一致させることが可能となり、過電流検出電流値の精度を向上させ、安全性の高いバッテリ装置の提供が可能となる。

第一の実施形態のバッテリ装置の回路図である。 第二の実施形態のバッテリ装置の回路図である。 第三の実施形態のバッテリ装置の回路図である。 従来のバッテリ装置の回路図である。 第四の実施形態のバッテリ装置の回路図である。

以下、本実施形態について図面を参照して説明する。

＜実施形態１＞
図１は、第一の実施形態のバッテリ装置の回路図である。
第一の実施形態のバッテリ装置は、二次電池１１と、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２と、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３と、バッテリ状態監視回路１４と、抵抗２２、３１と、容量３２と、外部端子２０、２１で構成されている。Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２と、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３と、バッテリ状態監視回路１４と、で充放電制御装置を構成する。

バッテリ状態監視回路１４は、制御回路１５と、過電流検出回路１６と、過電流検出端子１９と、充電制御信号出力端子４１と、放電制御信号出力端子４２と、正極電源端子４４と、負極電源端子４３で構成されている。過電流検出回路１６は、比較回路１８と、定電流回路２３と、抵抗２４と、ＮＭＯＳトランジスタ２５で構成されている。定電流回路２３と、抵抗２４と、ＮＭＯＳトランジスタ２５で基準電圧回路１７を構成する。

二次電池１１は、正極は外部端子２０と抵抗３１に接続され、負極は容量３２と負極電源端子４３とＮｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２のソース及びバックゲートに接続される。正極電源端子４４は、抵抗３１と容量３２の接続点に接続される。Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２は、ゲートは放電制御信号出力端子４２に接続され、ドレインはＮｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３のドレインに接続される。Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３は、ゲートは充電制御信号出力端子４１に接続され、ソース及びバックゲートは外部端子２１および抵抗２２に接続される。抵抗２２のもう一方の端子は過電流検出端子１９に接続される。比較回路１８は、反転入力端子は過電流検出端子１９に接続され、非反転入力端子は定電流回路２３と抵抗２４の接続点に接続され、出力端子は制御回路１５に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２５は、ゲートは正極電源端子４４に接続され、ドレインは抵抗２４のもう一方の端子に接続され、ソースは負極電源端子４３に接続される。定電流回路２３のもう一方の端子は正極電源端子４４に接続される。制御回路１５は、第一の入力は正極電源端子４４に接続され、第二の入力は負極電源端子４３に接続され、第一の出力は充電制御信号出力端子４１に接続され、第二の出力は放電制御信号出力端子４２に接続される。

次に、第一の実施形態のバッテリ装置の動作について説明する。
二次電池１１が過充電検出電圧以下かつ過放電検出電圧以上である時、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３はオンするように制御される。この状態で外部端子２０、２１の間に負荷が接続され、放電電流が流れると二次電池１１の負極と外部端子２１間に電位差が発生する。この電位差は、外部端子２０、２１間に流れた電流量Ｉ₁、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２の抵抗値Ｒ₁₂、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３の抵抗値Ｒ₁₃によって決定され、Ｉ₁×（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）で表される。

定電流回路２３は抵抗２４、ＮＭＯＳトランジスタ２５に電流を流し、電圧を発生させる。その電圧を基準電圧回路１７の出力電圧として出力する。比較回路１８は、基準電圧回路１７の電圧と過電流検出端子１９の電圧を比較し、過電流検出端子１９の電圧が高ければ検出信号を制御回路１５に出力してＮｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２をオフさせ過電流保護をかける。

過電流検出電流値の設定値をＩ_DOP、基準電圧回路１７の電圧をＶ₁₇、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２の抵抗値をＲ₁₂、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３の抵抗値をＲ₁₃とする。比較回路１８が検出信号を出力する閾値電圧となる時の外部端子２１の電圧はＶ₁₇である。この時、外部端子２０、２１間に流れた電流は、外部端子２１の電圧をＮｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２とＮｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３の抵抗値の合計で割ったものとなり、Ｉ_DOP＝Ｖ₁₇／（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）と表される。

ここで、Ｎｃｈ電界効果トランジスタの抵抗値がゲート・ソース間電圧依存性と温度依存性を持つことはいうまでもない。実施形態１のＮｃｈ充放電制御電界効果トランジスタのソース電位は二次電池の負極電位であり、ゲート電位は二次電池の正極電位である。よって実施形態１のＮｃｈ充放電制御電界効果トランジスタの抵抗値（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）は、二次電池電圧依存性と温度依存性を持つ。

ＮＭＯＳトランジスタ２５はソースを負極電源端子４３、ゲートを正極電源端子４４に接続することでＮｃｈ充放電制御電界効果トランジスタとゲート・ソース間電圧が同じ状態を作り出している。このＮＭＯＳトランジスタ２５のＷ長とＬ長と、流入する電流量を定電流回路２３で変化させると、二次電池電圧依存性は調節可能となる。また、過電流検出電流値Ｉ_DOPを調節するためには、Ｉ_DOP＝Ｖ₁₇／（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）で表されるため、基準電圧回路Ｖ₁₇の出力電圧の絶対値の合わせ込みも必要となる。Ｖ₁₇がＩ_DOP×（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）になるように定電流回路２３の電流値に応じて抵抗２４の値を最適化することで、過電流検出電流の狙い値を調節する。また、抵抗２４の温度特性は、素子の作り方で調節可能である。Ｖ₁₇の絶対値の合わせ込みを行った時に、Ｖ₁₇の温度特性がＮｃｈ充放電制御トランジスタの温度特性と一致するように、抵抗２４の温度特性を最適化しておく。

こうして、基準電圧回路１７の電圧Ｖ₁₇の値の二次電池電圧依存性と温度依存性を調節可能にし、Ｎｃｈ充放電制御電界効果トランジスタの抵抗値の二次電池電圧依存性、温度依存性と一致させることで、過電流検出電流値の設定値Ｉ_DOPが二次電池電圧や温度が変化しても一定の値となるようにすることができる。

なお、ＮＭＯＳトランジスタ２５のゲートは、充放電制御回路１４の正極電源端子４２としたが、二次電池電圧を感知して抵抗値が変化すれば良いため、二次電池電圧依存性を持つ回路の出力に接続し、定電流値を調節すれば第一の実施形態と同じ効果を発揮させることが可能である。また、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３、ＮＭＯＳトランジスタ２５を用いて説明したが、この構成に限らず、Ｐｃｈ電界効果トランジスタを用いＮＭＯＳトランジスタ２５をＰＭＯＳトランジスタに、定電流回路２３の正極電源端子４４の接続を負極電源端子４３に変更しても同様の動作をさせることができるということはいうまでもない。また、バッテリの放電電流のみの制御を行う場合、充電電流のみの制御を行う場合にも本発明を利用できることは自明のことである。

以上により、第一の実施形態のバッテリ装置は充放電制御回路の過電流検出電圧とＮｃｈ充放電制御電界効果トランジスタの二次電池電圧依存性、温度依存性を一致させることで、バッテリ装置の過電流検出電流値の精度を向上させ、バッテリ装置の安全性を高めることができる。

＜実施形態２＞
図２は、第二の実施形態のバッテリ装置の回路図である。第一の実施形態のバッテリ装置との違いはスイッチ回路２０３、比較回路２０２、基準電圧回路２０１を追加した点である。

第二の実施形態のバッテリ装置の接続について説明する。
比較回路２０２は、反転入力端子は基準電圧回路２０１に接続され、非反転入力端子は過電流検出端子１９に接続され、出力端子はスイッチ回路２０３に接続されてスイッチ回路２０３のオンオフを制御する。基準電圧回路２０１のもう一方の端子は負極電源端子４３に接続される。スイッチ回路２０３は一方の端子は定電流回路２３に接続され、もう一方の端子は抵抗２４に接続される。他は第一の実施形態と同様の接続である。

次に、第二の実施形態のバッテリ装置の動作について説明する。
外部端子２０、２１の間に負荷が接続されず放電電流が流れていないときは、比較回路２０２がスイッチ回路２０３をオフするように制御し定電流回路２３から流れる電流を遮断する。こうして、放電電流が流れていないときは定電流回路２３からの電流を遮断し消費電力を低減することができる。

外部端子２０、２１の間に負荷が接続され、放電電流が流れると二次電池１１の負極と外部端子２１間に電位差が発生する。この電位差は、外部端子２０、２１間に流れた電流量Ｉ₁、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２の抵抗値Ｒ₁₂、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３の抵抗値Ｒ₁₃によって決定され、Ｉ₁×（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）で表される。二次電池１１の負極と外部端子２１間の電位差が上昇し、基準電圧回路２０１の電圧より高くなると比較回路２０２は出力端子からスイッチ回路２０３をオンさせる信号を出力する。スイッチ回路２０３がオンした後の動作に関しては第一の実施形態と同様である。

こうして、基準電圧回路１７の電圧Ｖ₁₇の値の二次電池電圧依存性と温度依存性を調節可能にし、Ｎｃｈ充放電制御電界効果トランジスタの抵抗値の二次電池電圧依存性、温度依存性と一致させることで、過電流検出電流値の設定値Ｉ_DOPが二次電池電圧や温度が変化しても一定の値となるようにすることができる。

なお、ＮＭＯＳトランジスタ２５のゲートは、充放電制御回路１４の正極電源端子４２としたが、二次電池電圧を感知して抵抗値が変化すれば良いため、二次電池電圧依存性を持つ回路の出力に接続し、定電流値を調節すれば第一の実施形態と同じ効果を発揮させることが可能である。また、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３、ＮＭＯＳトランジスタ２５を用いて説明したが、この構成に限らず、Ｐｃｈ電界効果トランジスタを用いＮＭＯＳトランジスタ２５をＰＭＯＳトランジスタに、定電流回路２３の正極電源端子４４の接続を負極電源端子４３に変更しても同様の動作をさせることができるということはいうまでもない。また、バッテリの放電電流のみの制御を行う場合、充電電流のみの制御を行う場合にも本発明を利用できることは自明のことである。

以上により、第二の実施形態のバッテリ装置は放電電流が流れていないときは定電流回路２３の電流を遮断し消費電力を低減することができる。また、充放電制御回路の過電流検出電圧とＮｃｈ充放電制御電界効果トランジスタの二次電池電圧依存性、温度依存性を一致させることで、バッテリ装置の過電流検出電流値の精度を向上させ、バッテリ装置の安全性を高めることができる。

＜実施形態３＞
図３は、第三の実施形態のバッテリ装置の回路図である。第二の実施形態のバッテリ装置との違いはスイッチ３０１、３０２を追加し、スイッチ回路２０３を削除した点である。

第三の実施形態のバッテリ装置の接続について説明する。
比較回路２０２は、反転入力端子は基準電圧回路２０１に接続され、非反転入力端子は過電流検出端子１９に接続され、出力端子はスイッチ回路３０１、３０２に接続されてスイッチ回路３０１、３０２のオンオフを制御する。基準電圧回路２０１のもう一方の端子は負極電源端子４３に接続される。スイッチ回路３０１は一方の端子は正極電源端子４４に接続され、もう一方の端子はＮＭＯＳトランジスタ２５のゲートに接続される。スイッチ回路３０２は一方の端子は負極電源端子４３に接続され、もう一方の端子はＮＭＯＳトランジスタ２５のゲートに接続される。定電流回路２３は一方の端子は正極電源端子４４に接続され、もう一方の端子は抵抗２４に接続される。他は第二の実施形態と同様の接続である。

次に、第三の実施形態のバッテリ装置の動作について説明する。
外部端子２０、２１の間に負荷が接続されず放電電流が流れていないときは、比較回路２０２がスイッチ回路３０１をオフ、スイッチ回路３０２をオンするように制御し、ＮＭＯＳトランジスタ２５をオフさせ、定電流回路２３から流れる電流を遮断する。こうして、放電電流が流れていないときは定電流回路２３からの電流を遮断し消費電力を低減することができる。

外部端子２０、２１の間に負荷が接続され、放電電流が流れると二次電池１１の負極と外部端子２１間に電位差が発生する。この電位差は、外部端子２０、２１間に流れた電流量Ｉ₁、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２の抵抗値Ｒ₁₂、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３の抵抗値Ｒ₁₃によって決定され、Ｉ₁×（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）で表される。二次電池１１の負極と外部端子２１間の電位差が上昇し、基準電圧回路２０１の電圧より高くなると比較回路２０２はスイッチ回路３０１をオン、スイッチ回路３０２をオフするように制御し、ＮＭＯＳトランジスタ２５をオンさせる。ＮＭＯＳトランジスタ２５がオンした後の動作に関しては第一の実施形態と同様である。

こうして、基準電圧回路１７の電圧Ｖ₁₇の値の二次電池電圧依存性と温度依存性を調節可能にし、Ｎｃｈ充放電制御電界効果トランジスタの抵抗値の二次電池電圧依存性、温度依存性と一致させることで、過電流検出電流値の設定値Ｉ_DOPが二次電池電圧や温度が変化しても一定の値となるようにすることができる。

なお、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３、ＮＭＯＳトランジスタ２５を用いて説明したが、この構成に限らず、Ｐｃｈ電界効果トランジスタを用いＮＭＯＳトランジスタ２５をＰＭＯＳトランジスタに、定電流回路２３の正極電源端子４４の接続を負極電源端子４３に変更しても同様の動作をさせることができるということはいうまでもない。また、バッテリの放電電流のみの制御を行う場合、充電電流のみの制御を行う場合にも本発明を利用できることは自明のことである。

以上により、第三の実施形態のバッテリ装置は放電電流が流れていないときは定電流回路２３の電流を遮断し消費電力を低減することができる。
また、充放電制御回路の過電流検出電圧とＮｃｈ充放電制御電界効果トランジスタの二次電池電圧依存性、温度依存性を一致させることで、バッテリ装置の過電流検出電流値の精度を向上させ、バッテリ装置の安全性を高めることができる。

＜実施形態４＞
図５は、第四の実施形態のバッテリ装置の回路図である。第一の実施形態のバッテリ装置との違いは二次電池１１の負極と負極電源端子４３の接続点とＮｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２のソースとの間に抵抗３３を追加した点である。他はすべて第一の実施形態と同様である。

Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２のオン抵抗Ｒ₁₂と、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３のオン抵抗Ｒ₁₃は製造工程でのばらつきが大きく精度が悪い。そこで、Ｎｃｈ電界効果トランジスタよりも抵抗値のばらつきの少ない抵抗３３を直列に設けることで、過電流検出電流値のばらつきを小さくすることができる。

過電流検出電流値Ｉ_DOPはＩ_DOP＝Ｖ₁₇／（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃＋Ｒ₃₃）で表されるため、（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃＋Ｒ₃₃）に対するＲ₃₃の割合が大きいほど、Ｒ₁₂とＲ₁₃のばらつきの影響を小さくすることができ、過電流検出電流の精度が向上することができる。

前述のとおり、Ｎｃｈ充放電制御電界効果トランジスタ１２、１３の抵抗値の合計（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃）は、精度が悪く二次電池電圧依存性と温度依存性を持つ。抵抗３３の抵抗値を加算しても変わらず抵抗値（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃＋Ｒ₃₃）には二次電池電圧依存性と温度依存性が存在する。これを補正するために、定電流回路２３の定電流量、抵抗２４の抵抗値、ＮＭＯＳトランジスタ２５のＷ長とＬ長を最適化し、基準電圧回路１７の電圧Ｖ₁₇の値の二次電池電圧依存性と温度依存性を抵抗値（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃＋Ｒ₃₃）の二次電池電圧依存性と温度依存性と一致させる。こうして、過電流検出電流値の設定値Ｉ_DOPが二次電池電圧や温度が変化しても一定の値となるようにすることができる。

なお、抵抗３３の位置は図５の位置に限定されず、二次電池１１の負極と負極電源端子４３の接続点と外部端子２１と抵抗２２の接続点の間であればどこに設けてもよい。また、抵抗３３は意図的に設けた抵抗でなくとも良く、回路を構成する際の寄生抵抗で構わない。また、二次電池１１の負極と負極電源端子４３の接続点と外部端子２１と抵抗２２の接続点の間の抵抗値を（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃＋Ｒ₃₃）とし、基準電圧回路１７の電圧Ｖ₁₇の値の二次電池電圧依存性と温度依存性を、抵抗値（Ｒ₁₂＋Ｒ₁₃＋Ｒ₃₃）の二次電池電圧依存性と温度依存性と一致させることで過電流検出電流値の設定値Ｉ_DOPが二次電池電圧や温度が変化しても一定の値となるようにすることができる。

なお、ＮＭＯＳトランジスタ２５のゲートは、充放電制御回路１４の正極電源端子４２としたが、二次電池電圧を感知して抵抗値が変化すれば良いため、二次電池電圧依存性を持つ回路の出力に接続し、定電流値を調節すれば第一の実施形態と同じ効果を発揮させることが可能である。また、Ｎｃｈ放電制御電界効果トランジスタ１２、Ｎｃｈ充電制御電界効果トランジスタ１３、ＮＭＯＳトランジスタ２５を用いて説明したが、この構成に限らず、Ｐｃｈ電界効果トランジスタを用いＮＭＯＳトランジスタ２５をＰＭＯＳトランジスタに、定電流回路２３の正極電源端子４４の接続を負極電源端子４３に変更しても同様の動作をさせることができるということはいうまでもない。また、バッテリの放電電流のみの制御を行う場合、充電電流のみの制御を行う場合にも本発明を利用できることは自明のことである。

以上により、第四の実施形態のバッテリ装置はＮｃｈ充放電制御電界効果トランジスタにＮｃｈ充放電制御電界効果トランジスタより抵抗値の高い抵抗を接続することで過電流検出電流の精度を向上させることができる。また、充放電制御回路の過電流検出電圧とＮｃｈ充放電制御電界効果トランジスタの二次電池電圧依存性、温度依存性を一致させることで、バッテリ装置の過電流検出電流値の精度を向上させ、バッテリ装置の安全性を高めることができる。

１１ 二次電池
１４ バッテリ状態監視回路
１５ 制御回路
１６ 過電流検出回路
１８、２０２、 比較回路
１９ 過電流検出端子
２０、２１ 外部端子
２３ 定電流回路
４１ 充電制御信号出力端子
４２ 放電制御信号出力端子
４３ 負極電源端子
４４ 正極電源端子
３３ 抵抗
２０３、３０１、３０２ スイッチ回路
２０１ 基準電圧回路

Claims (6)

1. 二次電池の電圧や異常を検知する制御回路と、過電流検出端子の電圧で過電流を検出する過電流検出回路と、を有する充放電制御回路であって、
   前記過電流検出回路は、
   定電流回路と第一の抵抗と前記二次電池の電圧によって抵抗値が変化するトランジスタで構成され、前記定電流回路の電流が前記抵抗と前記トランジスタに流れることで発生する電圧を出力する基準電圧回路を備えたことを特徴とする充放電制御回路。
2. 前記過電流検出回路は、
   前記基準電圧回路と、
   前記過電流検出端子の電圧と前記基準電圧回路の電圧を比較する比較回路と、
   を備えたことを特徴とする請求項１に記載の充放電制御回路。
3. 前記基準電圧回路は、
   前記過電流検出端子の電圧が所定の電圧以下の状態で動作を停止する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の充放電制御回路。
4. 二次電池の充放電経路に設けられた充放電制御スイッチと、
   前記二次電池の電圧を監視し、前記充放電制御スイッチを制御する請求項１に記載の充放電制御回路と、
   を備えたことを特徴とする充放電制御装置。
5. 二次電池と、
   請求項４に記載の充放電制御装置と、を備えたことを特徴とするバッテリ装置。
6. 更に、前記二次電池の充放電経路に、前記充放電制御スイッチに接続されて設けられる第二の抵抗を備えたことを特徴とする請求項５に記載のバッテリ装置。

Images