JP4770014B2 - Ｉｃキャリアとその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＳＩＭカードなどのＩＣキャリアと、当該ＩＣキャリアの製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開平１１−２５２４８号公報および特開２０００−９０２１８号公報には、板状枠体付きＩＣキャリアの発明が開示されている。
特開平６−２４１８８号公報には、規格フォーマットのＩＣカードを製造した後に、当該規格フォーマットのＩＣカードに対して縮小フォーマットのＩＣキャリアのプレカット輪郭を形成し、ＩＣキャリアを本体から取り外すことが開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ＩＣカードの製造後に当該ＩＣカードの一部分を分離してＩＣキャリアとするＩＣキャリアの製造方法では、ＩＣカードからＩＣキャリアが除かれた部分である板状枠体が生じるので、ＩＣキャリアの製造コストが高くなる。
また、板状枠体とＩＣキャリアとの間のブリッジ部が、板状枠体からのＩＣキャリアの取り外し時にＩＣキャリアに残存したり、逆にブリッジ部のつけ根の部分がＩＣキャリアから欠けたりするおそれがある。
【０００４】
本発明の目的は、板状枠体を不要とすることが可能なＩＣキャリアの製造方法と、当該製造方法により製造可能なＩＣキャリアとを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、平面形状が矩形状のＩＣモジュールと合成樹脂と有するＩＣキャリアを製造する方法であって、
ＩＣチップが埋設され、平面形状が矩形のモジュール基板、および、当該モジュール基板に埋設されている前記ＩＣチップに電気的に接続され、当該モジュール基板の一方の面に突出して固定され、平面形状が矩形で、平坦な表面を持ち、複数の接続部に区画されている端子部を有するＩＣモジュールを準備し、
前記ＩＣキャリアの矩形の形状および寸法を規定する矩形の形状および寸法を有し、当該矩形の形状の一辺の長さが前記ＩＣモジュールの１辺を嵌入させ得る長さであり、深さが前記ＩＣキャリアの厚さを規定する深さを有する、空洞と、当該空洞の底部に前記ＩＣモジュールが嵌入されたとき前記端子部に対応する位置に当該空洞の底部を貫通して形成された吸引口と、前記空洞の上部側面から樹脂を注入する樹脂注入口とを有する第１金型を準備し、
前記ＩＣモジュールを、前記端子部が前記吸引口の上部に位置し、当該ＩＣモジュールの１辺を嵌入させて前記第１の金型の前記空洞の底部まで嵌入させ、
前記第１の金型の前記空洞および前記樹脂注入口を塞ぐ第２の金型を前記第１の金型と一体にし、
前記吸引口から真空吸引して、前記空洞に嵌入された前記ＩＣモジュールを前記空洞内の底部に固定し、
前記注入口から溶融樹脂を、前記モジュール基板の前記一方の面に突出して固定された前記端子部の周囲かつ前記端子部と同一面まで充満し、かつ、前記モジュール基板の他方の面に所定の厚さで充満し、前記端子部の周囲の溶融樹脂と前記モジュール基板の他方の面側の溶融樹脂とが連続するように、注入し、
所定時間、保圧し、
前記注入した樹脂を硬化させ、
前記第２の金型を型開きし、
前記空洞に形成された、前記ＩＣモジュールと前記硬化した合成樹脂と有する当該ＩＣキャリアを前記空洞から取り出す、
ＩＣキャリアの製造方法が提供される。
【０００６】
好ましくは、前記空洞から前記ＩＣキャリアを取り出した後、前記注入口に残存した合成樹脂に対応する硬化した合成樹脂を除去する。
好ましくは、あるいは、前記溶融樹脂を硬化させる前、前記注入口に残存した合成樹脂を除去する。
【０００７】
好ましくは、前記合成樹脂は、ホリカーボネートとＡＢＳ樹脂との複合材料である。
【０００８】
好ましくは、前記溶融樹脂の温度は約２４０°Ｃ、前記溶融樹脂の前記空洞への射出圧力は、約８ＭＰａ、前記溶融樹脂の充填時間は、約０．３秒、保圧は約４ＭＰａ、保圧力時間は約１０秒である。
【０００９】
好ましくは、前記第１の金型の前記空洞には、矩形の平面形状の少なくとも１隅に、傾斜した切り欠きが形成されている。
【００１０】
好ましくは、前記ＩＣキャリアは、ＳＩＭカードである。
【００１１】
また本発明によれば、上記ＩＣキャリアの製造方法によって製造された、前記ＩＣモジュール、および、当該ＩＣモジュールを包囲して形成された合成樹脂と有するＩＣキャリアが提供される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明に係るＩＣキャリアの実施の形態を示す説明図である。
図１（Ａ）は、ＩＣキャリア１０の概略的な正面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＩＣキャリア１０の切断線ｃ−ｃにおける概略的な矢視断面図である。
【００１７】
このＩＣキャリア１０は、ＳＩＭ（Subscribed Identification Module、又は、Subscriber Identity Module）カードであり、傾斜部４により、カード処理装置に対するカード挿入方向が規定される。ＩＣキャリア１０の横方向（長手方向）のサイズは約２５ｍｍであり、縦方向のサイズは約１５ｍｍであり、厚さが約０．８ｍｍである。ＩＣキャリア１０は、長方形の一隅を切り取って残りの三隅を丸めたような形状を有する。
【００１８】
ＩＣキャリア１０は、端子部１と、モジュール基板２と、合成樹脂３とを有する。
ＩＣキャリア１０の一方の面は、平坦または実質的に平坦であり、端子部１および合成樹脂３により構成されている。端子部１の周囲には、合成樹脂３が位置している。端子部１の表面（端子面）には、金メッキが施されており、端子部１は、８個の接続端子に分離されている。
【００１９】
ＩＣキャリア１０の他方の面（すなわち裏面）は、平坦または実質的に平坦であり、合成樹脂３により構成されている。
モジュール基板２の一方の面には、端子部１が形成されており、モジュール基板２の一方の面のうち端子部１の周囲は合成樹脂３により覆われている。モジュール基板２の他方の面は、合成樹脂３により覆われている。このように、モジュール基板２のうち、横方向（長手方向）に沿った側面および端子部１以外の領域は、合成樹脂３により覆われている。
【００２０】
ＩＣキャリア１０は、図２に示すＩＣモジュール２０を有する。
図２（Ａ）は、ＩＣモジュール２０の概略的な正面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＩＣモジュール２０の切断線ｄ−ｄにおける概略的な矢視断面図である。
【００２１】
ＩＣモジュール２０は、端子部１およびモジュール基板２を有する。
モジュール基板２の一方の面および他方の面は、平坦または実質的に平坦である。モジュール基板２の一方の面には、端子部１が形成されており、端子部１に接続された不図示のＩＣチップが、モジュール基板２に埋没され、モジュール基板２に内包されている。
【００２２】
モジュール基板２の形状は、矩形状または略矩形状である。
モジュール基板２の縦方向のサイズは、ＩＣキャリア１０の縦方向（長手方向に対して垂直な方向）のサイズ以下であって、当該ＩＣキャリア１０の縦方向のサイズと同一または略同一である。
モジュール基板２の横方向のサイズは、ＩＣキャリア１０の端子部１の横方向のサイズ以上であって、当該ＩＣキャリア１０の端子部１の横方向のサイズと同一または略同一である。
ＩＣモジュール２０の厚さは、ＩＣキャリア１０の厚さよりも薄い。なお、端子部１でのＩＣモジュール２０の厚さは、モジュール基板２でのＩＣモジュール２０の厚さよりも厚い。一例として、モジュール基板２の厚さを約０．３ｍｍとし、端子部１の厚さを約０．３ｍｍとする。
【００２３】
図３および図４は、図１のＩＣキャリア１０の製造に使用する製造用金型を例示する概略的な説明図である。
図３（Ａ）は、製造用金型５０の概略的な平面図であり、上型を省略して描いており、下型５１の上面図を示している。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の製造用金型５０の上型および下型における切断線ｅ−ｅでの概略的な断面図である。
図４は、図３（Ａ）の製造用金型５０の上型および下型における切断線ｆ−ｆでの概略的な断面図である。
【００２４】
図３および図４に示す金型５０の空洞（キャビティ）５３の底面には、吸引口５９が形成されている。空洞５３の深さは、約０．８ｍｍである。
この空洞５３には、ＩＣモジュール２０が嵌め込まれており、端子部１の表面が空洞５３の底面の吸引口５９を覆うように、ＩＣモジュール２０が配置されている。ＩＣモジュール２０は、吸引口５９からの真空吸引力により、空洞５３の底面に吸引されて保持されている。
【００２５】
空洞５３の互いに対向する両対向壁のうち、ＩＣキャリア１０の長手方向に対応する第１の両対向壁は、ＩＣモジュール２０のモジュール基板２の短辺が、接触した状態または微小に離れた状態となっている。これにより、空洞５３内でのＩＣモジュール２０の縦方向についての位置合わせを行うことができると共に、ＩＣモジュール２０のがたつきを防止することができる。
第１の両対向壁に垂直または略垂直な第２の両対向壁のうち、ＩＣキャリア１０の傾斜部４に対応する壁５４に隣接した壁５７には、溶融状態の合成樹脂（溶融樹脂）が通過する注入口５２が形成されている。
【００２６】
このように、金型５０の空洞５３の底面に、ＩＣモジュール２０を吸着して保持する。また、金型５０の温度は、一例として約５０℃とする。
次に、溶融樹脂を注入口５２に注入し、溶融樹脂を空洞５３に充填する。一例として、注入する溶融樹脂の温度を約２４０℃とし、射出圧力を約８ＭＰａとし、充填時間を約０．３秒とし、保圧を約４ＭＰａとし、保圧時間を約１０秒とし、溶融樹脂をポリカーボネートとＡＢＳ（アクリルニトリル／ブタジエン／スチレン）樹脂との複合材料とする。
【００２７】
次に、充填された合成樹脂が硬化した後に金型５０を型開きし、成形品を取り出して注入口５２に対応する樹脂部分を除去することで、図１の形状のＩＣキャリア１０を得ることができる。あるいは、充填された溶融状態の合成樹脂から注入口５２に対応する部分を除去して硬化し、金型５０を型開きして成形品を取り出すことで、図１の形状のＩＣキャリア１０を得ることができる。
【００２８】
このようにして射出成形されたＩＣキャリア１０の表裏に対し、シルク印刷またはシルクスクリーン印刷により絵柄を印刷することで、ＩＣキャリア１０の商品性を向上可能である。
【００２９】
製造用金型５０により射出成形されたＩＣキャリア１０は、板状枠体が不要である。したがって、板状枠体とＩＣキャリアを板状枠体から取り外す従来の製法ではＩＣキャリアに曲げおよび／またはねじりの負荷が加わるおそれがあるが、射出成形によるＩＣキャリア１０ではこのようなことがない。
また、ＩＣキャリア１０を射出成形により製造する上記製造方法は、複数のシートを積層して製造する場合に比べ、大量生産に適している。
さらに、ＩＣキャリア１０は、モジュール基板２の表裏が同一の合成樹脂３で覆われているので、ＩＣキャリア１０の機械的強度および信頼性を向上可能である。
【００３０】
このような点から、ＩＣキャリア１０は、例えば、通話料金を前払いして購入する携帯電話用のプリペイドカードに好適である。
なお、上記実施の形態は本発明の例示であり、本発明は上記実施の形態に限定されない。
【００３１】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、板状枠体を不要とすることが可能なＩＣキャリアの製造方法と、当該製造方法により製造可能なＩＣキャリアとを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＩＣキャリアの実施の形態を示す概略的な説明図である。
【図２】図１のＩＣキャリアが有するＩＣモジュールの概略的な説明図である。
【図３】図１のＩＣキャリアの製造に使用する製造用金型を例示する第１の説明図である。
【図４】図１のＩＣキャリアの製造に使用する製造用金型を例示する第２の説明図である。
【符号の説明】
１…端子部、２…モジュール基板、３…合成樹脂、４…傾斜部、１０…ＩＣキャリア、２０…ＩＣモジュール、５０…金型（製造用金型）、５１…下型、５２…注入口（ゲート）、５３…空洞（キャビティ）、５４，５５…壁、５６…上型、５９…吸引口。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＳＩＭカードなどのＩＣキャリアと、当該ＩＣキャリアの製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開平１１−２５２４８号公報および特開２０００−９０２１８号公報には、板状枠体付きＩＣキャリアの発明が開示されている。
特開平６−２４１８８号公報には、規格フォーマットのＩＣカードを製造した後に、当該規格フォーマットのＩＣカードに対して縮小フォーマットのＩＣキャリアのプレカット輪郭を形成し、ＩＣキャリアを本体から取り外すことが開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ＩＣカードの製造後に当該ＩＣカードの一部分を分離してＩＣキャリアとするＩＣキャリアの製造方法では、ＩＣカードからＩＣキャリアが除かれた部分である板状枠体が生じるので、ＩＣキャリアの製造コストが高くなる。
また、板状枠体とＩＣキャリアとの間のブリッジ部が、板状枠体からのＩＣキャリアの取り外し時にＩＣキャリアに残存したり、逆にブリッジ部のつけ根の部分がＩＣキャリアから欠けたりするおそれがある。
【０００４】
本発明の目的は、板状枠体を不要とすることが可能なＩＣキャリアの製造方法と、当該製造方法により製造可能なＩＣキャリアとを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、平面形状が矩形状のＩＣモジュールと合成樹脂と有するＩＣキャリアを製造する方法であって、
ＩＣチップが埋設され、平面形状が矩形のモジュール基板、および、当該モジュール基板に埋設されている前記ＩＣチップに電気的に接続され、当該モジュール基板の一方の面に突出して固定され、平面形状が矩形で、平坦な表面を持ち、複数の接続部に区画されている端子部を有するＩＣモジュールを準備し、
前記ＩＣキャリアの矩形の形状および寸法を規定する矩形の形状および寸法を有し、当該矩形の形状の一辺の長さが前記ＩＣモジュールの１辺を嵌入させ得る長さであり、深さが前記ＩＣキャリアの厚さを規定する深さを有する、空洞と、当該空洞の底部に前記ＩＣモジュールが嵌入されたとき前記端子部に対応する位置に当該空洞の底部を貫通して形成された吸引口と、前記空洞の上部側面から樹脂を注入する樹脂注入口とを有する第１金型を準備し、
前記ＩＣモジュールを、前記端子部が前記吸引口の上部に位置し、当該ＩＣモジュールの１辺を嵌入させて前記第１の金型の前記空洞の底部まで嵌入させ、
前記第１の金型の前記空洞および前記樹脂注入口を塞ぐ第２の金型を前記第１の金型と一体にし、
前記吸引口から真空吸引して、前記空洞に嵌入された前記ＩＣモジュールを前記空洞内の底部に固定し、
前記注入口から溶融樹脂を、前記モジュール基板の前記一方の面に突出して固定された前記端子部の周囲かつ前記端子部と同一面まで充満し、かつ、前記モジュール基板の他方の面に所定の厚さで充満し、前記端子部の周囲の溶融樹脂と前記モジュール基板の他方の面側の溶融樹脂とが連続するように、注入し、
所定時間、保圧し、
前記注入した樹脂を硬化させ、
前記第２の金型を型開きし、
前記空洞に形成された、前記ＩＣモジュールと前記硬化した合成樹脂と有する当該ＩＣキャリアを前記空洞から取り出す、
ＩＣキャリアの製造方法が提供される。
【０００６】
好ましくは、前記空洞から前記ＩＣキャリアを取り出した後、前記注入口に残存した合成樹脂に対応する硬化した合成樹脂を除去する。
好ましくは、あるいは、前記溶融樹脂を硬化させる前、前記注入口に残存した合成樹脂を除去する。
【０００７】
好ましくは、前記合成樹脂は、ホリカーボネートとＡＢＳ樹脂との複合材料である。
【０００８】
好ましくは、前記溶融樹脂の温度は約２４０°Ｃ、前記溶融樹脂の前記空洞への射出圧力は、約８ＭＰａ、前記溶融樹脂の充填時間は、約０．３秒、保圧は約４ＭＰａ、保圧力時間は約１０秒である。
【０００９】
好ましくは、前記第１の金型の前記空洞には、矩形の平面形状の少なくとも１隅に、傾斜した切り欠きが形成されている。
【００１０】
好ましくは、前記ＩＣキャリアは、ＳＩＭカードである。
【００１１】
また本発明によれば、上記ＩＣキャリアの製造方法によって製造された、前記ＩＣモジュール、および、当該ＩＣモジュールを包囲して形成された合成樹脂と有するＩＣキャリアが提供される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明に係るＩＣキャリアの実施の形態を示す説明図である。
図１（Ａ）は、ＩＣキャリア１０の概略的な正面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＩＣキャリア１０の切断線ｃ−ｃにおける概略的な矢視断面図である。
【００１７】
このＩＣキャリア１０は、ＳＩＭ（Subscribed Identification Module、又は、Subscriber Identity Module）カードであり、傾斜部４により、カード処理装置に対するカード挿入方向が規定される。ＩＣキャリア１０の横方向（長手方向）のサイズは約２５ｍｍであり、縦方向のサイズは約１５ｍｍであり、厚さが約０．８ｍｍである。ＩＣキャリア１０は、長方形の一隅を切り取って残りの三隅を丸めたような形状を有する。
【００１８】
ＩＣキャリア１０は、端子部１と、モジュール基板２と、合成樹脂３とを有する。
ＩＣキャリア１０の一方の面は、平坦または実質的に平坦であり、端子部１および合成樹脂３により構成されている。端子部１の周囲には、合成樹脂３が位置している。端子部１の表面（端子面）には、金メッキが施されており、端子部１は、８個の接続端子に分離されている。
【００１９】
ＩＣキャリア１０の他方の面（すなわち裏面）は、平坦または実質的に平坦であり、合成樹脂３により構成されている。
モジュール基板２の一方の面には、端子部１が形成されており、モジュール基板２の一方の面のうち端子部１の周囲は合成樹脂３により覆われている。モジュール基板２の他方の面は、合成樹脂３により覆われている。このように、モジュール基板２のうち、横方向（長手方向）に沿った側面および端子部１以外の領域は、合成樹脂３により覆われている。
【００２０】
ＩＣキャリア１０は、図２に示すＩＣモジュール２０を有する。
図２（Ａ）は、ＩＣモジュール２０の概略的な正面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＩＣモジュール２０の切断線ｄ−ｄにおける概略的な矢視断面図である。
【００２１】
ＩＣモジュール２０は、端子部１およびモジュール基板２を有する。
モジュール基板２の一方の面および他方の面は、平坦または実質的に平坦である。モジュール基板２の一方の面には、端子部１が形成されており、端子部１に接続された不図示のＩＣチップが、モジュール基板２に埋没され、モジュール基板２に内包されている。
【００２２】
モジュール基板２の形状は、矩形状または略矩形状である。
モジュール基板２の縦方向のサイズは、ＩＣキャリア１０の縦方向（長手方向に対して垂直な方向）のサイズ以下であって、当該ＩＣキャリア１０の縦方向のサイズと同一または略同一である。
モジュール基板２の横方向のサイズは、ＩＣキャリア１０の端子部１の横方向のサイズ以上であって、当該ＩＣキャリア１０の端子部１の横方向のサイズと同一または略同一である。
ＩＣモジュール２０の厚さは、ＩＣキャリア１０の厚さよりも薄い。なお、端子部１でのＩＣモジュール２０の厚さは、モジュール基板２でのＩＣモジュール２０の厚さよりも厚い。一例として、モジュール基板２の厚さを約０．３ｍｍとし、端子部１の厚さを約０．３ｍｍとする。
【００２３】
図３および図４は、図１のＩＣキャリア１０の製造に使用する製造用金型を例示する概略的な説明図である。
図３（Ａ）は、製造用金型５０の概略的な平面図であり、上型を省略して描いており、下型５１の上面図を示している。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の製造用金型５０の上型および下型における切断線ｅ−ｅでの概略的な断面図である。
図４は、図３（Ａ）の製造用金型５０の上型および下型における切断線ｆ−ｆでの概略的な断面図である。
【００２４】
図３および図４に示す金型５０の空洞（キャビティ）５３の底面には、吸引口５９が形成されている。空洞５３の深さは、約０．８ｍｍである。
この空洞５３には、ＩＣモジュール２０が嵌め込まれており、端子部１の表面が空洞５３の底面の吸引口５９を覆うように、ＩＣモジュール２０が配置されている。ＩＣモジュール２０は、吸引口５９からの真空吸引力により、空洞５３の底面に吸引されて保持されている。
【００２５】
空洞５３の互いに対向する両対向壁のうち、ＩＣキャリア１０の長手方向に対応する第１の両対向壁は、ＩＣモジュール２０のモジュール基板２の短辺が、接触した状態または微小に離れた状態となっている。これにより、空洞５３内でのＩＣモジュール２０の縦方向についての位置合わせを行うことができると共に、ＩＣモジュール２０のがたつきを防止することができる。
第１の両対向壁に垂直または略垂直な第２の両対向壁のうち、ＩＣキャリア１０の傾斜部４に対応する壁５４に隣接した壁５７には、溶融状態の合成樹脂（溶融樹脂）が通過する注入口５２が形成されている。
【００２６】
このように、金型５０の空洞５３の底面に、ＩＣモジュール２０を吸着して保持する。また、金型５０の温度は、一例として約５０℃とする。
次に、溶融樹脂を注入口５２に注入し、溶融樹脂を空洞５３に充填する。一例として、注入する溶融樹脂の温度を約２４０℃とし、射出圧力を約８ＭＰａとし、充填時間を約０．３秒とし、保圧を約４ＭＰａとし、保圧時間を約１０秒とし、溶融樹脂をポリカーボネートとＡＢＳ（アクリルニトリル／ブタジエン／スチレン）樹脂との複合材料とする。
【００２７】
次に、充填された合成樹脂が硬化した後に金型５０を型開きし、成形品を取り出して注入口５２に対応する樹脂部分を除去することで、図１の形状のＩＣキャリア１０を得ることができる。あるいは、充填された溶融状態の合成樹脂から注入口５２に対応する部分を除去して硬化し、金型５０を型開きして成形品を取り出すことで、図１の形状のＩＣキャリア１０を得ることができる。
【００２８】
このようにして射出成形されたＩＣキャリア１０の表裏に対し、シルク印刷またはシルクスクリーン印刷により絵柄を印刷することで、ＩＣキャリア１０の商品性を向上可能である。
【００２９】
製造用金型５０により射出成形されたＩＣキャリア１０は、板状枠体が不要である。したがって、板状枠体とＩＣキャリアを板状枠体から取り外す従来の製法ではＩＣキャリアに曲げおよび／またはねじりの負荷が加わるおそれがあるが、射出成形によるＩＣキャリア１０ではこのようなことがない。
また、ＩＣキャリア１０を射出成形により製造する上記製造方法は、複数のシートを積層して製造する場合に比べ、大量生産に適している。
さらに、ＩＣキャリア１０は、モジュール基板２の表裏が同一の合成樹脂３で覆われているので、ＩＣキャリア１０の機械的強度および信頼性を向上可能である。
【００３０】
このような点から、ＩＣキャリア１０は、例えば、通話料金を前払いして購入する携帯電話用のプリペイドカードに好適である。
なお、上記実施の形態は本発明の例示であり、本発明は上記実施の形態に限定されない。
【００３１】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、板状枠体を不要とすることが可能なＩＣキャリアの製造方法と、当該製造方法により製造可能なＩＣキャリアとを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＩＣキャリアの実施の形態を示す概略的な説明図である。
【図２】図１のＩＣキャリアが有するＩＣモジュールの概略的な説明図である。
【図３】図１のＩＣキャリアの製造に使用する製造用金型を例示する第１の説明図である。
【図４】図１のＩＣキャリアの製造に使用する製造用金型を例示する第２の説明図である。
【符号の説明】
１…端子部、２…モジュール基板、３…合成樹脂、４…傾斜部、１０…ＩＣキャリア、２０…ＩＣモジュール、５０…金型（製造用金型）、５１…下型、５２…注入口（ゲート）、５３…空洞（キャビティ）、５４，５５…壁、５６…上型、５９…吸引口。
Claims (8)
- 平面形状が矩形状のＩＣモジュールと合成樹脂と有するＩＣキャリアを製造する方法であって、
ＩＣチップが埋設され、平面形状が矩形のモジュール基板、および、当該モジュール基板に埋設されている前記ＩＣチップに電気的に接続され、当該モジュール基板の一方の面に突出して固定され、平面形状が矩形で、平坦な表面を持ち、複数の接続部に区画されている端子部を有するＩＣモジュールを準備し、
前記ＩＣキャリアの矩形の形状および寸法を規定する矩形の形状および寸法を有し、当該矩形の形状の一辺の長さが前記ＩＣモジュールの１辺を嵌入させ得る長さであり、深さが前記ＩＣキャリアの厚さを規定する深さを有する、空洞と、当該空洞の底部に前記ＩＣモジュールが嵌入されたとき前記端子部に対応する位置に当該空洞の底部を貫通して形成された吸引口と、前記空洞の上部側面から樹脂を注入する樹脂注入口とを有する第１金型を準備し、
前記ＩＣモジュールを、前記端子部が前記吸引口の上部に位置し、当該ＩＣモジュールの１辺を嵌入させて前記第１の金型の前記空洞の底部まで嵌入させ、
前記第１の金型の前記空洞および前記樹脂注入口を塞ぐ第２の金型を前記第１の金型と一体にし、
前記吸引口から真空吸引して、前記空洞に嵌入された前記ＩＣモジュールを前記空洞内の底部に固定し、
前記注入口から溶融樹脂を、前記モジュール基板の前記一方の面に突出して固定された前記端子部の周囲かつ前記端子部と同一面まで充満し、かつ、前記モジュール基板の他方の面に所定の厚さで充満し、前記端子部の周囲の溶融樹脂と前記モジュール基板の他方の面側の溶融樹脂とが連続するように、注入し、
所定時間、保圧し、
前記注入した樹脂を硬化させ、
前記第２の金型を型開きし、
前記空洞に形成された、前記ＩＣモジュールと前記硬化した合成樹脂と有する当該ＩＣキャリアを前記空洞から取り出す、
ＩＣキャリアの製造方法。 - 前記空洞から前記ＩＣキャリアを取り出した後、前記注入口に残存した合成樹脂に対応する硬化した合成樹脂を除去する、
請求項１に記載のＩＣキャリアの製造方法。 - 前記溶融樹脂を硬化させる前、前記注入口に残存した合成樹脂を除去する、
請求項１に記載のＩＣキャリアの製造方法。 - 前記合成樹脂は、ホリカーボネートとＡＢＳ樹脂との複合材料である、
請求項１〜３いずれかに記載のＩＣキャリアの製造方法。 - 前記溶融樹脂の温度は約２４０°Ｃ、
前記溶融樹脂の前記空洞への射出圧力は、約８ＭＰａ、
前記溶融樹脂の充填時間は、約０．３秒、
保圧は約４ＭＰａ、
保圧力時間は約１０秒である、
請求項４に記載のＩＣキャリアの製造方法。 - 前記第１の金型の前記空洞には、矩形の平面形状の少なくとも１隅に、傾斜した切り欠きが形成されている、
請求項１〜５のいずれかに記載のＩＣキャリアの製造方法。 - 前記ＩＣキャリアは、ＳＩＭカードである、
請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣキャリアの製造方法。 - 請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣキャリアの製造方法によって製造された
、前記ＩＣモジュール、および、当該ＩＣモジュールを包囲して形成された合成樹脂と有
するＩＣキャリア。
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