JP4768147B2 - 液晶表示装置の製造装置 - Google Patents
液晶表示装置の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4768147B2 JP4768147B2 JP2001132551A JP2001132551A JP4768147B2 JP 4768147 B2 JP4768147 B2 JP 4768147B2 JP 2001132551 A JP2001132551 A JP 2001132551A JP 2001132551 A JP2001132551 A JP 2001132551A JP 4768147 B2 JP4768147 B2 JP 4768147B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bonded substrate
- bonded
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133526—Lenses, e.g. microlenses or Fresnel lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133354—Arrangements for aligning or assembling substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造装置に関し、特に、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合わせて形成した貼り合わせ基板を製造する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
先ず、液晶表示装置の構造について図１３を参照して説明する。
【０００３】
液晶表示装置は、２枚のガラス基板の隙間に充填した液晶の電気的特性と光学的特性を利用して、様々な映像を表示するディスプレイ装置である。
【０００４】
上記の２枚のガラス基板とは、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３である。ＴＦＴ基板２は、液晶剤の光の透過率を電圧制御するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子２８を、各ドット単位でマトリクス状に配置したガラス基板である。一方のＣＦ基板３は、光に色相をつけるためのカラーフィルタ（ＣＦ：Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）素子を、同じく各ドット単位で、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に着色してマトリクス状に配置したガラス基板である。
【０００５】
図１３に示すように、バックライト３０から発せられた光は偏光フィルタ３１を通る。ここで、偏光フィルタとは、ある方向成分の光のみを透過させるフィルタのことである。従って、偏光フィルタ３１を通り、さらに、ＴＦＴ基板２上の透明電極３５を透過した入射光３３は一定方向の成分しか持たない。
【０００６】
液晶分子２９は、透明電極３５とＣＦ素子３６の間において、捩れて並んでいる。この液晶分子２９は、印加される電圧によって捩れ角が変化するという電気的特性を持っている。ここで、印加電圧とは、透明電極３５とＣＦ素子３６との間の電位差である。通常は、ＣＦ素子３６の電位を基準（０Ｖ）として、ＴＦＴ素子２８を使って透明電極３５の電位を可変制御する。
【０００７】
加えて、光は液晶分子の捩れに沿って伝播するという、液晶の光学的特性が知られている。
【０００８】
従って、ある一定方向の成分しか持たない入射光３３は、液晶分子２９の配列方向に沿って捩れながら進み、一部又は全部の入射光３３がＣＦ素子３６と偏光フィルタ３２を透過して出射光３４になる。
【０００９】
なお、偏光フィルター３２は、印加電圧が０Ｖの時に入射光３３が全て透過するような角度で取り付けておく。
【００１０】
さらに大きな電圧を印加すると液晶分子２９は垂直に立つ。この液晶分子２９が立った状態では光も捩れないので、入射光３３は偏光フィルタ３２を透過しなくなる。
【００１１】
以上のように、液晶の電気的特性と光学的特性とを利用して、透明電極３５に印加する電圧を変化させると、出力光３４の光量を制御することが可能になる。すなわち、赤、緑、青の色相を持つ各ドットは、電圧により明度を制御できるようになる。そして、液晶表示装置全体では、様々な色相と明度を持つ微細なドットを組み合わせて、複雑な映像を表現することが可能になる。
【００１２】
以上から明らかであるように、液晶表示装置は、バックライト３０から発した光をベースとして、貼り合わせ基板１において光を調節して映像を表示するので、光の透過率が表示品質に大きな影響を与える。
【００１３】
次いで、図１４を参照して、光の透過率と、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の貼り合わせ精度との関係を説明する。
【００１４】
図１４（ａ）は貼り合わせ精度が良好な液晶表示装置を示している。
【００１５】
貼り合わせ精度が良好である場合には、透明電極３５とＣＦ素子３６との位置が合うので、ドットの開口部ｄ１は最も大きくなり、光の透過率も最大になる。
【００１６】
一方、図１４（ｂ）は貼り合わせ精度が低い液晶表示装置を示している。
【００１７】
図１４（ｂ）に示すように、貼り合わせ精度が低いと、透明電極３５とＣＦ素子３６との位置が合わず、ドットの開口部ｄ２が小さくなり、光の透過率も悪化する。
【００１８】
すなわち、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ精度が良好であるほど光の透過率は向上し、逆に、貼り合わせ精度が低下するほど光の透過率は低下する。
【００１９】
図１４（ｂ）に示した場合よりもさらに貼り合わせ精度が悪化すると、拡散した光が、隣接するドットから漏れてしまう光漏れという表示不良を引き起こす。この光漏れを回避するために、貼り合わせ精度の誤差を予め考慮して、透明電極３５及びＣＦ素子３６を小さめに設計しているのが実情である。
【００２０】
従って、貼り合わせ精度を確実に向上させることができれば、この設計マージンを緩和することができ、開口部を大きく設計することが可能になる。貼り合わせ精度の向上と設計マージンの緩和とにより、液晶表示装置の表示性能も格段に向上するという相乗効果を期待することができる。
【００２１】
以上のように、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ精度の向上は、液晶表示装置の表示品質を大きく左右する重要技術である。
【００２２】
ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせは、一般的には、双方の基板を熱硬化性のシールで貼り合わせ、そのシールを加熱することにより、行われる。このシールを熱硬化させる工程はシール本硬化と呼ばれている。
【００２３】
図３は、従来のシール本硬化装置を示す。
【００２４】
貼り合わせ基板出入り口１１から加熱炉内に搬入された貼り合わせ基板１は基板支持部２２により支持される。この後、ヒータ８が発する熱が、送風機１０からの風にのって、耐熱ＨＥＰＡフィルター９を介して、熱風７として、貼り合わせ基板１に供給される。この熱風７により、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に配されたシールが熱硬化する。
【００２５】
図３に示したシール本硬化装置においては、貼り合わせ基板１の端面だけを基板支持部２２により支持した状態でシールを熱処理している。
【００２６】
このように、貼り合わせ基板１の端面だけを支持すると、貼り合わせ基板１の中央部がたわみ、その結果として、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に貼り合わせズレが発生する。しかも、そのままシールが硬化してしまうので、できあがった製品の表示品質は悪化する。
【００２７】
加熱炉内の温度がさらに高温度になると、加熱炉内の基板支持部２２にも熱歪が生じ、基板支持の位置に狂いが生じる。すなわち、基板支持部２２の熱歪もまた貼り合わせ基板１の平面精度に影響を与える。
【００２８】
そこで、例えば、特開平１０−１０４５６４号公報には、電子部品を精度良く水平に保持することができるような焼成炉が開示されている。
【００２９】
この焼成炉においては、熱膨張率の低い材料（結晶化ガラス）を使って、水平支持部や支柱などの基板支持機構を構成している。従って、焼成炉内が昇温した場合であっても水平支持部や支柱が歪みにくいので、電子部品は精度良く水平に支持され、貼り合わせ基板の貼り合わせ精度を損なわない。
【００３０】
他にも、例えば、特開平９−２８１５１３号公報には、基板組立方法、基板組立装置及び基板組立システムが開示されている。
【００３１】
この基板組立方法においては、一対のガラス基板にそれぞれ設けられている位置合わせマーク間のズレを計測し、そのズレに基づいて、各々の基板の位置ズレを修正した後、それでもまだ残る位置合わせマーク間ピッチのズレを補正するために、基板を変形させて位置合わせを行う。
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平１０−１０４５６４号公報に開示されている焼成炉は、熱膨張後の電子部品の平面度を保証できないという問題点を有している。
【００３３】
すなわち、水平支持部及び支柱などの熱歪みの大きさは成りゆきになり、実際にどの程度歪むのかは全く解からない。
【００３４】
また、焼成炉が常温に戻ったときに、水平支持部及び支柱が元の形状に戻るとは限らない。焼成炉が昇温と降温とを繰り返すことにより、水平支持部及び支柱に永久歪が発生し、それに熱歪が累積すると、電子部品は平面度を損なう。
【００３５】
これに気付かずに生産を継続すると、不良品を大量に製造することになる。
【００３６】
ガラス基板が大型になるとこの問題点はさらに深刻化する。それは、ガラス基板サイズに比例して、水平支持部及び支柱も大型化するからである。すなわち、水平支持部や支柱などの組み立て誤差も大きくなり、それに応じて、電子部品の平面度が損なわれる。
【００３７】
また、上述の特開平９−２８１５１３号公報に開示されている基板組立方法または基板組立装置をシール本硬化装置に応用すれば、貼り合わせ精度の高い液晶表示装置を製造することが可能になるように見える。
【００３８】
しかしながら、この基板組立方法及び基板組立装置は昇温によるシール本硬化装置や貼り合わせ基板の熱膨張を考慮していないという問題点を有している。
【００３９】
熱膨張により、位置合わせマークの位置ズレが発生した場合に、貼り合わせ基板を変形させて位置ズレを補正することが考えられるが、この時点で、シールの硬化反応が既に進んでしまっていると、いくら貼り合わせ基板を変形させても、ピッチずれの補正を行うことは不可能である。これは、シールが既に硬化しているので、ガラス基板の相対位置は変わらないためであり、さらに、貼り合わせ基板を変形させ、位置合わせマークの位置が合ったとしても、一対のガラス基板を平面に戻した時にはピッチずれが解消されていないからである。
【００４０】
本発明は、以上のような従来の貼り合わせ基板製造装置における問題点に鑑みてなされたものであり、シールを熱硬化させるために、貼り合わせ基板を加熱した場合であっても、貼り合わせ基板の平面度を維持することが可能な貼り合わせ基板製造装置を提供することを目的とする。
【００４１】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明は、液晶表示装置に用いられる第１の基板と第２の基板とを相互に貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する装置であって、下側の基板を支持する複数個のコンベアと、前記コンベアの各々を上下動させるアクチュエータと、前記コンベアを通る鉛直線上における前記貼り合わせ基板の基準面からの高さを検出し、検出した高さに応じた検出信号を発する高さセンサーと、前記第１の基板と前記第２の基板との接着剤であるシールを熱硬化または紫外線硬化する際に、前記検出信号に応じて、前記アクチュエータを上下方向にストロークさせる制御装置と、からなる液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置を提供する。
【００４２】
本発明に係る貼り合わせ基板製造装置においては、貼り合わせ基板の各地点の高さは高さセンサーにより検知される。制御装置は、高さセンサーからの信号に基づいて、各高さセンサーに対応して配置されているアクチュエータのストローク量を決定する。このように、各アクチュエータを相互に独立に制御することにより、貼り合わせ基板をたわませることなく、常に平面状態に保持しておくことができる。このように、本貼り合わせ基板製造装置によれば、貼り合わせ精度が高く、表示性能が良好な液晶表示装置を提供することができる。平面度が良好な状態でシール本硬化された貼り合わせ基板は、熱処理によるストレスを受けないので、貼り合わせ精度が悪化しにくい。
【００４３】
本発明に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、シールの硬化が進む以前に、第１の基板と第２の基板との間のピッチずれを０にすることができる。さらに、制御装置は、シールの硬化反応が進んでいる間は、貼り合わせ基板の姿勢が変化しないようにコンベア位置を制御するので、貼り合わせ基板の平面度は本貼り合わせ基板製造装置の機構部の熱膨張による影響を受けない。
【００４４】
前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれの許容値に対応する前記貼り合わせ基板のたわみ量をＡ０とした場合、前記制御装置は、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記アクチュエータのストロークを調整するものであることが好ましい。
【００４５】
また、前記制御装置は、前記貼り合わせ基板をその長さ方向において複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記アクチュエータのストロークを調整することができる。
【００４６】
さらに、前記コンベア及びそれに対応する前記アクチュエータ並びに前記高さセンサーをマトリクス状に配置し、前記制御装置は、前記貼り合わせ基板を相互に直交する２つの方向においてそれぞれ複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記アクチュエータのストロークを調整するものとすることができる。
【００４７】
前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれに対応するたわみ量をＡ１とした場合、前記制御装置は、−Ａ１のたわみ量が生じるように、前記アクチュエータをストロークさせることができる。
【００４８】
前記たわみ量Ａ１に対する上限値が予め設定されており、前記制御装置は、前記たわみ量Ａ１が前記上限値を超えるものである場合には、前記制御装置は、前記アクチュエータのストローク量を前記たわみ量−Ａ１に保持するものとすることができる。
【００４９】
本貼り合わせ基板製造装置は、前記第１の基板の位置合わせマークと前記第２の基板の位置合わせマークを撮像し、双方の位置合わせマークのずれ量を示すずれ量検出信号を発するカメラをさらに備えていることが好ましい。この場合、前記制御装置は、前記ずれ量検出信号に基づいて、前記アクチュエータのストローク量を調整するものとすることができる。
【００５０】
前記コンベアは前記貼り合わせ基板の熱膨張に追従して可動であることが好ましい。
【００５１】
例えば、前記コンベアはローラー状をなしており、前記コンベアは前記貼り合わせ基板の熱膨張に追従して回転可能に形成することができる。
【００５２】
あるいは、前記コンベアは、前記コンベアは前記貼り合わせ基板の熱膨張に追従して、前記貼り合わせ基板の表面に沿ってスライド可能に形成することができる。
【００５３】
本発明は、液晶表示装置に用いられる第１の基板と第２の基板とを相互に貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板との接着剤であるシールを熱硬化または紫外線硬化する工程を含み、該工程が、前記貼り合わせ基板の各地点の基準面からの高さを検出する第１の過程と、前記第１の過程において検出された高さに応じて、前記貼り合わせ基板を前記各地点において上下動させる第２の過程と、を備える液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【００５４】
前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれの許容値に対応する前記貼り合わせ基板のたわみ量をＡ０とすると、前記第２の過程においては、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記貼り合わせ基板を上下動させることが好ましい。
【００５５】
例えば、前記第２の過程は、前記貼り合わせ基板をその長さ方向において複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記貼り合わせ基板を上下動させるものとすることができる。
【００５６】
あるいは、前記第２の過程は、前記貼り合わせ基板を相互に直交する２つの方向においてそれぞれ複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記貼り合わせ基板を上下動させるものとすることができる。
【００５７】
前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれに対応するたわみ量をＡ１とすると、前記第２の過程は、−Ａ１のたわみ量が生じるように、前記貼り合わせ基板を上下動させるものであるとすることができる。
【００５８】
前記第１の基板の位置合わせマークと前記第２の基板の位置合わせマークを撮像し、双方の位置合わせマークのずれ量を検出する過程をさらに備えており、前記第２の過程は、前記ずれ量に基づいて、前記貼り合わせ基板を上下動させるものとすることができる。
【００５９】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置用貼り合わせ基板製造装置を図１及び図２に示す。
【００６０】
図１は同装置の側面図であり、図２は同装置を上方から見た平面図である。
【００６１】
貼り合わせ基板１は２枚のガラス基板を貼り合わせたものである。２枚のガラス基板の一方は、各ドット毎に薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）をマトリクス状に配置したＴＦＴ基板２であり、他方は、赤、緑、青のフィルタを同じくマトリクス状に配置したＣＦ（カラーフィルタ）基板３である。ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との接着剤であるシールを熱硬化する工程であるシール本硬化工程は、一定温度に保持されたオーブンの中で貼り合わせ基板１を３０分乃至６０分熱処理することにより、行われる。
【００６２】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、貼り合わせ基板１の下側基板となるＴＦＴ基板２を複数個のコンベア４で支持している。コンベア４は、環状のリング部材４ａと、リング部材４ａを支持するブロック部材４ｂとからなっている。
【００６３】
図２に示すように、複数個のコンベア４は貼り合わせ基板１に対してマトリクス状に配置されている。各コンベア４はアクチュエータ５の先端に取り付けられており、各コンベア４は相互に独立に上下動可能である。
【００６４】
各コンベア４の直上には高さセンサ６が設置されており、高さセンサ６により、貼り合わせ基板１の基準面からの相対的な高さを測定することができるようになっている。各高さセンサ６は、貼り合わせ基板１の基準面からの相対的な高さを測定した後、その高さを示す検出信号をコントローラ１２に送信する。コントローラ１２は、この検出信号に示される高さデータを解析し、各コンベア４における貼り合わせ基板１の全ての高さが一定値になるようにアクチュエータ５を上下方向にストロークさせ、各コンベア４の高さを調整する。
【００６５】
このように、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、貼り合わせ基板１のたわみを防止することができ、貼り合わせ基板１を常に平面状態に保持することが可能である。
【００６６】
貼り合わせ基板出入り口１１からオーブン内に搬入された貼り合わせ基板１は各コンベア４上に支持される。この後、ヒータ８が発する熱が、送風機１０からの風にのって、耐熱ＨＥＰＡフィルター９を介して、熱風７として、貼り合わせ基板１に供給される。この熱風７により、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に配されたシールが熱硬化する。
【００６７】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ精度はシール本硬化後も非常に良好である。本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置により、シール本硬化を行うことによって、光の透過率が高く、表示性能の良好な液晶表示装置を提供できるという効果がもたらされる。
【００６８】
貼り合わせ精度を悪化させる最大の原因は貼り合わせ基板１のたわみである。
【００６９】
以下、この点に関して図１及び図３を参照して説明する。
【００７０】
前述したように、図３は従来の貼り合わせ基板製造装置を示す。この従来の貼り合わせ基板製造装置においては、貼り合わせ基板１はその両端においてのみ基板支持部２２により支持される。このように、貼り合わせ基板１の両端を支持しただけでシールを本硬化すると、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に貼り合わせズレΔＰが発生し、貼り合わせ精度が悪化する。
【００７１】
図３に示すように貼り合わせ基板１がたわんだ状態においては、貼り合わせ基板１の下面が凸形状、上面が凹形状になる。すなわち、貼り合わせ面であるＣＦ基板３の下面は凸形状、ＴＦＴ基板２の上面は凹形状になるので、貼り合わせ面においてＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との長さに差が生じてしまう。貼り合わせ基板１がたわんだ状態のままシールの硬化が進むと、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３はそのまま完全に固定する。シールがたわんだ状態のまま硬化した貼り合わせ基板１を改めて平らな状態に戻しても、悪化した貼り合わせ精度は元に戻らず、製品は不良品になってしまう。
【００７２】
一方、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とはたわまず、常に平面状態に維持される。従って、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３の貼り合わせ面に凹凸が発生せず、シール硬化後の貼り合わせ精度は悪化しない。
【００７３】
さらに、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせズレΔＰを貼り合わせ基板１のたわみ量ａから計算して求め、そのたわみ量ａに応じて、貼り合わせ基板１の高さの制御を行うことが可能である。
【００７４】
以下、図４を参照して、この制御を説明する。
【００７５】
図４は支持点２３で両端を支持された貼り合わせ基板１のたわみ形状を示している。両端支持ハリのたわみ形状は一般に、
ｙ＝（ｗｘ／２４ＥＩ）×（ｘ3−２Ｌｘ2＋Ｌ3）
で与えられることが知られている。
（ｗ：等分布荷重、Ｅ：ヤング率、Ｉ：断面２次モーメント、Ｌ：ハリの長さ）上式から明らかであるように、支持点からの距離ｘにおけるハリのたわみ量ｙは４次曲線である。
【００７６】
本実施形態においては、このたわみ形状を円弧で近似することとする。円弧を採用した理由は、計算が容易だからであり、また、たわみの曲率半径は非常に大きいので、円弧でも充分近似できるからである。
【００７７】
先ず、以下に、たわみ量ａと貼り合わせズレΔＰとの関係を説明する。
【００７８】
ＣＦ基板３の板厚をｔ、基板中心のたわみ量をａ、貼り合わせ基板１がたわんでいない時の長さを２Ｐとする。
【００７９】
貼り合わせ基板１は、図４のようにたわみ、上面が凹形状、下面が凸形状である。ここで、凹形状になるＴＦＴ基板２の上面は長さ２Ｐのままとし、一方の凸形状になるＣＦ基板３の下面の長さは２Ｐ´（２Ｐ´＞２Ｐ）に伸びるものとする。なお、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間の隙間（ギャップ）は約５μｍと非常に小さいため、十分無視できる。
【００８０】
この時、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間の貼り合わせズレΔＰは、
と表すことができる。
【００８１】
（１）式を求める計算の詳細は図１５に示す通りである。
【００８２】
ここで、実際の計算例を用いて（１）式を検証してみることにする。
【００８３】
表１は、実際に試作した製品と、（１）式を使って計算した結果とを比較したものである。長さ２Ｐ＝３００ｍｍ、板厚ｔ＝０．７ｍｍ、の貼り合わせ基板１がａ＝１．３ｍｍたわんだ場合について比較した。
【００８４】
【表１】
【００８５】
上記の製品を実際に試作してみたところ、ΔＰ＝１０μｍの貼り合わせズレが生じた。これに対して、（１）式を用いて計算した結果では、ΔＰ＝１１．７μｍとなり、試作と計算の差は僅か１．７μｍであった。以上の比較により、（１）式は貼り合わせズレΔＰを十分正確に導く計算式であることがわかる。
【００８６】
次に、（１）式を用いて計算したΔＰとたわみ量ａとの関係を利用して、貼り合わせ基板１の平面度を制御する方法について説明する。
【００８７】
（１）式をたわみ量ａについて解くと、次の（２）式が得られる
ａ＝Ｐｓｉｎ（ΔＰ／２ｔ）・・・・・（２）
この（２）式に貼り合わせズレの製品規格値ΔＰ０を代入し、その時のたわみ量ａ０を求める。
【００８８】
ａ０＝Ｐｓｉｎ（ΔＰ０／２ｔ）・・・・（３）
この（３）式から求められるたわみ量ａ０は、貼り合わせズレをΔＰ０以内に収めるための許容たわみ量を規定する。すなわち、貼り合わせ基板１のたわみ量を許容たわみ量ａ０以内に抑えるように、コンベア４の高さを制御すればよい。
【００８９】
以下に実際の計算例を示す。
【００９０】
表２は貼り合わせズレΔＰ０＝±４μｍを製品規格とした場合に、貼り合わせ基板１における貼り合わせズレΔＰをそれ以内に抑えるための許容たわみ量ａ０を求めた計算結果である。
【００９１】
【表２】
【００９２】
表２に示すように、２Ｐ＝１５０ｍｍ、ｔ＝０．７ｍｍの基板では、ａ０≦０．２１ｍｍとなるように各コンベア４を制御すればよく、２Ｐ＝３００ｍｍ、ｔ＝０．７ｍｍの基板では、ａ０≦０．４３ｍｍとなるように各コンベア４を制御すればよく、また、２Ｐ＝６８０ｍｍ、ｔ＝０．７ｍｍの基板では、ａ０≦０．９７ｍｍとなるように各コンベア４を制御すれば良いことがわかる。
【００９３】
貼り合わせ基板１は、そのガラス基板のサイズが大きいほど、生産性が向上することが知られている。数年前までは３７０×４７０ｍｍサイズが主流であったガラス基板サイズは、その後、拡大の一途を辿り、６８０×８８０ｍｍ、７３０×９２０ｍｍの大型基板が主流になりつつある。
【００９４】
しかしながら、長さ２Ｐ＝６８０ｍｍの貼り合わせ基板を両端でのみ支持する場合には、その貼り合わせ基板のたわみ量がａ＝２０ｍｍを超えてしまう。
【００９５】
一方、表２の計算結果から、２Ｐ＝６８０ｍｍの貼り合わせ基板における貼り合わせズレを±４μｍ以内に抑えるための許容たわみ量はａ０＝０．９７ｍｍである。従って、両端支持だけでは貼り合わせ精度を製品規格に収めるのは困難であることがわかる。たわみ量を最小限に抑えるためには、貼り合わせ基板の両端に加えて、貼り合わせ基板の中ほどにも支持点を追加する必要が生じてくる。
【００９６】
以下、図５及び図６を参照して、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置を大型基板に適用する場合を説明する。
【００９７】
支持ポイントが多くなると、図５に示すように、貼り合わせ基板１のたわみ形状は複雑になり、１つの円弧として捉えることができなくなる。そこで、本実施形態においては、貼り合わせ基板をその長さ方向において分割し、複数の円弧の組み合わせとして貼り合わせ基板のたわみ形状を捉える。この分割した範囲２Ｐに対して、許容されるたわみ量ａ０を設定する。
【００９８】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置をさらに大型の貼り合わせ基板に用いる場合には、コンベア４の個数を増やして貼り合わせ基板１を支持することが望ましい。
【００９９】
この場合には、図６に示すように、貼り合わせ基板１の長さ方向における長さがＰｘ、貼り合わせ基板１の幅方向における長さがＰｙの複数個の領域に分割し、各々の領域に許容たわみ量ａｘ０及びａｙ０を設定して制御する。すなわち、貼り合わせ基板１のサイズに応じて、貼り合わせ基板１を複数個の領域に分割し、各領域においてたわみ量を制御すればよい。
【０１００】
また、貼り合わせ基板１のたわみ量をａ＝０にしたとしても、貼り合わせ精度はΔＰ＝０になるとは限らない。これは、シール本硬化よりも前の工程で、貼り合わせ誤差あるいはＴＦＴ基板２、ＣＦ基板３のパターン自体に仕上がり誤差（ピッチずれ）が既に存在するからである。
【０１０１】
これに対して、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、このようなピッチずれが既に存在する貼り合わせ基板１についても、貼り合わせ精度の向上を図ることが可能である。以下、図７を用いて、その方法を説明する。
【０１０２】
図７（ａ）に示すように、たわみ量ａ＝０の平面状態であるにもかかわらず、貼り合わせ基板１に貼り合わせズレΔＰ１が生じているものとする。この貼り合わせズレΔＰ１が生じる理由は、ＴＦＴパターン２４よりもＣＦパターン２５が２ΔＰ１長いためであり、この２ΔＰ１がピッチずれ量である。
【０１０３】
ΔＰ１を（２）式に代入すると、
ａ１＝Ｐｓｉｎ（ΔＰ１／２ｔ）・・・・（４）
この（４）式からたわみ量ａ１が得られる。ここで、ａ１を仮想たわみ量と呼ぶことにする。
【０１０４】
この仮想たわみ量ａ１を補正するために、コンベア４を（−ａ１）だけストロークさせ、ＴＦＴ基板２の上面を凸形状、ＣＦ基板３の下面を凹形状にする。この結果、ＴＦＴ基板２の上面がＣＦ基板３の下面よりもΔＰ１長くなるので、ピッチずれΔＰ１を解消することができる。
【０１０５】
すなわち、（２）式を使った計算手法とコンベアの高さ制御とを上述の制御とは逆方向に行い、ΔＰ＝０になるように貼り合わせ基板１を積極的にたわませることによって、前工程で発生した貼り合わせ誤差やピッチズレを本貼り合わせ基板製造装置において解消することができる。
【０１０６】
ただし、上記の制御によりシール本硬化した貼り合わせ基板１は平面であるとは限らず、仕上がり形状が大きくたわんだままの状態であることも考えられる。このような場合には、コンベア４のストローク量−ａ１に上限値を設定し、仕上がり形状が品質に支障を来たさないようにする必要がある。
【０１０７】
また、シールの硬化が完了してから、ΔＰ＝０にすることは不可能である。その理由は、シール本硬化によって、ＴＦＴ基板２及びＣＦ基板３は完全に接着された後なので、ガラス基板の相対位置は変わらないからである。貼り合わせ基板１を積極的にたわませて、貼り合わせ基板１のマーク位置が合ったように見えても、常温に戻った時には貼り合わせ位置が元に戻り、貼り合わせズレは解消されていない。
【０１０８】
従って、各コンベア４の制御において重要な点は、シールの硬化が進む以前に貼り合わせズレΔＰがΔＰ＝０になるようにし、シールの硬化反応が進んでいる間は、貼り合わせ基板１の姿勢が変化しないように、各コンベア４の位置を制御しなければならないということである。
【０１０９】
以上のように、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、貼り合わせ基板１を支持する複数のコンベア４と、それを支えるアクチュエータ５と、高さセンサ６と、コントローラ１２とが貼り合わせ基板１のたわみ量を自動的に制御する機構を構成しておた、貼り合わせ基板１の貼り合わせ精度を維持しながらシール本硬化することだけではなく、積極的に貼り合わせ基板１をたわませることにより、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間のピッチずれ補正をも実現している。
【０１１０】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置は、図８及び図９に示す製造工程において用いられる。
【０１１１】
先ず、図８を参照して、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ工程を説明する。
【０１１２】
図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板２の表面にはシール塗布装置４０を介してシール１３を塗布し、一方のＣＦ基板３にはスペーサ１４を散布する。シール１３は、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との接着剤である。また、スペーサ１４は直径約５μｍの球状粒子で、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ面に隙間を形成する役割を有している。
【０１１３】
図８（ｂ）に示す次工程においては、ＴＦＴ基板２の上にＣＦ基板３を貼り合わせる。ここでは、貼り合わせの位置基準となるＴＦＴマーク２６の中心とＣＦマーク２７の中心とが一致するように貼り合わせを行う。
【０１１４】
貼り合わせに際しては、カメラ１５でＴＦＴマーク２６とＣＦマーク２７とを捉え、両者の中心位置を精密に合わせ込んでいる。その結果、貼り合わせ精度は±２μｍ以内を実現している。
【０１１５】
この貼り合わせ工程後は、図８（ｃ）に示すように、ＵＶ光源１６からＵＶ光を照射してシール１３の一部又は全部を仮硬化し、シール本硬化完了までにＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とが容易にずれないようにしている。
【０１１６】
さらに、図８（ｄ）に示す次工程においては、熱源１８を内蔵した上定盤１７と下定盤１９とで貼り合わせ基板１をプレスしながらシールの熱硬化を行う。上定盤１７及び下定盤１９は各々平面精度が高く、このプレス機構により、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との隙間を約５μｍに仕上げている。
【０１１７】
次いで、図８（ｅ）に示すように、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置において、シール１３を完全に硬化させる。
【０１１８】
図９は、図８に示した貼り合わせ工程とは別の貼り合わせ工程を示す。
【０１１９】
図８に示した貼り合わせ工程においては、液晶は、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とを貼り合わせた後に、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間の隙間に注入される。これに対して、図９に示す製造工程においては、図９（ｂ）のように、予めＴＦＴ基板２に液晶２０を塗布し、その後に、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とを貼り合わせる。
【０１２０】
図１０は、本発明の第２の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【０１２１】
第１の実施形態においては、貼り合わせ基板製造装置を用いて、シール本硬化を行ったが、第２の実施形態においては、貼り合わせ基板製造装置を用いて、ＵＶシール硬化を行う。すなわち、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置は、図８（ｃ）または図９（ｄ）に示す工程において用いられるものである。
【０１２２】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、ＵＶランプ１６を用いて、紫外線によるシールの仮硬化を行う。ＵＶランプ１６を備えている点以外は、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の構造は第１の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の構造と同じである。
【０１２３】
従って、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によっても、貼り合わせ基板１の貼り合わせ精度を維持しながらＵＶ仮硬化を行うことができるとともに、（４）式を利用して、積極的に貼り合わせ基板１をたわませることにより、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間のピッチズレ補正を行うこともできる。
【０１２４】
図１１は、本発明の第３の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【０１２５】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置は、第２の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の構成に加えて、画像認識装置用カメラ１５を備えている。
【０１２６】
本実施形態においては、カメラ１５が貼り合わせ基板１の上方に設置されており、ＴＦＴ基板２のＴＦＴマーク２６及びＣＦ基板３のＣＦマーク２７を常時捉えながら、両マーク２６、２７のズレ量を示す信号をコントローラ１２に送信している。コントローラ１２は、両マーク２６、２７のズレ量に応じて、各コンベア４に対応するアクチュエータ５のストロークを制御する。
【０１２７】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、画像認識装置用カメラ１５で貼り合わせ精度を常時認識しながら、シールの硬化反応を進めるため、貼り合わせ精度をさらに高めることができる。
【０１２８】
従って、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置により処理した製品の貼り合わせ精度をさらに向上することができるとともに、処理した製品全ての貼り合わせズレΔＰのデータを自動収集することもできる。
【０１２９】
この貼り合わせズレΔＰのデータ収集により、製品の種類や、使用するガラスその他の材料ごとに貼り合わせズレの傾向を把握し、製品や材料に応じて、より詳細な条件を設定することが可能になる。すなわち、全ての製品について貼り合わせ精度が向上するという格別な効果を奏する。
【０１３０】
貼り合わせズレの第１原因が貼り合わせ基板のたわみであるということは既に述べた通りである。
【０１３１】
貼り合わせズレが発生する第２の原因はＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との熱膨張差である。すなわち、熱容量、熱膨張率などの各基板の熱的特性の差分や、温度分布の相違によって、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との熱膨張量に差が生じ、貼り合わせ位置がズレてしまうことがある。
【０１３２】
上述の第１乃至第３の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、この問題についても以下のような対策を講じることが可能である。
【０１３３】
図１２（Ａ）はその一例を示す。
【０１３４】
上述の第１乃至第３の実施形態においては、コンベア４を構成するリング状部材４ａはブロック部材４ｂに対して固定されていたが、図１２（Ａ）に示すように、リング状部材４ａが軸４ｃの周りに回転可能であるように、リング状部材４ａをブロック部材４ｂに対して支持することが可能である。
【０１３５】
図１２（Ｂ）は他の例を示す。
【０１３６】
本例においては、図１２（Ｂ）に示すように、リング状部材４ａは軸４ｃに沿って貼り合わせ基板１に対してスライド可能であるように、ブロック部材４ｂに対して支持されている。
【０１３７】
このように、リング状部材４ａを貼り合わせ基板１に対して回転またはスライド可能であるように構成することにより、コンベア４はＴＦＴ基板２の熱膨張に追従することが可能になる。これによって、ＴＦＴ基板２はコンベア４との摩擦によるストレスを受けにくくなるので、ＴＦＴ基板２は何の干渉も受けずに熱膨張する。
【０１３８】
一方のＣＦ基板３にはコンベア４との接触点がないので自由に熱膨張する。
【０１３９】
従って、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とは同期して熱膨張することになる。すなわち、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示した例によれば、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間の熱膨張スピードの差により発生する貼り合わせズレを防止することが可能である。
【０１４０】
例えば、ガラス基板の線膨張係数は約４×１０-6／℃であり、２Ｐ＝６８０ｍｍのガラス基板が２５℃から２００℃に上昇すると０．４８ｍｍ伸びる計算になる。
【０１４１】
さらに、コンベア４は小さい接触面積でＴＦＴ基板２と接しているため、コンベア４はＴＦＴ基板２から熱を奪いにくく、貼り合わせ基板１の温度分布が良好になる。この温度分布最適化も、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との熱膨張差により発生する貼り合わせズレを防止できるという効果をもたらすことになる。
【０１４２】
また、コンベア４は小さい接触面積で貼り合わせ基板１と接しているため、貼り合わせ基板１の裏面にロボットハンドを挿入することも容易である。
【０１４３】
しかも、コンベア４と貼り合わせ基板１との接触面積が小さいということは、ロボットハンドが貼り合わせ基板１を掬い上げた時の貼り合わせ基板１の剥離帯電量が小さいので、静電気によるＴＦＴ素子の破壊（層間ショート）を防止することができるという効果もある。
【０１４４】
以上のように、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示した例によれば、搬送機構の簡略化及び静電破壊の防止という効果をも期待することができる。
【０１４５】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、貼り合わせ基板のたわみ量に応じてアクチュエータのストロークを調整することにより、貼り合わせ基板を常に平面状態に維持することが可能である。これにより、貼り合わせ基板の貼り合わせ精度を維持した状態でシール本硬化を行うことが可能である。
【０１４６】
また、貼り合わせ基板を積極的にたわませることにより、貼り合わせ基板を構成する２つの基板のピッチずれを補正することも可能である。
【０１４７】
さらに、貼り合わせ基板を構成する２つの基板の位置合わせマークを撮像し、双方の位置合わせマークのずれ量を検出するカメラを備えることにより、貼り合わせ精度を常時認識しながら、シールの硬化反応を進めることができるため、貼り合わせ精度をさらに高めることができる。
【０１４８】
また、コンベアを貼り合わせ基板に対して回転またはスライド可能であるように構成することにより、コンベアは貼り合わせ基板の熱膨張に追従することが可能になる。これによって、貼り合わせ基板を構成する２つの基板は同期して熱膨張することが可能になり、２つの基板の間の熱膨張スピードの差により発生する貼り合わせズレを防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の平面図である。
【図３】従来の貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【図４】貼り合わせ基板のたわみ形状を円弧として捉え、たわみ量と貼り合わせズレの関係をモデル化した図である。
【図５】実際の基板におけるたわみ形状と、第１の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の制御とを示した図である。
【図６】貼り合わせ基板を複数の領域に分割して制御する方法を表した図である。
【図７】貼り合わせ基板を積極的にたわませて貼り合わせズレを０にする制御方法を表した図である。
【図８】シール塗布工程からシール本硬化工程までの各工程を示す図である。
【図９】シール塗布工程からシール本硬化工程までの各工程であって、図８に示した各工程とは別の各工程を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【図１２】コンベアの構造例を示す側面図である。
【図１３】液晶表示装置の動作原理を表した斜視図である。
【図１４】貼り合わせズレと表示品質との関係を説明するための図である。
【図１５】貼り合わせ基板を構成する２つの基板の貼り合わせズレΔＰの計算の詳細を示す図である。
【符号の説明】
１ 貼り合わせ基板
２ ＴＦＴ基板
３ ＣＦ基板
４ コンベア
５ アクチュエータ
６ 高さセンサ
７ 熱風
８ 熱源（ヒータ）
９ 耐熱ＨＥＰＡフィルタ
１０ 送風機
１１ 貼り合わせ基板入出口
１２ コントローラ
１３ シール
１４ スペーサ
１５ 画像認識装置
１６ ＵＶ光源
１７ 上定盤
１８ 熱源
１９ 下定盤
２０ 液晶塗布装置
２１ 液晶
２２ 基板支持部
２３ 基板支持点
２４ ＴＦＴパターン
２５ ＣＦパターン
２６ ＴＦＴマーク
２７ ＣＦマーク
２８ ＴＦＴ素子
２９ 液晶分子
３０ バックライト
３１、３２ 偏光フィルタ
３３ 入射光
３４ 出射光
３５ 透明電極
３６ ＣＦ素子
４０ シール塗布装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造装置に関し、特に、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合わせて形成した貼り合わせ基板を製造する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
先ず、液晶表示装置の構造について図１３を参照して説明する。
【０００３】
液晶表示装置は、２枚のガラス基板の隙間に充填した液晶の電気的特性と光学的特性を利用して、様々な映像を表示するディスプレイ装置である。
【０００４】
上記の２枚のガラス基板とは、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３である。ＴＦＴ基板２は、液晶剤の光の透過率を電圧制御するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子２８を、各ドット単位でマトリクス状に配置したガラス基板である。一方のＣＦ基板３は、光に色相をつけるためのカラーフィルタ（ＣＦ：Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）素子を、同じく各ドット単位で、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に着色してマトリクス状に配置したガラス基板である。
【０００５】
図１３に示すように、バックライト３０から発せられた光は偏光フィルタ３１を通る。ここで、偏光フィルタとは、ある方向成分の光のみを透過させるフィルタのことである。従って、偏光フィルタ３１を通り、さらに、ＴＦＴ基板２上の透明電極３５を透過した入射光３３は一定方向の成分しか持たない。
【０００６】
液晶分子２９は、透明電極３５とＣＦ素子３６の間において、捩れて並んでいる。この液晶分子２９は、印加される電圧によって捩れ角が変化するという電気的特性を持っている。ここで、印加電圧とは、透明電極３５とＣＦ素子３６との間の電位差である。通常は、ＣＦ素子３６の電位を基準（０Ｖ）として、ＴＦＴ素子２８を使って透明電極３５の電位を可変制御する。
【０００７】
加えて、光は液晶分子の捩れに沿って伝播するという、液晶の光学的特性が知られている。
【０００８】
従って、ある一定方向の成分しか持たない入射光３３は、液晶分子２９の配列方向に沿って捩れながら進み、一部又は全部の入射光３３がＣＦ素子３６と偏光フィルタ３２を透過して出射光３４になる。
【０００９】
なお、偏光フィルター３２は、印加電圧が０Ｖの時に入射光３３が全て透過するような角度で取り付けておく。
【００１０】
さらに大きな電圧を印加すると液晶分子２９は垂直に立つ。この液晶分子２９が立った状態では光も捩れないので、入射光３３は偏光フィルタ３２を透過しなくなる。
【００１１】
以上のように、液晶の電気的特性と光学的特性とを利用して、透明電極３５に印加する電圧を変化させると、出力光３４の光量を制御することが可能になる。すなわち、赤、緑、青の色相を持つ各ドットは、電圧により明度を制御できるようになる。そして、液晶表示装置全体では、様々な色相と明度を持つ微細なドットを組み合わせて、複雑な映像を表現することが可能になる。
【００１２】
以上から明らかであるように、液晶表示装置は、バックライト３０から発した光をベースとして、貼り合わせ基板１において光を調節して映像を表示するので、光の透過率が表示品質に大きな影響を与える。
【００１３】
次いで、図１４を参照して、光の透過率と、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の貼り合わせ精度との関係を説明する。
【００１４】
図１４（ａ）は貼り合わせ精度が良好な液晶表示装置を示している。
【００１５】
貼り合わせ精度が良好である場合には、透明電極３５とＣＦ素子３６との位置が合うので、ドットの開口部ｄ１は最も大きくなり、光の透過率も最大になる。
【００１６】
一方、図１４（ｂ）は貼り合わせ精度が低い液晶表示装置を示している。
【００１７】
図１４（ｂ）に示すように、貼り合わせ精度が低いと、透明電極３５とＣＦ素子３６との位置が合わず、ドットの開口部ｄ２が小さくなり、光の透過率も悪化する。
【００１８】
すなわち、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ精度が良好であるほど光の透過率は向上し、逆に、貼り合わせ精度が低下するほど光の透過率は低下する。
【００１９】
図１４（ｂ）に示した場合よりもさらに貼り合わせ精度が悪化すると、拡散した光が、隣接するドットから漏れてしまう光漏れという表示不良を引き起こす。この光漏れを回避するために、貼り合わせ精度の誤差を予め考慮して、透明電極３５及びＣＦ素子３６を小さめに設計しているのが実情である。
【００２０】
従って、貼り合わせ精度を確実に向上させることができれば、この設計マージンを緩和することができ、開口部を大きく設計することが可能になる。貼り合わせ精度の向上と設計マージンの緩和とにより、液晶表示装置の表示性能も格段に向上するという相乗効果を期待することができる。
【００２１】
以上のように、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ精度の向上は、液晶表示装置の表示品質を大きく左右する重要技術である。
【００２２】
ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせは、一般的には、双方の基板を熱硬化性のシールで貼り合わせ、そのシールを加熱することにより、行われる。このシールを熱硬化させる工程はシール本硬化と呼ばれている。
【００２３】
図３は、従来のシール本硬化装置を示す。
【００２４】
貼り合わせ基板出入り口１１から加熱炉内に搬入された貼り合わせ基板１は基板支持部２２により支持される。この後、ヒータ８が発する熱が、送風機１０からの風にのって、耐熱ＨＥＰＡフィルター９を介して、熱風７として、貼り合わせ基板１に供給される。この熱風７により、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に配されたシールが熱硬化する。
【００２５】
図３に示したシール本硬化装置においては、貼り合わせ基板１の端面だけを基板支持部２２により支持した状態でシールを熱処理している。
【００２６】
このように、貼り合わせ基板１の端面だけを支持すると、貼り合わせ基板１の中央部がたわみ、その結果として、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に貼り合わせズレが発生する。しかも、そのままシールが硬化してしまうので、できあがった製品の表示品質は悪化する。
【００２７】
加熱炉内の温度がさらに高温度になると、加熱炉内の基板支持部２２にも熱歪が生じ、基板支持の位置に狂いが生じる。すなわち、基板支持部２２の熱歪もまた貼り合わせ基板１の平面精度に影響を与える。
【００２８】
そこで、例えば、特開平１０−１０４５６４号公報には、電子部品を精度良く水平に保持することができるような焼成炉が開示されている。
【００２９】
この焼成炉においては、熱膨張率の低い材料（結晶化ガラス）を使って、水平支持部や支柱などの基板支持機構を構成している。従って、焼成炉内が昇温した場合であっても水平支持部や支柱が歪みにくいので、電子部品は精度良く水平に支持され、貼り合わせ基板の貼り合わせ精度を損なわない。
【００３０】
他にも、例えば、特開平９−２８１５１３号公報には、基板組立方法、基板組立装置及び基板組立システムが開示されている。
【００３１】
この基板組立方法においては、一対のガラス基板にそれぞれ設けられている位置合わせマーク間のズレを計測し、そのズレに基づいて、各々の基板の位置ズレを修正した後、それでもまだ残る位置合わせマーク間ピッチのズレを補正するために、基板を変形させて位置合わせを行う。
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平１０−１０４５６４号公報に開示されている焼成炉は、熱膨張後の電子部品の平面度を保証できないという問題点を有している。
【００３３】
すなわち、水平支持部及び支柱などの熱歪みの大きさは成りゆきになり、実際にどの程度歪むのかは全く解からない。
【００３４】
また、焼成炉が常温に戻ったときに、水平支持部及び支柱が元の形状に戻るとは限らない。焼成炉が昇温と降温とを繰り返すことにより、水平支持部及び支柱に永久歪が発生し、それに熱歪が累積すると、電子部品は平面度を損なう。
【００３５】
これに気付かずに生産を継続すると、不良品を大量に製造することになる。
【００３６】
ガラス基板が大型になるとこの問題点はさらに深刻化する。それは、ガラス基板サイズに比例して、水平支持部及び支柱も大型化するからである。すなわち、水平支持部や支柱などの組み立て誤差も大きくなり、それに応じて、電子部品の平面度が損なわれる。
【００３７】
また、上述の特開平９−２８１５１３号公報に開示されている基板組立方法または基板組立装置をシール本硬化装置に応用すれば、貼り合わせ精度の高い液晶表示装置を製造することが可能になるように見える。
【００３８】
しかしながら、この基板組立方法及び基板組立装置は昇温によるシール本硬化装置や貼り合わせ基板の熱膨張を考慮していないという問題点を有している。
【００３９】
熱膨張により、位置合わせマークの位置ズレが発生した場合に、貼り合わせ基板を変形させて位置ズレを補正することが考えられるが、この時点で、シールの硬化反応が既に進んでしまっていると、いくら貼り合わせ基板を変形させても、ピッチずれの補正を行うことは不可能である。これは、シールが既に硬化しているので、ガラス基板の相対位置は変わらないためであり、さらに、貼り合わせ基板を変形させ、位置合わせマークの位置が合ったとしても、一対のガラス基板を平面に戻した時にはピッチずれが解消されていないからである。
【００４０】
本発明は、以上のような従来の貼り合わせ基板製造装置における問題点に鑑みてなされたものであり、シールを熱硬化させるために、貼り合わせ基板を加熱した場合であっても、貼り合わせ基板の平面度を維持することが可能な貼り合わせ基板製造装置を提供することを目的とする。
【００４１】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明は、液晶表示装置に用いられる第１の基板と第２の基板とを相互に貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する装置であって、下側の基板を支持する複数個のコンベアと、前記コンベアの各々を上下動させるアクチュエータと、前記コンベアを通る鉛直線上における前記貼り合わせ基板の基準面からの高さを検出し、検出した高さに応じた検出信号を発する高さセンサーと、前記第１の基板と前記第２の基板との接着剤であるシールを熱硬化または紫外線硬化する際に、前記検出信号に応じて、前記アクチュエータを上下方向にストロークさせる制御装置と、からなる液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置を提供する。
【００４２】
本発明に係る貼り合わせ基板製造装置においては、貼り合わせ基板の各地点の高さは高さセンサーにより検知される。制御装置は、高さセンサーからの信号に基づいて、各高さセンサーに対応して配置されているアクチュエータのストローク量を決定する。このように、各アクチュエータを相互に独立に制御することにより、貼り合わせ基板をたわませることなく、常に平面状態に保持しておくことができる。このように、本貼り合わせ基板製造装置によれば、貼り合わせ精度が高く、表示性能が良好な液晶表示装置を提供することができる。平面度が良好な状態でシール本硬化された貼り合わせ基板は、熱処理によるストレスを受けないので、貼り合わせ精度が悪化しにくい。
【００４３】
本発明に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、シールの硬化が進む以前に、第１の基板と第２の基板との間のピッチずれを０にすることができる。さらに、制御装置は、シールの硬化反応が進んでいる間は、貼り合わせ基板の姿勢が変化しないようにコンベア位置を制御するので、貼り合わせ基板の平面度は本貼り合わせ基板製造装置の機構部の熱膨張による影響を受けない。
【００４４】
前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれの許容値に対応する前記貼り合わせ基板のたわみ量をＡ０とした場合、前記制御装置は、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記アクチュエータのストロークを調整するものであることが好ましい。
【００４５】
また、前記制御装置は、前記貼り合わせ基板をその長さ方向において複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記アクチュエータのストロークを調整することができる。
【００４６】
さらに、前記コンベア及びそれに対応する前記アクチュエータ並びに前記高さセンサーをマトリクス状に配置し、前記制御装置は、前記貼り合わせ基板を相互に直交する２つの方向においてそれぞれ複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記アクチュエータのストロークを調整するものとすることができる。
【００４７】
前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれに対応するたわみ量をＡ１とした場合、前記制御装置は、−Ａ１のたわみ量が生じるように、前記アクチュエータをストロークさせることができる。
【００４８】
前記たわみ量Ａ１に対する上限値が予め設定されており、前記制御装置は、前記たわみ量Ａ１が前記上限値を超えるものである場合には、前記制御装置は、前記アクチュエータのストローク量を前記たわみ量−Ａ１に保持するものとすることができる。
【００４９】
本貼り合わせ基板製造装置は、前記第１の基板の位置合わせマークと前記第２の基板の位置合わせマークを撮像し、双方の位置合わせマークのずれ量を示すずれ量検出信号を発するカメラをさらに備えていることが好ましい。この場合、前記制御装置は、前記ずれ量検出信号に基づいて、前記アクチュエータのストローク量を調整するものとすることができる。
【００５０】
前記コンベアは前記貼り合わせ基板の熱膨張に追従して可動であることが好ましい。
【００５１】
例えば、前記コンベアはローラー状をなしており、前記コンベアは前記貼り合わせ基板の熱膨張に追従して回転可能に形成することができる。
【００５２】
あるいは、前記コンベアは、前記コンベアは前記貼り合わせ基板の熱膨張に追従して、前記貼り合わせ基板の表面に沿ってスライド可能に形成することができる。
【００５３】
本発明は、液晶表示装置に用いられる第１の基板と第２の基板とを相互に貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板との接着剤であるシールを熱硬化または紫外線硬化する工程を含み、該工程が、前記貼り合わせ基板の各地点の基準面からの高さを検出する第１の過程と、前記第１の過程において検出された高さに応じて、前記貼り合わせ基板を前記各地点において上下動させる第２の過程と、を備える液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【００５４】
前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれの許容値に対応する前記貼り合わせ基板のたわみ量をＡ０とすると、前記第２の過程においては、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記貼り合わせ基板を上下動させることが好ましい。
【００５５】
例えば、前記第２の過程は、前記貼り合わせ基板をその長さ方向において複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記貼り合わせ基板を上下動させるものとすることができる。
【００５６】
あるいは、前記第２の過程は、前記貼り合わせ基板を相互に直交する２つの方向においてそれぞれ複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記貼り合わせ基板を上下動させるものとすることができる。
【００５７】
前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれに対応するたわみ量をＡ１とすると、前記第２の過程は、−Ａ１のたわみ量が生じるように、前記貼り合わせ基板を上下動させるものであるとすることができる。
【００５８】
前記第１の基板の位置合わせマークと前記第２の基板の位置合わせマークを撮像し、双方の位置合わせマークのずれ量を検出する過程をさらに備えており、前記第２の過程は、前記ずれ量に基づいて、前記貼り合わせ基板を上下動させるものとすることができる。
【００５９】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置用貼り合わせ基板製造装置を図１及び図２に示す。
【００６０】
図１は同装置の側面図であり、図２は同装置を上方から見た平面図である。
【００６１】
貼り合わせ基板１は２枚のガラス基板を貼り合わせたものである。２枚のガラス基板の一方は、各ドット毎に薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）をマトリクス状に配置したＴＦＴ基板２であり、他方は、赤、緑、青のフィルタを同じくマトリクス状に配置したＣＦ（カラーフィルタ）基板３である。ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との接着剤であるシールを熱硬化する工程であるシール本硬化工程は、一定温度に保持されたオーブンの中で貼り合わせ基板１を３０分乃至６０分熱処理することにより、行われる。
【００６２】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、貼り合わせ基板１の下側基板となるＴＦＴ基板２を複数個のコンベア４で支持している。コンベア４は、環状のリング部材４ａと、リング部材４ａを支持するブロック部材４ｂとからなっている。
【００６３】
図２に示すように、複数個のコンベア４は貼り合わせ基板１に対してマトリクス状に配置されている。各コンベア４はアクチュエータ５の先端に取り付けられており、各コンベア４は相互に独立に上下動可能である。
【００６４】
各コンベア４の直上には高さセンサ６が設置されており、高さセンサ６により、貼り合わせ基板１の基準面からの相対的な高さを測定することができるようになっている。各高さセンサ６は、貼り合わせ基板１の基準面からの相対的な高さを測定した後、その高さを示す検出信号をコントローラ１２に送信する。コントローラ１２は、この検出信号に示される高さデータを解析し、各コンベア４における貼り合わせ基板１の全ての高さが一定値になるようにアクチュエータ５を上下方向にストロークさせ、各コンベア４の高さを調整する。
【００６５】
このように、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、貼り合わせ基板１のたわみを防止することができ、貼り合わせ基板１を常に平面状態に保持することが可能である。
【００６６】
貼り合わせ基板出入り口１１からオーブン内に搬入された貼り合わせ基板１は各コンベア４上に支持される。この後、ヒータ８が発する熱が、送風機１０からの風にのって、耐熱ＨＥＰＡフィルター９を介して、熱風７として、貼り合わせ基板１に供給される。この熱風７により、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に配されたシールが熱硬化する。
【００６７】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ精度はシール本硬化後も非常に良好である。本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置により、シール本硬化を行うことによって、光の透過率が高く、表示性能の良好な液晶表示装置を提供できるという効果がもたらされる。
【００６８】
貼り合わせ精度を悪化させる最大の原因は貼り合わせ基板１のたわみである。
【００６９】
以下、この点に関して図１及び図３を参照して説明する。
【００７０】
前述したように、図３は従来の貼り合わせ基板製造装置を示す。この従来の貼り合わせ基板製造装置においては、貼り合わせ基板１はその両端においてのみ基板支持部２２により支持される。このように、貼り合わせ基板１の両端を支持しただけでシールを本硬化すると、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に貼り合わせズレΔＰが発生し、貼り合わせ精度が悪化する。
【００７１】
図３に示すように貼り合わせ基板１がたわんだ状態においては、貼り合わせ基板１の下面が凸形状、上面が凹形状になる。すなわち、貼り合わせ面であるＣＦ基板３の下面は凸形状、ＴＦＴ基板２の上面は凹形状になるので、貼り合わせ面においてＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との長さに差が生じてしまう。貼り合わせ基板１がたわんだ状態のままシールの硬化が進むと、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３はそのまま完全に固定する。シールがたわんだ状態のまま硬化した貼り合わせ基板１を改めて平らな状態に戻しても、悪化した貼り合わせ精度は元に戻らず、製品は不良品になってしまう。
【００７２】
一方、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とはたわまず、常に平面状態に維持される。従って、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３の貼り合わせ面に凹凸が発生せず、シール硬化後の貼り合わせ精度は悪化しない。
【００７３】
さらに、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせズレΔＰを貼り合わせ基板１のたわみ量ａから計算して求め、そのたわみ量ａに応じて、貼り合わせ基板１の高さの制御を行うことが可能である。
【００７４】
以下、図４を参照して、この制御を説明する。
【００７５】
図４は支持点２３で両端を支持された貼り合わせ基板１のたわみ形状を示している。両端支持ハリのたわみ形状は一般に、
ｙ＝（ｗｘ／２４ＥＩ）×（ｘ3−２Ｌｘ2＋Ｌ3）
で与えられることが知られている。
（ｗ：等分布荷重、Ｅ：ヤング率、Ｉ：断面２次モーメント、Ｌ：ハリの長さ）上式から明らかであるように、支持点からの距離ｘにおけるハリのたわみ量ｙは４次曲線である。
【００７６】
本実施形態においては、このたわみ形状を円弧で近似することとする。円弧を採用した理由は、計算が容易だからであり、また、たわみの曲率半径は非常に大きいので、円弧でも充分近似できるからである。
【００７７】
先ず、以下に、たわみ量ａと貼り合わせズレΔＰとの関係を説明する。
【００７８】
ＣＦ基板３の板厚をｔ、基板中心のたわみ量をａ、貼り合わせ基板１がたわんでいない時の長さを２Ｐとする。
【００７９】
貼り合わせ基板１は、図４のようにたわみ、上面が凹形状、下面が凸形状である。ここで、凹形状になるＴＦＴ基板２の上面は長さ２Ｐのままとし、一方の凸形状になるＣＦ基板３の下面の長さは２Ｐ´（２Ｐ´＞２Ｐ）に伸びるものとする。なお、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間の隙間（ギャップ）は約５μｍと非常に小さいため、十分無視できる。
【００８０】
この時、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間の貼り合わせズレΔＰは、
【００８１】
（１）式を求める計算の詳細は図１５に示す通りである。
【００８２】
ここで、実際の計算例を用いて（１）式を検証してみることにする。
【００８３】
表１は、実際に試作した製品と、（１）式を使って計算した結果とを比較したものである。長さ２Ｐ＝３００ｍｍ、板厚ｔ＝０．７ｍｍ、の貼り合わせ基板１がａ＝１．３ｍｍたわんだ場合について比較した。
【００８４】
【表１】
上記の製品を実際に試作してみたところ、ΔＰ＝１０μｍの貼り合わせズレが生じた。これに対して、（１）式を用いて計算した結果では、ΔＰ＝１１．７μｍとなり、試作と計算の差は僅か１．７μｍであった。以上の比較により、（１）式は貼り合わせズレΔＰを十分正確に導く計算式であることがわかる。
【００８６】
次に、（１）式を用いて計算したΔＰとたわみ量ａとの関係を利用して、貼り合わせ基板１の平面度を制御する方法について説明する。
【００８７】
（１）式をたわみ量ａについて解くと、次の（２）式が得られる
ａ＝Ｐｓｉｎ（ΔＰ／２ｔ）・・・・・（２）
この（２）式に貼り合わせズレの製品規格値ΔＰ０を代入し、その時のたわみ量ａ０を求める。
【００８８】
ａ０＝Ｐｓｉｎ（ΔＰ０／２ｔ）・・・・（３）
この（３）式から求められるたわみ量ａ０は、貼り合わせズレをΔＰ０以内に収めるための許容たわみ量を規定する。すなわち、貼り合わせ基板１のたわみ量を許容たわみ量ａ０以内に抑えるように、コンベア４の高さを制御すればよい。
【００８９】
以下に実際の計算例を示す。
【００９０】
表２は貼り合わせズレΔＰ０＝±４μｍを製品規格とした場合に、貼り合わせ基板１における貼り合わせズレΔＰをそれ以内に抑えるための許容たわみ量ａ０を求めた計算結果である。
【００９１】
【表２】
表２に示すように、２Ｐ＝１５０ｍｍ、ｔ＝０．７ｍｍの基板では、ａ０≦０．２１ｍｍとなるように各コンベア４を制御すればよく、２Ｐ＝３００ｍｍ、ｔ＝０．７ｍｍの基板では、ａ０≦０．４３ｍｍとなるように各コンベア４を制御すればよく、また、２Ｐ＝６８０ｍｍ、ｔ＝０．７ｍｍの基板では、ａ０≦０．９７ｍｍとなるように各コンベア４を制御すれば良いことがわかる。
【００９３】
貼り合わせ基板１は、そのガラス基板のサイズが大きいほど、生産性が向上することが知られている。数年前までは３７０×４７０ｍｍサイズが主流であったガラス基板サイズは、その後、拡大の一途を辿り、６８０×８８０ｍｍ、７３０×９２０ｍｍの大型基板が主流になりつつある。
【００９４】
しかしながら、長さ２Ｐ＝６８０ｍｍの貼り合わせ基板を両端でのみ支持する場合には、その貼り合わせ基板のたわみ量がａ＝２０ｍｍを超えてしまう。
【００９５】
一方、表２の計算結果から、２Ｐ＝６８０ｍｍの貼り合わせ基板における貼り合わせズレを±４μｍ以内に抑えるための許容たわみ量はａ０＝０．９７ｍｍである。従って、両端支持だけでは貼り合わせ精度を製品規格に収めるのは困難であることがわかる。たわみ量を最小限に抑えるためには、貼り合わせ基板の両端に加えて、貼り合わせ基板の中ほどにも支持点を追加する必要が生じてくる。
【００９６】
以下、図５及び図６を参照して、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置を大型基板に適用する場合を説明する。
【００９７】
支持ポイントが多くなると、図５に示すように、貼り合わせ基板１のたわみ形状は複雑になり、１つの円弧として捉えることができなくなる。そこで、本実施形態においては、貼り合わせ基板をその長さ方向において分割し、複数の円弧の組み合わせとして貼り合わせ基板のたわみ形状を捉える。この分割した範囲２Ｐに対して、許容されるたわみ量ａ０を設定する。
【００９８】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置をさらに大型の貼り合わせ基板に用いる場合には、コンベア４の個数を増やして貼り合わせ基板１を支持することが望ましい。
【００９９】
この場合には、図６に示すように、貼り合わせ基板１の長さ方向における長さがＰｘ、貼り合わせ基板１の幅方向における長さがＰｙの複数個の領域に分割し、各々の領域に許容たわみ量ａｘ０及びａｙ０を設定して制御する。すなわち、貼り合わせ基板１のサイズに応じて、貼り合わせ基板１を複数個の領域に分割し、各領域においてたわみ量を制御すればよい。
【０１００】
また、貼り合わせ基板１のたわみ量をａ＝０にしたとしても、貼り合わせ精度はΔＰ＝０になるとは限らない。これは、シール本硬化よりも前の工程で、貼り合わせ誤差あるいはＴＦＴ基板２、ＣＦ基板３のパターン自体に仕上がり誤差（ピッチずれ）が既に存在するからである。
【０１０１】
これに対して、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、このようなピッチずれが既に存在する貼り合わせ基板１についても、貼り合わせ精度の向上を図ることが可能である。以下、図７を用いて、その方法を説明する。
【０１０２】
図７（ａ）に示すように、たわみ量ａ＝０の平面状態であるにもかかわらず、貼り合わせ基板１に貼り合わせズレΔＰ１が生じているものとする。この貼り合わせズレΔＰ１が生じる理由は、ＴＦＴパターン２４よりもＣＦパターン２５が２ΔＰ１長いためであり、この２ΔＰ１がピッチずれ量である。
【０１０３】
ΔＰ１を（２）式に代入すると、
ａ１＝Ｐｓｉｎ（ΔＰ１／２ｔ）・・・・（４）
この（４）式からたわみ量ａ１が得られる。ここで、ａ１を仮想たわみ量と呼ぶことにする。
【０１０４】
この仮想たわみ量ａ１を補正するために、コンベア４を（−ａ１）だけストロークさせ、ＴＦＴ基板２の上面を凸形状、ＣＦ基板３の下面を凹形状にする。この結果、ＴＦＴ基板２の上面がＣＦ基板３の下面よりもΔＰ１長くなるので、ピッチずれΔＰ１を解消することができる。
【０１０５】
すなわち、（２）式を使った計算手法とコンベアの高さ制御とを上述の制御とは逆方向に行い、ΔＰ＝０になるように貼り合わせ基板１を積極的にたわませることによって、前工程で発生した貼り合わせ誤差やピッチズレを本貼り合わせ基板製造装置において解消することができる。
【０１０６】
ただし、上記の制御によりシール本硬化した貼り合わせ基板１は平面であるとは限らず、仕上がり形状が大きくたわんだままの状態であることも考えられる。このような場合には、コンベア４のストローク量−ａ１に上限値を設定し、仕上がり形状が品質に支障を来たさないようにする必要がある。
【０１０７】
また、シールの硬化が完了してから、ΔＰ＝０にすることは不可能である。その理由は、シール本硬化によって、ＴＦＴ基板２及びＣＦ基板３は完全に接着された後なので、ガラス基板の相対位置は変わらないからである。貼り合わせ基板１を積極的にたわませて、貼り合わせ基板１のマーク位置が合ったように見えても、常温に戻った時には貼り合わせ位置が元に戻り、貼り合わせズレは解消されていない。
【０１０８】
従って、各コンベア４の制御において重要な点は、シールの硬化が進む以前に貼り合わせズレΔＰがΔＰ＝０になるようにし、シールの硬化反応が進んでいる間は、貼り合わせ基板１の姿勢が変化しないように、各コンベア４の位置を制御しなければならないということである。
【０１０９】
以上のように、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、貼り合わせ基板１を支持する複数のコンベア４と、それを支えるアクチュエータ５と、高さセンサ６と、コントローラ１２とが貼り合わせ基板１のたわみ量を自動的に制御する機構を構成しておた、貼り合わせ基板１の貼り合わせ精度を維持しながらシール本硬化することだけではなく、積極的に貼り合わせ基板１をたわませることにより、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間のピッチずれ補正をも実現している。
【０１１０】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置は、図８及び図９に示す製造工程において用いられる。
【０１１１】
先ず、図８を参照して、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ工程を説明する。
【０１１２】
図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板２の表面にはシール塗布装置４０を介してシール１３を塗布し、一方のＣＦ基板３にはスペーサ１４を散布する。シール１３は、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との接着剤である。また、スペーサ１４は直径約５μｍの球状粒子で、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせ面に隙間を形成する役割を有している。
【０１１３】
図８（ｂ）に示す次工程においては、ＴＦＴ基板２の上にＣＦ基板３を貼り合わせる。ここでは、貼り合わせの位置基準となるＴＦＴマーク２６の中心とＣＦマーク２７の中心とが一致するように貼り合わせを行う。
【０１１４】
貼り合わせに際しては、カメラ１５でＴＦＴマーク２６とＣＦマーク２７とを捉え、両者の中心位置を精密に合わせ込んでいる。その結果、貼り合わせ精度は±２μｍ以内を実現している。
【０１１５】
この貼り合わせ工程後は、図８（ｃ）に示すように、ＵＶ光源１６からＵＶ光を照射してシール１３の一部又は全部を仮硬化し、シール本硬化完了までにＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とが容易にずれないようにしている。
【０１１６】
さらに、図８（ｄ）に示す次工程においては、熱源１８を内蔵した上定盤１７と下定盤１９とで貼り合わせ基板１をプレスしながらシールの熱硬化を行う。上定盤１７及び下定盤１９は各々平面精度が高く、このプレス機構により、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との隙間を約５μｍに仕上げている。
【０１１７】
次いで、図８（ｅ）に示すように、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置において、シール１３を完全に硬化させる。
【０１１８】
図９は、図８に示した貼り合わせ工程とは別の貼り合わせ工程を示す。
【０１１９】
図８に示した貼り合わせ工程においては、液晶は、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とを貼り合わせた後に、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間の隙間に注入される。これに対して、図９に示す製造工程においては、図９（ｂ）のように、予めＴＦＴ基板２に液晶２０を塗布し、その後に、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とを貼り合わせる。
【０１２０】
図１０は、本発明の第２の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【０１２１】
第１の実施形態においては、貼り合わせ基板製造装置を用いて、シール本硬化を行ったが、第２の実施形態においては、貼り合わせ基板製造装置を用いて、ＵＶシール硬化を行う。すなわち、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置は、図８（ｃ）または図９（ｄ）に示す工程において用いられるものである。
【０１２２】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、ＵＶランプ１６を用いて、紫外線によるシールの仮硬化を行う。ＵＶランプ１６を備えている点以外は、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の構造は第１の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の構造と同じである。
【０１２３】
従って、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によっても、貼り合わせ基板１の貼り合わせ精度を維持しながらＵＶ仮硬化を行うことができるとともに、（４）式を利用して、積極的に貼り合わせ基板１をたわませることにより、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間のピッチズレ補正を行うこともできる。
【０１２４】
図１１は、本発明の第３の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【０１２５】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置は、第２の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の構成に加えて、画像認識装置用カメラ１５を備えている。
【０１２６】
本実施形態においては、カメラ１５が貼り合わせ基板１の上方に設置されており、ＴＦＴ基板２のＴＦＴマーク２６及びＣＦ基板３のＣＦマーク２７を常時捉えながら、両マーク２６、２７のズレ量を示す信号をコントローラ１２に送信している。コントローラ１２は、両マーク２６、２７のズレ量に応じて、各コンベア４に対応するアクチュエータ５のストロークを制御する。
【０１２７】
本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、画像認識装置用カメラ１５で貼り合わせ精度を常時認識しながら、シールの硬化反応を進めるため、貼り合わせ精度をさらに高めることができる。
【０１２８】
従って、本実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置により処理した製品の貼り合わせ精度をさらに向上することができるとともに、処理した製品全ての貼り合わせズレΔＰのデータを自動収集することもできる。
【０１２９】
この貼り合わせズレΔＰのデータ収集により、製品の種類や、使用するガラスその他の材料ごとに貼り合わせズレの傾向を把握し、製品や材料に応じて、より詳細な条件を設定することが可能になる。すなわち、全ての製品について貼り合わせ精度が向上するという格別な効果を奏する。
【０１３０】
貼り合わせズレの第１原因が貼り合わせ基板のたわみであるということは既に述べた通りである。
【０１３１】
貼り合わせズレが発生する第２の原因はＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との熱膨張差である。すなわち、熱容量、熱膨張率などの各基板の熱的特性の差分や、温度分布の相違によって、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との熱膨張量に差が生じ、貼り合わせ位置がズレてしまうことがある。
【０１３２】
上述の第１乃至第３の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置においては、この問題についても以下のような対策を講じることが可能である。
【０１３３】
図１２（Ａ）はその一例を示す。
【０１３４】
上述の第１乃至第３の実施形態においては、コンベア４を構成するリング状部材４ａはブロック部材４ｂに対して固定されていたが、図１２（Ａ）に示すように、リング状部材４ａが軸４ｃの周りに回転可能であるように、リング状部材４ａをブロック部材４ｂに対して支持することが可能である。
【０１３５】
図１２（Ｂ）は他の例を示す。
【０１３６】
本例においては、図１２（Ｂ）に示すように、リング状部材４ａは軸４ｃに沿って貼り合わせ基板１に対してスライド可能であるように、ブロック部材４ｂに対して支持されている。
【０１３７】
このように、リング状部材４ａを貼り合わせ基板１に対して回転またはスライド可能であるように構成することにより、コンベア４はＴＦＴ基板２の熱膨張に追従することが可能になる。これによって、ＴＦＴ基板２はコンベア４との摩擦によるストレスを受けにくくなるので、ＴＦＴ基板２は何の干渉も受けずに熱膨張する。
【０１３８】
一方のＣＦ基板３にはコンベア４との接触点がないので自由に熱膨張する。
【０１３９】
従って、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とは同期して熱膨張することになる。すなわち、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示した例によれば、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間の熱膨張スピードの差により発生する貼り合わせズレを防止することが可能である。
【０１４０】
例えば、ガラス基板の線膨張係数は約４×１０-6／℃であり、２Ｐ＝６８０ｍｍのガラス基板が２５℃から２００℃に上昇すると０．４８ｍｍ伸びる計算になる。
【０１４１】
さらに、コンベア４は小さい接触面積でＴＦＴ基板２と接しているため、コンベア４はＴＦＴ基板２から熱を奪いにくく、貼り合わせ基板１の温度分布が良好になる。この温度分布最適化も、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との熱膨張差により発生する貼り合わせズレを防止できるという効果をもたらすことになる。
【０１４２】
また、コンベア４は小さい接触面積で貼り合わせ基板１と接しているため、貼り合わせ基板１の裏面にロボットハンドを挿入することも容易である。
【０１４３】
しかも、コンベア４と貼り合わせ基板１との接触面積が小さいということは、ロボットハンドが貼り合わせ基板１を掬い上げた時の貼り合わせ基板１の剥離帯電量が小さいので、静電気によるＴＦＴ素子の破壊（層間ショート）を防止することができるという効果もある。
【０１４４】
以上のように、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示した例によれば、搬送機構の簡略化及び静電破壊の防止という効果をも期待することができる。
【０１４５】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る貼り合わせ基板製造装置によれば、貼り合わせ基板のたわみ量に応じてアクチュエータのストロークを調整することにより、貼り合わせ基板を常に平面状態に維持することが可能である。これにより、貼り合わせ基板の貼り合わせ精度を維持した状態でシール本硬化を行うことが可能である。
【０１４６】
また、貼り合わせ基板を積極的にたわませることにより、貼り合わせ基板を構成する２つの基板のピッチずれを補正することも可能である。
【０１４７】
さらに、貼り合わせ基板を構成する２つの基板の位置合わせマークを撮像し、双方の位置合わせマークのずれ量を検出するカメラを備えることにより、貼り合わせ精度を常時認識しながら、シールの硬化反応を進めることができるため、貼り合わせ精度をさらに高めることができる。
【０１４８】
また、コンベアを貼り合わせ基板に対して回転またはスライド可能であるように構成することにより、コンベアは貼り合わせ基板の熱膨張に追従することが可能になる。これによって、貼り合わせ基板を構成する２つの基板は同期して熱膨張することが可能になり、２つの基板の間の熱膨張スピードの差により発生する貼り合わせズレを防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の平面図である。
【図３】従来の貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【図４】貼り合わせ基板のたわみ形状を円弧として捉え、たわみ量と貼り合わせズレの関係をモデル化した図である。
【図５】実際の基板におけるたわみ形状と、第１の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の制御とを示した図である。
【図６】貼り合わせ基板を複数の領域に分割して制御する方法を表した図である。
【図７】貼り合わせ基板を積極的にたわませて貼り合わせズレを０にする制御方法を表した図である。
【図８】シール塗布工程からシール本硬化工程までの各工程を示す図である。
【図９】シール塗布工程からシール本硬化工程までの各工程であって、図８に示した各工程とは別の各工程を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る貼り合わせ基板製造装置の側面図である。
【図１２】コンベアの構造例を示す側面図である。
【図１３】液晶表示装置の動作原理を表した斜視図である。
【図１４】貼り合わせズレと表示品質との関係を説明するための図である。
【図１５】貼り合わせ基板を構成する２つの基板の貼り合わせズレΔＰの計算の詳細を示す図である。
【符号の説明】
１ 貼り合わせ基板
２ ＴＦＴ基板
３ ＣＦ基板
４ コンベア
５ アクチュエータ
６ 高さセンサ
７ 熱風
８ 熱源（ヒータ）
９ 耐熱ＨＥＰＡフィルタ
１０ 送風機
１１ 貼り合わせ基板入出口
１２ コントローラ
１３ シール
１４ スペーサ
１５ 画像認識装置
１６ ＵＶ光源
１７ 上定盤
１８ 熱源
１９ 下定盤
２０ 液晶塗布装置
２１ 液晶
２２ 基板支持部
２３ 基板支持点
２４ ＴＦＴパターン
２５ ＣＦパターン
２６ ＴＦＴマーク
２７ ＣＦマーク
２８ ＴＦＴ素子
２９ 液晶分子
３０ バックライト
３１、３２ 偏光フィルタ
３３ 入射光
３４ 出射光
３５ 透明電極
３６ ＣＦ素子
４０ シール塗布装置
Claims (16)
- 液晶表示装置に用いられる第１の基板と第２の基板とを相互に貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する装置であって、
下側の基板を支持する複数個のコンベアと、
前記コンベアの各々を上下動させるアクチュエータと、
前記コンベアを通る鉛直線上における前記貼り合わせ基板の基準面からの高さを検出し、検出した高さに応じた検出信号を発する高さセンサーと、
前記第１の基板と前記第２の基板との接着剤であるシールを熱硬化または紫外線硬化する際に、前記検出信号に応じて、前記アクチュエータを上下方向にストロークさせる制御装置と、
からなる液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。 - 前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれの許容値に対応する前記貼り合わせ基板のたわみ量をＡ０とすると、前記制御装置は、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記アクチュエータのストロークを調整するものであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。
- 前記制御装置は、前記貼り合わせ基板をその長さ方向において複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記アクチュエータのストロークを調整するものであることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。
- 前記コンベア及びそれに対応する前記アクチュエータ並びに前記高さセンサーをマトリクス状に配置し、前記制御装置は、前記貼り合わせ基板を相互に直交する２つの方向においてそれぞれ複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記アクチュエータのストロークを調整するものであることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。
- 前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれに対応するたわみ量をＡ１とすると、前記制御装置は、−Ａ１のたわみ量が生じるように、前記アクチュエータをストロークさせるものであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。
- 前記たわみ量Ａ１に対する上限値が予め設定されており、前記制御装置は、前記たわみ量Ａ１が前記上限値を超えるものである場合には、前記制御装置は、前記アクチュエータのストローク量を前記たわみ量−Ａ１に保持するものであることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。
- 前記第１の基板の位置合わせマークと前記第２の基板の位置合わせマークを撮像し、双方の位置合わせマークのずれ量を示すずれ量検出信号を発するカメラをさらに備えており、
前記制御装置は、前記ずれ量検出信号に基づいて、前記アクチュエータのストローク量を調整するものであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。 - 前記コンベアは前記貼り合わせ基板の熱膨張に追従して可動であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。
- 前記コンベアはローラー状をなしており、前記コンベアは前記貼り合わせ基板の熱膨張に追従して回転可能に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。
- 前記コンベアは、前記貼り合わせ基板の熱膨張に追従して、前記貼り合わせ基板の表面に沿ってスライド可能に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造装置。
- 液晶表示装置に用いられる第１の基板と第２の基板とを相互に貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する方法であって、
前記第１の基板と前記第２の基板との接着剤であるシールを熱硬化または紫外線硬化する工程を含み、該工程が、
前記貼り合わせ基板の各地点の基準面からの高さを検出する第１の過程と、
前記第１の過程において検出された高さに応じて、前記貼り合わせ基板を前記各地点において上下動させる第２の過程と、
を備える液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造方法。 - 前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれの許容値に対応する前記貼り合わせ基板のたわみ量をＡ０とすると、前記第２の過程においては、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記貼り合わせ基板を上下動させることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記第２の過程は、前記貼り合わせ基板をその長さ方向において複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記貼り合わせ基板を上下動させるものであることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記第２の過程は、前記貼り合わせ基板を相互に直交する２つの方向においてそれぞれ複数の領域に分割し、各領域において、前記貼り合わせ基板のたわみ量を前記Ａ０以下に抑えるように、前記貼り合わせ基板を上下動させるものであることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせずれに対応するたわみ量をＡ１とすると、前記第２の過程は、−Ａ１のたわみ量が生じるように、前記貼り合わせ基板を上下動させるものであることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記第１の基板の位置合わせマークと前記第２の基板の位置合わせマークを撮像し、双方の位置合わせマークのずれ量を検出する過程をさらに備えており、
前記第２の過程は、前記ずれ量に基づいて、前記貼り合わせ基板を上下動させるものであることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置用貼り合わせ基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001132551A JP4768147B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 液晶表示装置の製造装置 |
| US10/124,978 US6848191B2 (en) | 2001-04-27 | 2002-04-18 | Apparatus and method for forming a combined substrate structure |
| TW091108619A TW567359B (en) | 2001-04-27 | 2002-04-25 | Apparatus and method for forming a combined substrate structure |
| KR10-2002-0023277A KR100438207B1 (ko) | 2001-04-27 | 2002-04-27 | 결합기판구조를 제조하기 위한 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001132551A JP4768147B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 液晶表示装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002328381A JP2002328381A (ja) | 2002-11-15 |
| JP4768147B2 true JP4768147B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=18980547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001132551A Expired - Fee Related JP4768147B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 液晶表示装置の製造装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6848191B2 (ja) |
| JP (1) | JP4768147B2 (ja) |
| KR (1) | KR100438207B1 (ja) |
| TW (1) | TW567359B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10241069B4 (de) * | 2002-09-05 | 2004-07-15 | Aesculap Ag & Co. Kg | Vorrichtung zur Erfassung der Kontur einer Oberfläche |
| KR20050024528A (ko) * | 2003-09-03 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| ITFI20040102A1 (it) | 2004-04-29 | 2004-07-29 | Guglielmo Biagiotti | Metodo e dispositivo per la produzione di carta tissue |
| KR101223098B1 (ko) * | 2004-09-09 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
| JP4549172B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2010-09-22 | 日東電工株式会社 | ウエハマウント方法およびこれを用いたウエハマウント装置 |
| KR101127849B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 열경화장비, 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법 |
| ITFI20050218A1 (it) * | 2005-10-20 | 2007-04-21 | Guglielmo Biagiotti | Perfezionamenti ai metodi e dispositivi per la produzione di carte tissue e velo di carta da questi derivante |
| DE102008023218A1 (de) * | 2008-05-10 | 2009-11-12 | Aesculap Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung eines Körpers mit einem Ultraschallkopf |
| CN101942645B (zh) * | 2009-07-06 | 2013-10-09 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜机 |
| KR101130969B1 (ko) * | 2009-09-17 | 2012-04-03 | 주성엔지니어링(주) | 기판 지지부재와 이를 포함하는 기판 가열 장치 |
| DE202011110836U1 (de) * | 2011-02-21 | 2016-09-02 | Ctf Solar Gmbh | Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten |
| WO2016024364A1 (ja) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | 株式会社新川 | 実装装置および測定方法 |
| CN104749810B (zh) | 2015-04-15 | 2017-10-13 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 液晶面板的制造方法及加热装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3265670B2 (ja) * | 1993-01-21 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | ステージ装置、ステージ駆動方法、及び露光装置 |
| JP3363308B2 (ja) | 1996-04-18 | 2003-01-08 | 株式会社日立製作所 | 基板組立方法及び液晶表示セルの製造方法 |
| JPH10104564A (ja) | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Chuo Riken:Kk | 焼成炉 |
| JP3733202B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法及び製造装置 |
| JP4153582B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2008-09-24 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 基板保持装置 |
| JP2000105384A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | 液晶パネルの製造方法及び製造装置 |
| JP2000193988A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネルの製造方法と製造装置 |
| JP2000193986A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法および製造装置 |
| US6631726B1 (en) * | 1999-08-05 | 2003-10-14 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Apparatus and method for processing a substrate |
| US6457478B1 (en) * | 1999-11-12 | 2002-10-01 | Michael J. Danese | Method for treating an object using ultra-violet light |
| JP4470274B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2010-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP2002043299A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の熱処理方法 |
| US6678062B2 (en) * | 2000-12-08 | 2004-01-13 | Cyberoptics Corporation | Automated system with improved height sensing |
| US6744020B2 (en) * | 2001-01-04 | 2004-06-01 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus |
| JP3500359B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2004-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法ならびに基板処理装置および基板処理方法 |
| US7270587B2 (en) * | 2002-03-05 | 2007-09-18 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing liquid crystal display devices, method for using the apparatus, and device produced by the method |
| KR100720416B1 (ko) * | 2002-03-16 | 2007-05-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자용 합착 장치 |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001132551A patent/JP4768147B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-18 US US10/124,978 patent/US6848191B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-25 TW TW091108619A patent/TW567359B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-04-27 KR KR10-2002-0023277A patent/KR100438207B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030013318A1 (en) | 2003-01-16 |
| JP2002328381A (ja) | 2002-11-15 |
| KR20020083517A (ko) | 2002-11-02 |
| US6848191B2 (en) | 2005-02-01 |
| TW567359B (en) | 2003-12-21 |
| KR100438207B1 (ko) | 2004-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4768147B2 (ja) | 液晶表示装置の製造装置 | |
| JP2021051329A (ja) | 調光フィルム及び合わせガラス | |
| US8096336B2 (en) | Method of manufacturing liquid crystal display apparatus and manufacturing device therefor | |
| KR100768491B1 (ko) | 액정표시장치의 제조 방법 | |
| CN106681100B (zh) | 掩膜板的制备方法、掩膜板和蒸镀系统 | |
| US20170212373A1 (en) | Display panel, display device and method for driving the same | |
| KR102526723B1 (ko) | 유리 제조 방법 및 장치 | |
| US5959712A (en) | Method of manufacturing a liquid crystal display element having a decreased fluctuation of aperture ratio | |
| CN109468588A (zh) | 一种掩膜板的制备方法、掩膜板 | |
| US20180304430A1 (en) | Method and apparatus of symmetrically chamfering substrate | |
| CN110139943B (zh) | 具有经调节的调节装置的掩膜保持件 | |
| KR101319353B1 (ko) | 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법 | |
| KR101085886B1 (ko) | 평판 디스플레이 장치용 도광판 제조 장치 | |
| CN109254400A (zh) | 一种变形镜形变补偿的校正装置及补偿方法 | |
| TWI335458B (en) | Liquid crystal panel module and method for manufacturing a liquid crystal display panel thereof | |
| US20210276911A1 (en) | Bend-forming device for glass plate | |
| JP4015007B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| US10509266B2 (en) | Photo alignment bench, photoalignment device and control method thereof | |
| KR20080016133A (ko) | 히팅 플레이트 제조 장치 및 이를 이용한 히팅 플레이트제조 방법 | |
| US6346158B1 (en) | Alignment of lenticular sheets | |
| KR101076313B1 (ko) | 평판 디스플레이 장치용 도광판 제조 방법 | |
| US20230070153A1 (en) | Display panel and liquid crystal display | |
| KR20030090856A (ko) | 액정표시소자의 핫 프레스 장치 및 이를 이용한 합착방법 | |
| JP3476257B2 (ja) | 液晶セル製造装置 | |
| JPH028884A (ja) | 液晶素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080313 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080828 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110302 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110421 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110608 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110616 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |