CN110139943B - 具有经调节的调节装置的掩膜保持件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于掩膜(1)的保持件，掩膜在涂层方法中平放在基底(2)的待涂层的表面上，以便将层的沉积局限于所述表面的通过掩膜(1)的形状和位置预先确定的面区段，其中，保持件的框架(3)的区段(4、4’、4”、4”’、16)利用使掩膜(1)变形的可变的拉力作用在掩膜(1)的边缘(1’)上。规定下列创新：用于确定掩膜(1)相对于基底(2)的实际位置的传感器(5)、用于改变框架(3)的至少一个第一区段(4)相对于框架(3)的至少一个第二区段(4’)的位置的调节元件(6、7、8)和带有控制装置(9)的调节电路，以便通过改变拉力(Z、Z’、Z”、Z”’)使掩膜(1)的实际位置朝掩膜(1)的额定位置的方向改变。本发明此外还涉及一种用于调节掩膜的位置的方法，在该方法中使用调节电路。

Description

具有经调节的调节装置的掩膜保持件
技术领域
本发明涉及一种用于掩膜的保持件，掩膜在涂层方法中平放在基底的待涂层的表面上，以便将层的沉积局限于表面的通过掩膜的形状和位置预先确定的面区段，其中，保持件的框架的区段利用使掩膜变形的可变的拉力作用在掩膜的边缘上。
此外，本发明还涉及用于调节掩膜的位置的方法，掩膜在涂层方法中平放在基底的待涂层的表面上，以便将层的沉积局限于表面的通过掩膜的形状和位置预先确定的面区段，其中，利用保持件的框架的区段，在掩膜的边缘上施加使掩膜变形的拉力。
背景技术
根据本发明的设备和根据本发明的方法用于将侧面结构化的层沉积在基底上，其中，形成层的材料作为气体、尤其是作为蒸汽形的有机分子导入反应器、例如CVD或PVD反应器的过程腔中。气态的原材料冷凝，或者在基底的表面上反应，并且在此形成层。本发明尤其是涉及一种设备，其可以用在制造LCD显示器或OLED显示器时。在此使用的掩膜具有与接片分离的窗口，窗口自由保留基底的表面的彼此分离的面区段。彼此不同的原材料沉积在该表面区段上，原材料在电激励中以不同的颜色发光。掩膜由薄壁的、侧面结构化的金属板材构成，并且通过沿掩膜延伸方向将对准的拉力施加至掩膜的边缘上被张紧，使得窗口位于指定的部位处。US 2014/0158044 A1描述了一种掩膜框架，在掩膜框架上固定了矩形的掩膜的边缘，并且掩膜框架具有牵引元件，以便在彼此不同的部位上将对准的拉力分别施加到掩膜上。
由WO 2007/133252 A1已知的是，在与掩膜框架连接时对掩膜进行调温。在此，利用另一温度对框架进行调温，从而在温度改变时，基于不同的温度膨胀系数，在掩膜面中构建侧面的应力。
用于制造掩膜的方法在US 7,765,669 B2中公开，其中，掩膜在制造时被张紧。
US 2016/0376703 A1描述了一种用于相对于基底的表面调节掩膜的方法和设备，其中，借助CCD传感器检测掩膜或基底的调节标记，并且借助形式为螺纹丝杆的调节元件改变保持件的对置的区段的位置。
由US 2015/0068456 A1公开了一种用于掩膜的保持件。保持件具有四个框架侧边，可以借助螺纹丝杆或压电元件改变框架侧边相对于基板的位置。
发明内容
为了通过调节在掩膜的边缘上承载掩膜的框架的温度来张紧掩膜，掩膜的材料和框架的材料可以具有不同的温度膨胀系数，从而温度改变导致掩膜的变形。通过有目的的变形，可以将掩膜从实际位置带到额定位置，因为通过施加拉力，掩膜的对置的边缘区段彼此间隔开。也可以设置其他的调节元件，以便将对准的拉力施加到掩膜的边缘上。基于对框架和基底的不同的和尤其是个体化的影响，框架或掩膜的机械变形可以尤其是基于或由于基底或掩膜的调温不能通过计算确定。
本发明的技术问题是有利于使用地改进用于掩膜的由现有技术已知的保持件，并且提供一种方法，利用该方法相对于现有技术改进掩膜的位置的调节。
该技术问题通过在权利要求书中说明的发明解决。从属权利要求不仅是在并排的权利要求中说明的发明的有利的改进方案，而且也是一个技术问题的独立的解决方案，该解决方案尤其在于有利于需要地改进按本发明的保持件。
首先和主要建议的是，为了调节掩膜的位置使用调节电路。根据本发明的调节电路具有用于确定掩膜相对于基底的实际位置的传感器。调节电路此外具有用于改变框架的至少一个第一区段相对于框架的至少一个第二区段的位置的调节元件。调节电路此外具有控制装置，利用控制装置产生调节参量，利用调节参量控制调节元件，从而通过改变掩膜的边缘上的拉力，将掩膜的实际位置朝额定位置的方向改变。调节电路可以是PID调节电路。调节元件优选通过框架的一个或多个区段的温度改变来改变两个对置的区段的间距。框架可以是矩形框架，其承载矩形的掩膜。框架构造出对置的框架侧边。通过其中一个框架侧边的温度改变，框架侧边的长度和因此框架的两个对置的区段的间距发生改变。传感器优选是光学传感器。传感器可以是具有成像光学器件的成像传感器，利用成像传感器，框架的表面的图像产生到传感器、例如CCD传感器上。借助图像评估可以确定掩膜的实际位置和尤其是掩膜的边缘区域的实际位置。调节元件优选是加热和/或冷却元件。每个框架侧边可以具有冷却通道和/或加热通道。仅可以设置冷却通道或仅可以设置加热通道。但也设置的是，冷却通道和加热通道沿框架侧边的延伸方向并排布置。每个框架侧边可以与每个另一框架侧边分离地调温。但替代加热和/或冷却元件地，也可以设置机械器件，以便改变两个框架区段的间距。借助调节元件彼此间隔开的区段是框架或掩膜的边缘区，在边缘区中，掩膜和框架借助拉力传输元件相互连接。拉力传输元件可以是形状配合器件，如销、螺钉等。但也可能的是，掩膜的边缘摩擦配合地或材料接合地与框架的区段连接。在本发明的扩展方案中设置的是，传感器与调节标记共同作用。可以设置尤其是配属于掩膜的角区域的第一调节标记。该第一调节标记在此可以是掩膜中的窗口形的开口。可以设置配属于基底的第二调节标记。该第二调节标记可以直接配属于基底，或者间接配属于基底。直接配属于基底的调节标记例如可以是在基底的待涂层的表面上的颜色区。但间接配属于基底的调节标记也可以由承载基底的基底支架构造。调节标记也可以是视觉可分辨的标记。该视觉可分辨的标记可以通过透明的基底由光学传感器识别。借助调节元件，通过改变施加到掩膜的边缘上的拉力的方向和大小，使调节标记重合。拉力通过调节电路的控制装置实现，得到关于优选布置在角区域中的调节标记的位置的实际值，并且将调节指令输出至调节元件。掩膜可以由镍钢构成，框架可以由不锈钢构成。当基底由玻璃构成时，不锈钢的膨胀系数大于基底的膨胀系数。通过在20℃至60℃之间的范围内调节掩膜框架的温度，由镍钢制成的掩膜可以机械地伸展，使得调节标记重合。由于经由闭合的调节线路进行调节，所以不需要以计算方式确定影响因素。由传感器形成的测量装置可以由最多四个布置在基底或框架的角中的CCD照相机构成。在角上，尤其是借助提到的调节标记确定基底和掩膜的准确的位置。在这些部位上，可以利用传感器、尤其是照相机确定不同的热或机械的长度膨胀。控制装置从这些值确定掩膜框架的温度的额定值。将掩膜框架置于额定值。随后，利用传感器确定位置变化，并且在另一调节步骤中对额定值接近实际值进行改进。框架的不同的区段在此可以具有不同的温度。掩膜尺寸和掩膜位置的调节在此优选地包含两个步骤。在第一步骤中，掩膜中心和基底中心彼此对齐。也可以使掩膜的坐标系和基底的坐标系的另外的零点相互重合。如果在零点的定向后出现掩膜和基底的布置在角中的调节标记相互间的偏差，那么在第二步骤中，掩膜在其弹性区域中一定程度地变形，直到基底和掩膜的调节标记重合。可以机械地或通过调节掩膜或掩膜框架的温度实现用于产生掩膜的拉伸的力。规定的是，掩膜的位置的之前描述的尤其是两级的调节仅实施一次，并且在基底更换时，仅使用各个掩膜框架区段的之前确定的温度。可以通过主动加热或通过主动冷却进行借助温度改变来调节框架的区段的间距。在沉积过程中，其中为了沉积层，在冷凝方法中冷却基底，也可以通过减小的冷却功率进行调温。
附图说明
随后阐述本发明的实施例。附图示出：
图1示意性示出根据本发明的调节电路；
图2示意性示出涂层设备的一些元件；
图3放大地示出图2中的部分III；
图4示出掩膜框架3的俯视图；
图5a-5d示出平放在掩膜框架3上的掩膜1的位置调节之前的部分Va-Vd；
图6a-6d示出图4中的在掩膜调节之后的部分Va-Vd；
图7示出掩膜框架3的另一实施例的俯视图。
具体实施方式
图1示意性示出了根据本发明的调节装置的结构。在矩形的基底支架10上存在矩形的基底2。在基底2的自由的表面上存在掩膜1，该掩膜1具有多个通过接片彼此分离的窗口。掩膜1的掩膜边缘1’超过基底2和基底支架10的侧面的边缘。
基底支架10被矩形的框架3包围，该矩形的框架具有四个框架侧边4、4’、4”、4”’。掩膜1的边缘1’利用框架3固定在框架的框架侧边4上，使得沿掩膜1的侧面的延伸方向指向的拉力可以由框架侧边4、4’传输至掩膜1。
在四个框架侧边4、4’、4”、4”’的每个中布置有冷却通道7和加热通道6。冷却液体可以流过冷却通道7，并且加热液体可以流过加热通道6。通过流过通道7、8的冷却剂或加热剂的流动的调整可以个体化地调节每个框架侧边4、4’、4”、4”’的温度。掩膜1由镍钢构成，并且具有比框架3或其框架侧边4、4’更小的热膨胀系数，从而框架侧边温度的改变导致作用到掩膜1上的机械应力的改变。
流过通道7、8的冷却剂或加热剂的流动由控制装置9控制。为此例如可以设置入口/出口阀或调节阀，利用调节阀可以将调温至特定的温度的冷却剂的冷却剂流或调温至特定的温度的加热剂的加热剂流经调节地馈入通道7、8中。
设置尤其是形式为CCD照相机5的光学传感器，利用光学传感器尤其是在框架3的四个角的区域中确定掩膜的位置的实际值。在那里存在在图1中未示出的调节标记11、12，为了达到掩膜1的额定位置使该调节标记相互重合。第一调节标记11由掩膜构造，第二调节标记12由基底构造。CCD照相机5将实际值提供至控制装置9。
替代之前描述的调温装置7、6地，其中调温的液体流过冷却通道7或加热通道6，也可以设置其他的调温器件、例如电阻加热装置或帕尔帖冷却元件。
图2示出穿过涂层系统的横截面，其中，气态的原材料从喷头状的气体进入部件15的气体逸出开口流入过程腔中。气体进入部件15被调温至更高的温度，在该温度下，包含在过程气体中的有机蒸汽没有冷凝。
基底支架10具有未示出的冷却元件，利用冷却元件将可以布置在气体进入部件15的下方或上方的基底支架10调温至一个温度，在该温度下，有机蒸汽冷凝在基底2的表面上，基底2平放在基底支架10的朝过程腔指向的宽度侧上。
基底2被窗口13和具有限定窗口13边界的接片14的掩膜1覆盖。掩膜1是荫罩，该荫罩在平面贴靠中平放在基底2的待涂层的宽度侧上。
图3示出了承载掩膜1的矩形的框架3的四个边缘区域中的一个。掩膜1的边缘1’借助拉力传输元件17与框架3的框架侧边4连接。在此，拉力传输元件可以是形状配合元件或也可以是焊缝。
在角区域中，掩膜1具有构造为窗口的第一调节标记11。基底2具有第二调节标记12，第二调节标记在视觉上可以与其周围环境区别开，从而借助光学传感器5可以确定两个调节标记11、12的位置，该光学传感器5优选是CCD照相机。
图4示意性示出掩膜1或利用框架的四个相互垂直的框架侧边4、4’、4”、4”’在掩膜的边缘1’上保持掩膜1的框架3的俯视图。图5a至5d分别放大地示出在第一步骤中中心点调节地放置到基底2上的掩膜1的角区域。掩膜1的调节标记11、11’、11”、11”’的位置与基底2的调节标记12、12’、12”、12”’的位置不同。
由于框架3、尤其是框架侧边4、4’、4”、4”’的各区段通过尤其是以不同的温度调节框架侧边4、4’、4”、4”’的温度导致的相互的相对移位，拉力Z、Z’、Z”、Z”’可以朝个体化的方向和以个体化的强度施加到掩膜1的角区域上，从而调节标记11、11’、11”、11”’和对应于该调节标记11、11’、11”、11”’的调节标记12、12’、12”、12”’相互重合，如图6a至6d示出的那样。
但也可能的是，借助框架侧边4、4’、4”、4”’的调温分别将拉力Z、Z’、Z”、Z”’施加到掩膜1的相应的边缘棱边中的一个上，从而掩膜的整个边缘朝一个方向均匀被加载拉力。在此用于调节的调节标记也可以布置在掩膜1或基底2的边缘上。借助调节装置使调节标记相互重合。
在调节电路中通过迭代连续的调节步骤进行调节标记11、11’、11”、11”’、12、12’、12”、12”’的相互重合，在调节步骤中，分别借助CCD照相机5确定调节标记11、11’、11”、11”’相对于调节标记12、12’、12”、12”’的实际值，并且随后这样地调节调节元件、例如通过冷却通道7或加热通道6的冷却剂流或加热剂流，使得实际值接近额定值。连续的调节步骤一直重复，直到达到调节标记11、11’、11”、11”’、12、12’、12”、12”’的充分的重合。存储框架侧边的温度和冷却剂或加热剂流入框架侧边中的流量，在框架侧边中，掩膜1精确匹配地位于基底2上。掩膜的调节因此仅需要执行一次。在生产运行中进一步使用掩膜的情况下，在生产运行中连续涂层多个基底，仅需要调节出框架侧边4、4’、4”、4”’的确定的温度。
在图7所示的实施例中，设置有调节标记11、12的角区域16借助压电元件装置8相对于在角区域16之间延伸的框架侧边4被移位。角区域由可以具有拉力传输元件的角件构造。
上述实施方案用于阐述由本申请整体上理解的发明，所述发明至少通过随后的特征组合分别也独立地改进现有技术，即：
针对掩膜1的保持件的特征在于用于确定掩膜1相对于基底2的实际位置的传感器5、用于改变框架3的至少一个第一区段4相对于框架3的至少一个第二区段4’的位置的调节元件6、7、8和具有控制器9的调节电路，以便通过改变拉力Z、Z’、Z”、Z”使掩膜1的实际位置朝掩膜1的额定位置的方向改变。
保持件的特征在于，调节元件6、7通过温度改变来改变矩形框架3的两个对置的框架侧边4、4’、4”、4”’的间距。
保持件的特征在于，传感器5是光学传感器。
保持件的特征在于，传感器5具有光学成像系统，并且尤其是CCD照相机。
保持件的特征在于，调节元件具有加热和/或冷却元件6、7。
保持件的特征在于，加热和/或冷却元件6、7是彼此分离地可利用冷却液体和/或加热液体穿过的通道。
保持件的特征在于，调节元件是压电元件8，该压电元件8尤其是布置在框架3的区段4、4’、4”、4”’、16之间。
保持件的特征在于，掩膜1具有可以与第二调节标记12重合的第一调节标记11，基底2具有第二调节标记。
保持件的特征在于，调节标记11、12布置在掩膜1或基底2的角中。
用于调节标记1的位置的方法的特征在于，借助传感器5确定掩膜1相对于基底2的实际位置，并且由调节电路从掩膜1的实际位置与掩膜1的额定位置的偏差产生调节参量，以便控制调节元件6、7、8，利用调节元件改变框架3的至少一个第一区段4相对于框架3的至少一个第二区段4’的位置，使得掩膜1的实际位置接近掩膜1的额定位置。
用于调节标记1的位置的方法的特征在于，调节参量是框架3的区段4、4’、4”、4”’的温度，其中，彼此分离地调节彼此不同的区段4、4’、4”、4”’的温度。
用于调节标记1的位置的方法的特征在于，使尤其是布置在矩形框架3或矩形的基底2的角中的第一调节标记11和第二调节标记12相互重合。
所有公开的特征(单独，但也彼此组合地)是对于本发明重要的。因此，也为了将附属的优先权文件(在先申请的副本)的特征添加入本申请的权利要求书中，附属的优先权文件(前申请的副本)的公开内容完全包括到本申请的公开内容中。从属权利要求利用其特征表征现有技术的独立的发明改进方案，尤其是以便基于这些权利要求进行分案申请。
附图标记清单
1 掩膜
1’ 边缘
2 基底
3 框架
4、4’、4”、4”’ 框架侧边，区段
5 CCD照相机
6 加热装置
7 冷却装置
8 压电元件
9 控制装置
10 基底支架
11 调节标记
12 调节标记
13 窗口
14 接片
15 气体进入部件
16 角件
17 拉力传输元件
Z、Z’、Z”、Z”’ 拉力

Claims (14)

1.一种用于掩膜(1)的保持件，所述掩膜在涂层方法中平放在基底(2)的待涂层的表面上，以便将层的沉积局限于所述表面的通过掩膜(1)的形状和位置预先确定的面区段，其中，保持件的对置的区段利用使掩膜(1)变形的可变的拉力作用在掩膜(1)的边缘(1’)上，所述保持件具有用于确定掩膜(1)相对于基底(2)的实际位置的传感器(5)、用于改变框架(3)的至少一个第一区段相对于框架(3)的至少一个第二区段的位置的调节元件和带有控制装置(9)的调节电路，以便通过改变拉力使掩膜(1)的实际位置朝掩膜(1)的额定位置的方向改变，其特征在于，所述保持件具有带有对置的框架侧边(4、4’、4”、4”’)的框架(3)，所述框架(3)是矩形框架，并且所述调节元件中的温度调节元件通过温度改变来改变矩形框架(3)的两个对置的框架侧边(4、4’、4”、4”’)的间距。
2.根据权利要求1所述的保持件，其特征在于，所述传感器(5)是光学传感器。
3.根据权利要求1所述的保持件，其特征在于，所述传感器(5)具有光学成像系统。
4.根据权利要求1所述的保持件，其特征在于，所述传感器(5)是CCD照相机。
5.一种用于掩膜(1)的保持件，所述掩膜在涂层方法中平放在基底(2)的待涂层的表面上，以便将层的沉积局限于所述表面的通过掩膜(1)的形状和位置预先确定的面区段，所述保持件形成带有对置的框架侧边(4、4’、4”、4”’)的框架(3)，其中，所述框架侧边(4、4’、4”、4”’)的长度是为了改变间距能改变的，其特征在于，固定在所述框架侧边(4、4’、4”、4”’)上的拉力传输元件(17)利用通过间距的改变能改变的拉力作用在掩膜(1)的边缘(1’)上。
6.根据权利要求5所述的保持件，其特征在于，设有用于改变间距的温度调节元件。
7.根据权利要求1或6所述的保持件，其特征在于，所述温度调节元件具有加热和/或冷却元件(6、7)。
8.根据权利要求7所述的保持件，其特征在于，所述加热和/或冷却元件(6、7)是能够彼此分离地被冷却液体和/或加热液体流过的通道。
9.根据权利要求1或5所述的保持件，其特征在于，所述调节元件是压电元件(8)，和/或布置在框架(3)的框架侧边(4、4’、4”、4”’)或角件(16)的区段之间。
10.根据权利要求1或5所述的保持件，其特征在于，所述掩膜(1)具有第一调节标记(11)，所述基底(2)具有第二调节标记，所述第一调节标记能够与所述第二调节标记(12)重合。
11.根据权利要求10所述的保持件，其特征在于，所述调节标记(11、12)布置在掩膜(1)或基底(2)的角中。
12.一种用于调节掩膜(1)的位置的方法，所述掩膜在涂层方法中平放在基底(2)的待涂层的表面上，以便将层的沉积局限于所述表面的通过掩膜(1)的形状和位置预先确定的面区段，其中，利用框架(3)的区段，在掩膜(1)的边缘(1’)上施加使掩膜(1)变形的拉力，其中，借助传感器(5)确定掩膜(1)相对于基底(2)的实际位置，并且由调节电路从掩膜(1)的实际位置与掩膜(1)的额定位置的偏差产生调节参量，以便控制调节元件，利用调节元件改变框架(3)的至少一个第一区段相对于框架(3)的至少一个第二区段的位置，使得掩膜(1)的实际位置接近掩膜(1)的额定位置，其特征在于，所述调节参量是框架(3)的温度，和/或是矩形框架(3)的对置的框架侧边(4、4’、4”、4”’)的长度。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，框架侧边(4、4’、4”、4”’)的彼此不同的区段彼此分离地被调温。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，使布置在矩形框架(3)或矩形的基底(2)的角中的第一调节标记(11)和第二调节标记(12)重合。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200017381A (ko) * 2018-08-06 2020-02-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 마스크 정렬기를 갖는 증착 장치, 기판을 마스킹하기 위한 마스크 어레인지먼트, 및 기판을 마스킹하기 위한 방법
TWI682565B (zh) * 2018-08-07 2020-01-11 財團法人工業技術研究院 有機電激發光元件的製造方法
CN112882355B (zh) * 2021-03-09 2023-05-23 上海大溥实业有限公司 使光刻线条变窄的方法及光刻机

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2401609A1 (de) * 1974-01-14 1975-07-17 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von durch bedampfung aufgebrachten, konturenscharfen, flaechenhaften bereichen aus elektrisch wirksamem material
CN104128720A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 三星显示有限公司 用于掩模框架组件的焊接装置和焊接掩模框架组件的方法
CN104169455A (zh) * 2012-04-05 2014-11-26 索尼公司 掩模调整单元、掩模装置以及掩模的制造装置和制造方法
CN104498871A (zh) * 2015-01-14 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜装置及其组装方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3950424B2 (ja) * 2003-02-10 2007-08-01 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR100700838B1 (ko) 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 섀도우마스크 패턴 형성방법
US20090151630A1 (en) 2006-05-10 2009-06-18 Advantech Global, Ltd. Tensioned aperture mask and method of mounting
JP2010106358A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Canon Inc 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法
CN102412400A (zh) * 2011-09-27 2012-04-11 武汉理工大学 银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线及其制备方法和应用
KR102100446B1 (ko) 2012-12-10 2020-04-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 조립체 및 이의 제조 방법
CN104894534B (zh) * 2015-06-26 2017-12-29 京东方科技集团股份有限公司 气相沉积设备

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2401609A1 (de) * 1974-01-14 1975-07-17 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von durch bedampfung aufgebrachten, konturenscharfen, flaechenhaften bereichen aus elektrisch wirksamem material
CN104169455A (zh) * 2012-04-05 2014-11-26 索尼公司 掩模调整单元、掩模装置以及掩模的制造装置和制造方法
CN104128720A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 三星显示有限公司 用于掩模框架组件的焊接装置和焊接掩模框架组件的方法
CN104498871A (zh) * 2015-01-14 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜装置及其组装方法

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