JP4767365B2 - 薄膜太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4767365B2 JP4767365B2 JP2010528633A JP2010528633A JP4767365B2 JP 4767365 B2 JP4767365 B2 JP 4767365B2 JP 2010528633 A JP2010528633 A JP 2010528633A JP 2010528633 A JP2010528633 A JP 2010528633A JP 4767365 B2 JP4767365 B2 JP 4767365B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- solar cell
- layer
- thin film
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 68
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 26
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 14
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 6
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
- H01L31/1824—Special manufacturing methods for microcrystalline Si, uc-Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明は、薄膜太陽電池及びその製造方法に関する。
薄膜太陽電池は、表面が絶縁性の基板上に第１電極、１以上の半導体薄膜光電変換ユニット及び第２電極を順に積層して形成される。それぞれの光電変換ユニットは、光入射側からｐ型層、発電層となるｉ型層及びｎ型層を積層して構成される。
こうした薄膜太陽電池は、特開平１１−２７４５３０号公報には、微結晶シリコン膜を発電層として備えた薄膜太陽電池が知られている。例えば、微結晶シリコン光電変換ユニットを単独に備えたシングル薄膜太陽電池がある。
通常、薄膜太陽電池において発電特性を向上するためには、微結晶シリコン膜の面内の結晶性を均一にすることが好ましいと考えられている。しかしながら、現実的には、微結晶シリコン膜の成膜装置の性能や太陽電池パネルのさらなる大面積化に起因して、微結晶シリコン膜の面内の結晶性を十分に均一化することが困難である。そのため、太陽電池パネル全体として特性低下が生じてしまう場合がある。
本発明の１つの態様は、発電層として微結晶シリコン膜を有する薄膜太陽電池であって、発電層の微結晶シリコン膜は、その面内において、第１の領域と、第１の領域より結晶化率が低く、且つ、キャリアのライフタイムが高い第２の領域と、を有し、第２の領域は、発電層の微結晶シリコン膜の面内において第１の領域の周辺領域である。
本発明によれば、薄膜太陽電池における発電特性を向上することができる。
図１は、本発明の実施の形態におけるタンデム型薄膜太陽電池１００の構造を示す断面図である。本実施の形態におけるタンデム型薄膜太陽電池１００は、透明絶縁基板１０を光入射側として、光入射側から、透明導電膜１２、トップセルとして広いバンドギャップを有するアモルファスシリコン光電変換ユニット（ａ−Ｓｉユニット）１０２、中間層１４、ボトムセルとしてａ−Ｓｉユニット１０２よりバンドギャップの狭い微結晶シリコン光電変換ユニット（μｃ−Ｓｉユニット）１０４、第１裏面電極層１６、第２裏面電極層１８、充填材２０及びバックシート２２を積層した構造を有している。
以下、本発明の実施の形態におけるタンデム型薄膜太陽電池１００の構成及び製造方法について説明する。本発明の実施の形態におけるタンデム型薄膜太陽電池１００は、μｃ−Ｓｉユニット１０４に含まれるｉ型層に特徴を有しているので、μｃ−Ｓｉユニット１０４に含まれるｉ型層について特に詳細に説明する。
透明絶縁基板１０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等の少なくとも可視光波長領域において透過性を有する材料を適用することができる。透明絶縁基板１０上に透明導電膜１２が形成される。透明導電膜１２は、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等に錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、フッ素（Ｆ）、アルミニウム（Ａｌ）等を含有させた透明導電性酸化物（ＴＣＯ）のうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせて用いることが好適である。特に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、透光性が高く、抵抗率が低く、耐プラズマ特性にも優れているので好適である。透明導電膜１２は、例えば、スパッタリング等により形成することができる。透明導電膜１２の膜厚は５００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲とすることが好適である。また、透明導電膜１２の表面には光閉じ込め効果を有する凹凸を設けることが好適である。
タンデム型薄膜太陽電池１００を複数のセルを直列に接続した構成とする場合、透明導電膜１２を短冊状にパターニングする。例えば、波長１０６４ｎｍ、エネルギー密度１３Ｊ／ｃｍ3、パルス周波数３ｋＨｚのＹＡＧレーザを用いて透明導電膜１２を短冊状にパターニングすることができる。
透明導電膜１２上に、ｐ型層、ｉ型層、ｎ型層のシリコン系薄膜を順に積層してａ−Ｓｉユニット１０２を形成する。ａ−Ｓｉユニット１０２は、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）等のシリコン含有ガス、メタン（ＣＨ4）等の炭素含有ガス、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）等のｐ型ドーパント含有ガス、フォスフィン（ＰＨ3）等のｎ型ドーパント含有ガス及び水素（Ｈ2）等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマ化学気相成長法（プラズマＣＶＤ法）により形成することができる。
プラズマＣＶＤ法は、例えば、１３．５６ＭＨｚのＲＦプラズマＣＶＤ法を適用することが好適である。ＲＦプラズマＣＶＤ法は平行平板型とすることができる。平行平板型の電極のうち透明絶縁基板１０を配しない側には原料の混合ガスを供給するためのガスシャワー孔を設けた構成としてもよい。プラズマの投入電力密度は、５ｍＷ／ｃｍ2以上３００ｍＷ／ｃｍ2以下とすることが好ましい。
ｐ型層は、ｐ型ドーパント（ボロン等）を添加した膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下のアモルファスシリコン層、微結晶シリコン薄膜、微結晶炭化シリコン薄膜等の単層又は積層構造とする。ｐ型層の膜質は、シリコン含有ガス、ｐ型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。ｉ型層は、ｐ型層上に形成されたドーパントが添加されていない膜厚５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のアモルファスシリコン膜とする。ｉ型層の膜質は、シリコン含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。ｉ型層は、ａ−Ｓｉユニット１０２の発電層となる。ｎ型層は、ｉ型層上に形成されたｎ型ドーパント（リン等）を添加した膜厚１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のｎ型微結晶シリコン層（ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ）とする。ｎ型層の膜質は、シリコン含有ガス、炭素含有ガス、ｎ型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。
ａ−Ｓｉユニット１０２上に、中間層１４を形成する。中間層１４は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を用いることが好適である。特に、マグネシウム（Ｍｇ）を含有させた酸化亜鉛（ＺｎＯ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を用いることが好適である。中間層１４は、例えば、スパッタリング等により形成することができる。中間層１４の膜厚は１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲とすることが好適である。なお、中間層１４は、設けなくてもよい。
図２に、μｃ−Ｓｉユニット１０４の断面構造を拡大した図を示す。中間層１４上に、ｐ型層３０、ｉ型層３２、ｎ型層３４を順に積層したμｃ−Ｓｉユニット１０４を形成する。μｃ−Ｓｉユニット１０４は、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）等のシリコン含有ガス、メタン（ＣＨ4）等の炭素含有ガス、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）等のｐ型ドーパント含有ガス、フォスフィン（ＰＨ3）等のｎ型ドーパント含有ガス及び水素（Ｈ2）等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマＣＶＤ法により形成することができる。
プラズマＣＶＤ法は、ａ−Ｓｉユニット１０２と同様に、例えば、１３．５６ＭＨｚのＲＦプラズマＣＶＤ法を適用することが好適である。ＲＦプラズマＣＶＤ法は平行平板型とすることができる。平行平板型の電極のうち透明絶縁基板１０を配しない側には原料の混合ガスを供給するためのガスシャワー孔を設けた構成としてもよい。プラズマの投入電力密度は、５ｍＷ／ｃｍ2以上２０００ｍＷ／ｃｍ2以下とすることが好ましい。
ｐ型層３０は、膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下のｐ型ドーパント（ボロン等）が添加された微結晶シリコン層（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）とする。ｐ型層の膜質は、シリコン含有ガス、ｐ型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。
ｉ型層３２は、ｐ型層３０上に形成された膜厚５００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下のドーパントが添加されていない微結晶シリコン層（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）である。ｉ型層３２の膜質は、シリコン含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。
ｉ型層３２は、タンデム型薄膜太陽電池１００の光の入射面の面内において結晶性及びキャリアのライフタイムが互いに異なる第１の領域及び第２の領域を有する。すなわち、タンデム型薄膜太陽電池１００の光の入射面の面内において結晶性が高く、且つ、キャリアのライフタイムが低い第１の領域と、第１の領域に対して相対的に結晶性が低く、且つ、キャリアのライフタイムが高い第２の領域とが分布した構造を有する。
ここで、第１の領域のキャリアのライフタイムを１とした場合、第２の領域のキャリアのライフタイムは１．０５倍以上とすることが好ましい。キャリアのライフタイムは、タンデム型薄膜太陽電池１００のｉ型層３２を生成する条件と同じ成膜条件下において、ガラス基板上に微結晶シリコン膜を６００ｎｍの膜厚に成膜した上でマイクロ波光導電減衰法（μ−ＰＣＤ法：Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｐｈｏｔｏ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ Ｄｅｃａｙ）を用いて測定する。具体的には、『半導体プロセスにおける重金属汚染の検出−キャリアライフタイム測定装置−』（神戸製鋼技法、Ｖｏｌ．５２、Ｎｏ．２、２００２年９月、ｐｐ８７−９３）に記載された方法を適用する。μ−ＰＣＤ法では、ガラス基板上に形成した微結晶シリコン膜の面内の各領域に光を一瞬照射し、その光によって膜内に発生したキャリアの再結合による減衰を微結晶シリコン膜に別に照射しているマイクロ波の反射強度の変化として測定する。
また、第２の領域の結晶性を１とした場合、第１の領域の結晶性は１．１倍以上とすることが好ましい。結晶性は、タンデム型薄膜太陽電池１００のｉ型層３２を生成する条件と同じ成膜条件下において、ガラス基板上に微結晶シリコン膜を６００ｎｍの膜厚に成膜した上でラマン分光法を用いて測定する。具体的には、ガラス基板上に形成した微結晶シリコン膜の面内の各領域に光を照射し、ラマン散乱のスペクトルから結晶シリコンから由来する５２０ｃｍ-1付近のピーク強度Ｉ520とアモルファスシリコンから由来する４８０ｃｍ-1のピーク強度Ｉ480から数式（１）を適用して結晶化率Ｘ（％）として算出する。
（数１）
結晶化率Ｘ（％）＝Ｉ520／（Ｉ520＋Ｉ480）・・・（１）
（数１）
結晶化率Ｘ（％）＝Ｉ520／（Ｉ520＋Ｉ480）・・・（１）
ｉ型層３２は、基板ヒータ、基板キャリア、プラズマ電極を内蔵した成膜チャンバにて成膜される。成膜チャンバは、真空ポンプによって真空排気される。基板ヒータは加熱面がプラズマ電極に対向して配置される。また、基板キャリア上に載せ置かれた透明絶縁基板１０は、プラズマ電極に対向するようにプラズマ電極と基板ヒータとの間に搬送される。プラズマ電極は、成膜チャンバ外に設けられたマッチングボックスを介してプラズマ電源に電気的に接続される。
このような構成において、原料ガスを成膜条件の流量及び圧力で供給しつつ、プラズマ電源からプラズマ電極へ電力を投入することによって、プラズマ電極と透明絶縁基板１０との間隙に原料ガスのプラズマを発生させて透明絶縁基板１０の表面に成膜を行う。
ｉ型層３２は、成膜時に第１の領域と第２の領域に対する原料ガスのプラズマの状態を異ならせることによって形成することができる。第１の方法として、図３に示すように、スリットＳによって短冊状にパターニングされた透明導電膜１２の各領域の電位を異ならせた状態で成膜を行う。例えば、第１の領域に対応する透明導電膜１２をフローティングとし、第２の領域に対応する透明導電膜１２を接地した状態でプラズマＣＶＤ法を適用することによってｉ型層３２の面内分布を得ることができる。なお、図３では、説明を明確にするために透明導電膜１２上に形成されたａ−Ｓｉユニット１０２、中間層１４、μｃ−Ｓｉユニット１０４のｐ型層３０等は図示していない。
第２の方法として、プラズマ電極の形状を第１の領域と第２の領域とに対応させて異ならせ、発生する原料ガスのプラズマの状態を面内で調整してもよい。第３の方法として、プラズマ電極に設けられたガスシャワー孔の形状、大きさ、個数等を第１の領域と第２の領域とに対応させて異ならせ、発生する原料ガスのプラズマの状態を面内で調整してもよい。
図４及び図５に、タンデム型薄膜太陽電池１００の光の入射面におけるｉ型層３２の面内構成例を示す。なお、図４及び図５では、第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２とをそれぞれ角度の異なるハッチングで示している。図４の例では、第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２とを格子状に互い違いに配置している。図５の例では、第１の領域Ｓ１を面内の中心部分に配し、第２の領域Ｓ２を第１の領域Ｓ１の周囲に配している。
ｎ型層３４は、膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下のｎ型ドーパント（リン等）が添加された微結晶シリコン層（ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ）を積層して構成される。ｎ型層３４の膜質は、シリコン含有ガス、炭素含有ガス、ｎ型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。
複数のセルを直列接続する場合、ａ−Ｓｉユニット１０２及びμｃ−Ｓｉユニット１０４を短冊状にパターニングする。透明導電膜１２のパターンニング位置から５０μｍ横の位置にＹＡＧレーザを照射してスリットを形成し、ａ−Ｓｉユニット１０２及びμｃ−Ｓｉユニット１０４を短冊状にパターニングする。ＹＡＧレーザは、例えば、エネルギー密度０．７Ｊ／ｃｍ3、パルス周波数３ｋＨｚのものを用いることが好適である。
μｃ−Ｓｉユニット１０４上に、第１裏面電極層１６、第２裏面電極層１８として透明導電性酸化物（ＴＣＯ）と反射性金属との積層構造を形成する。第１裏面電極層１６としては、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）が用いられる。また、第２裏面電極層１８としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属が使用できる。ＴＣＯは、例えば、スパッタリング等により形成することができる。第１裏面電極層１６及び第２裏面電極層１８は、合わせて１０００ｎｍ程度の膜厚とすることが好適である。第１裏面電極層１６及び第２裏面電極層１８の少なくとも一方には、光閉じ込め効果を高めるための凹凸が設けることが好適である。
複数のセルを直列接続する場合、第１裏面電極層１６及び第２裏面電極層１８を短冊状にパターニングする。ａ−Ｓｉユニット１０２及びμｃ−Ｓｉユニット１０４のパターンニング位置から５０μｍ横の位置にＹＡＧレーザを照射してスリットＣを形成し、第１裏面電極層１６、第２裏面電極層１８を短冊状にパターニングする。ＹＡＧレーザは、エネルギー密度０．７Ｊ／ｃｍ3、パルス周波数４ｋＨｚのものを用いることが好適である。
さらに、充填材２０によって第２裏面電極層１８の表面をバックシート２２で被う。充填材２０及びバックシート２２は、ＥＶＡ、ポリイミド等の樹脂材料とすることができる。これによって、タンデム型薄膜太陽電池１００の発電層への水分の侵入等を防ぐことができる。
以上のように、タンデム型薄膜太陽電池１００は構成される。本実施の形態では、タンデム型薄膜太陽電池１００の面内においてμｃ−Ｓｉユニット１０４のｉ型層３２に結晶化率が高く、且つ、キャリアのライフタイムが低い第１の領域と、第１の領域より結晶化率が低く、且つ、キャリアのライフタイムが高い第２の領域と、を配している。
これによって、例えば、基板周辺部等の成膜条件によってｉ型層３２の結晶性が低くなってしまう領域ではキャリアのライフタイムを高くし、それらの領域よりも結晶性が高くなる領域ではキャリアのライフタイムを低くすることができ、タンデム型薄膜太陽電池１００の面内における発電効率を均一化させることができる。これは、タンデム型薄膜太陽電池１００をモジュール化する際に有利である。
また、タンデム型薄膜太陽電池１００をパネル化した場合、基板の周辺部分において外部から水分が入り込んだとしても、周辺部分のｉ型層３２の結晶性を低くしておくことによって従来より剥離を生じ難くさせることができる。
＜実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。以下では、透明絶縁基板１０として、４５ｃｍ×５０ｃｍ角，４ｍｍ厚のガラス基板を用い、透明導電膜１２として、透明絶縁基板１０上にスパッタ法により透明電極膜を形成し、０．５％の塩酸により表面をエッチングして凹凸を形成した１０００ｎｍ厚の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いた場合の例を示す。透明導電膜１２は、波長１０６４ｎｍ、エネルギー密度１３Ｊ／ｃｍ3、パルス周波数３ｋＨｚのＹＡＧレーザにて短冊状にパターニングした。
以下、本発明の実施例について説明する。以下では、透明絶縁基板１０として、４５ｃｍ×５０ｃｍ角，４ｍｍ厚のガラス基板を用い、透明導電膜１２として、透明絶縁基板１０上にスパッタ法により透明電極膜を形成し、０．５％の塩酸により表面をエッチングして凹凸を形成した１０００ｎｍ厚の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いた場合の例を示す。透明導電膜１２は、波長１０６４ｎｍ、エネルギー密度１３Ｊ／ｃｍ3、パルス周波数３ｋＨｚのＹＡＧレーザにて短冊状にパターニングした。
また、製造装置２００において、プラズマ電極４８は電極表面から原料ガスをシャワー状に供給できるシャワープレート型とした。
透明絶縁基板１０上に、ａ−Ｓｉユニット１０２のｐ型層、ｉ型層、ｎ型層を順に形成した。表１に、ａ−Ｓｉユニット１０２の成膜条件を示す。次に、中間層１４として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を形成した後、μｃ−Ｓｉユニット１０４のｐ型層３０、ｉ型層３２、ｎ型層３４を順に形成した。表１に、ａ−Ｓｉユニット１０４の成膜条件を示す。なお、表１において、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）及びフォスフィン（ＰＨ3）は水素ベースで１％の濃度のガスを用いた。
このとき、透明絶縁基板１０上でパターニングされた透明導電膜１２において、透明絶縁基板１０の周辺部の透明導電膜１２を接地し、透明絶縁基板１０の中央部の透明導電膜１２をフローティングとしてμｃ−Ｓｉユニット１０４のｉ型層３２を成膜した。これにより、タンデム型薄膜太陽電池１００の面内において結晶化率が高く、且つ、キャリアのライフタイムが低い第１の領域が中央部に形成され、第１の領域より結晶化率が低く、且つ、キャリアのライフタイムが高い第２の領域が周辺部に形成される。
なお、μｃ−Ｓｉユニット１０４のｉ型層３２を成膜する際に原料ガスの圧力を３００Ｐａ以下で形成すると結晶性及びキャリアのライフタイムの両方が低下した。一方、μｃ−Ｓｉユニット１０４のｉ型層３２を成膜する際に原料ガスの圧力を６００Ｐａ以上とすることによって、結晶性が低下してもキャリアのライフタイムを高くすることができた。
この後、透明導電膜１２のパターンニング位置から５０μｍ横の位置にＹＡＧレーザを照射し、ａ−Ｓｉユニット１０２及びμｃ−Ｓｉユニット１０４を短冊状にパターニングした。ＹＡＧレーザは、エネルギー密度０．７Ｊ／ｃｍ3、パルス周波数３ｋＨｚのものを用いた。
次に、第１裏面電極層１６としてＺｎＯ膜をスパッタリングにより形成し、第２裏面電極層１８としてＡｇ電極をスパッタリングにより形成した。この後、ａ−Ｓｉユニット１０２及びμｃ−Ｓｉユニット１０４のパターンニング位置から５０μｍ横の位置にＹＡＧレーザを照射し、第１裏面電極層１６、第２裏面電極層１８を短冊状にパターニングした。ＹＡＧレーザは、エネルギー密度０．７Ｊ／ｃｍ3、パルス周波数４ｋＨｚのものを用いた。
図６に、本実施例で形成したタンデム型薄膜太陽電池１００のμｃ−Ｓｉユニット１０４のｉ型層３２の面内のキャリアのライフタイムの分布を示す。キャリアのライフタイムは、タンデム型薄膜太陽電池１００のｉ型層３２を生成する条件と同じ成膜条件下において、ガラス基板上に微結晶シリコン膜を６００ｎｍの膜厚に成膜した上でμ−ＰＣＤ法を適用して測定した。図６に示すように、面内中央部における第１の領域（位置３）のライフタイムを１とした場合に、面内周辺部における第２の領域（位置１及び５）のライフタイムは１．１４倍程度まで高められた。
図７には、本実施例で形成したタンデム型薄膜太陽電池１００のμｃ−Ｓｉユニット１０４のｉ型層３２の面内の結晶化率の分布を示す。結晶化率は、タンデム型薄膜太陽電池１００のｉ型層３２を生成する条件と同じ成膜条件下においてガラス基板上に微結晶シリコン膜を６００ｎｍの膜厚に成膜した上でラマン分光法を用いて測定した。図７に示すように、面内周辺部における第２の領域（位置１及び５）の結晶化率を１とした場合に、面内中央部における第１の領域（位置３）の結晶化率は１．２倍程度まで高められた。
このように、本実施例では、タンデム型薄膜太陽電池１００の面内におけるμｃ−Ｓｉユニット１０４のｉ型層３２の面内の結晶化率及びキャリアのライフタイムを上記のように制御することによって、発電効率を均一化させることができた。
図８には、本実施例で形成したタンデム型薄膜太陽電池１００の発電効率の面内分布を示す。図８には、面内中央部である第１の領域（位置２及び３）と面内周辺部である第２の領域（位置１及び４）の規格化した発電効率を示している。図８に示すように、本実施例における発電効率は比較例（従来：キャリアのライフタイムを面内で同程度に制御した状態）よりも面内での差が小さく、発電効率を面内においてより均一化できている。
これは、第１の領域に比べ結晶化率の低い第２の領域では、発電時におけるキャリアの発生量が少ない。このため、従来のように全領域でキャリアのライフタイムが同じ場合には、第２の領域において電流の発生量が第１の領域に比べて低下してしまい、発電層全体で発電効率が不均一になってしまう。これに対して、本実施例では、第２の領域のキャリアのライフタイムを高くしたので、第１の領域に比べて電流の発生量を増加させることができる。この結果、第１の領域と第２の領域とで実効的な電流の発生量にバランスがとれ、発電層全体で発電効率の均一化が図ることができたものと考えられる。
また、本実施例におけるタンデム型薄膜太陽電池１００をパネル化し、温度８５℃、湿度８５％の環境下に１５００時間置いた後に微結晶シリコン膜の剥離状況を確認した。その結果、本実施例におけるタンデム型薄膜太陽電池１００は、その面内周辺部において従来より剥離が生じ難くかった。これは、第１の領域に比べ結晶化率が低い第２の領域では、第１の領域に比べ水分の混入を抑制できるので、こうした第２の領域を発電層の周囲に配置することで、発電層全体が第１の領域で構成される場合に比べて、その内部への水分の混入を低減できたものと考えられる。このため、透明導電膜１２の劣化が抑制され、面内周辺部での剥離を抑制することができる。
１０ 透明絶縁基板、１２ 透明導電膜、１４ 中間層、１６ 第１裏面電極層、１８ 第２裏面電極層、２０ 充填材、２２ バックシート、３０ ｐ型層、３２ ｉ型層、３４ ｎ型層、１００ タンデム型薄膜太陽電池、１０２ ａ−Ｓｉユニット、１０４ μｃ−Ｓｉユニット。
Claims (1)
- 発電層として微結晶シリコン膜を有する薄膜太陽電池であって、
前記発電層の微結晶シリコン膜は、その面内において、第１の領域と、前記第１の領域より結晶化率が低く、且つ、キャリアのライフタイムが高い第２の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記発電層の微結晶シリコン膜の面内において前記第１の領域の周辺領域であることを特徴とする薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010528633A JP4767365B2 (ja) | 2009-07-13 | 2010-02-25 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009165017 | 2009-07-13 | ||
| JP2009165017 | 2009-07-13 | ||
| JP2010528633A JP4767365B2 (ja) | 2009-07-13 | 2010-02-25 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| PCT/JP2010/052973 WO2011007593A1 (ja) | 2009-07-13 | 2010-02-25 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011051357A Division JP2011109154A (ja) | 2009-07-13 | 2011-03-09 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP4767365B2 true JP4767365B2 (ja) | 2011-09-07 |
| JPWO2011007593A1 JPWO2011007593A1 (ja) | 2012-12-20 |
Family
ID=43449203
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010528633A Expired - Fee Related JP4767365B2 (ja) | 2009-07-13 | 2010-02-25 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| JP2011051357A Pending JP2011109154A (ja) | 2009-07-13 | 2011-03-09 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011051357A Pending JP2011109154A (ja) | 2009-07-13 | 2011-03-09 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110168259A1 (ja) |
| EP (1) | EP2352180A1 (ja) |
| JP (2) | JP4767365B2 (ja) |
| KR (1) | KR20110040791A (ja) |
| CN (1) | CN102084499B (ja) |
| WO (1) | WO2011007593A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060811A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4902767B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2012-03-21 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置 |
| KR101770266B1 (ko) * | 2011-09-15 | 2017-08-22 | 엘지전자 주식회사 | 박막 태양전지 모듈 |
| KR101770267B1 (ko) * | 2011-10-04 | 2017-08-22 | 엘지전자 주식회사 | 박막 태양전지 모듈 |
| WO2013065538A1 (ja) * | 2011-11-03 | 2013-05-10 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置 |
| US20130284254A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | The Boeing Company | Solar cells including low recombination electrical contacts and systems and methods of forming the same |
| US9853171B2 (en) * | 2012-09-05 | 2017-12-26 | Zinniatek Limited | Photovoltaic devices with three dimensional surface features and methods of making the same |
| US10103282B2 (en) * | 2016-09-16 | 2018-10-16 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Direct texture transparent conductive oxide served as electrode or intermediate layer for photovoltaic and display applications |
| TWI694748B (zh) * | 2019-08-28 | 2020-05-21 | 明志科技大學 | 用以產生大面積電漿之電極元件 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232235A (ja) * | 1995-02-24 | 1997-09-05 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子 |
| JPH10294484A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-11-04 | Canon Inc | 光起電力素子、光電変換素子、光起電力素子の製造方法及び光電変換素子の製造方法 |
| JPH11251612A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Canon Inc | 光起電力素子の製造方法 |
| JP2005101422A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2006216921A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
| WO2009119124A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677236A (en) * | 1995-02-24 | 1997-10-14 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Process for forming a thin microcrystalline silicon semiconductor film |
| EP1265297B1 (en) * | 2000-03-13 | 2007-04-25 | Sony Corporation | Method for the preparaton of an OPTICAL ENERGY TRANSDUCER |
-
2010
- 2010-02-25 EP EP10790339A patent/EP2352180A1/en not_active Withdrawn
- 2010-02-25 WO PCT/JP2010/052973 patent/WO2011007593A1/ja active Application Filing
- 2010-02-25 US US13/003,933 patent/US20110168259A1/en not_active Abandoned
- 2010-02-25 KR KR1020107029729A patent/KR20110040791A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-02-25 CN CN201080002015.1A patent/CN102084499B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-25 JP JP2010528633A patent/JP4767365B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-09 JP JP2011051357A patent/JP2011109154A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232235A (ja) * | 1995-02-24 | 1997-09-05 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子 |
| JPH10294484A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-11-04 | Canon Inc | 光起電力素子、光電変換素子、光起電力素子の製造方法及び光電変換素子の製造方法 |
| JPH11251612A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Canon Inc | 光起電力素子の製造方法 |
| JP2005101422A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2006216921A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
| WO2009119124A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060811A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2352180A1 (en) | 2011-08-03 |
| CN102084499B (zh) | 2014-02-26 |
| US20110168259A1 (en) | 2011-07-14 |
| CN102084499A (zh) | 2011-06-01 |
| JP2011109154A (ja) | 2011-06-02 |
| JPWO2011007593A1 (ja) | 2012-12-20 |
| KR20110040791A (ko) | 2011-04-20 |
| WO2011007593A1 (ja) | 2011-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4767365B2 (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| JP4940290B2 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| JP4902779B2 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| JP2010283161A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP4902767B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP4945686B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP4712127B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び製造装置 | |
| US20100326507A1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| US20110056560A1 (en) | Solar cell module and manufacturing method thereof | |
| JP5373045B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| WO2011105166A1 (ja) | 光電変換モジュール及びその製造方法 | |
| US20100307573A1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| JP2010283162A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| WO2012029282A1 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| WO2012081656A1 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| WO2012157428A1 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2011009371A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2013026602A (ja) | 光電変換装置 | |
| WO2013080803A1 (ja) | 光起電力装置 | |
| WO2013065538A1 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2010283159A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2010283160A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2011014617A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110517 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110614 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4767365 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |