JP4764196B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体集積回路（以下「ＩＣ」という。）の内部構造において、複数の半導体チップを積層した半導体チップ積層型（マルチチップパッケージ）の半導体装置において、例えば、近似したチップサイズの半導体チップを複数有し、それらの半導体チップが配線基板及びダイパッドを介して上下に配置され、相互に電極パッドが接続された内部構造を有する半導体装置の製造方法に関するものである。

従来、半導体メモリ等の半導体装置では、メモリの大容量化や多機能化等を図るために、複数の半導体チップを積層した半導体チップ積層型（マルチチップパッケージ）の半導体装置が知られており、例えば、次のような文献に記載されるものがあった。

特開２０００−５８７４３号公報

特許文献１の図１には、リードフレームのダイパッド片面（表面）に、ほぼ同一寸法の複数の半導体チップを積層する際に、その半導体チップ間に絶縁性のスペーサを挟むことにより、上側の半導体チップの下に隠れる下側の半導体チップ表面の電極パッドとリードフレームの外部端子との、ワイヤボンディング（金属細線を用いたワイヤ接続）を可能にし、全体が樹脂により封止された半導体チップ積層型の半導体装置の技術が記載されている。

この半導体装置では、リードフレームの外部端子に対してダイパッドの表面が低位置になるように、外部端子とダイパッドに高低差を設け、そのダイパッド表面に搭載される複数の半導体チップの電極パッドと外部端子とを接続するためのワイヤの長さをなるべく均等にして、ワイヤ接続箇所の不具合発生を防止したり、外部端子を基準にした半導体装置表面までの厚みと半導体装置裏面までの厚みとをなるべく均等にして、機械的強度の劣化等の不具合発生を防止している。

又、そのような不具合発生等を防止するために、リードフレームの外部端子とダイパッドに高低差を設けずに、そのダイパッドの両面に半導体チップを積層する構造の半導体装置も知られている。

しかしながら、従来の半導体チップ積層型の半導体装置の製造方法では、次の（ａ）、（ｂ）のような課題があった。

（ａ） ダイパッドの片面に複数の半導体チップを積層する構造の場合、半導体装置内の上下中央部付近に複数の半導体チップを配置するために、リードフレームの外部端子とダイパッドに高低差を設ける必要があり、積層する半導体チップの数が増えるに従い高低差を広げなければならない。しかし、高低差を広げることについてもリードフレームの加工上限界があり、そのことにより積層する半導体チップの数にも限界があった。

（ｂ） ダイパッドの両面に例えば同一の複数の半導体チップを積層する構造の場合、外部端子と接続を行う半導体チップ表面の電極パッドの位置が、ダイパッド表面側に搭載された半導体チップと裏面側に搭載された半導体チップとで反転するので、同一位置の半導体チップ表面の電極パッドを同一の外部端子にワイヤ接続する場合、ワイヤ（配線）が交差することになり、所望の電気的特性が得られなかった。又、半導体製造方法のワイヤボンディング工程では、例えば、ダイパッド表面側に半導体チップを搭載し、この半導体チップと外部端子とのワイヤ接続を行った後、ダイパッドを反転してダイパッド表面側の半導体チップ表面を支持台等に載置し、ダイパッド裏面側に半導体チップを搭載し、この半導体チップと外部端子とのワイヤ接続を行うようにしているが、ダイパッド表面側の半導体チップ表面を支持台等に載置すると、その半導体チップが損傷する等の不都合があった。

本発明の半導体装置の製造方法は、表面の所定の辺に沿って電極パッドが形成された第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップと同様の構成を有する第２、第３及び第４の半導体チップと、表面及び裏面の所定の辺にそって又は裏面の所定の辺に沿って電極部が形成された配線基板と、ダイパッド及びこの近傍に配置された外部端子とを有する半導体装置の製造方法であって、次のような工程を有している。

即ち、本発明の製造方法では、前記配線基板の端部を突出するように前記ダイパッドの裏面に前記配線基板の表面を固定す工程と、前記第１の半導体チップの裏面を前記ダイパッドの表面に固定する工程と、前記第１の半導体チップの前記電極パッドを露出させるように前記第１の半導体チップの表面に第１のスペーサの裏面を固定する工程と、前記第１の半導体チップの前記電極パッドをワイヤにより前記電極部又は前記外部端子に接続する工程と、前記第２の半導体チップの裏面を前記第１のスペーサの表面に固定する工程と、前記第２の半導体チップの前記電極パッドを露出させるように前記第１の半導体チップの表面に保護チップを固定する工程と、前記第２の半導体チップの前記電極パッドをワイヤにより前記電極部又は前記外部端子に接続する工程とを有している。

更に、前記配線基板の前記電極部を露出させるように前記配線基板の裏面に前記第３の半導体チップの裏面を固定する工程と、前記第３の半導体チップの前記電極パッドを露出させるように前記第３の半導体チップの表面に第２のスペーサの裏面を固定する工程と、前記第３の半導体チップの前記電極パッドをワイヤにより前記電極部に接続する工程と、前記第４の半導体チップの裏面を前記第２のスペーサの表面に固定する工程と、前記電極部をワイヤにより前記外部端子に接続すると共に、前記第４の半導体チップの前記電極パッドをワイヤにより前記電極部に接続する工程と、前記外部端子の一部が露出するように、前記第１、第２、第３、第４の半導体チップ、前記ダイパッド、前記配線基板、前記第１、第２のスペーサ、前記保護チップ、及び前記外部端子を樹脂で封止する工程とを有している。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、配線基板を使用することにより、ダイパッドを介して上下に配置された全ての半導体チップ内の同一の電極パッドを、ダイパッドと外部端子に高低差を設けることなく、同一の外部端子に接続することが可能になり、複数の半導体チップを同一の半導体装置内に内蔵することが可能になる。そのため、同一外形寸法の半導体装置でありながら、機能の向上した電気的特性を有する半導体装置の製造が可能となる。更に、最上面の半導体チップに保護チップを固定しているので、その反対側の半導体チップと配線基板とのワイヤ接続等を行う際に、最上面の半導体チップの表面に傷をつけることなくワイヤ接続が可能になり、その上、樹脂封止の際に、樹脂により最上面の半導体チップの表面に傷が付くことを防止出来る。

本発明を実施するための最良の形態は、以下の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、明らかになるであろう。但し、図面はもっぱら解説のためのものであって、本発明の範囲を限定するものではない。

（実施例１の構成）
図１は、本発明の実施例１を示す半導体チップ積層型の半導体装置の概略の断面図である。

この半導体チップ積層型の半導体装置は、リードフレーム１０のチップ搭載用ダイパッド１１の裏面（第２の面）に、これよりも外形寸法の大きな配線基板２０の表面（第１の主表面）が固定され、ダイパッド１１の表面（第１の面）において配線基板２０内に収まるように２段の第１、第２の半導体チップ３０−１，３０−２が、中間に第１のスペーサ４０−１を介在させて重なるように積層され、第２の半導体チップ３０−２の表面に保護チップ５０が被着され、更に、配線基板２０の裏面（第２の主表面）に、この配線基板２０内に収まるように２段の第３、第４の半導体チップ３０−３，３０−４が、中間に絶縁性の第２のスペーサ４０−２を介在させて重なるように積層され、全体が樹脂封止部材７０により封止されている。

リードフレーム１０のチップ搭載用のダイパッド１１は、図示しないフレーム本体から支持片によりほぼ水平に連結されて支持され、厚さ例えば１２５〜１５０μｍ程度のほぼ方形をしている。ダイパッド１１の左側端部の近傍には、図示しない支持片によりフレーム本体にほぼ水平に連結されて支持された複数の外部端子１２が配置されると共に、ダイパッド１１の左側端部に対向する右側端部の近傍にも、図示しない支持片によりほぼ水平に連結されて支持された複数の外部端子１３が配置されている。各外部端子１２，１３は、厚さ例えば１２５〜１５０μｍ程度のリード片からなり、この内側がインナリード部、外側がアウタリード部となっている。

ダイパッド１１の裏面側に接着剤等で固定される配線基板２０は、ダイパッド１１の外形寸法よりも大きくてこのダイパッド周縁から突出している。配線基板２０は、例えば、厚さが０．４５ｍｍ、縦横寸法が２２．２５×１０．１３ｍｍ程度である。この配線基板２０において、ダイパッド左側端部から突出する左側端部箇所とダイパッド右側端部から突出する右側端部箇所との表面及び裏面には、複数の電極部が形成され、これらの電極部が配線パタン及びビア（ｖｉａ、導電貫通孔）等により電気的に相互に接続されている。

ダイパッド１１の表面側及び配線基板２０の裏面側に搭載される各第１〜第４の半導体チップ３０−１〜３０−４は、シリコン等で形成された半導体メモリ等のＩＣチップであり、ほぼ同一外形寸法で、配線基板２０より小面積の方形をしており、例えば、厚さが０．１５〜０．２５ｍｍ、縦横寸法が１２．３７×７．９５ｍｍ程度である。各半導体チップ３０−１〜３０−４の表面において、対向する左側端部及び右側端部には、外部引き出し電極である複数の第１、第２、第３、第４の電極パッドがそれぞれ埋設され、これらの電極パッドが半導体チップ表面の開口部から露出している。

ダイパッド１１の表面には、第１の半導体チップ３０−１の裏面が接着剤等により固定され、この第１の半導体チップ３０−１の表面に、該半導体チップ表面の第１の電極パッドが露出するように第１のスペーサ４０−１が接着剤等で固定されている。第１のスペーサ４０−１は、各半導体チップ３０−１〜３０−４よりも小面積の方形をしており、例えば、厚さが０．１５ｍｍで、縦横寸法が１４．３７×７．９５ｍｍ程度であり、非導電性シリコン、絶縁性シート等で形成されている。第１のスペーサ４０−１の表面には、第１の半導体チップ３０−１と平面視（即ち、上面視）で重なるように、第２の半導体チップ３０−２の裏面が接着剤等で固定されている。

第２の半導体チップ３０−２の表面には、該半導体チップ表面の第２の電極パッドが露出するように、保護チップ５０が接着剤等で固定されている。保護チップ５０は、各半導体チップ３０−１〜３０−４よりも小面積の方形をしており、例えば、第１のスペーサ４０−１と同一外形寸法であり、厚さが０．１５ｍｍで、縦横寸法が１４．３７×７．９５ｍｍ程度であり、非導電性シリコン、絶縁性シート等で形成されている。

配線基板２０の裏面には、該配線基板裏面の電極部が露出するように、第３の半導体チップ３０−３の裏面が接着剤等により固定されている。第３の半導体チップ３０−３の表面には、該半導体チップ表面の第３の電極パッドが露出するように、第１のスペーサと同様の第２のスペーサ４０−２の裏面が接着剤等で固定され、更に、この第２のスペーサ４０−２の表面に、第４の半導体チップ３０−４の裏面が接着剤等により固定されている。第３、第４の半導体チップ３０−３，３０−４は、第１、第２の半導体チップ３０−１，３０−２と平面視で重なるように積層され、更に、第２のスペーサ４０−２も、第１のスペーサと平面視で重なるように固定されている。

例えば、第１、第２の半導体チップ３０−１，３０−２の第１、第２の電極パッドは、ワイヤ６０により、配線基板２０の表面の電極部に接続されている。第３、第４の半導体チップ３０−３，３０−４の第３、第４の電極パッドは、ワイヤ６０により、配線基板２０の裏面の電極部に接続され、この電極部がワイヤ６１により外部端子１２，１３に接続されている。

これらのダイパッド１１、配線基板２０、第１〜第４の半導体チップ３０−１〜３０−４、第１、第２のスペーサ４０−１，４０−２、保護チップ５０、ワイヤ６０，６１、及び、外部端子１２，１３が樹脂封止部材７０により樹脂封止され、電極取り出しのために、外部端子１２，１３の一部であるアウタリード部分が露出されている。

本実施例１の保護チップ５０の機能は、下側の第３、第４の半導体チップ３０−３，３０−４、及び配線基板２０の電極部のワイヤ接続を行う場合、上側の第１、第２の半導体チップ３０−１，３０−２を反転して該半導体チップ３０−２の表面を固定台等に固定する際に、該半導体チップ３０−２の表面に傷が付くことを防止するために使用される。

保護チップ５０のその他の機能としては、樹脂封止（樹脂モールド成形）時の樹脂により、半導体チップ３０−２の表面に傷が付くこと等を防止する機能がある。例えば、樹脂封止部材７０として、使用する樹脂内に含まれる充填材の形状に球形状、破砕形状の２種類があり、球形状のものを使用する場合には問題がないが、破砕形状のものを使用した場合に、半導体チップ表面に傷を付ける虞があるから、保護チップ５０を使用する効果がある。

図２は、図１中の配線基板２０の表面側から見た拡大平面図、図３は、図１中の配線基板２０の裏面側から見た拡大底面図、図４は、図１中の配線基板２０の一部を示す拡大縦断面図である。

配線基板２０は、外形寸法が例えば、厚さが０．３５〜０．４５ｍｍ、縦横寸法が２２．２５×１０．１３ｍｍ程度であり、絶縁性の基材２１を有している。基材２１には、多層配線構造をなす銅箔等の配線パタン２２が形成され、これらの各層の配線パタン２２が銅製等のビア２３を介して相互に接続されている。表面側の配線パタン２２は、絶縁膜２４により被覆され、更に、裏面側の配線パタン２２も絶縁膜２５により被覆されている。配線基板２０における表面側の左側端部箇所と右側端部箇所の絶縁膜２４には、複数の開口部が形成され、これらの開口部から、配線パタン２２と電気的に接続された電極部２６が露出している。同様に、配線基板２０における裏面側の左側端部箇所と右側端部箇所の絶縁膜２５には、複数の開口部が形成され、これらの開口部から、配線パタン２２と電気的に接続された電極部２７が露出している。表面側及び裏面側の電極部２６，２７は、例えば、１層目が金膜、及び２層目がニッケル膜からなる２層構造になっている。

（実施例１の製造方法）
図５（ａ）、（ｂ）は、図１の半導体装置の製造方法例を示す製造工程図である。実施例１の半導体装置は、例えば、次のような製造工程により製造される。

予め、第１、第２、第３、第４の半導体チップ３０−１〜３０−４と、配線基板２０と、リードフレーム１０とを用意しておく。

図５（ａ）において、先ず、基板固定工程において、配線基板２０の表面の左右両端箇所の電極部２６がダイパッド１１の左右両端部から露出するように、該配線基板２０の表面を、接着剤（例えば、絶縁性のエポキシ系樹脂、絶縁性のフィルム等）によりダイパッド１１の裏面に固定する。

第１のダイボンディング工程において、第１の半導体チップ３０−１の裏面を、接着剤等によりダイパッド１１の表面に固定する。第１の半導体チップ３０−１の表面の左右両端部の第１の電極パッドが露出するように、この第１の半導体チップ３０−１の表面に、第１のスペーサ４０−１の裏面を接着剤等により固定する。第１のワイヤボンディング工程において、第１の半導体チップ３０−１の表面の左右両端部の第１の電極パッドと、配線基板２０の表面の左右両端箇所の電極部２６とを、ワイヤ６０により接続する。

第２のダイボンディング工程において、平面視で第１の半導体チップ３０−１と重なるように、第２の半導体チップ３０−２の裏面を、接着剤等により第１のスペーサ４０−１の表面に固定する。平面視で第１のスペーサ４０−１と重なり、且つ、第２の半導体チップ３０−２の表面の左右両側部の第２の電極パッドが露出するように、この第２の半導体チップ３０−２の表面に、保護チップ５０の裏面を接着剤等により固定する。第２のワイヤボンディング工程において、第２の半導体チップ３０−２の表面の左右両端部の第２の電極パッドと、配線基板２０の表面の左右両端箇所の電極部２６とを、ワイヤ６０により接続する。

図５（ｂ）において、保護チップ５０の表面が下になるようにリードフレーム１０を反転し、該保護チップ５０の表面を固定台等に固定する。

第３のダイボンディング工程において、平面視で第１の半導体チップ３０−１と重なり、且つ、配線基板２０の裏面の左右両端箇所の電極部２７が露出するように、この配線基板２０の裏面に、第３の半導体チップ３０−３の裏面を接着剤等により固定する。平面視で第１のスペーサ４０−１と重なり、且つ、第３の半導体チップ３０−３の表面の左右両端部の第３の電極パッドが露出するように、この第３の半導体チップ３０−３の表面に、第２のスペーサ４０−２の裏面を接着剤等により固定する。第３のワイヤボンディング工程において、第３の半導体チップ３０−３の表面の第３の電極パッドと、配線基板２０の裏面の左右両端箇所の電極部２７とを、ワイヤ６０により接続する。

第４のダイボンディング工程において、平面視で第３の半導体チップ３０−３と重なるように、第２のスペーサ４０−２の表面に、第４の半導体チップ３０−４の裏面を接着剤等により固定する。第４のワイヤボンディング工程において、第４の半導体チップ３０−４の表面の第４の電極パッドと、配線基板２０の裏面の左右両端箇所の電極部２７とを、ワイヤ６０により接続すると共に、その電極部２７と外部端子１２，１３のインナリード部とを、ワイヤ６１により接続する。なお、電極部２７と外部端子１２，１３のインナリード部とをワイヤ６１により接続する工程は、第３のワイヤボンディング工程において行っても良い。

樹脂封止工程において、半導体チップ３０−１〜３０−４が搭載されたリードフレーム１０を金型にセットし、トランスファモールデング法等により、溶融した樹脂を金型に注入し、外部端子１２，１３のアウタリード部を露出させた状態で、ダイパッド１１、配線基板２０、半導体チップ３０−１〜３０−４、スペーサ４０−１，４０−２、保護チップ５０、ワイヤ６０，６１、及び外部端子１２，１３のインナリード部を樹脂で封止し、樹脂封止部材７０を形成する。

その後、樹脂封止部材７０で封止されたリードフレーム１０を金型から取り出し、樹脂封止部材７０のばりや、リードフレーム１０の連結部等の余分な箇所を切断し、外部端子１２，１３における露出したアウタリード部の先端を折り曲げ加工等すれば、製造工程が終了する。

（実施例１の効果）
本実施例１では、次の（１）〜（３）のような効果がある。

（１） 配線基板２０を使用することにより、ダイパッド１１を介して上下に配置された全ての半導体チップ３０−１〜３０−４内の同一の電極パッドを、ダイパッド１１と外部端子１２，１３に高低差を設けることなく、同一の外部端子１２，１３に接続することが可能になり、複数の半導体チップ３０−１〜３０−４を同一の半導体装置内に内蔵することが可能になる。そのため、同一外形寸法の半導体装置でありながら、機能の向上した電気的特性を有する半導体装置の製造が可能となる。

（２） 配線基板２０を搭載していない上側に積層される半導体チップ３０−２の表面には、スペーサ４０−１，４０−２と同一素材の保護チップ５０を固定しているので、その反対側の半導体チップ３０−３，３０−４と配線基板２０とのワイヤ接続、及び配線基板２０と外部端子１２，１３とのワイヤ接続を行う際に、最上面に配置された半導体チップ３０−２の表面に傷をつけることなくワイヤ接続が可能になる。

（３） 半導体チップ３０−２の表面に保護チップ５０を固定しているので、例えば、破砕形状の充填材が含まれた封止用の樹脂を使用する場合には、その樹脂により半導体チップ３０−２の表面に傷が付くことを防止出来る。その上、保護チップ５０により、半導体装置の機械的強度を向上できる。これらの効果は、最下面に配置された半導体チップ３０−４の表面に、更に他の保護チップを固定することにより、より向上する。

（実施例２の構成・製造方法）
図６は、本発明の実施例２を示す半導体チップ積層型の半導体装置の概略の断面図であり、実施例１を示す図１中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。

本実施例２の半導体装置では、実施例１の配線基板２０とは異なる構造の配線基板２０Ａを使用している。この配線基板２０Ａでは、図２の表面側に電極部２６が設けられておらず、図３の裏面側にのみ電極部２７が設けられている。そのため、第１、第２の半導体チップ３０−１，３０−２の表面の第１、第２の電極パッドは、配線基板２０Ａの表面側には接続されずに、ワイヤ６０によって直接、外部端子１２，１３のインナリード部に接続される。その他の構成や製造方法は、実施例１と同様である。

（実施例２の効果）
本実施例２では、実施例１とほぼ同様の効果がある上に、半導体チップ３０−１，３０−２と接続を行う配線基板２０Ａの面が片面になることにより、配線基板２０Ａの構造が簡単になり、配線基板２０Ａの低価格化が可能になる。なお、実施例１の配線基板２０を用いて、図６と同様のワイヤボンディング工程を行っても良い。

（変形例）
なお、本発明は、実施例１、２に限定されず、種々の変形や利用形態が可能である。この変形や利用形態としては、例えば、次（ｉ）、（ｉｉ）のようなものがある。

（ｉ） 図１、図６では、半導体チップが４段の積層型半導体装置について説明したが、上側の第１のスペーサ４０−１及び第２の導体チップ３０−２を省略して、保護チップ５０を第１の半導体チップ３０−１の表面に固定し、下側の第２のスペーサ４０−２及び第４の半導体チップ３０−４を省略した半導体チップ２段の積層型半導体装置の構造にしても良い。この場合は、製造工程が簡単になる上に、上記実施例１、２とほぼ同様の作用効果が得られる。又、上側の半導体チップを３段以上にすると共に、下側の半導体チップを３段以上にした６段以上の積層型半導体装置の構造にしても良い。この場合は、上側の半導体チップを下側に反転して上側に向いた下側の半導体チップのワイヤボンディングを行う際に、全体の重量が大きくなるので、保護チップ５０による傷付き防止効果がより大きくなる。

（ｉｉ） リードフレーム１０、配線基板２０，２０Ａ、半導体チップ３０−１〜３０−４、スペーサ４０−１，４０−２、保護チップ５０等の形状、寸法、構造、材質、製造方法等は種々の変更が可能である。

本発明の実施例１を示す半導体チップ積層型の半導体装置の概略の断面図である。 図１中の配線基板２０の表面側から見た拡大平面図である。 図１中の配線基板２０の裏面側から見た拡大底面図である。 図１中の配線基板２０の一部を示す拡大縦断面図である。 図１の半導体装置の製造方法例を示す製造工程図である。 本発明の実施例２を示す半導体チップ積層型の半導体装置の概略の断面図である。

符号の説明

１０ リードフレーム
１１ ダイパッド
１２，１３ 外部端子
２０，２０Ａ 配線基板
３０−１〜３０−４ 半導体チップ
４０−１，４０−２ スペーサ
５０ 保護チップ
６０，６１ ワイヤ
７０ 樹脂封止部材

Claims (4)

1. 表面の所定の辺に沿って電極パッドが形成された第１の半導体チップと、
   前記第１の半導体チップと同様の構成を有する第２、第３及び第４の半導体チップと、
   表面及び裏面の所定の辺にそって又は裏面の所定の辺に沿って電極部が形成された配線基板と、
   ダイパッド及びこの近傍に配置された外部端子と、
   を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記配線基板の端部を突出するように前記ダイパッドの裏面に前記配線基板の表面を固定する工程と、
   前記第１の半導体チップの裏面を前記ダイパッドの表面に固定する工程と、
   前記第１の半導体チップの前記電極パッドを露出させるように前記第１の半導体チップの表面に第１のスペーサの裏面を固定する工程と、
   前記第１の半導体チップの前記電極パッドをワイヤにより前記電極部又は前記外部端子に接続する工程と、
   前記第２の半導体チップの裏面を前記第１のスペーサの表面に固定する工程と、
   前記第２の半導体チップの前記電極パッドを露出させるように前記第２の半導体チップの表面に保護チップを固定する工程と、
   前記第２の半導体チップの前記電極パッドをワイヤにより前記電極部又は前記外部端子に接続する工程と、
   前記配線基板の前記電極部を露出させるように前記配線基板の裏面に前記第３の半導体チップの裏面を固定する工程と、
   前記第３の半導体チップの前記電極パッドを露出させるように前記第３の半導体チップの表面に第２のスペーサの裏面を固定する工程と、
   前記第３の半導体チップの前記電極パッドをワイヤにより前記電極部に接続する工程と、
   前記第４の半導体チップの裏面を前記第２のスペーサの表面に固定する工程と、
   前記電極部をワイヤにより前記外部端子に接続すると共に、前記第４の半導体チップの前記電極パッドをワイヤにより前記電極部に接続する工程と、
   前記外部端子の一部が露出するように、前記第１、第２、第３、第４の半導体チップ、前記ダイパッド、前記配線基板、前記第１、第２のスペーサ、前記保護チップ、及び前記外部端子を樹脂で封止する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の導体装置の製造方法において、
   前記第３の半導体チップの前記電極パッドをワイヤにより前記電極部に接続する工程の際に、
   前記電極部をワイヤにより前記外部端子に接続する工程を行うようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記保護チップ、及び前記第１、第２のスペーサは、非導電性シリコン又は絶縁性シートで形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記ダイパッドに前記配線基板を固定する工程では、
   絶縁性のエポキシ系樹脂又は絶縁性のフィルムを使用して、前記ダイパッドに前記配線基板を接着することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

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