JP4743795B2 - デュアルレール電圧発生器 - Google Patents

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Description

本発明は包括的には信号発生器回路に関し、詳細には、低電圧源レール電圧及び高電圧源レール電圧を生成するためのデュアルレール電圧発生器回路に関する。デュアルレール電圧発生器は、限定はしないが、新規の固定基準電圧を基にするパルス幅変調器(同じ譲受人に譲渡され、本出願と同時に出願された「FIXED REFERENCE BASED PULSE WIDTH MODULATOR」と題する米国特許出願を参照されたい)を含む、種々の応用形態において、及び可変のデュアル電圧源を提供するための電源管理システムにおいて用いることができる。
本発明の実施形態が、限定としてではなく例として添付の図面の図において例示される。なお、図面において、類似の参照符号は類似の構成要素を指している。
図1A及び図1Bは、印加される電圧振幅(Vamp)及びオフセット(Voffset)入力に基づいて、基準電圧(Vref)に対する第1の(高)電圧レール出力V及び第2の(低)電圧レール出力Vを提供するデュアルレール電圧発生器を概略的に示す(図示される実施形態では、基準電圧は一定であり、デュアルレール電圧発生器内で設定されるので、図1Aには示されない。しかしながら、実施形態によっては、外部から印加され、且つ/又は可変の基準電圧を用いることができる。さらに、実施形態によっては、基準電圧は、0の値を有することができる)。数学的には、V=Vref+Vamp+Voffset及びV=Vref−Vamp+Voffsetである。図1Bにおいて図式的に示されるように、この結果として、高レール電圧と低レール電圧との間の差は、印加される電圧振幅の2倍になる。オフセットがない(Voffsetが0に等しい)とき、それらのレール電圧は基準電圧(Vref)について対称であるが、オフセットが加えられる場合には、オフセット値に応じて、高レール電圧及び低レール電圧は、上方又は下方いずれかに向かって等しくシフトされる。したがって、Voffset信号及びVamp信号を適当に調整することによって、多数の異なるV−Vの組み合わせを達成することができる。
図2は、いくつかの実施形態による、図1Aのデュアルレール電圧発生器の信号流れ図である。その信号流れ図は、上記の式に従って高レール電圧(V)及び低レール電圧(V)を生成するための加算器202、204、206及び208を含む。基準電圧Vrefが加算器202、204に印加され、Vamp及び−Vampにそれぞれ加算され、それにより、それらの出力においてVref+Vamp及びVref−Vampが生成される。さらに、これらの出力は、加算器204及び208において、オフセット(Voffset)にそれぞれ加算され、図に示されるように、V及びVが生成される。
図3は、図2の信号流れ図を実現し、高基準電圧信号V及び低基準電圧信号Vを生成するための回路の回路図である。しかしながら、固有の基準成分を有する回路(図4を参照して後に説明される回路等)にさらに都合よく対応するために、上記の振幅(Vamp)信号及びオフセット(Voffset)信号を用いる代わりに、基準電圧を基にした別の電圧信号V及びVoff(ただし、V=Vref+Vamp及びVoff=Vref+Voffset)が用いられる。それゆえ、V及びVoffは、図2の図の場合に用いられるような、振幅信号及びオフセット信号であることに変わりはないが、さらなる基準電圧成分がその中に組み入れられていることが異なる。
図3のデュアルレール電圧発生器は、概して、デュアルレール電圧信号発生器回路302及び出力ドライバセクション322を含み、それらは、図に示されるように互いに接続される。デュアルレール電圧信号発生器302は、加算器回路303、305、307、308、309、311及び313を含み、それらの加算器回路は、図に示されるように互いに接続され、上記の式に従ってVref、V及びVoffを適当に加算/減算して、高基準レール電圧VHref及び低基準レール電圧VLrefを生成する。基準レール電圧VHref及びVLrefは、値としては上記のV及びVに対応するが、実際の負荷に供給するだけの十分な電流送出能力を有することができる。したがって、それらの基準レール電圧は、それぞれリニア電圧調整器322H及び322Lによって、出力ドライバセクション322において増幅される。それらのリニア電圧調整器は、その出力に、調整された高レール電圧V及び低レール電圧Vを提供する。
図示される実施形態では、デュアルレール基準電圧信号発生器セクション302内の各加算器回路はA=1の電圧利得を有し、差動加算器(difference adder)で実装され、第2の値から第1の値を減算する。図3に示されるように、それらの加算器は、V(VHref)及びV(VLref)のための上記の式を実現するように適当に構成される。それらの加算器は、2つのアナログ入力に関する加算演算又は減算演算を実行するのに適した任意の回路で実現することができ、その多くが当業者に知られていることは理解されたい(しかしながら、後に、図4を参照しながら、インバータを用いる新規の手法が提供される)。単純化のために、各加算器の利得は1であるが、もちろん1である必要はない。先に定義された高レール電圧及び低レール電圧の式は、他の利得値を有する加算器で実現することができ、所望の応用形態に応じて、上記の式を変形することが望ましいことがある(たとえば、加数が異なるように重み付けされることがある)。
各調整器(322H又は322L)は、PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタに接続される増幅器から形成される単位利得リニア調整器であり、それらのトランジスタは全て、図に示されるように互いに接続される。高電圧側調整器322Hは、増幅器323、PMOSトランジスタP1及びNMOSトランジスタN1から形成される。その調整器は、その入力において(増幅器323のネガティブ入力)、高基準電圧信号(VHref)を受信し、一方、その出力はトランジスタP1及びN1のゲートに接続される。さらに、(それらのドレインにある)それらのトランジスタ出力は、増幅器323のポジティブ入力に戻されて接続される。低電圧側調整器322Lは、増幅器325、PMOSトランジスタP2及びNMOSトランジスタN2から形成されることを除いて、同じように構成される(用語「PMOSトランジスタ」は、P型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを指していることに留意されたい。同様に、「NMOSトランジスタ」は、N型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを指している。用語「トランジスタ」、「MOSトランジスタ」、「NMOSトランジスタ」又は「PMOSトランジスタ」が用いられるときには必ず、その用途の性質によって他に明らかに指示又は指図されない限り、それらのトランジスタは例示的に使用されていることは理解されたい。それらのトランジスタは、数例を挙げると、異なるVT及び酸化膜厚を有するデバイスを含む、異なる種類のMOSデバイスを含む。さらに、具体的にMOSトランジスタ等と呼ばれる場合を除いて、用語「トランジスタ」は、他の適当なトランジスタタイプ、たとえば、接合電界効果トランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、及び現時点で知られているか、又は未だ開発されていない種々のタイプの3次元トランジスタを含むことができる)。
各増幅器は、負帰還で構成されるので、入力端子の電圧は必然的に互いに等しくなる。この結果として、出力電圧(V、V)は入力電圧(VHref、VLref)を追跡し(又は入力電圧に追従し)、同時に、実際の負荷を駆動することができる。トランジスタN1及びP2は破線で表されることに留意されたい。これは、いくつかの実施形態において、高電圧側レール電圧Vは主に負荷に電流を供給するために用いられることがあり、一方、低電圧側レール電圧Vは主に負荷から電流を引き込むために用いられることがあるためである。そのような場合には、N1及びP2は、P1及びN2よりも小さくすることができるか、さらには省くこともできる。
図4は、アナログ振幅電圧入力V及びオフセット電圧入力Voffに基づいて、2つの出力レール電圧V及びVを合成し、調整するためにインバータを使用する、いくつかの実施形態によるデュアルレール電圧発生器回路を示す。V及びVoffは、上記で定義されたように、その回路において用いられるインバータのトリップポイントに対応する固有基準電圧Vrefを基にした、Vamp及びVoffsetの別の形の電圧信号である。
そのデュアルレール電圧発生器は、概して、デュアルレール基準電圧信号発生器セクション402を含み、それは出力ドライバセクション422に接続される。基準電圧信号発生器部402は、インバータU1、U2、U3及び抵抗器R1〜R8を備え、一方、出力ドライバセクション422は、インバータU4〜U11、トランジスタP1、P2、N1、N2、抵抗器R及びR、並びにキャパシタC及びCを含み、それらは全て図に示されるように接続される。いくつかの実施形態では、インバータはPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタから形成され、それらのトランジスタのゲートが互いに接続されてインバータ入力を構成し、それらのドレインが互いに接続されてインバータ出力を構成する。いくつかの実施形態では、インバータ(おそらく、U7及びU11を除く)は、同じトリップポイントを有するように設計され、U4−U5及びU8−U9は同じ強度を有するような大きさにされる。たとえば、U4−U5及びU8−U9内のPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタは、同じ電流搬送能力を有するように設計することができる。インバータの値が互いに十分に近い限り、実際のトリップポイント値は必ずしも重要ではないが、V及びVが、より広い動作範囲を有することができるように、トリップポイントの目標をVCC/2にすることが望ましいことがある。U6及びU10は、強度が弱くなるように設計することができる。対照的に、U7及びU11は、他のインバータよりも強くなるように設計することができ、それらのトリップポイントは、他のインバータと必ずしも同じである必要はない。
基準電圧信号発生器部402が最初に説明される。インバータU1及びU2は、抵抗器R1〜R4と共に、低レール電圧を得るための基準電圧信号(VLref)を生成するための低電圧側セクションを構成し、一方、インバータU3並びに抵抗器R7及びR8は、高レール基準電圧(VHref)を生成するための高電圧側セクションを構成する。図示される実施形態の場合、高電圧側セクション及び低電圧側セクションは、インバータトリップポイントに対して、高電圧側及び低電圧側のレール電圧が反転している信号を生成する。それゆえ、出力ドライバセクションは、基準電圧信号を反転して高レール電圧及び低レール電圧を提供するドライバ回路を備える。
インバータU1は、反転増幅器であって、Vref(インバータのトリップポイント)に対して、約R2/R1の利得をVのVamp成分に作用させる反転増幅器であるように構成される。すなわち、インバータは、帰還をかけることによって、負帰還を用いる増幅器と同じように動作するが、そのトリップポイントに対応する固有のオフセットを有することが異なる。それゆえ、図に示されるように抵抗器R1及びR2を構成すると、そのインバータの出力電圧は、(−R2/R1)(V−Vref)+Vrefに等しい。R1及びR2が等しいとき、これは、2Vref−V又はVref−Vampに変形されるので、たとえば、Vref=0.6V及びV=0.8Vの場合には、VU1は0.4Vになるであろう(この解析は、インバータ利得が高いものと仮定しており、それは無条件に正しいとは言えないことに留意されたい。したがって、いくつかの実施形態では、利得項を「微調整」して、たとえば、特定の動作範囲のための望ましい結果を達成することができる)。
反転増幅器回路U2及びU3は概ね同じである。それらの回路は、(インバータトリップポイント、すなわち基準電圧に対する)加算反転増幅器としての役割を果たすように構成される。加算インバータU2はU1からの出力(VU1、すなわちVref−Vamp)をVoff(Voffset+Vref)と加算し、一方、U3はVをVoffと加算する(高電圧側セクションは低電圧側経路内のU1に対応するインバータ段を有しないことに留意されたい。これは、高電圧側経路では、Vを生成するために、V内のVamp成分が、減算されるのではなく、加算されるためである)。
加算された項のための利得及び相対的な重み付けは、それらの関連する抵抗器によって決定される。U2に関しては、R4/R3がVU1項のための利得を決定し、一方、R4/R5がVoff項のための利得を決定する。U2の出力(VLref)は、VLref=−(R4/R3)(VU1−Vref)−(R4/R5)(Voff−Vref)+Vrefになるであろう。同様に、U3に関しては、R8/R7が、印加されるV項の利得を決定し、一方、R8/R6が、オフセット項Voffの利得を決定する。出力、すなわちVHrefは、VHref=−(R8/R7)(V−Vref)−(R8/R6)(Voff−Vref)+Vrefになる。したがって、R3、R4及びR5が同じであり、且つR6、R7及びR8が同じである場合には、出力の式は、VLref=−(VU1−Vref)−(Voff−Vref)+Vref及びVHref=−(V−Vref)−(Voff−Vref)+Vrefに変形される。出力VLref及びVHrefの結果として、インバータトリップポイントに対して、高レール電圧及び低レール電圧が反転している信号が生成される。出力ドライバセクション422内の増幅器(又はドライバ)が、高レール電圧及び低レール電圧を提供する際に、これを補正する。
デュアルレール基準電圧信号発生器402が如何に動作するかを示すための一例として、R1=R2(たとえば、10KΩ)、R3=R4=R5(たとえば、10KΩ)及びR6=R7=R8(たとえば、10KΩ)であると仮定する。また、上記の例と同様に、Vref=0.6Vであり、オフセットは0.1Vであるものとし(それゆえ、印加されるVoffは0.7Vになるであろう)、Vampは0.2Vであるものとする(それゆえ、印加されるVは0.8Vになり、VU1は0.4Vになるであろう)。これらの値を用いる場合、高レール電圧及び低レール電圧はそれぞれ、0.9V及び0.5Vになるはずである。これらの値をU2及びU3のための式に当てはめると、低基準電圧VLrefは0.7Vになり、一方、高基準電圧VHrefは、0.3Vになるであろう。出力ドライバセクションによって反転された後に(0.6Vの基準電圧に対して)、それらはそれぞれ0.5V及び0.9Vになり、それは妥当な値であるので、これは正しい。
(再び、V/(V,Voff)及びV/(V,Voff)のための全伝達関数が、条件に合った入力及び出力の動作範囲のための十分に一貫した、予測可能な結果を提供する限り、実際の抵抗値、増幅器利得及び重みは必ずしも重要でないことは理解されたい。これは、後のセクションにおいて説明される、出力ドライバセクション422内の回路にも当てはまる。)
出力ドライバセクション422は、インバータU4〜U11と、MOSトランジスタN1、N2、P1、P2と、負荷抵抗R、Rと、キャパシタC、Cとを含む。低電圧側ドライバは、インバータU4〜U7、トランジスタP1、N1、抵抗器R及びキャパシタCから形成され、一方、高電圧側ドライバは、インバータU8〜U11、トランジスタP2、N2、抵抗器R及びキャパシタCを備える。
低電圧側ドライバの場合、インバータU4及びU5が、ノードN1のインバータ出力において、ミラー構成で互いに接続される。この構成の場合、それらのインバータは、負帰還をかけて接続される反転アナログ増幅器のように動作して、入力(VLref、V)において、Vref(インバータトリップポイント、それは同じになるはずである)に対する他方のアナログ反転(ミラー)信号を提供する。それゆえ、Vにおける電圧は、V=2Vref−VLrefになるであろう。Vは、入力及び出力の両方としての役割を果たすことに留意されたい。VLref及びVをシーソーの両端とし、中央の支点が基準電圧レベルまで押し上げられていると考えることが役に立つことがある。一方の側が上昇すると、他方が降下し、完全に釣り合っているとき、入力及びノードN1はVrefに接近する。一方、VLrefが上昇又は降下するとき、すなわちV及び/又はVoffの変化に応答するとき、それに応じて、「シーソー」の他端における電圧(V)が強制的に、反対の方向に降下又は上昇する(ノードN1は典型的には、厳密にはVrefに落ち着かないが、後段(U7)の利得に起因して、通常はその値に近いことに留意されたい。ノードN1における電圧は、必然的に、N1若しくはP1によって引き込まれるか、又はN1若しくはP1に供給される必要がある電流と共に変化する。N2は、VccとVssとの間のどこにおいても変化することができ、N1は、約(Vcc−Vref)/利得又はVref/利得まで、いくつかの実施形態では典型的には約100mVまで、Vrefを中心にして変化するはずである)。
インバータU6は、そのトリップポイントがVrefであるように設計される、相対的に弱いインバータである。その入力が、その出力に短絡されているので、そのインバータは、その出力において基準電圧信号Vrefを生成し、ミラー接続されるインバータU4、U5のインバータ出力(ノードN1)に接続され、それらのインバータに、相対的に弱い負荷を提供する。インバータU6は、それらのインバータの利得を低減するための役割を果たし、それらのアナログ性能を安定させるための安定器のように動作する。
インバータU7は相対的に大きく(たとえば、電流搬送能力がインバータU1、U2、U3、U4又はU5の2倍であり)、他のインバータのトリップポイントに相対的に近いトリップポイントを有するが、これは重要ではない。そのインバータは、プッシュ/プル出力トランジスタP1、N1を駆動して、Vを適当に調整するための役割を果たす。したがって、U4/U5、U6及びP1/N1は、負帰還ループを形成し、Vを調整する。Vが(たとえば、出力負荷の変化に起因して)上昇するとき、N1が降下し、それによりN2が上昇して、結果としてP1の出力が下がり、N1の出力が上がって、Vが降下する。Vが降下するときも同じように動作するが、方向は反対である。抵抗器R及びキャパシタCは、VとVSSとの間に直列に接続され、出力Vにおける安定性を提供する。
高電圧側ドライバは、低電圧側ドライバと概ね同じように構成され、動作するので、同程度に詳しくは説明されないであろう。しかしながら、いくつかの実施形態では、高電圧側ドライバの場合、高レール電圧Vが主に電流源としての役割を果たすので、プルアップFET P2は、プルダウントランジスタN2よりも大きなサイズを有することがあり、場合によっては、N2は完全に省かれることがあることは指摘するに値する。逆に、低電圧側ドライバの場合、低レール電圧Vが主に電流シンクとしての役割を果たすとき、プルダウントランジスタN1は、P1よりも大きなサイズを有することがある。いくつかの実施形態では、P1は完全に省かれることもある。
図5を参照すると、コンピュータシステムの一例が示される。図示されるシステムは、概して、電圧調整器506と、無線インターフェース508と、メモリ512とに接続されるプロセッサ502を備える。プロセッサは、電圧調整器506に接続されており、電源504から導出され、調整された少なくとも1つの供給電圧を電圧調整器から受け取る。無線インターフェース508は、アンテナ510に接続されており、無線インターフェースチップ508を通じて、プロセッサを無線ネットワーク(図示せず)に通信可能にリンクする。電圧調整器506は、たとえば、電源管理システムのための、又は、たとえば電圧調整器回路内にある固定基準電圧PWMのための制御可能な高電圧源レール電圧及び低電圧源レール電圧を提供するために、本明細書において開示されるような1つ又は複数のデュアルレール電圧発生器回路503を備える。
図示されるシステムは、異なる形態において実現することができることに留意されたい。すなわち、そのシステムは、回路基板上に、又は多数の回路基板を有するシャシ上に実装することができる。同様に、そのシステムは、1つ又は複数の完全なコンピュータを構成することができるか、別法では、コンピューティングシステム内で有用な構成要素を構成することができる。
本発明は説明された実施形態に限定されるのではなく、添付の特許請求の精神及び範囲内で変更及び改変して実施することができる。たとえば、本発明は、全てのタイプの半導体集積回路(「IC」)チップと共に用いるために適用可能であることは理解されたい。これらのICチップの例は、限定はしないが、プロセッサ、コントローラ、チップセットコンポーネント、プログラマブルロジックアレイ(PLA)、メモリチップ、ネットワークチップ等を含む。
さらに、サイズ/モデル/値/範囲の例が与えられていることがあるが、本発明はそれには限定されないことは理解されたい。時間と共に製造技法(たとえば、フォトリソグラフィ)が進歩するのに応じて、さらに小さなサイズのデバイスを製造することができるものと予想される。さらに、ICチップ及び他の構成要素へのよく知られている電源/グランド接続は、図示及び説明を簡単にするために、且つ本発明を分かりにくくしないために、図面内には示されることも、示されないこともある。さらに、本発明を分かりにくくするのを避けるために、また、そのようなブロック図の構成を実現する上での仕様が、本発明が実施されることになるプラットフォームに大きく依存し、すなわち、そのような仕様が、十分に当業者が理解し得る範囲内にあるはずであるという事実に鑑みて、複数の構成がブロック図の形で示されることがある。本発明の実施形態の例を説明するために詳細な仕様(たとえば、回路)が示される場合に、これらの詳細な仕様を用いることなく、又はこれらに変更を加えて本発明を実施することができることは、当業者には明らかになるはずである。それゆえ、その説明は、限定するものではなく、例示するものと見なされるべきである。
(項目10)
高基準電圧信号及び低基準電圧信号を生成する第1の手段と、
高電圧源レール電圧及び低電圧源レール電圧を調整し、提供する第2の手段と、
を備える、装置。
(項目11)
前記第1の手段は、アナログ加算増幅器としての役割を果たすように構成されるインバータ回路を備える、項目10に記載の装置。
(項目12)
前記インバータ回路は、基準電圧レベルとして用いられる同じ関連するトリップポイントを有し、振幅信号は、前記基準電圧レベルに対応する基準成分と、前記高電圧源レール電圧と前記低電圧源レール電圧との間の差の半分に対応する振幅成分とを含む、項目11に記載の装置。
(項目13)
オフセット信号は、前記基準電圧レベルに対応する前記基準成分と、前記高電圧源レール電圧及び前記低電圧源レール電圧のシフトに対応するオフセット成分とを含む、項目12に記載の装置。
(項目14)
前記第2の手段は、前記高電圧源レール電圧を駆動する第1のドライバと、前記低電圧源レール電圧を駆動する第2のドライバとを備える、項目10に記載の装置。
(項目15)
前記第1のドライバは、前記高電圧側基準電圧信号に基づいて、前記高電圧源レール電圧を駆動し、前記第2のドライバは、前記低電圧側基準電圧信号に基づいて、前記低電圧源レール電圧を駆動する、項目14に記載の装置。
(項目16)
前記第1のドライバ及び前記第2のドライバはそれぞれ、前記基準電圧に対して前記基準電圧信号が反転しているアナログ信号を提供する一対のミラー接続されるインバータを備える、項目15に記載の装置。
(項目17)
前記第1の手段は、反転アナログ増幅器を構成する、自身の入力と出力との間に接続される抵抗器を有するインバータを備える、項目10に記載の装置。
いくつかの実施形態によるデュアルレール電圧発生器のブロック図である。 いくつかの実施形態によるデュアルレール電圧信号を示すグラフである。 いくつかの実施形態によるデュアルレール電圧発生器の信号流れ図である。 いくつかの実施形態による、図2の信号流れ図によるデュアルレール電圧発生器の回路図である。 いくつかの実施形態による、図2及び図3によるデュアルレール電圧発生器の回路図である。 いくつかの実施形態による、少なくとも1つのデュアルレール電圧回路を備えるマイクロプロセッサを有するコンピュータシステムのブロック図である。

Claims (21)

  1. 印加される振幅信号及びオフセット信号に基づいて、調整可能な高電圧源及び低電圧源を生成するデュアルレール電圧(rail)発生器を備え、
    前記高電圧源と前記低電圧源との間の差は、前記振幅信号から任意の基準成分を引いた値に比例する、チップ。
  2. 前記振幅信号は、振幅成分及び基準成分に分解することができる、
    請求項1に記載のチップ。
  3. 前記デュアルレール電圧発生器は、
    高基準電圧(reference)信号及び低基準電圧信号を生成するためのデュアルレール基準電圧信号発生器と、
    前記高電圧源を駆動する、前記高基準電圧信号に接続される高電圧側ドライバ及び前記低電圧源を駆動する、前記低基準電圧信号に接続される低電圧側ドライバを含む出力ドライバセクションと、
    を備える、
    請求項2に記載のチップ。
  4. 前記デュアルレール基準電圧信号発生器は、自身の出力と入力との間に接続される抵抗器を有するインバータ回路から形成される少なくとも1つのアナログ増幅器を備え、
    該インバータは関連するトリップポイントを有する、
    請求項3に記載のチップ。
  5. 前記トリップポイントは、前記振幅信号内の前記基準成分のレベルに対応する、
    請求項4に記載のチップ。
  6. 前記インバータ回路は、NMOSトランジスタに接続されるPMOSトランジスタを備える、
    請求項5に記載のチップ。
  7. 前記デュアルレール基準電圧信号発生器は、インバータから形成される少なくとも1つのアナログ加算増幅器を備える、
    請求項3から請求項6までの何れか一項に記載のチップ。
  8. 前記高電圧側ドライバは、前記高基準電圧信号と前記高電圧源との間に、該高電圧源を調整するループの一部として接続される、ミラー接続されるインバータを備える、
    請求項3から請求項7までの何れか一項に記載のチップ。
  9. 前記高電圧側ドライバは、自身の出力にプルアップトランジスタを備え、それによって、前記高電圧源を通じて電流を供給し、
    前記低電圧側ドライバは、前記低電圧源を通じて電流を引き込むプルダウントランジスタを備える、
    請求項3から請求項8までの何れか一項に記載のチップ。
  10. 高基準電圧信号及び低基準電圧信号を生成する第1の手段と、
    高電圧源レール電圧及び低電圧源レール電圧を調整し、提供する第2の手段と
    を備え、
    前記高基準電圧信号及び前記低基準電圧信号のそれぞれは、振幅信号を含み、
    前記振幅信号は、
    基準電圧レベルに対応する基準成分と、
    前記高電圧源レール電圧と前記低電圧源レール電圧との間の差の半分に対応する振幅成分と、
    を含み、
    前記高電圧源レール電圧及び前記低電圧源レール電圧は、前記振幅信号に基づいて調整される、
    装置。
  11. 前記第1の手段は、アナログ加算増幅器としての役割を果たすように構成されるインバータ回路を備える、
    請求項10に記載の装置。
  12. 前記インバータ回路は、関連するトリップポイントを有
    前記トリップポイントの電圧レベルは、基準電圧と同じ電圧レベルに設定される
    請求項11に記載の装置。
  13. 前記高基準電圧信号及び前記低基準電圧信号のそれぞれは、オフセット信号をさらに含み、
    前記オフセット信号は、
    前記基準電圧レベルに対応する前記基準成分と、
    前記高電圧源レール電圧及び前記低電圧源レール電圧のシフトに対応するオフセット成分と、
    を含み、
    高電圧源レール電圧及び低電圧源レール電圧は、前記振幅信号及び前記オフセット信号に基づいて調整される、
    請求項12に記載の装置。
  14. 前記第2の手段は、前記高電圧源レール電圧を駆動する第1のドライバと、前記低電圧源レール電圧を駆動する第2のドライバとを備える、
    請求項10から請求項13までの何れか一項に記載の装置。
  15. 前記第1のドライバは、前記高基準電圧信号に基づいて、前記高電圧源レール電圧を駆動し、前記第2のドライバは、前記低基準電圧信号に基づいて、前記低電圧源レール電圧を駆動する、
    請求項14に記載の装置。
  16. 前記第1のドライバ及び前記第2のドライバはそれぞれ、前記基準電圧に対して前記基準電圧信号が反転しているアナログ信号を提供する一対のミラー接続されるインバータを備える、
    請求項15に記載の装置。
  17. 前記第1の手段は、反転アナログ増幅器を構成する、自身の入力と出力との間に接続される抵抗器を有するインバータを備える、
    請求項10から請求項16までの何れか一項に記載の装置。
  18. (a)印加される振幅信号及びオフセット信号に基づいて、調整可能な高電圧源及び低電圧源を生成するデュアルレール電圧発生器を備えるマイクロプロセッサであって、前記高電圧源と前記低電圧源との間の差は前記振幅信号から任意の基準成分を引いた値に比例する、マイクロプロセッサと、
    (b)前記マイクロプロセッサに接続され、且つ該マイクロプロセッサを無線ネットワークに通信可能にリンクするアンテナに接続される無線インターフェースと
    を備える、システム。
  19. 前記高電圧源と前記低電圧源との間の差は、任意の基準成分が除去された後の前記振幅信号の2倍である、
    請求項18に記載のシステム。
  20. 前記デュアルレール電圧発生器は、反転アナログ増幅器として構成され、該反転アナログ増幅器として用いられることになる少なくとも1つのインバータを備える、
    請求項18または請求項19に記載のシステム。
  21. 前記デュアルレール電圧発生器は、前記高電圧源を駆動する、一対のミラー接続されるインバータを有するドライバを備える、
    請求項20に記載のシステム。
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