本発明は、多相パルス発生器に関する。このような発生器は、例えば、ディスプレイなどのデバイス内に使用できる。
図1は、典型的なアクティブマトリクスディスプレイを示す。このようなディスプレイは、M行,N列に配列された複数の画素のマトリクス2により構成されている。それぞれの行、列は電極に接続されており、列の電極はデータドライバ4のN個の出力に、行の電極は走査ドライバ6のM個の出力に接続されている。
上記複数の画素は、一度に一行ずつアドレスされる。上記走査ドライバはM相クロック発生器を含んでおり、該M相クロック発生器は、図2に示す一連のクロックパルスを生成する。クロック位相OUTiはそれぞれ、行iの活性化(activation)を制御する。通常、上記パルスは重なり合わず、2つのパルスが同時にハイ(高)になることはない。
一行にある画素は、すべて同時にアドレスされてもよく、b個の画素からなるB個のブロック(bB=N)ごとに処理されてもよい。後者の場合、上記データドライバは、それぞれのクロックパルスOUTiがブロックiを活性化させる、前述したタイプのB位相クロック発生器を備えていてもよい。
ディスプレイの通常の動作は、画素上に上から下へ、また左から右へと、図2に示すタイミングに応じてデータをサンプリングするものである。しかしながら、画素上に下から上へ、および/または右から左へ、データがサンプリングされるように、サンプリングの方向が切り替え可能であることが、一般的に要求される。こうすれば、入力データを並び替えることなく、表示された画像を鏡像反転したり、回転したりすることができる。上記のような並び替えは、例えば画像全体を記憶するのに十分なメモリなどのような、多くの回路の追加を必要とする。
この場合、クロック発生器は、双方向に動作して図2に示すクロックパルス、または図3に示すタイプのクロックパルスの何れかを生成することができる必要もある。図3に示すパルスOUTiも各々、段iを活性化させる。しかし、図2ではパルスOUTiはパルスi−1の後に発生するのに対して、図3ではパルスOUTiがパルスOUTi−1の前に発生する。
上述したタイプのクロック発生器をディスプレイ基板上に直接形成し、ディスプレイに必要な接続の数を減少させることもできる。これによって、コネクタの占有領域の面積が減少すると共に、ディスプレイが機械的に、より頑丈になるので、これは有利である。
このようなクロック発生器は、シフトレジスタから形成することができる。シフトレジスタは、クロック信号に応じて、一連のデータをその長さに沿って(along its length)段から段へ順次シフトすることができる、多段回路である。一般に、シフトレジスタは、任意の一連のデータをシフトすることができる。しかしながら、シフトレジスタが、走査ドライバ内またはデータドライバ内のクロック発生器として使用される場合、単一のハイ状態をその長さに沿ってシフトすることしか必要ではない。このようなシフトレジスタは、「ウォーキングワン(walking one)」シフトレジスタと呼ばれ、任意の一連のデータをシフトできても、できなくてもよい。
このような用途に使用される公知のタイプのクロック発生器は、図4に示すような、クロック信号CKによって制御される縦続接続の複数のDタイプフリップフロップ(DFF)12で構成されるシフトレジスタである。CK信号の立ち上がりエッジの各々において、DFF12iのQ出力のデータが、DFF12i+1のD入力上へサンプリングされ、DFF12i+1のQ出力に送られる。これにより、データは、上記シフトレジスタに沿って一度に一段ずつ送られる。単一の「1」が第一のDFF121のD入力上へサンプリングされる場合、シフトレジスタの出力Qiは、概ね図2に示す形になると考えられる。
しかしながら、このタイプのシフトレジスタには、走査ドライバで使用される複数のパルスを生成することが必要な場合には、二つの不都合がある。一つ目は、パルス同士でエッジが一致する(つまり、Qiが立ち上がる時にQi+1が立ち下がる)ことである。二つ目は、上記シフトレジスタの走査方向を逆転させるための簡単な方法がないということである。上記シフトレジスタは、Qiの立ち下がりとQi+1の立ち上がりとの間の時間を制御するためには、それぞれの段の間に一つまたは複数の回路素子を追加しなければならない。上記シフトレジスタは、走査の方向を制御するためには、QiをDi−1およびDi+1の何れにも接続できるように複数のスイッチを含むことが必要である。このように回路素子およびスイッチを追加することによって、回路に必要とされる領域の面積が増大し、また、追加の複数の制御信号が必要となる(一般に、スイッチは、nチャンネルトランジスタとpチャンネルトランジスタとからなり、そのスイッチの導通を制御するための制御信号UDおよびその相補信号UDBの両方を必要とする)。特に、上記複数のスイッチおよびそれらに関連する配線は、同様な個数の論理トランジスタよりも、大きな物理的領域を占有するので、スイッチを取り除くことが望ましい。
米国特許第5,282,234号には、そのようなクロック発生器の例が開示されている。その例を図5に示す。この場合、シフトレジスタは、パルス同士でエッジが一致することを避けるための追加の素子(アナログスイッチ、ヒステリシスを有するインバータ、およびキャパシタ)を備える一連のフリップフロップ14と、伝達方向を制御するための一組のスイッチ16〜22とからなっている。
米国特許第6,377,099号には、このようなタイプのクロック発生器の他の例が開示されている。その例を図6に示す。この場合、フリップフロップ24はリセット・セット型(RSFF)であり、クロックの通過を制御するための追加のゲート26を備えている。ゲート26の出力が、次段のRSFF24i+1をセットし、前段のRSFF24i−1をリセットする。このシフトレジスタを双方向に動作させるためには、ゲート26iの出力を、RSFF24i−1のセット入力またはRSFF24i+1のセット入力に接続し、かつRSFF24i+1のリセット入力またはRSFF24i−1のリセット入力に接続するためのスイッチが必要とされる。
米国特許出願公開第2004/015061A1号には、別のタイプのシフトレジスタが開示されている。このシフトレジスタを図7に示す。このタイプのシフトレジスタは、縦続接続された複数のRSFF25からなるが、双方向動作のためのスイッチを必要としない。しかしながら、このシフトレジスタは、少なくとも3つのクロック信号を必要とし、また、それらの出力が重なり合うため、重なり合わない複数の出力パルスを生成するためのロジックおよび/または信号を追加する必要がある。クロックの追加によって、シフトレジスタを制御する回路がより複雑になり、また、シフトレジスタがディスプレイ基板上に形成されている場合にはディスプレイへの接続の数が増える。
上述したシフトレジスタは全て、シフトレジスタの一端に取り付けられたスタートパルス発生器によって活性化させられる。それらの走査の方向は、(i)クロックの開始点の選択と、クロックの順序の何れか一方の選択との組み合わせ、または(ii)追加の一つまたは複数の信号、によって制御される。
本発明の第一の態様によれば、n段(nは1より大きい)を備える多相パルス発生器であって、1≦i≦nを満たすiの全てについて第i段の各々は、第一の記憶素子を有する第一の副段(substage)と、第二の記憶素子を有する第二の副段とを備え、1<j≦nを満たすjの全てについて第j段の各々の第一の記憶素子は、第(j−1)段によってセットされるように構成されており、第i段の各々の第一の副段は、上記第一の記憶素子がセットされている間、段出力パルスを供給するように構成されており、第i段の各々の第二の記憶素子は、上記段出力パルスによってセットされるように構成されており、第i段の各々の第二の副段は、段出力パルスの後、上記第二の記憶素子がセットされている間、上記第一の記憶素子をリセット状態に保持するように構成されている多相パルス発生器が提供される。
nは、2より大きくてもよい。
上記第一の記憶素子は、リセット・オーバー・セット・フリップフロップ(reset-over-set flip flop)を備えていてもよい。
上記第二の記憶素子は、リセット・オーバー・セット・フリップフロップを備えていてもよい。
上記第一の副段は、上記第一の記憶素子に接続され、かつクロック入力とに接続された第一のゲート構成を備え、上記第一のゲート構成は、上記第一の記憶素子がセットされている間、上記クロック入力からのクロックパルスを上記段出力パルスとして通す(pass)ように構成されていてもよい。
上記第二の副段は、上記第二の記憶素子と上記第一の記憶素子のリセット入力との間に接続された第二のゲート構成を備え、上記第二のゲート構成は、上記段出力パルスの間、上記第一の記憶素子のリセットを禁止するように構成されていてもよい。
第j段の各々の上記第一の記憶素子のセット入力は、第(j−1)段の各々の上記第2の副段の出力に接続されていてもよい。それに代えて、第j段の各々の上記第一の記憶素子のセット入力は、第(j−1)段からの上記段出力パルスを受け取るように構成されていてもよい。
1≦k≦(n−a) (a≧1)を満たすkの全てについて第k段の各々の上記第一および第二の記憶素子は、第(k+a)段によってリセットされるように構成されていてもよい。第k段の上記第一の記憶素子および第二の記憶素子は、第(k+a)段(aは2以上)の上記段出力パルスによってリセットされるように構成されており、a≧2であってもよい。それに代えて、第k段の上記第一の記憶素子および第二の記憶素子は、第(k+a)段の上記第二の副段の出力によってリセットされるように構成されていてもよい。
第1段の上記第一の記憶素子は、第一のスタートパルスによってセットされるように構成されていてもよい。
1≦l≦nを満たすlの全てについて第l段の各々の上記第一の記憶素子は、第(l+1)段によってセットされるように構成されていてもよい。第n段の上記第一の記憶素子は、第二のスタートパルスによってセットされるように構成されていてもよい。
第l段の各々の上記第一の記憶素子のセット入力は、第(l+1)段の各々の第二の副段の出力に接続されていてもよい。それに代えて、第l段の各々の上記第一の記憶素子のセット入力は、第(l+1)段からの上記段出力パルスを受け取るように接続されていてもよい。
(b+1)<m≦n (b≧1)を満たすmの全てについて第m段の各々の上記第一の記憶素子および第二の記憶素子は、第(m−b)段によってリセットされるように構成されていてもよい。第m段の各々の上記第一の記憶素子および第二の記憶素子は、第(m−b)段の段出力パルスによってリセットされるように構成され、b≧2であってもよい。それに代えて、第m段の各々の上記第一の記憶素子および第二の記憶素子は、第(m−b)段の上記第二の副段の出力によってリセットされるように構成されていてもよい。
全ての段の上記第一の記憶素子および第二の記憶素子は、共通のリセット信号によってリセットされるように構成されていてもよい。
本発明の第二の態様によれば、本発明の第一の態様の多相パルス発生器を備えているデバイスが提供される。
上記デバイスは、ディスプレイを備えていてもよい。
上記デバイスは、アクティブマトリクスデバイスを備えていてもよい。
上記デバイスは、液晶デバイスを備えていてもよい。
したがって、本発明は、単一クロックを用いて動作させることが可能な多相パルス発生器を提供できる。また、双方向に動作可能で、かつ動作方向を制御するためのいかなる信号をも追加する必要がない多相パルス発生器を提供することができる。さらに、重なり合わない出力パルスを供給する多相パルス発生器を提供することができる。これにより、当該多相パルス発生器を制御する回路を比較的単純にでき、また、ディスプレイ基板上に当該多相パルス発生器を形成した実施形態においては、ディスプレイ基板への接続の数を減らすことができる。上記第二の副段は全体を論理回路で実現でき、段と段との間の接続の数を減らすことが可能である。それゆえ、上記多相パルス発生器は、その占有領域の面積が減少した構成にすることができる。
図1は、公知のタイプのアクティブマトリクスディスプレイを示す概略ブロック図である。
図2は、図1に示すディスプレイにおける典型的な走査ドライバの出力パルスを示す波形図である。
図3は、逆方向モードの動作のための、走査ドライバの出力パルスを示す波形図である。
図4は、走査ドライバ内に使用される公知のタイプのシフトレジスタを示す概略ブロック図である。
図5は、走査ドライバ内に使用される公知のタイプのシフトレジスタを示す概略ブロック図である。
図6は、走査ドライバ内に使用される公知のタイプのシフトレジスタを示す概略ブロック図である。
図7は、走査ドライバ内に使用される公知のタイプのシフトレジスタを示す概略ブロック図である。
図8は、本発明の実施形態に係る多相パルス発生器を示す概略ブロック図である。
図9は、図8に示す多相パルス発生器の段の一つを示す概略ブロック図である。
図10は、図8に示す多相パルス発生器の動作を示す波形図である。
図11は、図9に示す段の回路図である。
図12は、本発明の他の実施形態に係る多相パルス発生器を示す概略ブロック図である。
図13は、図12に示す多相パルス発生器の段の一つを示す概略ブロック図である。
図14は、図12に示す多相パルス発生器の動作を示す波形図である。
図15は、図13に示す段の回路図である。
図16は、本発明のさらに他の実施形態に係る多相パルス発生器の一つの段を示す概略ブロック図である。
第一の実施形態を図8および図9に示す。図8は、シフトレジスタの互いに隣接する段28,30,32の間の接続を示している。各段は、2つの入力IN1およびIN2と、クロック入力CKと、リセット入力RSTと、「ロック」出力LOCKと、主出力OUTとを備えている。第n段について説明すると、IN1は隣接する段のロック出力LOCKn+1に接続され、IN2は隣接する段のロック出力LOCKn−1に接続され、CKはシフトレジスタクロックCKに接続され、RSTはグローバルリセット信号RSTに接続され、LOCKは隣接する2つの段のIN1n−1およびIN1n+1の両方に接続され、OUTはシフトレジスタのn番目の出力OUTnに接続されている。
左端の段28および右端の段32の場合、入力の一つがスタートパルスを受け取るように接続されている。段28のIN1は左スタートパルスSTARTLを受け取るように接続され、段32のIN2は右スタートパルスSTARTRを受け取るように接続されている。
図9は、図8に示す複数の段のうちの一つの段を構成する構成要素を示している。第一の記憶素子が、リセット・オーバー・セット・フリップフロップ34(ROSFF:リセット入力上の活性(active)信号がセット入力上の活性信号に優先するRSFF)として具現化されている。第二の記憶素子は、RSFF36として具現化されている。入力IN1およびIN2はORゲート38の入力に接続されており、ORゲート38の出力はROSFF34のセット入力Sに接続されている。ROSFF34のQ出力はANDゲート40の一方の入力に接続されており、ANDゲート40の他方の入力はクロック入力CKに接続されている。ANDゲート40の出力は、当該段の出力OUTに接続されており、また、RSFF36のセット入力およびインバータ42の入力にも接続されている。RSFF36のQ出力およびインバータ42の出力は、ANDゲート44の入力に接続されている。ANDゲート44の出力は、ロック出力LOCKを形成しており、また、ORゲート39の第一の入力に接続されている。リセット入力RSTは、RSFF36のリセット入力に接続され、かつORゲート39の第二の入力に接続されている。ORゲート39の出力は、ROSFF34のリセット入力Rに接続されている。
図10は、「左から右」モードでのシフトレジスタの動作を示す。信号Qは、図9に示すノードQの信号を指す。Q信号およびLOCK信号の下付数字は、図8における段の符号を指す。
動作の開始時には、全てのROSFF34およびRSFF36が、それぞれのリセット状態、すなわちそれぞれのQ出力がロー(低)の状態、となっている。この状態は、リセット入力RSTをハイ状態まで上昇させ、それによってORゲート39の出力を上昇させ、その結果としてROSFF34およびRSFF36のR入力にハイ状態を付与することで、実現できる。
この動作を、図8に示す30のような中間の第n段に関して以下に説明する。入力IN1(ノードLOCKn+1に接続されている)および入力IN2(ノードLOCKn−1に接続されている)の一方がハイになったときに、第n段30のORゲート38の出力がハイとなり、第n段30のROSFF34がセットされる。これにより、第n段30が活性化させられる。ROSFF34がセットされると、そのQ出力がハイとなり、ANDゲート40の出力がANDゲート40の他の入力CKと同じ状態となる。クロックCKが立ち上がると、これが、ANDゲート40を通して出力OUTへ送られ、出力パルスOUTnを形成する。OUTがハイになると、インバータ42の出力がローにされ、これによってANDゲート44の出力がローにされ、それゆえLOCKがローのままとなる。加えて、OUTがハイになると、RSFF36がセットされ、そのQ出力がハイとなる。クロックCKが立ち下がると、ANDゲート40の出力も立ち下がり、OUTも立ち下がる。インバータ42の出力が立ち上がり、ANDゲート44の出力LOCKも立ち上がる。LOCKのハイ状態は、RSTが立ち上がるまで継続する。LOCKのハイ状態は、ROSFF34をリセットし、IN2がハイになったときにROSFF34が再セットされることを回避する。
動作モードは、「左から右」モードでは、左端の段28が前段のロック出力によってではなくSTARTLによって活性化させられ、「右から左」モードでは、右端の段32が前段のロック出力によってではなくSTARTRによって活性化させられることを除いて、「左から右」モードおよび「右から左」モードの両方において全ての段で同様である。
第一の記憶素子34は、当該段が活性状態である(つまりクロックパルスを通して出力へ送ることが可能にされている)間だけセットされ、第二の記憶素子36は、当該段が前もって活性状態にされている場合にはセットされたままとなることが分かる。
ブロック34,36,38,40,42,44は、いかなる標準的な方法でも実現できる。加えて、図11は、論理ゲート38,39,40,42,44のいくつかの論理機能がフリップフロップ34、36に組み込まれた第二の実施形態を示す。これにより、必要とされるトランジスタの数を少なくすることができる。
図11に示す回路は、pチャンネルトランジスタ46、48、50、52、64、68、74、76、78、84、および86と、nチャンネルトランジスタ54、56、58、60、62、66、70、72、73、80、82、88、および90と、インバータ92および96と、NANDゲート94とからなる。pチャンネルトランジスタ46、48、64、76、および84のソースはそれぞれ、ハイの基準電圧用の電源Vddに接続されており、nチャンネルトランジスタ56、58、62、66、70、72、80、82、88、および90のソースはそれぞれ、ローの基準電圧用の電源Vssに接続されている。インバータ92および96とNANDゲート94とは、同一の電源に内部で接続されている。
トランジスタ48および56のゲートは第一の入力IN1に接続され、トランジスタ50および58のゲートは第二の入力IN2に接続され、トランジスタ73および74のソースはクロック入力CKに接続され、トランジスタ64、66、84、および90のゲートはリセット入力RSTに接続され、トランジスタ72、73、および74のドレインとトランジスタ76および80のゲートとは出力OUTに接続されていると共にインバータ92の入力に接続され、インバータ96の出力は出力LOCKに接続されている。
トランジスタ46、54、66、68、および70のドレインは、互いに接続されていると共にトランジスタ52、60、および73のゲートに接続されており、トランジスタ56および58のドレインは、互いに接続されていると共にトランジスタ54のソースに接続されており、トランジスタ46、54、および62のゲートは、互いに接続されていると共に、インバータ96の入力に接続され、かつNANDゲート94の出力に接続されており、トランジスタ52および60のドレインは、互いに接続されていると共に、トランジスタ68、70、72、および74のゲートに接続されており、トランジスタ48のドレインはトランジスタ50のソースに接続されており、トランジスタ50のドレインはトランジスタ52のソースに接続されており、トランジスタ62のドレインはトランジスタ60のソースに接続されており、トランジスタ64のドレインはトランジスタ68のソースに接続されており、トランジスタ76のドレインはトランジスタ78のソースに接続されており、トランジスタ84のドレインはトランジスタ86のソースに接続されており、トランジスタ78、80、および82のドレインは、互いに接続されていると共にトランジスタ86および88のゲートに接続されており、トランジスタ86、88、および90のドレインは、互いに接続されていると共に、NANDゲート94の第二の入力に接続され、かつトランジスタ78および82のゲートに接続されており、インバータ92の出力はNANDゲート94の第一の入力に接続されている。
したがって、トランジスタ46〜70は、第一の記憶素子として動作し、IN1またはIN2の何れかのハイ状態によってセットされると共にRSTのハイ状態またはNANDゲート94の出力のロー状態によってリセットされることができる。トランジスタ52、60、68、および70は、1対の交差結合インバータであり、双安定系を形成し、セット状態またはリセット状態を記憶する。したがって、トランジスタ46〜70は、ROSFF34並びにORゲート38および39の機能を内蔵している。トランジスタ73、74、および72は、ANDゲート40の機能を果たす。トランジスタ78、82、86、および88は、双安定の1対の交差結合インバータを形成し、トランジスタ76〜90は、RSFF36の機能を果たす。
図12は、本発明の第三の実施形態に係る、3段シフトレジスタを示す。このシフトレジスタは、図8に示す段28、30、32に類似した段98、100、および102を備えている。接続も同様であるため、図8と図12との相違点のみに焦点を当てて説明を行う。ブロック98,100,102は、LOCK出力を有しておらず、その代わりにそれぞれの出力から隣接段の入力IN1および入力IN2への接続を有している。また、2つのクロックCK1およびCK2があり、CK1は奇数段のCK入力に接続され、CK2は偶数段のCK入力に接続されている。他の点では、図8および図12のシフトレジスタは同様である。
図13は、図12に示す複数の段のうちの一つの段を構成する構成要素を示している。この設計は、LOCK出力がないことを除いて図9に示す段の設計と同じであるため、説明を繰り返さない。
図14は、「左から右」モードでの上記シフトレジスタの動作を示している。この動作は、図10に示す動作と同様であるため、相違点のみに焦点を当てて説明を行う。2つのクロックは互い違いの(alternate)パルスを担持しており、「CK1 OR CK2」の論理結合は図10に示すCKと等しい。また、各段のQノードは、前段の出力LOCKではなく前段の出力OUTが立ち上がったときに立ち上がる。これは、前段に接続されたクロックの立ち下がりエッジではなく前段に接続されたクロックの立ち上がりエッジで起こる。
図15は、第四の実施形態を示す。この実施形態では、インバータ112およびANDゲート114の論理機能がROSFF104に組み込まれている。この設計は図11に示す設計と同様であるため、相違点のみについて説明する。トランジスタ46がトランジスタ148で置き換えられ、トランジスタ62がトランジスタ148で置き換えられている。論理ゲート92〜96が取り除かれ、トランジスタ78のドレインが、NANDゲート94の入力に接続される代わりにトランジスタ118および148のゲートに接続されている。追加のトランジスタ150が設けられており、トランジスタ150および148のソースが互いに接続されると共にトランジスタ150および148のドレインが互いに接続されるように、トランジスタ150はトランジスタ148と並列に接続されている。もう1つの追加のトランジスタ116が設けられており、トランジスタ116のソースがVDDに接続されると共にトランジスタ116のドレインがトランジスタ118のソースに接続されるように、トランジスタ116はトランジスタ118に直列に接続されている。トランジスタ116および150のゲートは、出力OUTに接続されている。
したがって、トランジスタ116〜154は、図13に示す、ROSFF104および論理ゲート108〜114の機能を果たす。
図11に示す段と比較すると、図15に示す段は、トランジスタの数が少ない点で有利であるが、クロック信号を追加する必要がある。
上述した論理機能が他の様々な形態で実施可能であることが、当業者にとって明らかであろう。
図16は、第五の実施形態を示す。この実施形態では、各段が、隣接する段から、グローバルリセット信号に加えて、リセット信号RST1およびRST2を受け取ることができる。上記段は、図9に示す段と同様であるため、相違点のみについて説明する。入力RST1およびRST2はORゲート158の入力に接続され、ORゲート158の出力はORゲート156の第二の入力に接続されている。グローバルリセット信号入力RSTはORゲート156の第一の入力に接続されている。ORゲート156の出力は、図9に示すRST入力と同様に接続されている。
段nの入力RST1およびRST2は、段(n+a)および段(n−b)(a,b≧2)の出力OUTに接続されていてもよく、段(n+c)および段(n−d)(c,d≧1)の出力LOCKに接続されていてもよい。隣接する段(n+1)および(n−1)の活性期間が終了すると、段nが活性化させられる可能性はなくなり、n段のLOCK信号をを非活性状態に戻すことができる。この実施形態によれば、シフトレジスタの各段が2つの出力パルス(クロックCKの単一パルスのコピー、およびより長いパルスであるLOCK)を生成することが可能となる。
前述したように、2つのORゲート156および158の論理機能を単一の3入力ORゲートに統合できること、これらの論理機能をフリップフロップに組み込めることは、当業者にとって明らかであろう。
さらに、前述した実施形態はどれも、単一方向で使用するなら、簡略化することができる。簡略化する場合、各段から第二の入力IN2を省略し、LOCK出力またはOUT出力を、前段ではなく後段の入力のみに接続する。簡略化する場合、図9および図13においては、IN1をROSFF34/104のS入力Sに直接接続し、ORゲート38/108を省略する。簡略化する場合、図11および図15においては、nトランジスタ58および144を取り除いてnトランジスタ58および144を開回路で置き換え、pトランジスタ50および122を取り除いてpトランジスタ50および122を短絡回路で置き換える。簡略化する場合、図16においては、第二のリセット入力RST2を省略し、ORゲート158を取り除いて、ORゲート158を、入力RST1とORゲート156の第二の入力との間に接続した短絡回路で置き換える。
本発明の実施形態に係る多相パルス発生器は、図1に示すタイプのアクティブマトリクスデバイス、例えば液晶デバイスなどに使用することができる。例えば、上記多相パルス発生器は、そのようなアクティブマトリクスデバイスの走査ドライバおよび/またはデータドライバ内の多相クロック発生器として使用できる。