JP4736203B2 - 樹脂封止型半導体装置および半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置および半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成形品にボイドがなく、かつYAGレーザーマーキング視認性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物と樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置は、従来、熱硬化型もしくはUV硬化型の特殊なインクで半導体デバイスの製造者、製造履歴等をマーキングしていたが、マーキングやその硬化に時間がかかり、更にそのインクの取扱も容易でないため、最近はレーザーマーキングを採用する電子部品メーカーが増加している。YAGまたは炭酸ガスのレーザー光の短時間照射によるエポキシ樹脂組成物の成形品表面へのマーキングは、インクによるマーキングよりも作業性に優れ、しかも短時間で終了するために、電子部品メーカーにとっては利点の多い方法である。
【0003】
しかし、従来のエポキシ樹脂組成物を用いて封止した半導体装置の表面にレーザーマーキングした場合は、マーキングした部分とマーキングしていない部分とのコントラストが不鮮明であり、しかも印字が黄色であるために、印字の読みとりが困難であった。
【0004】
炭酸ガスレーザーマーキングに関しては、既に効果的な着色剤が開発され、鮮明な印字が得られる樹脂組成物が上市されている。
【0005】
一方、YAGレーザーマーキングに関しては、例えば特開平2−127449号公報によると、「カーボン含有量が99.5重量%以上、水素含有量が0.3重量%以下であるカーボンブラック」が同目的に効果的であると記載されているが、カーボンブラックが揮散した後のマーキングコントラストが未だ不十分で、鮮明な印字は得られていない。さらに、特開2000−128960号公報では、DBP吸収量が80ml/100g以上で平均粒径が20nm以上のカーボンブラックとビフェニル型エポキシ樹脂を用いることで良好なレーザーマーキング性が得られるとされており実際その効果は認められるが、レーザーマーキング性と成形性、特に後述するボイド低減の両方の効果のある組成物は未だない。
【0006】
一方、近年の要求項目としての半田耐熱性の向上のために封止樹脂の吸水率を低減する必要があり、そのために無機充填剤の配合量を従来以上に増加させることが良く行われる。しかし、あまり無機充填剤を多く配合すると、結果として成形時に発生する気泡によって成形時にボイドが入りやすくなる傾向にある。そのため、発生するボイドを低減するために、粘度が高い樹脂を用いたり、無機充填剤の粒度分布を変更するなど、各種の手法が試みられた。ボイドの低減に効果のあるものとして、ポリエチレンオキサイドとポリプロピレンオキサイドのブロックコポリマーをシリコーン主鎖にグラフト又はブロック共重合させた構造のシリコーンオイルの挙げられる(特公平2−36148号公報)。しかし、この手法は現在の表面実装材に適用した場合、ボイド低減効果が十分には発現しなかった。さらに、これらのシリコーンオイルの添加によって、半田耐熱性の低下が引き起こされることも問題であった。また、樹脂組成物中の揮発成分の除去もボイド低減に有効な手段であることが示されているが(特公昭61−13862号公報、特公昭61−261316号公報)、無機充填剤を多く含む樹脂組成物では、揮発成分量を単に低減するだけではボイド低減の効果は十分ではなかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、成形品にボイドがなく、かつ優れたレーザーマーキング性を有するエポキシ樹脂組成物と、それを用いて封止したことによりボイドがなくレーザーマーキング視認性に優れる半導体装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明者らは、鋭意検討した結果、驚くべきことに、着色剤としてDBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラックと特定のエポキシ樹脂(ビスフェノールF型エポキシ樹脂)をともに用いた場合にボイド発生が少なく、かつ非常に優れたレーザーマーキング性(21ステップセンシティビティーガイドで4以上)が得られることを見出し、本課題の解決に至った。
【0009】
すなわち、本発明は主として次の構成からなる。すなわち、「エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、無機充填剤(C)および着色剤(D)を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂(A)として下記一般式(I)
【0010】
【化3】
Figure 0004736203
で表されるビスフェノールF型エポキシ樹脂(a1)、かつ着色剤(D)としてDBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラック(d)を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」である。
【0011】
本発明のこれを用いた半導体装置はボイド発生がなく、かつ優れたレーザーマーキング性を示し、鮮明なマーキングを得ることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の構成を詳述する。
【0013】
本発明におけるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および無機充填剤(C)および着色剤(D)を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂(A)として一般式(I)で表されるビスフェノールF型エポキシ樹脂(a1)と着色剤(D)としてDBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラック(d)を含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物である。
【0014】
本発明に用いるエポキシ樹脂(A)には一般式(I)で表されるビスフェノールF型エポキシ樹脂(a1)が必須成分として含まれる。このエポキシ樹脂を用いることで目的とするボイドがなく良好なレーザーマーキング性が得られるのである。
【0015】
【化4】
Figure 0004736203
ここで、一般式(I)中、R1〜R8は水素原子、ハロゲン原子または炭素数1〜4の低級アルキル基であり、同一であっても異なっていてもよい。好ましい具体例としては、4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシフェニル)メタン、2,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシフェニル)メタン、2,2’−ビス(2,3−エポキシプロポキシフェニル)メタン、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシフェニル)メタンなどが挙げられる。
【0016】
また、一般式(I)で表されるビスフェノールF型エポキシ樹脂(a1)はエポキシ樹脂(A)中に30重量%以上含まれることが好ましい。30重量%以上とすることにより良好なボイド低減効果、レーザーマーキング性が得られる。
【0017】
本発明に用いるエポキシ樹脂(A)には一般式(II)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(a2)が前記ビスフェノールF型エポキシ樹脂(a1)とともに含まれることが好ましい。このエポキシ樹脂(a2)を併用することで、さらに、目的とするボイドがなく、良好なレーザーマーキング性のエポキシ樹脂組成物硬化体が得られる。
【0018】
【化5】
Figure 0004736203
上記一般式(II)中、R1〜R8は水素原子、ハロゲン原子または炭素数1〜4の低級アルキル基であり、同一であっても異なっていてもよい。アルキル基の好ましい具体例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基などが挙げられる。
【0019】
本発明に用いられるエポキシ樹脂(A)は、上記(a1)、(a2)以外のエポキシ樹脂を併用してもよく、特にその種類については限定されない。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂およびハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。
【0020】
本発明におけるエポキシ樹脂(A)の配合量は樹脂組成物全体に対して、1.5〜15重量%である。
【0021】
本発明には、エポキシ樹脂(A)を硬化させるために硬化剤(B)が用いられるが、特にその種類は限定されない。例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビスフェノールAやレゾルシンから合成される各種ノボラック樹脂、多価フェノール類、無水マレイン酸、無水フタル酸などの酸無水物、およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族ジアミンなどが挙げられ、中でもフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好適に用いられる。
【0022】
本発明における硬化剤(B)の配合量は樹脂組成物全体に対して、1.5〜15重量%である。さらには、エポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)の配合比は、機械的性質等の点から、エポキシ樹脂(A)に対する硬化剤(B)の化学当量比が0.5〜2.0、特に0.6〜1.5の範囲にあることが好ましい。
【0023】
また、本発明には無機充填剤(C)が含まれる。無機充填剤としては具体例には、非晶性シリカ(溶融シリカ)、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、酸化マグネシウム、ジルコニア、ジルコン、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベスト、ガラス繊維などが挙げられる。好ましくはシリカ、アルミナ、ジルコニアであり、より好ましくはシリカである。無機充填剤としてこれらを単独でも2種類以上併用してもかまわない。これら無機充填剤の形状については特に限定せず、球状、破砕状、繊維状などを挙げることができるが、球状がより好ましい。形状の異なる無機充填剤の併用でもかまわない。また、無機充填剤の平均粒径は特に限定されないが、0.1〜40μmが好ましい。
【0024】
本発明において、無機充填剤(C)の配合量は特に限定されないが、樹脂組成物全体の75〜97重量%、好ましくは80〜97重量%である。
【0025】
本発明には、着色剤(D)としてDBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラック(d)が用いられる。カーボンブラックのDBP吸収量は以下の方法で求められる。すなわち、150±1℃で1時間乾燥した試料20gをアブソープトメーターの混合室に投入し、予めリミットスイッチを所定の位置に設定した混合室の回転機を回転する。同時に、自動ビュレットからDBP(ジブチルフタレート;比重1.045〜1.050)を4ml/分の割合で添加し始める。終点近くになるとトルクが急速に増加してリミットスイッチが切れる。それまでに添加したDBP量(cm3)よりDBP吸収量(cm3/100g)を次式により求める。
DBP吸収量=DBP量/試料量×100
【0026】
DBP吸収量が100cm3/100g未満のカーボンブラックでは満足なレーザーマーキング性が得られず、さらにボイド低減に大きな効果を発揮しない。100cm3/100g以上のカーボンブラック(d)を用いることにより、満足なレーザーマーキング性が得られ、ボイド低減に効果を発揮するのである。100cm3/100g以上のものであればこれらに対し十分な効果が得られるが、より十分な効果を得るためにはDBP吸収量が110cm3/100g以上のカーボンブラック、さらに好ましくはDBP吸収量が120cm3/100g以上のカーボンブラックを用いるのがよい。
【0027】
本発明においてカーボンブラック(d)の平均粒径、比表面積やpHは、DBP吸収量が100cm3/100g以上であれば特に限定されない。カーボンブラック(d)のDBP吸収量は100cm3/100g以上であればレーザーマーキング性向上やボイド低減に有効であるが、好ましくは110cm3/100g以上、より好ましくは120cm3/100g以上がさらに有効である。
【0028】
また、カーボンブラック(d)の樹脂組成物全体に対する配合量は特に限定されない。通常、その配合量は0.05〜3.0重量%であるが、ボイド発生がなく、かつより良いレーザーマーキング性を得るためには、好ましくは0.1〜2.0重量%、より好ましくは0.2〜1.0重量%がよい。
【0029】
そしてカーボンブラック(d)としては熱分解法、不完全燃焼法等の公知の方法で製造されるいずれのカーボンブラックでもよく、DBP吸収量が100cm3/100g以上であればその製造方法には特に限定されない。
【0030】
本発明にはエポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進する硬化促進剤を用いてもよい。硬化促進剤はエポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進するものであればその種類は特に限定されない。具体的には、各種イミダゾール化合物、各種アミン化合物、各種有機金属化合物、各種有機ホスフィン化合物などが好ましく用いられる。これらの硬化促進剤は用途に応じて2種類以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂(A)100重量部に対して0.1〜10重量部の範囲が望ましい。
【0031】
さらに本発明には、エラストマ、各種カップリング剤、ハロゲン化エポキシ樹脂などのハロゲン化物やリンなどの難燃剤、アンチモン化合物などの難燃助剤、カーボンブラック以外の各種着色剤、長鎖脂肪酸アミドなどの各種離型剤など、各種添加剤を任意に配合できる。
【0032】
本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法としては、溶融混練することが好ましい。例えば、バンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練後、固化、粉砕し、必要に応じてタブレット化またはペレット化することにより製造される。
【0033】
そして、これらタブレット、ペレットや粉末状の樹脂組成物を用いて、例えばトランスファ成形などの公知の成形手段によって半導体素子を封止することにより半導体装置が得られる。このようにして得られた半導体装置は、これまで述べてきたように半導体素子を封止した硬化体にボイドが少なく、レーザーマーキング性に優れた半導体装置である。
【0034】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【0035】
[実施例1〜10、14、17〜19、参考例11〜13、15、16、比較例1〜6]
<エポキシ樹脂組成物の調製>表1に示した原料を、表2〜4に示した組成比(重量比)で配合し、ミキサーによりブレンドした。これらの混合物を2軸押出機を用いて90℃で溶融混練したのち、冷却、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
【0036】
【表1】
Figure 0004736203
【0037】
【表2】
Figure 0004736203
【0038】
【表3】
Figure 0004736203
【0039】
【表4】
Figure 0004736203
【0040】
<評価用サンプルの作成>
樹脂組成物の粉末をタブレット状に圧縮成形したのち(タブレットの充填率が95.0〜98.5%)、トランスファ成形機を用いて160ピンQFP(Quad Flat Package)(外形寸法:24mm×24mm×3.4mmt)を成形温度175℃、注入時間7秒、成形圧力9.8MPa、成形時間2分の条件で成形し、さらにこれを175℃、10時間の条件で後硬化させ半導体装置を得た。
【0041】
<レーザーマーキング視認性の評価>
得られた半導体装置の硬化体表面に(株)キーエンス製YAGレーザー”マーカー MY9500”を用いてレーザー波長1.06μm、レーザー出力14A(アンペア)で、字幅0.9mm、字の太さ0.1mmでマーキングした。
【0042】
視認性の評価はSTOUFFER GRAPHIC ARTS EQUIPMENT CO.製の21ステップセンシティビティーガイド(1〜21の黒味の異なるフィルムによる視認性の評価。数字が大きいほど視認性が良い。光学濃度Dはステップ1で0.05、ステップ2で0.20、ステップ3で0.35、ステップ4で0.49、ステップ5で0.64、ステップ6で0.79、ステップ7で0.93、以下ステップ21まで続く。ここで光学濃度Dは、入射光強度をI0(mJ/cm2)、透過または反射光の強度をI(mJ/cm2)とすると式(III)のように定義される。
光学濃度D=log10(I0/I) ・・・(III)
)を用いて行った。
【0043】
半導体装置の硬化体表面の印字部分に21ステップセンシティビティーガイドを合わせるように載せ、印字部分が読めなくなる時の21ステップセンシティビティーガイドの指示値を測定した。
【0044】
<ボイドの評価>
外部ボイド:160pinQFPを16個、上記条件で成形し、パッケージ表面にある外部ボイドの数を光学顕微鏡(倍率は10倍)観察した。観察された外部ボイドの合計数(16個のパッケージでの合計数)により、次の5段階で評価した。
A: 0〜 1(個/16パッケージ)
B: 2〜 5(個/16パッケージ)
C: 6〜10(個/16パッケージ)
D:11〜15(個/16パッケージ)
E:16以上(個/16パッケージ)
【0045】
内部ボイド:160pinQFPを4個を上記条件で成形し、パッケージ内部にある内部ボイドを超音波探傷機により観察した。各パッケージで観察された内部ボイドの数(個/パッケージ)の平均値により、次の5段階で評価した。
A: 0〜10(個/パッケージ)
B:11〜20(個/パッケージ)
C:21〜30(個/パッケージ)
D:31〜40(個/パッケージ)
E:41以上(個/パッケージ)
【0046】
<評価結果>
評価結果を表5に示す。
【0047】
【表5】
Figure 0004736203
【0048】
表5の実施例1〜19にみられるように、DBP吸収量が100cm3/100g以上のカーボンブラックとビスフェノールF型エポキシ樹脂をともに用いたエポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置はボイド発生が少なく、かつレーザーマーキング視認性に優れていることがわかる。一方、比較例1〜6にみられるように、DBP吸収量が100cm3/100g未満のカーボンブラックを用いたエポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置やビスフェノールF型エポキシ樹脂を用いないエポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置はボイド発生が多く、レーザーマーキング視認性にも劣っている。
【0049】
【発明の効果】
本発明は、成形品にボイドがなく、かつYAGレーザーマーキング性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて封止した半導体装置を提供することができる。

Claims (5)

  1. エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、無機充填剤(C)および着色剤(D)を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、無機充填剤(C)が非晶性シリカ、溶融シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、酸化マグネシウム、ジルコニア、ジルコン、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベスト、又はガラス繊維であり、無機充填剤(C)の配合量が75〜87重量%であり、エポキシ樹脂(A)として下記一般式(I)で表されるビスフェノールF型エポキシ樹脂(a1)、かつ着色剤(D)としてDBP吸収量が140cm3/100g以上で175cm 3 /100g以下であるカーボンブラック(d)を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    Figure 0004736203
  2. エポキシ樹脂(A)中に一般式(I)で表されるビスフェノールF型エポキシ樹脂(a1)が30重量%以上含まれることを特徴とする請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  3. エポキシ樹脂(A)として、一般式(I)で表されるビスフェノールF型エポキシ樹脂(a1)と下記一般式(II)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(a2)をともに含有することを特徴とする請求項1または2いずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    Figure 0004736203
  4. 印字部分のマーキング視認性が21ステップセンシティビティーガイドを用いた評価で以上となることを特徴とする請求項1〜3いずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  5. 請求項1〜4いずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止してなる樹脂封止型半導体装置。
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