JP2004091597A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高温下でも変色することなく、CO2レーザーで鮮明な印字を得ることができる耐熱性に優れた特性を有する黄色着色剤を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤及び(E)α変態の含水酸化鉄[FeO(OH)]を主成分とし、かつ325メッシュ篩い残分が1重量%未満の着色用酸化鉄を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、全エポキシ樹脂組成物中に無機充填材(C)を65〜92重量%、着色用酸化鉄(E)を0.1〜1重量%含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤及び(E)α変態の含水酸化鉄[FeO(OH)]を主成分とし、かつ325メッシュ篩い残分が1重量%未満の着色用酸化鉄を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、全エポキシ樹脂組成物中に無機充填材(C)を65〜92重量%、着色用酸化鉄(E)を0.1〜1重量%含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置は内部の半導体素子の遮蔽ために、主にカーボンブラックを含んだ黒色のエポキシ樹脂組成物で封止されている。そして半導体装置に製造番号、型式等の情報を印字するため、半導体装置メーカーでは、半導体の種類によりYAGレーザーやCO2レーザー等が使用されている。YAGレーザーではコントラストの問題はないが、CO2レーザーで印字すると印字部に硬化した樹脂成分が残存している。この樹脂成分の外観が限りなく非印字部の黒色の外観に近づき、印字部の輪郭が不鮮明になる問題がある。
更に、最近の無鉛半田化に伴い半田処理時等、半導体装置がより高温にさらされるようになってきている。しかしながら、CO2レーザー対応の既存の黄色着色剤は耐熱性が不十分で高温下で変色し、マーキングが不鮮明となるおそれがある。このため耐熱性に優れ、鮮明な印字を得ることのできるカーボンブラック以外の着色剤を含むエポキシ樹脂組成物の開発が強く望まれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、高温下でも変色することなく、CO2レーザーで鮮明な印字を得ることができる耐熱性に優れた特性を有する黄色着色剤を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤及び(E)α変態の含水酸化鉄[FeO(OH)]を主成分とし、かつ325メッシュ篩い残分が1重量%未満の着色用酸化鉄を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、全エポキシ樹脂組成物中に無機充填材(C)を65〜92重量%、着色用酸化鉄(E)を0.1〜1重量%含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[2] 第[1]項記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする黄色半導体装置、
である。
【0005】
【発明の実施の形態】
本発明に用いるエポキシ樹脂は、分子中にエポキシ基を有するものであれば特に限定しないが、例えばオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。エポキシ樹脂組成物の硬化性のためには、エポキシ当量は150〜300が望ましい。
【0006】
本発明に用いるフェノール樹脂は、分子中にフェノール性水酸基を有するのもであれば特に限定しないが、例えばフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、テルペン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。エポキシ樹脂組成物の硬化性のためには、水酸基当量は80〜250が望ましい。
【0007】
本発明に用いる無機充填材としては、特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。例えば溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられる。これらの無機充填材の製法や粒度分布等については、特に限定するものではないが、成形時の金型の細部への充填性の点から、最大粒径は150μm以下のものが好ましい。無機充填材の含有量としては、全エポキシ樹脂組成物中に65〜92重量%が好ましく、65重量%未満だとエポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が高くなるため、耐半田性や耐湿性等の特性が不充分となるので好ましくない。又92重量%を越えると、流動性が不充分となるので好ましくない。
【0008】
本発明に用いる硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基の反応を促進するものであればよく、一般に封止材料に使用されているものを利用することができる。例えば1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリフェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミン、2−メチルイミダゾール等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
【0009】
本発明に用いる着色用酸化鉄は、α変態の含水酸化鉄[FeO(OH)]を主成分とし、325メッシュ篩い残分が1重量%未満で、その外観は黄色である。325メッシュ篩い残分が1重量%以上だとエポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、ワイヤー流れ、充填不良等が生じる。着色用酸化鉄の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中に0.1〜1重量%であり、0.1重量%未満だとエポキシ樹脂組成物の硬化物の着色が不足し、硬化物自体の外観が淡い黄色になる。又高温下では硬化した樹脂成分の色の変化による影響が半導体装置の表面に現れ、1重量%を越えるとエポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、ワイヤー流れ、充填不良等が生じる。
【0010】
本発明のエポキシ樹脂組成物には、(A)〜(E)成分の他、必要に応じてカップリング剤、難燃剤、離型剤、低応力剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(E)成分及びその他の添加剤等をミキサー等で均一に常温混合した後、加熱ロール又はニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すればよい。
【0011】
【実施例】
以下、本発明を実施例で具体的に説明する。配合割合は重量部とする。
をミキサーで常温混合し、80〜100℃の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。
【0012】
評価方法
スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じた金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、保圧時間120秒で測定した。単位はcm。スパイラルフロー判定の基準は、60cm未満を不合格、60cm以上を合格とした。
外観:低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間70秒で80pQFP(14×20×2.0mm厚)を成形し12個のパッケージを得た。この外観をパッケージの外観という。このパッケージの高温下での変色は、175℃で7時間のポストモールドキュアを行い、更に235℃のIRリフローに3回通した後、CO2レーザーで印字されたものを目視で行った。IRリフロー処理した後の外観をIRリフロー後の外観という。ワイヤー流れ:低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、保圧時間90秒でテスト用素子に径25μmの金線を施した144pTQFPを作製。最大流れが5%以内を合格とした。
【0013】
実施例2〜5、比較例1〜3
実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例1と同様にして
評価した。結果を表1、表2に示す。比較例2の着色用酸化鉄Bは、α変態の
含水酸化鉄(含有量89重量%)で、325メッシュ篩い残分2重量%。
【0014】
【表1】
【0015】
【表2】
【0016】
【発明の効果】
本発明の耐熱性に優れた特性を有するエポキシ樹脂組成物を用いることにより、高温下においても外観の変色がなく、CO2レーザーでの鮮明な印字を維持できる半導体装置を得ることができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置は内部の半導体素子の遮蔽ために、主にカーボンブラックを含んだ黒色のエポキシ樹脂組成物で封止されている。そして半導体装置に製造番号、型式等の情報を印字するため、半導体装置メーカーでは、半導体の種類によりYAGレーザーやCO2レーザー等が使用されている。YAGレーザーではコントラストの問題はないが、CO2レーザーで印字すると印字部に硬化した樹脂成分が残存している。この樹脂成分の外観が限りなく非印字部の黒色の外観に近づき、印字部の輪郭が不鮮明になる問題がある。
更に、最近の無鉛半田化に伴い半田処理時等、半導体装置がより高温にさらされるようになってきている。しかしながら、CO2レーザー対応の既存の黄色着色剤は耐熱性が不十分で高温下で変色し、マーキングが不鮮明となるおそれがある。このため耐熱性に優れ、鮮明な印字を得ることのできるカーボンブラック以外の着色剤を含むエポキシ樹脂組成物の開発が強く望まれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、高温下でも変色することなく、CO2レーザーで鮮明な印字を得ることができる耐熱性に優れた特性を有する黄色着色剤を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤及び(E)α変態の含水酸化鉄[FeO(OH)]を主成分とし、かつ325メッシュ篩い残分が1重量%未満の着色用酸化鉄を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、全エポキシ樹脂組成物中に無機充填材(C)を65〜92重量%、着色用酸化鉄(E)を0.1〜1重量%含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[2] 第[1]項記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする黄色半導体装置、
である。
【0005】
【発明の実施の形態】
本発明に用いるエポキシ樹脂は、分子中にエポキシ基を有するものであれば特に限定しないが、例えばオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。エポキシ樹脂組成物の硬化性のためには、エポキシ当量は150〜300が望ましい。
【0006】
本発明に用いるフェノール樹脂は、分子中にフェノール性水酸基を有するのもであれば特に限定しないが、例えばフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、テルペン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。エポキシ樹脂組成物の硬化性のためには、水酸基当量は80〜250が望ましい。
【0007】
本発明に用いる無機充填材としては、特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。例えば溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられる。これらの無機充填材の製法や粒度分布等については、特に限定するものではないが、成形時の金型の細部への充填性の点から、最大粒径は150μm以下のものが好ましい。無機充填材の含有量としては、全エポキシ樹脂組成物中に65〜92重量%が好ましく、65重量%未満だとエポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が高くなるため、耐半田性や耐湿性等の特性が不充分となるので好ましくない。又92重量%を越えると、流動性が不充分となるので好ましくない。
【0008】
本発明に用いる硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基の反応を促進するものであればよく、一般に封止材料に使用されているものを利用することができる。例えば1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリフェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミン、2−メチルイミダゾール等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
【0009】
本発明に用いる着色用酸化鉄は、α変態の含水酸化鉄[FeO(OH)]を主成分とし、325メッシュ篩い残分が1重量%未満で、その外観は黄色である。325メッシュ篩い残分が1重量%以上だとエポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、ワイヤー流れ、充填不良等が生じる。着色用酸化鉄の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中に0.1〜1重量%であり、0.1重量%未満だとエポキシ樹脂組成物の硬化物の着色が不足し、硬化物自体の外観が淡い黄色になる。又高温下では硬化した樹脂成分の色の変化による影響が半導体装置の表面に現れ、1重量%を越えるとエポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、ワイヤー流れ、充填不良等が生じる。
【0010】
本発明のエポキシ樹脂組成物には、(A)〜(E)成分の他、必要に応じてカップリング剤、難燃剤、離型剤、低応力剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(E)成分及びその他の添加剤等をミキサー等で均一に常温混合した後、加熱ロール又はニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すればよい。
【0011】
【実施例】
以下、本発明を実施例で具体的に説明する。配合割合は重量部とする。
をミキサーで常温混合し、80〜100℃の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。
【0012】
評価方法
スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じた金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、保圧時間120秒で測定した。単位はcm。スパイラルフロー判定の基準は、60cm未満を不合格、60cm以上を合格とした。
外観:低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間70秒で80pQFP(14×20×2.0mm厚)を成形し12個のパッケージを得た。この外観をパッケージの外観という。このパッケージの高温下での変色は、175℃で7時間のポストモールドキュアを行い、更に235℃のIRリフローに3回通した後、CO2レーザーで印字されたものを目視で行った。IRリフロー処理した後の外観をIRリフロー後の外観という。ワイヤー流れ:低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、保圧時間90秒でテスト用素子に径25μmの金線を施した144pTQFPを作製。最大流れが5%以内を合格とした。
【0013】
実施例2〜5、比較例1〜3
実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例1と同様にして
評価した。結果を表1、表2に示す。比較例2の着色用酸化鉄Bは、α変態の
含水酸化鉄(含有量89重量%)で、325メッシュ篩い残分2重量%。
【0014】
【表1】
【0015】
【表2】
【0016】
【発明の効果】
本発明の耐熱性に優れた特性を有するエポキシ樹脂組成物を用いることにより、高温下においても外観の変色がなく、CO2レーザーでの鮮明な印字を維持できる半導体装置を得ることができる。
Claims (2)
- (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤及び(E)α変態の含水酸化鉄[FeO(OH)]を主成分とし、かつ325メッシュ篩い残分が1重量%未満の着色用酸化鉄を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、全エポキシ樹脂組成物中に無機充填材(C)を65〜92重量%、着色用酸化鉄(E)を0.1〜1重量%含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする黄色半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002253303A JP2004091597A (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002253303A JP2004091597A (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004091597A true JP2004091597A (ja) | 2004-03-25 |
Family
ID=32059342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002253303A Pending JP2004091597A (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004091597A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007291241A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物と半導体装置 |
JP2008038145A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-02-21 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
-
2002
- 2002-08-30 JP JP2002253303A patent/JP2004091597A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007291241A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物と半導体装置 |
JP4572866B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2010-11-04 | パナソニック電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物と半導体装置 |
JP2008038145A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-02-21 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
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Effective date: 20050630 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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Effective date: 20070410 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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