JP4731135B2 - 微細パターン形成材料を用いた電子デバイス装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、基材上にレジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてパラヒドロキシスチレン樹脂から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:AZ−DX5240P、クラリアント製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドから構成されたi線レジスト(商品名:PFI−58、住友化学製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてパラヒドロキシスチレン樹脂から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:AZ−DX5240P、クラリアント製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。まず、前記レジストを、Siウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト(商品名:TArF−P7052、東京応化工業社製)を用い、レジストパターンを形成した。
Claims (7)
- 基材上に、アニオン性基を有する有機化合物を主成分とする第1のレジストを用いて第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンの上にカチオン性基を有する水溶性有機化合物を主成分とする組成物と、前記組成物を溶解する、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有する微細パターン形成材料により第2の層を形成する工程と、
前記第1のレジストパターンに接する前記第2の層の部分に前記カチオン性基と前記アニオン性基との塩形成による不溶化膜を形成する処理工程と、
前記第2の層の可溶部分を剥離して第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンをマスクとして前記基材をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする、電子デバイス装置の製造方法。 - 前記微細パターン形成材料の前記水溶性有機化合物は、前記水溶性有機化合物中の前記カチオン性基が、前記第1のレジストパターン中の前記アニオン性基と塩を形成して不溶化膜を形成可能なものであることを特徴とする、請求項1に記載の電子デバイス装置の製造方法。
- 前記組成物が、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル、ポリエチレンオキシドまたはスチレン−無水マレイン酸共重合体のうち少なくとも1種類の非カチオン性有機化合物を副成分として含有することを特徴とする、請求項1または2に記載の電子デバイス装置の製造方法。
- 基材上に、アニオン性基を有する有機化合物を主成分とする第1のレジストを用いて第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンの上にカチオン性基を有する水溶性有機化合物を主成分とする組成物と、前記組成物を溶解する、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有する微細パターン形成材料により第2の層を形成する工程と、
前記第1のレジスト中に前記第2の層に含有されるカチオン性樹脂が拡散し、前記カチオン性基と前記アニオン性基との塩形成による不溶化膜を形成し、前記第1のレジストを膨張させる処理工程と、
前記第2の層の可溶部分を剥離して第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンをマスクとして前記基材をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする、電子デバイス装置の製造方法。 - 前記微細パターン形成材料の前記水溶性有機化合物は、前記水溶性有機化合物中の前記カチオン性基が、前記第1のレジストパターン中の前記アニオン性基と塩を形成して不溶化膜を形成可能なものであることを特徴とする、請求項4に記載の電子デバイス装置の製造方法。
- 前記組成物が、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル、ポリエチレンオキシドまたはスチレン−無水マレイン酸共重合体のうち少なくとも1種類の非カチオン性有機化合物を副成分として含有することを特徴とする、請求項4または5に記載の電子デバイス装置の製造方法。
- 前記第1のレジストとして、アクリル基およびその誘導体を含有するレジストを用いることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の電子デバイス装置の製造方法。
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