JP4728309B2 - 有機電界発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
基板10上にバッファー層11が形成されて、バッファー層11上にソース及びドレイン領域12a及び12bとチャンネル領域12cを提供する半導体層12が形成される。半導体層12上部にはゲート絶縁膜13によって半導体層12と絶縁されるゲート電極14が形成されて、ゲート電極14を含む全体上部面にはソース及びドレイン領域12a及び12bが露出されるようにコンタクトホールが形成された層間絶縁膜15が形成される。
本発明の目的は上述の目的等に制限されず、言及されなかったまた他の目的等は下記記載より当業者にとって明確に理解されるであろう。
図2は、本発明の一実施例によるフォトダイオードを具備する有機電界発光装置を説明するための断面図である。
図3aに図示されるように、一般的にフォトダイオードの半導体層130aは、基板100、反射膜110及びバッファー層120上に形成され、ポリシリコンで構成される。半導体層130aは、高濃度Pドーピング領域131、真性領域133、高濃度Nドーピング領域132で形成される。このような一般的なPIN構造のフォトダイオードの場合に電子−ホール対(Electron−Hole Pair)が半導体層の中央部である真性領域133で主に発生する。
図3bで図示されるように、フォトダイオードの半導体層130aは、基板100、反射膜110及びバッファー層120上に形成されて、ポリシリコンで構成される。半導体層130aは高濃度Pドーピング領域131、真性領域133、高濃度Nドーピング領域132で形成されて、このような半導体層上にゲート絶縁膜140及び層間絶縁膜160が形成される。
図3cに図示されたように単位体積1cm3あたりディフェクトの密度が増加すれば、光による導電率が増加することを実験を通じて分かる。本発明の一実施例では意図的に乾式エッチングをすることで、真性領域133に欠陷を増大させて光による電子−ホール対生成の増大を誘導する。
図4aを参照すれば、基板100上にAg、Mo、Ti、Al、Niなどの金属をスパッタリング(sputtering)方法などで蒸着した後、所定のマスクを利用した露光及び現象工程でパターニングして所定部分に反射膜110を形成する。反射膜110を形成するための金属は、光を反射させることができる程度の厚さ、例えば、100ないし5000Åの厚さで蒸着する。
11、120 バッファー層
12、130a、130b 半導体層
12a、134 ソース領域
12b、135 ドレイン領域
12c、136 チャンネル領域
13、140 ゲート絶縁膜
14、150 ゲート電極
15、160 層間絶縁膜
16a、170a ソース電極
16b、170b ドレイン電極
131 高濃度Pドーピング領域
132 高濃度Nドーピング領域
133 真性領域
Claims (6)
- 基板上に形成されて、ゲート、ソース及びドレインを含むトランジスターと連結されて、第1電極、有機薄膜層及び第2電極を含む有機電界発光ダイオードと、
前記基板上に形成されて、高濃度Pドーピング領域、絶縁膜が除去されて露出し、欠陷が形成された真性領域及び高濃度Nドーピング領域が接合された半導体層を持つフォトダイオードと、
前記フォトダイオードから出力される電圧によって前記第1電極及び前記第2電極に印加される電圧を調節することで、前記有機電界発光ダイオードから放出される光の輝度を一定に調節する制御部と、を含み、
前記フォトダイオード及び装置全体の小型化を図るために、前記基板上面と前記フォトダイオードの下面との間で形成されて、外部から入射される光を前記フォトダイオードへ反射させる反射膜をさらに含むことを特徴とする有機電界発光装置。 - 前記反射膜が、Ag、Mo、Ti、Al及びNiを含む群より選択された一つで形成されることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光装置。
- 前記反射膜が、100ないし5000Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光装置。
- 基板上面に形成されたバッファー層上に第1半導体層及び第2半導体層を形成する段階と、
前記第1半導体層に高濃度Pドーピング領域、真性領域及び高濃度Nドーピング領域を具備したフォトダイオードを形成し、
前記第2半導体層にソース及びドレイン領域とチャンネル領域を形成する段階と、
前記第1及び第2半導体層を含む全体面上にゲート絶縁膜を形成した後、前記チャンネル領域の上面に位置した前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜とゲート絶縁膜を乾式エッチング方法でパターニングして前記真性領域を露出させて欠陥を生じさせると共に、前記ソース及びドレイン領域、前記高濃度Pドーピング領域及び前記高濃度Nドーピング領域を露出させてコンタクトホールを形成し、さらに該コンタクトホールを通じて前記高濃度Pドーピング領域及び高濃度Nドーピング領域がそれぞれ連結される電極を形成する段階と、
前記乾式エッチング方式でパターニングして前記第2半導体層のソース及びドレイン領域が露出されたコンタクトホールを通じてソース及びドレイン領域と連結されるようにソース及びドレイン電極を形成し、これらソース又はドレイン電極と連結されるアノード電極、有機薄膜層及びカソード電極で構成される有機発光ダイオードを形成する段階と、を含み、
前記フォトダイオード及び装置全体の小型化を図るために、前記基板上面と前記フォトダイオードの下面との間に反射膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする有機電界発光装置の製造方法。 - 前記反射膜をAg、Mo、Ti、Al及びNiを含む群より選択された一つで形成することを特徴とする請求項4記載の有機電界発光装置の製造方法。
- 前記反射膜を100ないし5000Åの厚さで形成することを特徴とする請求項4記載の有機電界発光装置の製造方法。
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