JP4712813B2 - Cmpスラリー用の補助剤 - Google Patents
Cmpスラリー用の補助剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4712813B2 JP4712813B2 JP2007542929A JP2007542929A JP4712813B2 JP 4712813 B2 JP4712813 B2 JP 4712813B2 JP 2007542929 A JP2007542929 A JP 2007542929A JP 2007542929 A JP2007542929 A JP 2007542929A JP 4712813 B2 JP4712813 B2 JP 4712813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- auxiliary agent
- group
- polymer electrolyte
- ethylenically unsaturated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims description 81
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 title claims 3
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 claims description 67
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 63
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 49
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims description 47
- 239000002801 charged material Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 29
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 26
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 23
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 claims description 12
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 11
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 10
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 hydroxyalkyl methacrylate Chemical compound 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- AQKYLAIZOGOPAW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-yl 2,2-dimethylpropaneperoxoate Chemical compound CCC(C)(C)OOC(=O)C(C)(C)C AQKYLAIZOGOPAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 8
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 7
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- UIERETOOQGIECD-UHFFFAOYSA-N Angelic acid Natural products CC=C(C)C(O)=O UIERETOOQGIECD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 5
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 5
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- UIERETOOQGIECD-ONEGZZNKSA-N tiglic acid Chemical compound C\C=C(/C)C(O)=O UIERETOOQGIECD-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 5
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 4
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 229920000831 ionic polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 3
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229950010765 pivalate Drugs 0.000 description 2
- IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N pivalic acid Chemical compound CC(C)(C)C(O)=O IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZOKCNEIWFQCSCM-UHFFFAOYSA-N (2-methyl-4-phenylpent-4-en-2-yl)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)CC(=C)C1=CC=CC=C1 ZOKCNEIWFQCSCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 1-dodecylperoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOOCCCCCCCCCCCC LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2,2'-azo-bis-isobutyronitrile Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEVADDDOVGMCSI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybutyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCC(O)COC(=O)C(C)=C IEVADDDOVGMCSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTEZVHMDMFEURJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentan-2-yl 2,2-dimethylpropaneperoxoate Chemical compound CCCC(C)(C)OOC(=O)C(C)(C)C RTEZVHMDMFEURJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCO GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000012066 reaction slurry Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- NMOALOSNPWTWRH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 7,7-dimethyloctaneperoxoate Chemical compound CC(C)(C)CCCCCC(=O)OOC(C)(C)C NMOALOSNPWTWRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本発明は、研磨に際し、重量平均分子量が1,000〜20,000であり、負電荷を帯びるグラフト型の高分子電解質を用いて研磨粒子などの粒子の凝集を極力抑えると共に、正電荷を帯びる材料の構造物が研磨されることを効率よく抑えることを特徴とする。
実施例1.CMPスラリー用の添加剤の製造
(マクロ単量体の製造)
攪拌器、温度計、窒素ガス導入管及びコンデンサー付き500mLの4口フラスコにイソプロピルアルコール75重量部を入れた後、リフラックス温度下、窒素にて約20分バブリングした。次いで、ビス(ボロンジフルオロジフェニルグリオキシム)コバルト(II)0.032gをメチルエチルケトン80gに溶解した後、前記反応器に約270分で滴下した。同時に、メタクリル酸10重量部とヒドロキシエチルメタクリレート90重量部を混合した単量体と2,2−アゾビス−2−メチル−ブチロニトリル1gをイソプロピルアルコール49gに溶解した重合開始剤溶液をそれぞれ240分、270分で滴下した。前記重合開始剤溶液を入れ終えた後、約30分リフラックス温度を保持し、室温まで冷却して、固形分35%のマクロ単量体溶液を得た。前記得られたマクロ単量体に対し、核磁気共鳴分析装置により分子量を分析したところ、分子量は1,300であり、重合度は10であった。さらに、熱分析器によりマクロ単量体の純度を分析したところ、約92%の純度を示していた。
攪拌器、温度計、窒素ガス導入管及びコンデンサー付き500mLの4口フラスコにイソプロピルアルコール120重量部、前記得られたマクロ単量体30重量部、メタクリル酸メチル2.9重量部、アクリル酸2.9重量部及びメタクリル酸4.2重量部を入れた後、リフラックス温度下、窒素により約10分バブリングした。
ここに開始剤としてt−アミルパーオキシピバレート0.2重量部を入れた後、メチルメタクリル酸17.2重量部、アクリル酸17.2重量部及びメタクリル酸25.6重量部を混合した単量体とt−アミルパーオキシピバレート1.0重量部を、約2時間をかけて滴下した。次いで、t−アミルパーオキシピバレート0.3重量部を、10分をかけて滴下し、リフラックス温度下、約10分放置した後、室温まで冷却して固形分約38%のグラフト型の高分子電解質溶液を得た。GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)を用いて測定したところ、前記得られたグラフト型の高分子電解質の重量平均分子量は10,000であった。また、核磁気共鳴分析装置と熱分析器により分析したところ、不飽和炭素による特性ピークは見られなかった。
前記のようにして得られたグラフト型の共高分子電解質溶液に水酸化アンモニウム水溶液を加えて高分子電解質を高分子電解質塩に変え、残留するイソプロピルアルコールは減圧真空装置を用いて除去して、最終的に固形分が10.5%であり、pHが6.5であるグラフト型の高分子電解質塩水溶液を得た。
前記のようにして得られたグラフト型の高分子電解質塩溶液が3重量%になるように水を加えて希釈した後、ここに水酸化アンモニウムを加えてpHを7.1に調節し、最終的にCMPスラリー用の補助剤を製造した。
(マクロ単量体の製造)
前記実施例1の方法と同様にしてマクロ単量体を製造した。
攪拌器、温度計、窒素ガス導入管及びコンデンサー付き500mLの4口フラスコにイソプロピルアルコール120重量部、前記のようにして得られたマクロ単量体30重量部、メチルメタクリル酸2.9重量部及びアクリル酸7.1重量部を入れた後、リフラックス温度下、窒素により約10分バブリングした。
ここに開始剤としてt−アミルパーオキシピバレート0.2重量部を入れた後、メチルメタクリル酸17.2重量部及びアクリル酸42.8重量部を混合した単量体とt−アミルパーオキシピバレート1.0重量部を、約2時間をかけて滴下した。次いで、t−アミルパーオキシピバレート0.3重量部を、10分をかけて滴下し、リフラックス温度下、約10分放置した後、室温まで冷却して固形分約37%のグラフト型の高分子電解質溶液を得た。GPCを用いて測定したところ、前記得られたグラフト型の高分子電解質の重量平均分子量は10,000であった。また、核磁気共鳴分析装置と熱分析器により分析したところ、不飽和炭素による特性ピークは見られなかった。
次いで、実施例1の方法と同様にしてグラフト高分子電解質塩を製造した。
次いで、実施例1の方法と同様にしてCMPスラリー用の補助剤を製造した。
(マクロ単量体の製造)
前記実施例1において、メタクリル酸10重量部とヒドロキシエチルメタクリレート90重量部を混合した単量体に代えて、ヒドロキシエチルメタクリレート100重量部を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にしてマクロ単量体溶液を得た。前記得られたマクロ単量体の分子量は1,000であり、重合度は8であり、純度は約96%を示した。
攪拌器、温度計、窒素ガス導入管及びコンデンサー付き500mLの4口フラスコにイソプロピルアルコール120重量部、前記のようにして得られたマクロ単量体30重量部、メチルメタクリル酸4.3重量部及びアクリル酸5.3重量部を入れた後、リフラックス温度下、窒素により約10分バブリングした。
ここに開始剤としてt−アミルパーオキシピバレート0.2重量部を入れた後、メチルメタクリル酸25.7重量部、アクリル酸34.3重量部及びメタクリル酸25.6重量部を混合した単量体とt−アミルパーオキシピバレート1.0重量部を、約2時間をかけて滴下した。次いで、t−アミルパーオキシピバレート0.3重量部を、10分をかけて滴下し、リフラックス温度下、約10分放置した後、室温まで冷却して固形分約38%のグラフト型の高分子電解質溶液を得た。
GPCを用いて測定したところ、前記得られたグラフト型の高分子電解質の重量平均分子量は10,000であった。また、核磁気共鳴分析装置と熱分析器により分析したところ、不飽和炭素による特性ピークは見られなかった。
次いで、実施例1の方法と同様にしてグラフト高分子電解質塩を製造した。
次いで、実施例1の方法と同様にしてCMPスラリー用の補助剤を製造した。
研磨粒子組成物として5重量%酸化セリウムスラリー組成物(HIHC−1、(株)LG化学製)、前記実施例1において製造されたCMPスラリー用の補助剤、及び水を1:3:3の体積比にて混合してCMPスラリーを製造した。
前記実施例4において、CMPスラリー用の補助剤として前記実施例2において製造されたCMPスラリー用の補助剤を用いた以外は、前記実施例4の方法と同様にしてCMPスラリーを製造した。
前記実施例4において、CMPスラリー用の補助剤として前記実施例3において製造されたCMPスラリー用の補助剤を用いた以外は、前記実施例4の方法と同様にしてCMPスラリーを製造した。
前記実施例4〜6において製造されたCMPスラリーを用い、下記の方法によりpH、平均凝集粒度(nm)、酸化膜研磨率(Å/分)、窒化膜研磨率(Å/分)、及び選択比を測定し、その結果を下記表1に示す。
A)pH:pH測定用の装備(Corning pH meter445)を用いて測定した。
B)平均凝集粒度:光散乱装置(Dynamic Light Scattering、アメリカのハネウェル社製のMicrotrapUPA150)を用いて測定した。
C)酸化膜研磨率:研磨前後の酸化膜の厚さをナノメトリックス社製のNanospec6100により測定後、厚さの違いを計算して酸化膜研磨率を求めた。
D)窒化膜研磨率:研磨前後の窒化膜の厚さをナノメトリックス社製のNanospec6100により測定後、厚さの違いを計算して窒化膜研磨率を求めた。
E)選択比:酸化膜の研磨率を窒化膜の研磨率で割ることで求めた。
研磨粒子組成物として5重量%酸化セリウムスラリー組成物(HIHC−1、(株)LG化学製)及び前記実施例1において製造されたCMPスラリー用の補助剤を1:7の体積比にて混合後、前記混合物を水により希釈してCMPスラリー用の補助剤の濃度をそれぞれ0重量%(比較例1)、0.42重量%(実施例7)、0.85重量%(実施例8)、1.3重量%(実施例9)、1.5重量%(実施例10)に調節し、CMPスラリーを製造した。
前記比較例1及び実施例7〜10において製造されたCMPスラリーを用い、前記の方法と同様にしてpH、平均凝集粒度(nm)、酸化膜研磨率(Å/分)、窒化膜研磨率(Å/分)、及び選択比を測定し、その結果を下記表2に示す。
(CMPスラリー用の補助剤の製造)
前記実施例1において、重量平均分子量が10,000であり、線形の負イオン性高分子電解質としてのポリアクリル酸及び水酸化ナトリウムを含む高分子電解質塩溶液を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にして最終的にCMPスラリー用の補助剤を製造した。
研磨粒子組成物として5重量%酸化セリウムスラリー組成物(HIHC−1、(株)LG化学製)、前記のようにして得られたCMPスラリー用の補助剤、及び水を1:3:3の体積比にて混合してCMPスラリーを製造した。
(CMPスラリー用の補助剤の製造)
前記実施例1において、流動化剤として、市販中の重量平均分子量が21,000であり、図2に示す構造を有する負イオン性高分子電解質及び水酸化ナトリウムを含む高分子電解質塩溶液(商品名:CD−WB、(株)LG化学製)を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にして最終的にCMPスラリー用の補助剤を製造した。
研磨粒子組成物として、5重量%酸化セリウムスラリー組成物(HIHC−1、(株)LG化学製)、前記のようにして得られたCMPスラリー用の補助剤、及び水を1:3:3の体積比にて混合してCMPスラリーを製造した。
(CMPスラリー用の補助剤の製造)
前記実施例1において、流動化剤として、市販中の重量平均分子量が25,000である、図2に示すような構造を有する負イオン性高分子電解質及び水酸化ナトリウムを含む高分子電解質塩溶液(商品名CD−WR、(株)LG化学製)を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にして最終的にCMPスラリー用の補助剤を製造した。
研磨粒子組成物として、5重量%酸化セリウムスラリー組成物(HIHC−1、(株)LG化学製)、前記のようにして得られたCMPスラリー用の補助剤、及び水を1:3:3の体積比にて混合してCMPスラリーを製造した。
前記比較例2〜4において製造されたCMPスラリーを用い、前記の方法と同様にしてpH、平均凝集粒度(nm)、酸化膜研磨率(Å/分)、窒化膜研磨率(Å/分)、及び選択比を測定し、その結果を下記表3に示す。
前記表1〜3から、本発明に従い製造された実施例4〜10のCMPスラリーは、比較例1〜4と比較して平均凝集粒度、酸化膜研磨率、及び窒化膜研磨率が同等レベル以上であり、特に、選択比に優れていることが分かる。
101:パッドシリコン酸化膜(SiO2)
102:シリコン窒化膜(SiN)
103:トレンチ
104:絶縁用シリコン酸化膜
105:ゲートシリコン酸化膜
200:主鎖部
201:側鎖部
Claims (15)
- a)重量平均分子量が1,000〜20,000であり、主鎖及び側鎖よりなる負電荷を帯びるグラフト型の高分子電解質と、
b)塩基性物質とを含む高分子電解質塩を含み、
正電荷を帯びる材料と負電荷を帯びる材料を同時に研磨するとき、正電荷を帯びる材料に吸着して負電荷を帯びる材料に対する研磨選択性を高めることを特徴とする補助剤であって、ここで、側鎖の長さは分子量が500〜2,000であり、主鎖の長さは分子量が500〜15,000であり、高分子電解質塩のpHが、4.5〜8.8であることを特徴とする、補助剤。 - 前記グラフト型の高分子電解質は、
側鎖として、水酸化基、カルボキシル基、及びスルホン酸基よりなる群から選ばれた1種以上の官能基を含有するエチレン性不飽和単量体の重合または共重合由来のマクロ単位を含み、主鎖として、カルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体由来の単位を含むことを特徴とする請求項1に記載の補助剤。 - i)1以上のサブ単量体を重合してグラフト型の重合体のうち側鎖を形成するマクロ単量体を重合する段階と、
ii)グラフト型の重合体のうち主鎖を形成する単量体を前記マクロ単量体に共重合する段階と、を含む方法により製造されることを特徴とする請求項1に記載の補助剤。 - 前記グラフト型の高分子電解質は、
i)水酸化基、カルボキシル基、及びスルホン酸基よりなる群から選ばれた1種以上の官能基を含有するエチレン性不飽和単量体をラジカル重合してマクロ単量体を重合する段階と、
ii)前記マクロ単量体にカルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体を共重合する段階と、を含む方法により製造されることを特徴とする請求項3に記載の補助剤。 - 前記水酸化基含有エチレン性不飽和単量体は、アルキル基の炭素数1〜12のヒドロキシアルキルメタクリレートであることを特徴とする請求項4に記載の補助剤。
- 前記マクロ単位は、水酸化基及びスルホン酸基よりなる群から選ばれた1種以上の官能基を含有するエチレン性不飽和単量体と、カルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体と、が共重合されてなることを特徴とする請求項2に記載の補助剤。
- 前記カルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体が、水酸化基及びスルホン酸基よりなる群から選ばれた1種以上の官能基を含有するエチレン性不飽和単量体に対して最大30重量部の割合にて混合されて用いられることを特徴とする請求項6に記載の補助剤。
- 前記グラフト型の高分子電解質の主鎖に存在するカルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体由来の単位は、メタクリル酸またはアクリル酸由来のものであることを特徴とする請求項2に記載の補助剤。
- 前記グラフト型の高分子電解質の主鎖に存在するカルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体由来の単位は、主鎖成分の総重量に対して65重量部以上、100重量部以下で含まれていることを特徴とする請求項2に記載の補助剤。
- 前記ii)段階において、カルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体が、重合性エチレン基含有単量体と混合して用いられることを特徴とする請求項4に記載の補助剤。
- 前記重合性エチレン基含有単量体が、(メタ)アクリルエステルであることを特徴とする請求項10に記載の補助剤。
- 前記b)の塩基性物質が、水酸化アンモニウムまたは塩基性アミンであることを特徴とする請求項1に記載の補助剤。
- a)請求項1から12のうちいずれか一項に記載の補助剤0.1〜10重量%と、
b)研磨粒子0.1〜10重量%と、
c)水が、CMPスラリーの総量を100重量%とする含量にて含まれていることを特徴とするCMPスラリー。 - 請求項13に記載のCMPスラリーを用いたシャロートレンチアイソレーション(STI)方法。
- 研磨に際し、a)重量平均分子量が1,000〜20,000であり、主鎖及び側鎖よりなる負電荷を帯びるグラフト型の高分子電解質と、b)塩基性物質とを含む高分子電解質塩を用いて、正電荷を帯びた材料が研磨されることを抑制することを特徴とする方法であって、ここで、側鎖の長さは分子量が500〜2,000であり、主鎖の長さは分子量が500〜15,000であり、高分子電解質塩のpHが、4.5〜8.8であることを特徴とする、方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2004-0114824 | 2004-12-29 | ||
KR20040114824 | 2004-12-29 | ||
KR10-2005-0113758 | 2005-11-25 | ||
KR1020050113758A KR100786950B1 (ko) | 2004-12-29 | 2005-11-25 | Cmp 슬러리용 보조제 |
PCT/KR2005/004592 WO2006071063A1 (en) | 2004-12-29 | 2005-12-28 | Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008521242A JP2008521242A (ja) | 2008-06-19 |
JP4712813B2 true JP4712813B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=37168609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007542929A Active JP4712813B2 (ja) | 2004-12-29 | 2005-12-28 | Cmpスラリー用の補助剤 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4712813B2 (ja) |
KR (1) | KR100786950B1 (ja) |
CN (1) | CN101068901B (ja) |
TW (1) | TWI320055B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100786948B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 연마 선택비 조절제 및 이를 함유한 cmp 슬러리 |
KR100786949B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 연마 선택도 조절 보조제 및 이를 함유한 cmp 슬러리 |
KR100832993B1 (ko) | 2006-04-14 | 2008-05-27 | 주식회사 엘지화학 | Cmp 슬러리용 보조제 |
JP5240478B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-07-17 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
US8822339B2 (en) | 2009-10-13 | 2014-09-02 | Lg Chem, Ltd. | Slurry composition for CMP, and polishing method |
JP5637500B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2014-12-10 | 三菱レイヨン株式会社 | ビニル系ポリマーの製造方法及びビニル系ポリマー |
EP2826827B1 (en) * | 2013-07-18 | 2019-06-12 | Basf Se | CMP composition comprising abrasive particles containing ceria |
KR101353315B1 (ko) * | 2013-08-07 | 2014-01-21 | 소문식 | 컷팅 휠용 조성물 및 이를 포함하는 컷팅 휠 |
KR102475282B1 (ko) | 2017-03-29 | 2022-12-07 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 |
CN111378973A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
CN112872916B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-03-10 | 富联裕展科技(深圳)有限公司 | 抛光系统及抛光方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000109807A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-18 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2001035820A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6258140B1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-07-10 | Fujimi America Inc. | Polishing composition |
US6964923B1 (en) * | 2000-05-24 | 2005-11-15 | International Business Machines Corporation | Selective polishing with slurries containing polyelectrolytes |
US6776810B1 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
KR100539983B1 (ko) * | 2003-05-15 | 2006-01-10 | 학교법인 한양학원 | Cmp용 세리아 연마제 및 그 제조 방법 |
-
2005
- 2005-11-25 KR KR1020050113758A patent/KR100786950B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-27 TW TW094146707A patent/TWI320055B/zh active
- 2005-12-28 CN CN2005800410698A patent/CN101068901B/zh active Active
- 2005-12-28 JP JP2007542929A patent/JP4712813B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000109807A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-18 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2001035820A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101068901B (zh) | 2012-05-09 |
JP2008521242A (ja) | 2008-06-19 |
TW200704760A (en) | 2007-02-01 |
KR20060076190A (ko) | 2006-07-04 |
CN101068901A (zh) | 2007-11-07 |
TWI320055B (en) | 2010-02-01 |
KR100786950B1 (ko) | 2007-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4712813B2 (ja) | Cmpスラリー用の補助剤 | |
JP4851536B2 (ja) | 研磨選択度調節補助剤及びこれを含有するcmpスラリー | |
JP5290769B2 (ja) | Cmpスラリー及びこれを用いる半導体ウェハーの研磨方法 | |
WO2007069488A1 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット | |
WO2013180079A1 (ja) | 化学機械研磨用スラリーおよび化学機械研磨方法 | |
EP1844122B1 (en) | Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry | |
TWI304090B (en) | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method | |
JP5322921B2 (ja) | Cmpスラリー用補助剤 | |
JP2015506386A (ja) | Cmp組成物、半導体装置の製造方法及びcmp組成物の使用方法 | |
WO2008010499A1 (fr) | Dispersion aqueuse pour polissage mécanico-chimique, son procédé de fabrication et procédé de polissage mécanico-chimique | |
WO2006112377A1 (ja) | 研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材 | |
US8652967B2 (en) | Adjuvant for controlling polishing selectivity and chemical mechanical polishing slurry comprising the same | |
JP4641155B2 (ja) | 化学機械研磨用の研磨剤 | |
KR101470980B1 (ko) | 표면 개질된 연마입자 및 그를 포함하는 슬러리 조성물 | |
JP2003303792A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体と研磨方法 | |
JP2008147688A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 | |
WO2023084951A1 (ja) | 化学機械研磨用の添加剤及びその製造方法、並びに、研磨液組成物 | |
JP2001214155A (ja) | 電子機器材料用研磨剤組成物 | |
JP2004319715A (ja) | 研磨用スラリーおよびそれを用いる半導体ウェハの研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4712813 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |