JP2001214155A - 電子機器材料用研磨剤組成物 - Google Patents
電子機器材料用研磨剤組成物Info
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- JP2001214155A JP2001214155A JP2000021709A JP2000021709A JP2001214155A JP 2001214155 A JP2001214155 A JP 2001214155A JP 2000021709 A JP2000021709 A JP 2000021709A JP 2000021709 A JP2000021709 A JP 2000021709A JP 2001214155 A JP2001214155 A JP 2001214155A
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- polishing
- acid
- abrasive
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- polymer
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板、フォトマスク、各種メモリーハ
ードディスク用基板等の電子機器材料の表面平坦化加工
に好適で、高精度の仕上げ面を得られ、ピッチングの発
生が少なく、効率的に研磨を行なうことができる研磨剤
の提供。 【解決手段】 カルボキシル基を有する重合体を電子機
器材料用研磨剤の有功成分とする。
ードディスク用基板等の電子機器材料の表面平坦化加工
に好適で、高精度の仕上げ面を得られ、ピッチングの発
生が少なく、効率的に研磨を行なうことができる研磨剤
の提供。 【解決手段】 カルボキシル基を有する重合体を電子機
器材料用研磨剤の有功成分とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、フォ
トマスク、各種メモリーハードディスク用基板等の電子
機器部品を含む電子機器材料の表面の研磨に使用される
研磨剤組成物に関し、特に半導体産業等におけるディバ
イスウェハーの表面平坦化加工に好適で、高精度の仕上
げ面を得られ、ピッチングの発生が少なく、効率的に研
磨を行なうことができる研磨剤組成物に関するものであ
る。
トマスク、各種メモリーハードディスク用基板等の電子
機器部品を含む電子機器材料の表面の研磨に使用される
研磨剤組成物に関し、特に半導体産業等におけるディバ
イスウェハーの表面平坦化加工に好適で、高精度の仕上
げ面を得られ、ピッチングの発生が少なく、効率的に研
磨を行なうことができる研磨剤組成物に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】現在のコンピューター等の電子機器ハイ
テク製品の目覚しい進歩により、LSI等の部品の高集
積化、高速化への要求は益々厳しくなっている。これに
伴い、半導体装置のデザインルールは年々微細化が進ん
でおり、デバイス製造プロセスでの焦点深度は浅くな
り、パターン形成面に要求される平坦性がより要求され
ている。また、配線の微細化による配線抵抗の増大に対
処するため、配線長の短縮が行なわれている。この様な
要求を満たしまた配線の設計をする際に問題となるの
が、形成されたパターン表面の段差であり、配線の多層
化の障害として問題視されている。したがって、配線の
微細化及び多層化を行なうに当たっては、そのプロセス
中でパターン表面の段差を取り除くための表面の平坦化
を図らねばならず、そのために従来からレジストエッチ
ィング等が行われてきた。しかしながら、このような手
法では、部分的な平坦化しかできず、次世代のデバイス
に要求される高レベルへの対応は困難である。そこで、
機械的ないし物理的研磨と化学的研磨とを応用した各種
の研磨剤が検討されるようになってきており、研磨剤の
研磨で良好な効果を得るために、幾つかの工夫が今まで
にも提案されてきている。例えば、被研磨物に与える機
械的損傷をできるだけ低くするために、機械的研磨力の
小さい研磨剤粒子を使用すること、さらには研磨剤粒子
を使用せずに、研磨粒子による機械的研磨の寄与を少な
くすることも検討されている。すなわち、特公平6−1
03681号公報には、研磨剤粒子、遷移金属のキレー
ト塩及びこの塩の溶剤からなる研磨剤組成物が開示され
ている。また特開平8−83780号公報にはアミノ酢
酸及び/又はアミド硫酸から選ばれる少なくとも1種の
有機酸と酸化剤と水とを含有する研磨剤組成物が開示さ
れている。さらに特開平10−46140公報ではカル
ボン酸、酸化剤及び水を含有し、アルカリによりpHが
5〜9に調整された研磨剤組成物が開示されている。こ
れらの研磨剤組成物は高い研磨速度を有しているもの
の、研磨面にピッチが見られ、高精度の平滑面を得るた
めには完全には満足できるものではない。他にも研磨剤
に関しての提案が種々あり、例えば特開平2−1586
83公報には、水、高温で焼成したα−アルミナ、ベー
マイト及び無機酸又は有機酸のアンモニウム塩を含有し
てなる研磨剤組成物が開示され、特開平10−1662
58公報には研磨砥粒とイソプロピルアルコールと水を
含む研磨剤組成物が開示されている。これらは機械的研
磨力の大きい研磨剤であり、被研磨物への化学的作用は
小さくなるため、平滑面が得られにくく、ピッチなどの
腐食が起こり易いという問題を完全には解決し得ないも
のである。
テク製品の目覚しい進歩により、LSI等の部品の高集
積化、高速化への要求は益々厳しくなっている。これに
伴い、半導体装置のデザインルールは年々微細化が進ん
でおり、デバイス製造プロセスでの焦点深度は浅くな
り、パターン形成面に要求される平坦性がより要求され
ている。また、配線の微細化による配線抵抗の増大に対
処するため、配線長の短縮が行なわれている。この様な
要求を満たしまた配線の設計をする際に問題となるの
が、形成されたパターン表面の段差であり、配線の多層
化の障害として問題視されている。したがって、配線の
微細化及び多層化を行なうに当たっては、そのプロセス
中でパターン表面の段差を取り除くための表面の平坦化
を図らねばならず、そのために従来からレジストエッチ
ィング等が行われてきた。しかしながら、このような手
法では、部分的な平坦化しかできず、次世代のデバイス
に要求される高レベルへの対応は困難である。そこで、
機械的ないし物理的研磨と化学的研磨とを応用した各種
の研磨剤が検討されるようになってきており、研磨剤の
研磨で良好な効果を得るために、幾つかの工夫が今まで
にも提案されてきている。例えば、被研磨物に与える機
械的損傷をできるだけ低くするために、機械的研磨力の
小さい研磨剤粒子を使用すること、さらには研磨剤粒子
を使用せずに、研磨粒子による機械的研磨の寄与を少な
くすることも検討されている。すなわち、特公平6−1
03681号公報には、研磨剤粒子、遷移金属のキレー
ト塩及びこの塩の溶剤からなる研磨剤組成物が開示され
ている。また特開平8−83780号公報にはアミノ酢
酸及び/又はアミド硫酸から選ばれる少なくとも1種の
有機酸と酸化剤と水とを含有する研磨剤組成物が開示さ
れている。さらに特開平10−46140公報ではカル
ボン酸、酸化剤及び水を含有し、アルカリによりpHが
5〜9に調整された研磨剤組成物が開示されている。こ
れらの研磨剤組成物は高い研磨速度を有しているもの
の、研磨面にピッチが見られ、高精度の平滑面を得るた
めには完全には満足できるものではない。他にも研磨剤
に関しての提案が種々あり、例えば特開平2−1586
83公報には、水、高温で焼成したα−アルミナ、ベー
マイト及び無機酸又は有機酸のアンモニウム塩を含有し
てなる研磨剤組成物が開示され、特開平10−1662
58公報には研磨砥粒とイソプロピルアルコールと水を
含む研磨剤組成物が開示されている。これらは機械的研
磨力の大きい研磨剤であり、被研磨物への化学的作用は
小さくなるため、平滑面が得られにくく、ピッチなどの
腐食が起こり易いという問題を完全には解決し得ないも
のである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体製造
における配線層形成などの高精度面を得るための研磨に
おいて、研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、ピッチ
を形成しない研磨能力に優れた研磨剤組成物を提供する
ことを目的としてなされたものである。
における配線層形成などの高精度面を得るための研磨に
おいて、研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、ピッチ
を形成しない研磨能力に優れた研磨剤組成物を提供する
ことを目的としてなされたものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、カルボキ
シル基を有する重合体を含有する研磨剤組成物が、高精
度面を必要とする電子機器材料の表面の研磨において、
研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、ピッチを形成し
ない化学的機械的研磨を可能にすることを見出して本発
明を完成したのである。すなわち、本発明はカルボキシ
ル基を有する重合体、特にアクリル酸を必須構成単量体
とするカルボキシル基を有する重合体を含有することを
特徴とする電子機器材料用研磨剤組成物に関するもので
ある。
シル基を有する重合体を含有する研磨剤組成物が、高精
度面を必要とする電子機器材料の表面の研磨において、
研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、ピッチを形成し
ない化学的機械的研磨を可能にすることを見出して本発
明を完成したのである。すなわち、本発明はカルボキシ
ル基を有する重合体、特にアクリル酸を必須構成単量体
とするカルボキシル基を有する重合体を含有することを
特徴とする電子機器材料用研磨剤組成物に関するもので
ある。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の電子機器材料用研磨剤組成物は、従来の研磨剤
組成物と同様に、研磨用粒子が溶媒に分散されてなり、
カルボキシル基を有する重合体、特にアクリル酸を必須
構成単量体とするカルボキシル基を有する重合体を含有
するものである。カルボキシル基を有する重合体として
は、主としてアクリル酸、マレイン酸、フマル酸、メタ
クリル酸、イタコン酸、クロトン酸等の重合性不飽和カ
ルボン酸を含む単量体を重合して得られる重合体が挙げ
られるが、それらに限定されることなく、カルボキシル
基変性重合体の様に重合体にカルボキシル基を反応によ
り付加したものも挙げられる。カルボキシル基はカルボ
キシル基のままであるのが好ましいが、その一部が中和
によりアルカリ塩の形態となっていてもよく、イオン解
離の状態で使用されるのであれば、その全てを中和して
アルカリ塩として使用することも可能である。アルカリ
塩としては、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属
塩、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属
塩、アンモニウム塩、アミン塩、有機アミン塩が挙げら
れる。研磨剤に用いられる溶媒への溶解性の面で好まし
くは、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属塩、ア
ンモニウム塩である。さらに好ましくはアンモニウム塩
である。
本発明の電子機器材料用研磨剤組成物は、従来の研磨剤
組成物と同様に、研磨用粒子が溶媒に分散されてなり、
カルボキシル基を有する重合体、特にアクリル酸を必須
構成単量体とするカルボキシル基を有する重合体を含有
するものである。カルボキシル基を有する重合体として
は、主としてアクリル酸、マレイン酸、フマル酸、メタ
クリル酸、イタコン酸、クロトン酸等の重合性不飽和カ
ルボン酸を含む単量体を重合して得られる重合体が挙げ
られるが、それらに限定されることなく、カルボキシル
基変性重合体の様に重合体にカルボキシル基を反応によ
り付加したものも挙げられる。カルボキシル基はカルボ
キシル基のままであるのが好ましいが、その一部が中和
によりアルカリ塩の形態となっていてもよく、イオン解
離の状態で使用されるのであれば、その全てを中和して
アルカリ塩として使用することも可能である。アルカリ
塩としては、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属
塩、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属
塩、アンモニウム塩、アミン塩、有機アミン塩が挙げら
れる。研磨剤に用いられる溶媒への溶解性の面で好まし
くは、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属塩、ア
ンモニウム塩である。さらに好ましくはアンモニウム塩
である。
【0006】本発明にとり好ましい重合体は、不飽和カ
ルボン酸の重合体であり、具体的にはポリアクリル酸、
ポリマレイン酸、ポリフマル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リイタコン酸、ポリクロトン酸、アクリル酸/マレイン
酸コポリマー、アクリル酸/メタクリル酸コポリマー、
アクリル酸/フマル酸コポリマー、マレイン酸/フマル
酸コポリマー等が挙げられる。本発明にとりさらに好ま
しい重合体はアクリル酸を必須構成単量体とするもので
あり、特に好ましいものはポリアクリル酸である。上記
の様なポリ不飽和カルボン酸は不飽和カルボン酸の単独
重合体であるのが好ましいが、本発明の効果を損なわな
い範囲で、その他の重合性単量体、例えば、上記不飽和
カルボン酸エステルやスチレン等のビニル単量体が共重
合されているものも使用され得る。ビニル単量体の具体
例としては、(メタ)アクリルアミド等のアミド、メチル
(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、パー
フロロアルキルエチル(メタ)アクリレート等のアルキル
(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレ
ート等の(ヒドロキシ)アルキル(メタ)アクリレート、
ポリエチレンオキサイド付加(メタ)アクリレート等のノ
ニオン基付加(メタ)アクリレート、スチレン、メチルス
チレン、α-メチルスチレン等の香族ビニル単量体、2-
アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、スチレ
ンスルホン酸ソーダ等のスルホン酸系単量体等が挙げら
れ、これらは2種以上を併用することも可能である。こ
れらの重合体は常法のラジカル重合、アニオン重合、リ
ビングラジカル重合などで得られるものであり、それら
の重合体は、その平均分子量が、GPCによる重量平均
分子量で300,000以下であることが好ましく、よ
り好ましくは50,000以下、さらに好ましくは10,
000以下、特に好ましくは500〜5,000の範囲
にあることである。これらの分子量は研磨剤組成物の組
成や被研磨物質により最適値が変化するが、低い方が研
磨剤粒子を均一に分散する効果がより良好になり、研磨
の効率が向上する傾向にある。また、分子量分布の幅
は、重量平均分子量(MW)と数平均分子量(MN)の
比から推測されるものであり、その比が小さいほど研磨
粒子を均一に分散する効果が良好になり、研磨の効率が
向上する傾向にあり、本発明における重合体のGPCに
より得られる重量平均分子量/数平均分子量の比は小さ
いほど研磨剤粒子を均一に分散する効果が良好になり、
その比が2.0以下で研磨の効率がより向上するので好
ましく、より好ましくは1.8以下で、特に好ましくは
1.7以下のものである。なお、GPCの測定には東ソ
ー社製HLC8020システム、使用カラムはG400
0PWxl+G3000PWxl+G2500PWxl
(東ソー社製)、溶離液は0.1MNaCl+リン酸バ
ッファー(pH7)、検量線はポリアクリル酸Na(創和
科学)を用いた。
ルボン酸の重合体であり、具体的にはポリアクリル酸、
ポリマレイン酸、ポリフマル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リイタコン酸、ポリクロトン酸、アクリル酸/マレイン
酸コポリマー、アクリル酸/メタクリル酸コポリマー、
アクリル酸/フマル酸コポリマー、マレイン酸/フマル
酸コポリマー等が挙げられる。本発明にとりさらに好ま
しい重合体はアクリル酸を必須構成単量体とするもので
あり、特に好ましいものはポリアクリル酸である。上記
の様なポリ不飽和カルボン酸は不飽和カルボン酸の単独
重合体であるのが好ましいが、本発明の効果を損なわな
い範囲で、その他の重合性単量体、例えば、上記不飽和
カルボン酸エステルやスチレン等のビニル単量体が共重
合されているものも使用され得る。ビニル単量体の具体
例としては、(メタ)アクリルアミド等のアミド、メチル
(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、パー
フロロアルキルエチル(メタ)アクリレート等のアルキル
(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレ
ート等の(ヒドロキシ)アルキル(メタ)アクリレート、
ポリエチレンオキサイド付加(メタ)アクリレート等のノ
ニオン基付加(メタ)アクリレート、スチレン、メチルス
チレン、α-メチルスチレン等の香族ビニル単量体、2-
アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、スチレ
ンスルホン酸ソーダ等のスルホン酸系単量体等が挙げら
れ、これらは2種以上を併用することも可能である。こ
れらの重合体は常法のラジカル重合、アニオン重合、リ
ビングラジカル重合などで得られるものであり、それら
の重合体は、その平均分子量が、GPCによる重量平均
分子量で300,000以下であることが好ましく、よ
り好ましくは50,000以下、さらに好ましくは10,
000以下、特に好ましくは500〜5,000の範囲
にあることである。これらの分子量は研磨剤組成物の組
成や被研磨物質により最適値が変化するが、低い方が研
磨剤粒子を均一に分散する効果がより良好になり、研磨
の効率が向上する傾向にある。また、分子量分布の幅
は、重量平均分子量(MW)と数平均分子量(MN)の
比から推測されるものであり、その比が小さいほど研磨
粒子を均一に分散する効果が良好になり、研磨の効率が
向上する傾向にあり、本発明における重合体のGPCに
より得られる重量平均分子量/数平均分子量の比は小さ
いほど研磨剤粒子を均一に分散する効果が良好になり、
その比が2.0以下で研磨の効率がより向上するので好
ましく、より好ましくは1.8以下で、特に好ましくは
1.7以下のものである。なお、GPCの測定には東ソ
ー社製HLC8020システム、使用カラムはG400
0PWxl+G3000PWxl+G2500PWxl
(東ソー社製)、溶離液は0.1MNaCl+リン酸バ
ッファー(pH7)、検量線はポリアクリル酸Na(創和
科学)を用いた。
【0007】本発明の研磨剤に用いられる溶媒として
は、本発明のカルボキシル基含有重合体を溶解するもの
であれば制限なく、水、エタノール、イソプロピルアル
コール等の低沸点アルコール、エチレングリコール等の
グリコール類、トリアゾール等のアゾール類、グリセリ
ン等が挙げられる。これらの溶媒は2種以上を併用する
ことも可能である。本発明にとり好ましい溶媒は、カル
ボキシル基含有重合体との相溶性が良好で、研磨速度、
研磨均一性を向上させる効果を有する水、イソプロピル
アルコール、水/イソプロピルアルコール混合溶媒であ
り、より好ましい溶媒は水である。研磨剤粒子として
は、カルボキシル基含有重合体が強い粒子の分散安定化
力を有するため、多様な粒子を用いることができ、例え
ばシリカ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコ
ニウム、ベーマイト、セリア等が挙げられる。本発明の
研磨剤組成物はそのpHを任意に設定できるが、ピッチ
の発生を防止するためには、 pHが2〜12の範囲にあ
るのが好ましく、pH4〜10がより好ましい。pHは
アルカリ水酸化物、もしくは塩酸などの酸で調整するこ
とができる。
は、本発明のカルボキシル基含有重合体を溶解するもの
であれば制限なく、水、エタノール、イソプロピルアル
コール等の低沸点アルコール、エチレングリコール等の
グリコール類、トリアゾール等のアゾール類、グリセリ
ン等が挙げられる。これらの溶媒は2種以上を併用する
ことも可能である。本発明にとり好ましい溶媒は、カル
ボキシル基含有重合体との相溶性が良好で、研磨速度、
研磨均一性を向上させる効果を有する水、イソプロピル
アルコール、水/イソプロピルアルコール混合溶媒であ
り、より好ましい溶媒は水である。研磨剤粒子として
は、カルボキシル基含有重合体が強い粒子の分散安定化
力を有するため、多様な粒子を用いることができ、例え
ばシリカ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコ
ニウム、ベーマイト、セリア等が挙げられる。本発明の
研磨剤組成物はそのpHを任意に設定できるが、ピッチ
の発生を防止するためには、 pHが2〜12の範囲にあ
るのが好ましく、pH4〜10がより好ましい。pHは
アルカリ水酸化物、もしくは塩酸などの酸で調整するこ
とができる。
【0008】本発明の研磨剤組成物の組成割合は、目的
の研磨材質、研磨精度により変化するが、一般的には研
磨剤組成物中にカルボキシル基含有重合体が0.01〜
40質量%存在するのが好ましく、研磨剤粒子の配合量
は50重量%以下が好ましい。研磨剤組成物中、カルボ
キシル基含有重合体と研磨剤粒子以外は主として溶媒で
あるが、所望により公知の酸化剤、界面活性剤、キレー
ト剤等の添加剤を加えることが可能である。それら添加
剤の具体例としては、例えば酸化剤としての過酸化水
素、過マンガン酸カリウム、クロム酸ナトリウム、硝
酸、過塩素酸、ニトロベンゼン等が挙げられ、界面活性
剤としては、アルキルベンゼンスルホン酸ソーダ、ナフ
タレンスルホン酸のホルマリン縮合物等のアニオン性活
性剤やポリオキシエチレン付加脂肪酸アルキルエステ
ル、エトキシレート付加アルコール等が挙げられる。ま
た、キレート剤としては、クエン酸、エチレンジアミン
四酢酸、アミド硫酸、アミノ硫酸、グルコン酸、シリケ
ート、硫酸金属塩等が挙げられる。その他、リグニンス
ルホン酸塩、セルロース、カルボキシメチルセルロース
塩などが挙げられる。
の研磨材質、研磨精度により変化するが、一般的には研
磨剤組成物中にカルボキシル基含有重合体が0.01〜
40質量%存在するのが好ましく、研磨剤粒子の配合量
は50重量%以下が好ましい。研磨剤組成物中、カルボ
キシル基含有重合体と研磨剤粒子以外は主として溶媒で
あるが、所望により公知の酸化剤、界面活性剤、キレー
ト剤等の添加剤を加えることが可能である。それら添加
剤の具体例としては、例えば酸化剤としての過酸化水
素、過マンガン酸カリウム、クロム酸ナトリウム、硝
酸、過塩素酸、ニトロベンゼン等が挙げられ、界面活性
剤としては、アルキルベンゼンスルホン酸ソーダ、ナフ
タレンスルホン酸のホルマリン縮合物等のアニオン性活
性剤やポリオキシエチレン付加脂肪酸アルキルエステ
ル、エトキシレート付加アルコール等が挙げられる。ま
た、キレート剤としては、クエン酸、エチレンジアミン
四酢酸、アミド硫酸、アミノ硫酸、グルコン酸、シリケ
ート、硫酸金属塩等が挙げられる。その他、リグニンス
ルホン酸塩、セルロース、カルボキシメチルセルロース
塩などが挙げられる。
【0009】
【作用】本発明の研磨剤組成物が電子機器材料の表面の
研磨において、研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、
ピッチを形成しないという理由は明らかでないが、カル
ボキシル基含有重合体のカルボキシル基により、ピッチ
等の腐食を抑制し、研磨剤組成物への溶解性を良好にし
ているものと思われる。
研磨において、研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、
ピッチを形成しないという理由は明らかでないが、カル
ボキシル基含有重合体のカルボキシル基により、ピッチ
等の腐食を抑制し、研磨剤組成物への溶解性を良好にし
ているものと思われる。
【0010】
【実施例】以下、実施例1〜4及び比較例1〜3によ
り、本発明を更に具体的に説明する。本発明はこれらの
実施例により何ら制限されるものではない。なお、研磨
試験の方法は以下のとうりである。 [研磨試験]被加工物として、アルミニウム基板にニッ
ケル・リンの無電解メッキを行なった3.5インチメモ
リハードディスクの基盤を用いた。ポリウレタン基質研
磨パッドを装着した片面ポリシングマシンに該ディスク
を装填し、ディスクとパッドを相対的に振動させ、5分
間研磨を行なった。研磨剤は300ml/分の速度で供給
し、加工圧は120gf/cm2で行なった。研磨後、ディ
スクを超音波洗浄機を用いて洗浄し、ピッチの有無を評
価した。また、ディスクの厚みを計測し、厚みの減少量
から時間当たりの平均研磨速度(μm/分)を計算し
た。
り、本発明を更に具体的に説明する。本発明はこれらの
実施例により何ら制限されるものではない。なお、研磨
試験の方法は以下のとうりである。 [研磨試験]被加工物として、アルミニウム基板にニッ
ケル・リンの無電解メッキを行なった3.5インチメモ
リハードディスクの基盤を用いた。ポリウレタン基質研
磨パッドを装着した片面ポリシングマシンに該ディスク
を装填し、ディスクとパッドを相対的に振動させ、5分
間研磨を行なった。研磨剤は300ml/分の速度で供給
し、加工圧は120gf/cm2で行なった。研磨後、ディ
スクを超音波洗浄機を用いて洗浄し、ピッチの有無を評
価した。また、ディスクの厚みを計測し、厚みの減少量
から時間当たりの平均研磨速度(μm/分)を計算し
た。
【0011】実施例1 ポリアクリル酸(MW=1500、MW/MN=1.
7)1重量部、酸化アルミニウム9重量部、水90重量
部を準備し、ポリアクリル酸を水に溶解して25%アン
モニア水でpHを8に調整した後、高速ミキサーで攪拌
しながら酸化アルミニウムを添加してスラリー状の研磨
剤を得た。 実施例2 ポリアクリル酸(MW=2000、MW/MN=1.
7)0.8重量部、酸化アルミニウム9重量部、水90.
2重量部を準備し、ポリアクリル酸を水に溶解して25
%アンモニア水でpHを6に調整した後、高速ミキサー
で攪拌しながら酸化アルミニウムを添加してスラリー状
の研磨剤を得た。 実施例3 アクリル酸/マレイン酸コポリマー(MW=3000、
MW/MN=1.9)1重量部、酸化アルミニウム9重
量部、水90重量部を準備し、ポリアクリル酸を水に溶
解して25%アンモニア水でpHを8に調整した後、高
速ミキサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添加して
スラリー状の研磨剤を得た。 実施例4 アクリル酸/ATBS(アクリルアミドターシャリィー
ブチルスルホン酸)コポリマー(MW=6000、MW
/MN=2.0)1重量部、酸化アルミニウム9重量
部、水とイソプロピルアルコール混合溶媒をそれぞれ7
5重量部と15重量部を準備し、ポリアクリル酸を溶媒
に溶解して25%アンモニア水でpHを8に調整した
後、高速ミキサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添
加してスラリー状の研磨剤を得た。 実施例5 アクリル酸/ATBSコポリマー(MW=11000、
MW/MN=2.2)0.6重量部、酸化アルミニウム9
重量部、水93.4重量部を準備し、ポリアクリル酸を
水に溶解して25%アンモニア水でpHを8に調整した
後、高速ミキサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添
加してスラリー状の研磨剤を得た。 実施例6 ポリアクリル酸(MW=1500、MW/MN=1.
7)1重量部、酸化シリコン6重量部、水93重量部を
準備し、ポリアクリル酸を水に溶解して25%アンモニ
ア水でpHを8に調整した後、高速ミキサーで攪拌しな
がら酸化シリコンを添加してスラリー状の研磨剤を得
た。
7)1重量部、酸化アルミニウム9重量部、水90重量
部を準備し、ポリアクリル酸を水に溶解して25%アン
モニア水でpHを8に調整した後、高速ミキサーで攪拌
しながら酸化アルミニウムを添加してスラリー状の研磨
剤を得た。 実施例2 ポリアクリル酸(MW=2000、MW/MN=1.
7)0.8重量部、酸化アルミニウム9重量部、水90.
2重量部を準備し、ポリアクリル酸を水に溶解して25
%アンモニア水でpHを6に調整した後、高速ミキサー
で攪拌しながら酸化アルミニウムを添加してスラリー状
の研磨剤を得た。 実施例3 アクリル酸/マレイン酸コポリマー(MW=3000、
MW/MN=1.9)1重量部、酸化アルミニウム9重
量部、水90重量部を準備し、ポリアクリル酸を水に溶
解して25%アンモニア水でpHを8に調整した後、高
速ミキサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添加して
スラリー状の研磨剤を得た。 実施例4 アクリル酸/ATBS(アクリルアミドターシャリィー
ブチルスルホン酸)コポリマー(MW=6000、MW
/MN=2.0)1重量部、酸化アルミニウム9重量
部、水とイソプロピルアルコール混合溶媒をそれぞれ7
5重量部と15重量部を準備し、ポリアクリル酸を溶媒
に溶解して25%アンモニア水でpHを8に調整した
後、高速ミキサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添
加してスラリー状の研磨剤を得た。 実施例5 アクリル酸/ATBSコポリマー(MW=11000、
MW/MN=2.2)0.6重量部、酸化アルミニウム9
重量部、水93.4重量部を準備し、ポリアクリル酸を
水に溶解して25%アンモニア水でpHを8に調整した
後、高速ミキサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添
加してスラリー状の研磨剤を得た。 実施例6 ポリアクリル酸(MW=1500、MW/MN=1.
7)1重量部、酸化シリコン6重量部、水93重量部を
準備し、ポリアクリル酸を水に溶解して25%アンモニ
ア水でpHを8に調整した後、高速ミキサーで攪拌しな
がら酸化シリコンを添加してスラリー状の研磨剤を得
た。
【0012】研磨試験結果1 各実施例により得られた研磨剤の研磨試験結果を表1に
示す。
示す。
【0013】
【表1】
【0014】比較例1 不飽和カルボン酸ポリマーを添加せず、酸化アルミニウ
ム9重量部、水91重量部を準備し、25%アンモニア
水で水のpHを8に調整した後、高速ミキサーで攪拌し
ながら酸化アルミニウムを添加してスラリー状の研磨剤
を得た。 比較例2 不飽和カルボン酸ポリマーの代りにクエン酸2重量部、
酸化アルミニウム9重量部、水89重量部を準備し、2
5%アンモニア水で水のpHを8に調整した後、高速ミ
キサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添加してスラ
リー状の研磨剤を得た。 比較例3 不飽和カルボン酸ポリマーの代りに酢酸1重量部、酸化
アルミニウム9重量部、水とイソプロピルアルコール混
合溶媒をそれぞれ75重量部と15重量部を準備し、2
5%アンモニア水で溶媒のpHを8に調整した後、高速
ミキサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添加してス
ラリー状の研磨剤を得た。
ム9重量部、水91重量部を準備し、25%アンモニア
水で水のpHを8に調整した後、高速ミキサーで攪拌し
ながら酸化アルミニウムを添加してスラリー状の研磨剤
を得た。 比較例2 不飽和カルボン酸ポリマーの代りにクエン酸2重量部、
酸化アルミニウム9重量部、水89重量部を準備し、2
5%アンモニア水で水のpHを8に調整した後、高速ミ
キサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添加してスラ
リー状の研磨剤を得た。 比較例3 不飽和カルボン酸ポリマーの代りに酢酸1重量部、酸化
アルミニウム9重量部、水とイソプロピルアルコール混
合溶媒をそれぞれ75重量部と15重量部を準備し、2
5%アンモニア水で溶媒のpHを8に調整した後、高速
ミキサーで攪拌しながら酸化アルミニウムを添加してス
ラリー状の研磨剤を得た。
【0015】研磨試験結果2 各比較例により得られた研磨剤の研磨試験結果を表2に
示す。
示す。
【0016】
【表2】
【0017】以上の試験結果より、比較例に示された不
飽和カルボン酸ポリマーが添加されないものや不飽和カ
ルボン酸ポリマーの代りにカルボン酸を添加した研磨剤
に比べ、実施例で示される本発明による研磨剤が、平均
研磨速度が大きく、且つピットが無いことが判る。
飽和カルボン酸ポリマーが添加されないものや不飽和カ
ルボン酸ポリマーの代りにカルボン酸を添加した研磨剤
に比べ、実施例で示される本発明による研磨剤が、平均
研磨速度が大きく、且つピットが無いことが判る。
【0018】
【発明の効果】本発明の研磨剤組成物は、研磨加工にお
いて、ピットの発生を少なく、研磨速度の向上による効
率的な研磨を行える研磨剤を可能とするものであり、半
導体産業等におけるディバイスウェハーの表面平坦化加
工などで高精度の仕上げ面を得ることを可能とし、研磨
速度が高いことによる、研磨加工時間の短縮、研磨剤消
費量の低減、装置の運転コストダウンによる加工コスト
メリットが得られるという優れた効果を奏するものであ
る。
いて、ピットの発生を少なく、研磨速度の向上による効
率的な研磨を行える研磨剤を可能とするものであり、半
導体産業等におけるディバイスウェハーの表面平坦化加
工などで高精度の仕上げ面を得ることを可能とし、研磨
速度が高いことによる、研磨加工時間の短縮、研磨剤消
費量の低減、装置の運転コストダウンによる加工コスト
メリットが得られるという優れた効果を奏するものであ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 カルボキシル基を有する重合体を含有す
ることを特徴とする電子機器材料用研磨剤組成物。 - 【請求項2】 カルボキシル基を有する重合体がアクリ
ル酸を必須構成単量体とする重合体であることを特徴と
する請求項1記載の電子機器材料用研磨剤組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000021709A JP2001214155A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 電子機器材料用研磨剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000021709A JP2001214155A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 電子機器材料用研磨剤組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001214155A true JP2001214155A (ja) | 2001-08-07 |
Family
ID=18548084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000021709A Pending JP2001214155A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 電子機器材料用研磨剤組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001214155A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007235001A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Mitsui Chemicals Inc | 研磨用スラリー |
US7553345B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-06-30 | Kao Corporation | Polishing composition |
-
2000
- 2000-01-31 JP JP2000021709A patent/JP2001214155A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7553345B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-06-30 | Kao Corporation | Polishing composition |
JP2007235001A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Mitsui Chemicals Inc | 研磨用スラリー |
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