JP4704503B1 - 電子デバイス用基板及び電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】環状絶縁部3は、ガラスを主成分とする無機絶縁層33を含み、無機絶縁層33は、縦導体2を取り囲んで、半導体基板1に設けられた環状溝30の内部に充填されている。
【選択図】図1
Description
することである。
。但し、添付図面は、単なる例示に過ぎない。
し、接合した構造となっている。
2 縦導体
20 縦孔
3 環状絶縁部
31 絶縁層
32 絶縁層
33 無機絶縁層
Claims (9)
- 半導体基板と、縦導体と、環状絶縁部とを含む電子デバイス用基板であって、
前記縦導体は、前記半導体基板の厚み方向に延びる縦孔内に充填された凝固金属体であって、複数の金属元素の多結晶体でなり、
前記環状絶縁部は、ガラスを主成分としセラミック微粒子を含有する無機絶縁層を含んでおり、
前記無機絶縁層は、前記縦導体を取り囲んで前記半導体基板に設けられた環状溝内に充填されており、
更に、前記環状絶縁部は、前記環状溝の内壁面に絶縁層を有し、
前記無機絶縁層は、前記絶縁層の内側に生じる前記環状溝内に、液状ガラスを充填し硬化させたものでなり、前記セラミック微粒子が、常温比抵抗が10 14 Ω・cmを超え、比誘電率が4〜9の範囲にある、
基板。 - 請求項1に記載された電子デバイス用基板であって、前記絶縁層は、酸化層または窒化層である、基板。
- 請求項2に記載された電子デバイス用基板であって、前記絶縁層は、前記環状溝の内面において、前記半導体基板が酸化又は窒化されたものである、基板。
- 請求項2又は3に記載された基板であって、
前記半導体基板は、シリコン基板であり、
前記絶縁層は、シリコン酸化層又はシリコン窒化層である、
基板。 - 請求項1乃至4の何れかに記載された基板であって、インターポーザである、基板。
- 請求項1乃至5の何れかに記載された基板であって、前記半導体基板は、半導体素子を有している、基板。
- 複数枚の基板を積層した電子デバイスであって、前記複数枚の基板は、請求項1乃至6の何れかに記載されたものを含む、電子デバイス。
- 請求項7に記載された電子デバイスであって、三次元システム・パッケージ(3D-SiP)である、電子デバイス。
- 請求項8に記載された電子デバイスであって、システムLSI、メモリLSI、イメージセンサ、又はMEMSの何れかである、電子デバイス。
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