JP4690841B2 - 表面検査装置 - Google Patents

表面検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4690841B2
JP4690841B2 JP2005288215A JP2005288215A JP4690841B2 JP 4690841 B2 JP4690841 B2 JP 4690841B2 JP 2005288215 A JP2005288215 A JP 2005288215A JP 2005288215 A JP2005288215 A JP 2005288215A JP 4690841 B2 JP4690841 B2 JP 4690841B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
pulsed light
wavelength
pulsed
inspection apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005288215A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007101227A (ja
Inventor
英彦 黒田
智 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2005288215A priority Critical patent/JP4690841B2/ja
Publication of JP2007101227A publication Critical patent/JP2007101227A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4690841B2 publication Critical patent/JP4690841B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本発明は検査対象からの回折光を検出することにより欠陥を検出する表面検査装置に関する。
従来、この種の表面検査装置の一例としては、検査対象の表面にレーザ光を照射し、その検査対象に発生する回折光に基づいて表面の欠陥を検出するレーザ回折法が知られている。
図5はこの種の従来の表面検査装置1の原理を示す図である。この表面検査装置1は、検査対象である試験台2の表面にレーザビーム3を照射するレーザ発振器4、レーザビーム3が表面欠陥に照射された場合に発生する回折光5を受光するスクリーン6を有する(例えば、非特許文献1参照)。このような表面検査装置1では、レーザ発振器4のレーザビーム3が試験台2の表面欠陥に照射された場合、スクリーン6において欠陥に特有の回折光パターン7を受光することができる。このため、空間フィルタを用いて欠陥特有の回折光5を検出することにより、欠陥有無等の検出が可能となる。また、回折光パターン7を画像処理することにより欠陥種別の弁別も可能である。
「レーザ計測ハンドブック」丸善株式会社 平成5年9月25日発行 第459頁
ところで、上述のような従来の表面検査装置1では、表面欠陥による回折光の強度が弱い検査対象あるいは欠陥種別の場合、光学系や、信号処理装置、画像処理装置等の装置構成が複雑になるという課題がある。
そこで、本発明の目的は、回折光の強度が弱い検査対象あるいは欠陥種別の場合であっても、構成が簡単な表面検査装置を提供することにある。
本発明は、パルス光を照射するパルス幅調整可能のパルス光照射手段と、前記パルス光を検査対象の表面に集光する集光手段と、この集光手段により集光されたパルス光が検査対象の表面欠陥に照射された場合に発生する回折光の中で前記パルス光と同一波長を観測波長として選択する観測波長選択手段と、この観測波長選択手段により選択された観測波長の回折光を前記パルス光と同期した発光タイミングで同一の発光時間だけ通過させる観測時間選択手段と、この観測時間選択手段により選択された観測時間回折光を検出する検出手段と、この検出手段からの検出出力に基づいて前記検査対象の表面欠陥を判定する判定手段と、前記検査対象へ集光されたパルス光の正反射光を抽出して検査対象へ集光されるパルス光の共焦点を生成する共焦点生成手段と、前記共焦点位置における正反射光のビーム像の画像を計測する形状計測手段と、この形状計測手段により計測された正反射光の形状から検査対象へ集光されるパルス光の集光径を求める形状・集光径変換演算手段と、を具備することを特徴とする。
本発明は、回折光の強度が弱い検査対象や欠陥種別を検出手段により検出することができる。
以下、本発明に係る表面検査装置の実施例について、添付図面を参照して説明する。なお、これらの添付図面中、同一または相当部分には同一符号を付している。
(実施例1)
図1は、実施例1に係る表面検査装置11の構成を示すブロック図である。この表面検査装置11は、パルス光12を照射するパルス光照射手段13、パルス光12を検査対象14に集光させ照射する集光手段15、集光されたパルス光12が検査対象14の表面欠陥16に照射された場合に発生する回折光17から、パルス光12と同一の波長を観測波長として選択する観測波長選択手段18、さらに、この観測波の中からパルス光12と同期した発光タイミングで同一の発光時間だけ通過させる観測時間選択手段19、この観測時間選択手段19から出力される回折光を検出する検出手段20、この検出手段20の出力から表面欠陥21の有無や種別を判定する判定手段21を1系統以上具備している。
パルス光照射手段13は、パルス光12を照射するパルス光源であり、例えば、Xeフラッシュランプ等の希ガスのフラッシュランプ、Nd:YAGレーザやNd:YLFレーザ、XeCl、KrF、ArFのエキシマレーザ、COレーザ等のパルス発振のレーザ等である。そして、パルス光照射手段13は、パルス光12の点灯(発光)タイミングを示すTTL信号等の電気信号の形態で観測時間選択手段19へ伝送するタイミング信号伝送手段を備えている。なお、これらパルス光源は、パルス光12のパルスエネルギーやパルス幅を調整することができるように構成されている。特に、パルス幅の調整は、例えば、フラッシュランプでは電気回路のコンデンサ変更、レーザでは共振器長の変更等によって行うことが可能である。
集光手段15は、パルス光12を検査対象14に集光する光学素子であり、例えば、単レンズ、メニスカスレンズを用いて1枚以上で構成されるレンズ等の各種光学レンズで構成される。
観測波長選択手段18は、パルス光12と同一波長の光を透過する一方、パルス光12の波長と異なるノイズ光を遮断する光学フィルタであり、例えば、色ガラスフィルタ、干渉フィルタで構成される。光学フィルタの透過波長は、回折光17の波長の一部または全部を含むように選択されるか、もしくはノイズ光の波長の一部または全部を遮断するように選択される。
観測時間選択手段19は、パルス光12と同期した発光タイミングで同一の発光時間だけ回折光17を透過するシャッタであり、例えば、遮蔽体を動作させるメカニカルシャッタや液晶シャッタ、あるいはポッケルス効果や、カー効果、ファラデー効果を有する電気光学素子や音響光学素子等を用いたシャッタで構成される。シャッタの開時間は、回折光17の発光の一部または全部を含むように選択されるか、もしくは、特にノイズ光よりも高強度な時間だけ開状態になるように選択される。また、シャッタの開タイミングは、パルス光照射手段13のタイミング信号伝送手段(図示せず)から与えられるTTL信号等の電気信号と同期するようになっている。
検出手段20は、光検出器であり、例えば、フォトダイオード、PINフォトダイオード、アバランシュフォトダイオード、光電管、光電子増倍管等、ラインセンサ等の光検出器を2次元的に複数以上並べて構成される。また、CCD(電荷結合素子)、冷却CCD、イメージインテンシファイア等の2次元検出器で構成することもできる。なお、CCD、イメージインテンシファイア等は電子シャッタ機能を有しており、観測時間選択手段10を省略することができる。検出手段20により検出された回折光17は、電気信号に変換されて判定手段21へ伝送される。
判定手段21では、検出手段20からの出力を画像化して画像処理を行い、欠陥の有無および種別を判定する。このような判定手段21は、アナログ信号やデジタル信号の入出力を備え、画像処理を行うことが可能な汎用PC(パーソナルコンピュータ)やマイクロプロセッサ等により構成される。
次に、この表面検査装置11の作用を説明する。
まず、パルス光照射手段13において、検査対象14へ照射するパルス光12の出力を設定する。この出力設定は、検査対象14の照射部位に干渉等の影響を与えない範囲内でパルス光12のパルスエネルギーが大きくなるようにパルスエネルギーやパルス幅τを設定する。特に、パルス幅を広げることでパルスエネルギーを大きく設定できるため、パルス幅の設定は重要である。ここで、設定後のパルス光12は、波長をλ、パルス幅をτ、とする。このパルス光12は、集光手段15によって検査対象14の欠陥の無い正常部に照射された場合、ほぼ正反射の方向に反射される。他方、パルス光12が表面欠陥16に照射された場合、正反射の方向以外の方向に表面欠陥16に特有の回折光17が発生する。この回折光17は、検査対象14の照射部位に干渉等影響を与えない範囲内においてパルス光12のエネルギーが大きくなるように設定されているため、高強度な回折光17を得ることができる。これにより、回折光17の強度が弱い検査対象14あるいは欠陥種別の場合でも、高強度の回折光17を得ることができる。
このようにして得られた表面欠陥16の回折光17は、パルス光12と同一の波長λ、パルス幅τである。このため、表面欠陥16の回折光17は、波長λを透過波長に設定している観測波長選択手段18を透過する。他方、波長λとは異なる波長のノイズ光は、観測波長選択手段18によって遮断される。続いて、観測波長選択手段18を透過した後の回折光17は、パルス光12の点灯タイミングと同期して開状態となり、パルス幅τと同一の時間だけ開状態になっている観測時間選択手段19を通過する。この場合、観測時間選択手段19のシャッタ開時間が、回折光17のパルス幅τと同一であり、パルス幅τの回折光17が時間的には全て通過する。他方、波長λと同一波長であってもパルス光12の発光タイミングおよび発光時間が異なるノイズ光は、観測時間選択手段19によって遮断される。これにより、パルス光12と同一の波長、発光タイミングおよび発光時間が異なるノイズ光を遮断することができる。このために、検出手段20では、表面欠陥16の回折光17を高SN比で検出することができる。したがって、判定手段21において、欠陥検出や画像処理による欠陥種別の弁別を高精度により行うことが可能である。
すなわち、表面検査装置11によれば、パルス光12が照射される検査対象14の照射部位に干渉等影響を与えない範囲内でパルス光12のエネルギーが可及的に大きくなるようにパルスエネルギーやパルス幅をパルス光照射手段12で設定しているので、回折光17の強度が弱い検査対象14あるいは欠陥種別の場合でも、高強度の回折光17を得ることができる。さらに、表面欠陥16の回折光17の波長λおよびパルス幅τを選択して検出することにより、ノイズ光が存在する場合であっても、回折光17を検出することができる。これにより、表面欠陥16の回折光17を高SN比で検出することが可能となり、欠陥検出や画像処理による欠陥種別の弁別を高精度で容易に行うことができる。
(実施例2)
図2は本発明の実施例2に係る表面検査装置11Aの構成を示すブロック図である。この表面検査装置11Aは、上記実施例1に係る表面検査装置11に、上記パルス光照射手段13に代る波長可変パルス光照射手段22、検査対象14へ集光されたパルス光12の正反射光を抽出して検査対象14へ集光されるパルス光12の共焦点を生成する図2中上下一対の第1,第2共焦点生成手段23a,23b、共焦点位置における正反射光の形状を計測する形状計測手段24、計測された正反射光の形状から検査対象14へ集光されるパルス光12の集光径を求める形状・集光径変換演算手段25、集光手段15をその焦点方向に走査する走査手段26、共焦点法に従い、検査対象14へ集光されるパルス光12の集光径が最小になる場合の集光手段15の位置からパルス光12が照射される位置の検査対象14の高さを求める形状演算手段27を設けることにより構成されている。
上記波長可変パルス光照射手段22は、上記パルス光照射手段13に代えて配設されるものであり、パルス光12の波長を変えることができるパルス光源である。例えば、Ti:Sapphire等の波長可変固体レーザ、Dyeレーザ等の波長可変液体レーザで構成される。パルス光12の波長を変更することにより、集光手段15の焦点距離が波長に依存して変わるため、集光手段15を移動させることなく検査対象14へ照射されるパルス光12の集光径を変えることができる。また、回折の原理から表面欠陥16の回折光17の回折角を変えることができる。他方、パルス光12の点灯(1発光)タイミングが、TTL信号等の電気信号の形態で観測時間選択手段19へ伝送されるようになっている。
図2中下方の第1共焦点生成手段23aは、検査対象14へ集光されたパルス光12の正反射光を取り出す光学素子であり、例えば、ビームスプリッタや偏光ビームスプリッタで構成される。なお、偏光ビームスプリッタで構成する場合は、偏光板や偏光プリズム、波長板等と組み合せて構成される。
図2中上方の第2共焦点生成手段23bは、集光手段15と同一の光学素子である。
形状計測手段24は、計測光のビーム形状を画像計測する2次元検出器であり、例えば、CCD、ラインセンサアレイ、フォトダイオードアレイ等で構成される。また、画像計測する計測光が微弱な場合は、冷却CCDやイメージインテンシファイア等の高感度の2次元検出器で構成される。
形状計測手段24は、その受光面が、共焦点生成手段23bの焦点に位置するように設置される。また、形状計測手段24は、ピンホール、スリット、ナイフエッジ等の開口を受光面に備えた光検出器でも構成することができる。この場合は、開口が第2共焦点生成手段23bの焦点に設置され、受光面と平行に開口を2次元走査してビーム形状を画像計測する。計測画像は、電気信号に変換されて形状・集光径変換演算手段25へ与えられる。
形状・集光径変換演算手段25では、計測画像を取り込み、画像を表示する一方、画像の輝度強度や輝度ヒストグラム等から計測光のビーム形状を抽出し、その集光径を求める。そして、その演算結果は、電気信号の形態で形状演算手段27へ与えられる。このような形状・集光径変換演算手段25は、アナログ信号およびデジタル信号の入出力を複数以上備え、取込画像に対して画像処理を行うことができる汎用PCにより構成することができる。
走査手段26は、集光手段15をその焦点方向に走査する駆動機構で構成される。このような駆動機構としては、ステッピングモータやサーボモータ、ピエゾアクチュエーターが挙げられる。走査手段26は、外部入力の電気信号によって駆動制御され、取り付けた集光手段15をその焦点方向に走査するようになっている。
形状演算手段27では、走査手段26を駆動制御する電気信号を出力する一方、形状・集光径変換演算手段25からパルス光12の集光径の数値を取り込む。そして、パルス光12の集光径およびその時の走査手段26の位置を記憶し、記憶されたパルス光12の集光径の数値比較ができるようになっている。このような形状演算手段27は、アナログ信号およびデジタル信号の入出力を複数以上備え、取込信号の記憶と信号処理を行うことができる汎用PCで構成することができる。なお、形状演算手段27、形状・集光径変換演算手段25、判定手段21は、一つの汎用PCやマイクロプロセッサ等により代用することも可能である。
次に、この表面検査装置11Aの作用を説明する。
検出手段20により検出される表面欠陥16の回折光17が微弱な場合、検査対象14へ照射するパルス光12の波長λを変更し、検査対象14へ照射されるパルス光12の集光径および表面欠陥16の回折光17の回折角を変える。この回折角の変更は、波長可変パルス光照射手段22により行なう。すなわち、パルス光12の集光径を変えて分解能を変えることにより表面欠陥16の開口を検出できるように、または回折光17の回折角がノイズ光と異なる方向になるように、またはその両方の条件を満たすようにパルス光12の波長を変更する。また、可能な場合、ノイズ光の波長と重ならない波長に変更する。ここで、変更後のパルス光12は、波長λaとする。
このパルス光12は、共焦点生成手段23aでその光路が曲げられ、集光手段15によって検査対象14へ照射される。そして、検査対象14の表面欠陥16にパルス光12が照射された場合、回折光17が発生する。この回折光17は、パルス光12の集光径、表面欠陥16の回折光17の回折角が調整されているため、検査対象14で散乱するパルス光12によるノイズ光が小さく、また指向性の高いノイズ光を避けるようになっている。これにより、回折光17の強度が弱い検査対象14あるいは欠陥種別の場合でも、回折光17を得ることができる。そして、観測波長選択手段18の観測波長を変更波長λaに設定し、実施例1と同様の作用を受けることにより、表面欠陥16の回折光17を高SN比で検出でき、欠陥検出や画像処理による欠陥種別の弁別を高精度かつ容易に行うことが可能となる。
他方、検査対象14の欠陥の無い正常部にパルス光12が照射された場合の正反射光は、照射されたパルス光12の照射経路を逆に戻り、集光手段15を経て第1共焦点生成手段23aを透過する。そして、第2共焦点生成手段23bによって形状計測手段24の受光面に集光され、画像計測される。受光面上の正反射光の形状は、共焦点の原理から検査対象14に照射されたパルス光12の形状と同一である。そこで、形状・集光径変換演算手段25において、正反射光の形状を表示し、その集光径を求めることにより、検査対象14へ照射されるパルス光12の形状と集光径を監視および計測することが可能となる。
さらに、パルス光12が照射される位置の検査対象14の高さを計測することができる。この場合は、形状演算手段27において、走査手段26を走査し、正反射光の集光径が最小となる集光手段15の位置を高さとして記憶する。正反射光の集光径が最小になるのは、共焦点の原理からパルス光の集光径が最小になる場合であり、パルス光12を照射する集光手段15の焦点に検査対象14が位置した場合である。従って、パルス光12が照射される位置の検査対象14の高さは、形状演算手段27において、正反射光の集光径が最小となる集光手段15の高さから集光手段15の焦点距離だけ低い高さとして求めることができる。
すなわち、この表面検査装置11Aによれば、波長可変パルス光照射手段22によりパルス光12の波長を変更して検査対象14へ照射するパルス光12の集光径および表面欠陥16の回折光17の回折角を調整することにより、検査対象14の表面で散乱するパルス光12によるノイズ光を小さくできると共に、指向性の高いノイズ光を避けることができる。これにより、回折光17の強度が弱い検査対象14あるいは欠陥種別の場合でも、回折光17を高精度で得ることができる。
また、検査対象14に照射されたパルス光12の正反射光を共焦点位置におかれた形状計測手段24によって画像計測することにより、共焦点の原理から、検査対象14へ照射されたパルス光12の形状および集光径を監視および計測することができる。
さらに、走査手段26により集光手段15を走査し、検査対象14に照射されたパルス光12の正反射光の集光径が最小となる集光手段15の位置を求めることにより、共焦点の原理から、パルス光12が照射される位置の検査対象14の高さを求めることができる。
(実施例3)
図3は本発明の実施例3に係る表面検査装置11Bの構成を示すブロック図である。この表面検査装置11Bは、上記実施例2に係る表面検査装置11Aにおいて、波長分離手段28と第2の集光手段29を設ける一方、形状計測手段24を第1,第2強度計測手段30a,30bに置換し、また、可変パルス光照射手段22を多波長パルス光照射手段31に置換し、さらに、形状・集光径変換演算手段25を強度・集光径変換演算手段32に置換した点に特徴がある。
すなわち、多波長パルス光照射手段31は、複数の波長のパルス光12を照射することができるパルス光源であり、例えば、波長変換や光パラメトリック発振を行う非線形結晶をパルス発振のレーザに取り付けて構成される。波長変換を行う非線形結晶を取り付けた場合は、波長変換されたパルス光12以外にも、波長変換前の波長のパルス光12が発生する。他方、光パラメトリック発振を行う非線形結晶を取り付けた場合は、波長の異なる二つのパルス光12が発生する。
波長分離手段18は、複数の波長が混合している多波長パルス光照射手段31のパルス光12から特定波長のパルス光12を分離する光学素子であり、例えば、ダイクロックミラー、特定波長のパルス光を反射あるいは透過するコーティングを行ったミラー等により構成される。本実施例では、波長分離手段28は一つであるが、多波長パルス光照射手段31のパルス光12の波長数だけ波長分離手段28および第2の集光手段29を用いることができる。
第1強度計測手段30aは、例えばSUS(ステンレス)等の金属板に微小な開口を穿設加工した素子である。その開口は、検査対象14に照射されたパルス光12の最小の集光径と同一の寸法および形状とする。また開口は、第2共焦点生成手段23bの焦点に位置するように設置される。
第2強度計測手段30bは、光検出器であり、例えば、フォトダイオード、PINフォトダイオード、アバランシュフォトダイオード、光電管、光電子増倍管等で構成することができる。第2強度計測手段30bは、第1強度計測手段30aの開口を通過した計測光を全て受光するように設置される。計測された受光強度は、電気信号に変換されて強度・集光径変換演算手段32へ与えられる。
強度・集光径変換演算手段32では、計測された受光強度および走査手段26の走査位置を取り込み、それら数値を表示して記憶する一方、集光手段15,29の焦点方向の各位置におけるパルス光12のビーム径が予めデータとして記憶されている。そして、記憶された受光強度の数値比較ができるようになっている。また、その結果は、電気信号の形態で形状演算手段27へ与えられる。この強度・集光径変換演算手段32は、アナログ信号およびデジタル信号の入出力を複数以上備え、取込信号に対して信号処理を行うことができる汎用PCやマイクロプロセッサにより構成することができる。なお、強度・集光径変換演算手段32、形状演算手段27、判定手段21は、一つの汎用PCやマイクロプロセッサにより代用することも可能である。
次に、この表面検査装置11Bの作用を説明する。
まず、検査対象14の複数の位置の表面検査を行う場合、検査対象14へ照射するパルス光12の波長を多波長パルス光照射手段31において複数選択する。ここで、パルス光12のパルスエネルギー、パルス幅、波長の設定は、実施例1および2と同様に設定する。設定後のパルス光12は、第1波長λ、第2波長λとする。第1波長λのパルス光12は、第1波長λのパルス光12を反射する波長分離手段28によって反射され、第2集光手段29によって集光されて検査対象14へ照射される。
そして、観測波長選択手段18の観測波長を第1波長λに設定し、実施例1と同様の作用を受けることにより、表面欠陥16の回折光17を高SN比で検出でき、第1波長λのパルス光12が照射される位置の表面検査を行うことが可能となる。
他方、第2波長λのパルス光12は、波長分離手段28を透過し、第1共焦点生成手段23aでその光路が曲げられ、集光手段15によって検査対象14へ集光照射される。
そして、観測波長選択手段18の観測波長を第2波長λに変更し、実施例1と同様の作用を受けることにより、第1波長λのパルス光12と同様に表面欠陥16の回折光17を高SN比で検出でき、第2波長λのパルス光12が照射される位置の表面検査を行うことが可能となる。
これにより、第1,第2波長λ,λの両パルス光12がノイズ光となることがなく、さらには位置を区別して検査対象14の複数の位置の表面検査を行うことが可能となる。なお、本実施例では、波長数は二つであるが、波長数を2以上に増やして波長分離手段28および第2の集光手段29を追加することで、より多くの位置の表面検査が可能になる。
第2波長λのパルス光12が検査対象14の欠陥の無い正常部に照射された場合の正反射光は、上記実施例2の表面検査装置11Aと同様の作用を受け、第1強度計測手段30aの開口を通過して第2強度計測手段30bで受光される。そして、計測された受光強度は、強度・集光径変換演算手段32へ与えられる。
一方、形状演算手段27では、走査手段26により集光手段15,29を走査し、集光手段15,29の位置を強度・集光径変換演算手段26へ与えられる。したがって、強度・集光径変換演算手段32では、集光手段15,29の各位置における受光強度を記憶することができる。第1強度計測手段30aは、第2共焦点生成手段23bの焦点の位置に設置されているため、共焦点の原理に従い、正反射光は検査対象14に照射されるパルス光12が最小になった場合に欠けることなく第1強度計測手段30aを通過する。
パルス光12は集光手段15,29が検査対象14の焦点fに位置した場合に最小となるため、集光手段15,29の位置と受光強度の関係は図4で示す特性曲線Aに示すようになる。
したがって、走査手段26により集光手段15,29を走査して図4で示す特性曲線Aを作成することにより、初期位置の受光強度Iから集光手段15,29の初期位置zを求めることができる。
そして、集光手段15,29の焦点方向の各位置におけるパルス光12のビーム径が予め記憶されているため、検査対象14へ集光される第2波長λのパルス光12の集光径を求めることができる。これにより、強度・集光径変換演算手段32において、検査対象14へ照射される第2波長λのパルス光12の集光径を監視および計測することが可能となる。
本発明の実施例1に係る表面検査装置の構成を示すブロック図。 本発明の実施例2に係る表面検査装置の構成を示すブロック図。 本発明の実施例3に係る表面検査装置の構成を示すブロック図。 図3で示す表面検査装置における集光手段の位置と第2強度計測手段の受光強度の関係を示すグラフ。 従来の表面検査装置の構成例を示すブロック図。
符号の説明
11,11A,11B 表面検査装置
12 パルス光
13 パルス光照射手段
14 検査対象
15 集光手段
16 表面欠陥
17 回折光
18 観測波長選択手段
19 観測時間選択手段
20 検出手段
21 判定手段
22 波長可変パルス光照射手段
23a,23b 第1,第2共焦点生成手段
24 形状計測手段
25 形状・集光径変換演算手段
26 走査手段
27 形状演算手段
28 波長分離手段
30a,30b 第1,第2強度計測手段
31 多波長パルス光照射手段
32 強度・集光径変換演算手段

Claims (5)

  1. パルス光を照射するパルス幅調整可能のパルス光照射手段と、
    前記パルス光を検査対象の表面に集光する集光手段と、
    この集光手段により集光されたパルス光が検査対象の表面欠陥に照射された場合に発生する回折光の中で前記パルス光と同一波長を観測波長として選択する観測波長選択手段と、
    この観測波長選択手段により選択された観測波長の回折光を前記パルス光と同期した発光タイミングで同一の発光時間だけ通過させる観測時間選択手段と、
    この観測時間選択手段により選択された観測時間回折光を検出する検出手段と、
    この検出手段からの検出出力に基づいて前記検査対象の表面欠陥を判定する判定手段と、
    前記検査対象へ集光されたパルス光の正反射光を抽出して検査対象へ集光されるパルス光の共焦点を生成する共焦点生成手段と、
    前記共焦点位置における正反射光のビーム像の画像を計測する形状計測手段と、
    この形状計測手段により計測された正反射光の形状から検査対象へ集光されるパルス光の集光径を求める形状・集光径変換演算手段と、
    を具備することを特徴とする表面検査装置。
  2. 前記請求項1記載の表面検査装置において、
    前記パルス光照射手段は、前記パルス光の波長変換が可能の波長可変パルス光照射手段に置換されていることを特徴とする表面検査装置。
  3. 前記請求項1記載の表面検査装置において、
    前記パルス光照射手段に代えて、複数の波長のパルス光を照射する多波長パルス光照射手段と、
    この多波長パルス光照射手段からの複数波長のパルス光から特定波長のパルス光を分離して前記集光手段に与える波長分離手段と、
    を設けていることを特徴とする表面検査装置。
  4. 前記請求項1記載の表面検査装置において、
    前記集光手段をその焦点方向に走査する走査手段と、
    共焦点法に従い、検査対象へ集光されるパルス光の集光径が最小になる前記集光手段の位置からパルス光が照射される位置の検査対象の高さを求める形状演算手段と、
    を有することを特徴とする表面検査装置。
  5. 前記請求項4記載の表面検査装置において、
    前記形状計測手段に代えて、前記共焦点位置に設置されたピンホールを通過した正反射光の強度を計測する強度計測手段を設け、
    前記形状・集光径変換演算手段に代えて、計測された正反射光の強度から検査対象へ集光されるパルス光の集光径を求める強度・集光径変換演算手段と、
    を設けたことを特徴とする表面検査装置。
JP2005288215A 2005-09-30 2005-09-30 表面検査装置 Expired - Fee Related JP4690841B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005288215A JP4690841B2 (ja) 2005-09-30 2005-09-30 表面検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005288215A JP4690841B2 (ja) 2005-09-30 2005-09-30 表面検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007101227A JP2007101227A (ja) 2007-04-19
JP4690841B2 true JP4690841B2 (ja) 2011-06-01

Family

ID=38028343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005288215A Expired - Fee Related JP4690841B2 (ja) 2005-09-30 2005-09-30 表面検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4690841B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014089162A (ja) * 2012-10-31 2014-05-15 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置及び検査方法
JP7360320B2 (ja) * 2019-12-24 2023-10-12 株式会社トプコン 測量装置

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0424541A (ja) * 1990-05-21 1992-01-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 内部欠陥測定方法および装置
JPH06147866A (ja) * 1992-11-12 1994-05-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学的表面形状計測装置
JPH06294754A (ja) * 1993-04-12 1994-10-21 Seiko Epson Corp ピンホール検査方法及びピンホール検査装置
JPH06308038A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Matsushita Electron Corp 半導体素子検査装置
JPH07139930A (ja) * 1993-11-18 1995-06-02 Tokai Rika Co Ltd 自動調光式表面性状測定装置
JPH07325036A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 New Kurieishiyon:Kk 検査用光学系および検査装置
JPH10500628A (ja) * 1994-02-18 1998-01-20 ニュー ウェーブ リサーチ プローブステーションおよびレーザ切断のための多波長レーザ光学システム
JPH1068616A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Fuji Xerox Co Ltd 形状計測装置
JPH1172443A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Nikon Corp 自動マクロ検査装置
JP2000216208A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Hitachi Ltd 外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
JP2000338048A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Hamamatsu Photonics Kk 表面検査方法及び検査装置
JP2001021501A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスク検査方法および検査装置
JP2001215115A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Ccs Inc Ledを用いた製品検査用ライン照明装置
JP2003232749A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体デバイス故障解析装置
JP2005070225A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd 表面画像投影装置及び表面画像投影方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0424541A (ja) * 1990-05-21 1992-01-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 内部欠陥測定方法および装置
JPH06147866A (ja) * 1992-11-12 1994-05-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学的表面形状計測装置
JPH06294754A (ja) * 1993-04-12 1994-10-21 Seiko Epson Corp ピンホール検査方法及びピンホール検査装置
JPH06308038A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Matsushita Electron Corp 半導体素子検査装置
JPH07139930A (ja) * 1993-11-18 1995-06-02 Tokai Rika Co Ltd 自動調光式表面性状測定装置
JPH10500628A (ja) * 1994-02-18 1998-01-20 ニュー ウェーブ リサーチ プローブステーションおよびレーザ切断のための多波長レーザ光学システム
JPH07325036A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 New Kurieishiyon:Kk 検査用光学系および検査装置
JPH1068616A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Fuji Xerox Co Ltd 形状計測装置
JPH1172443A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Nikon Corp 自動マクロ検査装置
JP2000216208A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Hitachi Ltd 外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
JP2000338048A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Hamamatsu Photonics Kk 表面検査方法及び検査装置
JP2001021501A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスク検査方法および検査装置
JP2001215115A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Ccs Inc Ledを用いた製品検査用ライン照明装置
JP2003232749A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体デバイス故障解析装置
JP2005070225A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd 表面画像投影装置及び表面画像投影方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007101227A (ja) 2007-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8274652B2 (en) Defect inspection system and method of the same
US7397552B2 (en) Optical inspection with alternating configurations
JP5132982B2 (ja) パターン欠陥検査装置および方法
US7973921B2 (en) Dynamic illumination in optical inspection systems
JP6346615B2 (ja) 光学顕微鏡および顕微鏡観察方法
JP4564910B2 (ja) ウェハ欠陥検査方法および装置
US20050270521A1 (en) High throughput inspection system and method for generating transmitted and/or reflected images
KR20130113343A (ko) 화상 생성 장치
JP4690841B2 (ja) 表面検査装置
JP4369766B2 (ja) 表面検査装置
JP2008191122A (ja) 表面形状測定装置及び方法
JPH10281876A (ja) 偏光性イメージング装置
JP4834363B2 (ja) 表面検査装置
CN215493172U (zh) 基于单光子计数法的显微圆偏振荧光光谱探测系统
JP3884594B2 (ja) 蛍光寿命測定装置
JP2005345561A (ja) 走査型レーザ顕微鏡装置
KR100558773B1 (ko) 주파수 신호의 변화를 이용한 레이저용접 감시 방법
JP2009058405A (ja) 光分析装置
JP2006300808A (ja) ラマン分光測定装置
JP2011033586A (ja) 観察方法、入射タイミング設定方法および観察装置
JP2008046361A (ja) 光学システム及び光学システムの制御方法
JP4406873B2 (ja) スキャン測定検査装置
CN218823919U (zh) 一种高灵敏度和高信噪比的瞬态吸收光谱测量系统
JPH07139931A (ja) レーザ走査顕微鏡のレーザ照射装置
JP2016206648A (ja) レーザー走査顕微鏡装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100520

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101026

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110125

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110218

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees