JP4690817B2 - 薄膜バルク音響共振器の製造方法 - Google Patents
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Description
2 GaN膜
3 AlN膜
4 Mo下部電極
5 AuSn膜
6 Si基板
7 SiO2膜
8 AuSn膜
9 Mo上部電極
10 中空部
Claims (5)
- 圧電体膜を下部電極および上部電極により挟んで形成された共振部が、前記下部電極側に設けられた第1金属膜と支持基板上に設けられた第2金属膜の接合を介して、前記支持基板上に中空構造を形成して支持された薄膜バルク音響共振器を製造する方法であって、
結晶成長用基板上に半導体膜を結晶成長させる工程と、
前記半導体膜上に前記圧電体膜を結晶成長させる工程と、
前記圧電体膜上に前記下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に前記第1金属膜を形成する工程と、
前記支持基板上に前記第2金属膜を形成する工程と、
前記第1金属膜と前記第2金属膜を互いに接合させることにより、前記結晶成長用基板と前記支持基板とを結合させる工程と、
前記結晶成長用基板の裏面から、前記結晶成長用基板では吸収されず前記半導体膜で吸収される波長のレーザ光を照射して、前記結晶成長用基板と前記半導体膜との界面の少なくとも一部において前記結晶成長用基板と前記半導体膜を分離させた後、前記結晶成長用基板を除去する工程と、
前記結晶成長用基板が除去された前記半導体膜の表面を、CMP(化学機械研磨)処理により平坦化する工程と、
前記半導体膜をエッチングガスを用いたドライエッチングにより除去する工程と、
前記半導体膜が除去された前記圧電体膜上に前記上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜バルク音響共振器の製造方法。 - 前記半導体膜と前記圧電体膜の選択比が10以上のエッチングガスで前記半導体膜を除去する請求項1記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
- 前記半導体膜がGaN、前記圧電体膜がAlNにより形成され、
前記半導体膜の除去に用いるエッチングガスがSF6とSiCl4の混合ガスである請求項2記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。 - SiCl4の混合比がSF6より多く、且つSF6の5倍よりも少ない請求項3記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
- 前記半導体除去時のチャンバ内の圧力を1Paよりも高くする請求項3記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005225686A JP4690817B2 (ja) | 2005-08-03 | 2005-08-03 | 薄膜バルク音響共振器の製造方法 |
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JP2005225686A JP4690817B2 (ja) | 2005-08-03 | 2005-08-03 | 薄膜バルク音響共振器の製造方法 |
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JP2007043498A JP2007043498A (ja) | 2007-02-15 |
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JP2005225686A Expired - Fee Related JP4690817B2 (ja) | 2005-08-03 | 2005-08-03 | 薄膜バルク音響共振器の製造方法 |
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JP (1) | JP4690817B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112803910A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-14 | 杭州电子科技大学 | 一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法 |
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-
2005
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Publication number | Publication date |
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