JP2007043498A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 圧電体膜を下部電極および上部電極により挟んで形成された共振部が、前記下部電極側に設けられた第１金属膜と支持基板上に設けられた第２金属膜の接合を介して、前記支持基板上に中空構造を形成して支持された薄膜バルク音響共振器を製造する方法であって、
   結晶成長用基板上に半導体膜を結晶成長させる工程と、
   前記半導体膜上に前記圧電体膜を結晶成長させる工程と、
   前記圧電体膜上に前記下部電極を形成する工程と、
   前記下部電極上に前記第１金属膜を形成する工程と、
   前記支持基板上に前記第２金属膜を形成する工程と、
   前記第１金属膜と前記第２金属膜を互いに接合させることにより、前記結晶成長用基板と前記支持基板とを結合させる工程と、
   前記結晶成長用基板が除去された前記半導体膜の表面を平坦化する工程と、
   前記半導体膜をドライエッチングにより除去する工程と、
   前記半導体膜が除去された前記圧電体膜上に前記上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜バルク音響共振器の製造方法。
2. 前記半導体膜と前記圧電体膜の選択比が１０以上のエッチングガスで前記半導体膜を除去する請求項１記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
3. 前記半導体膜がＧａＮ、前記圧電体膜がＡｌＮにより形成され、
   前記半導体膜の除去に用いるエッチングガスがＳＦ₆とＳｉＣｌ₄の混合ガスである請求項２記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
4. ＳｉＣｌ₄の混合比がＳＦ₆より多く、且つＳＦ₆の５倍よりも少ない請求項３記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
5. 前記半導体除去時のチャンバ内の圧力を１Ｐａよりも高くする請求項３記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
6. 圧電体膜を下部電極および上部電極により挟んで形成された共振部が、前記下部電極側において支持基板上に支持された薄膜バルク音響共振器において、
   Ｘ線回折測定による前記圧電体膜の（０００２）面のロッキングカーブの半値幅が１度以下であり、
   前記圧電体膜の表面粗さＲｍｓが５ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜バルク音響共振器。
7. 圧電体膜を下部電極および上部電極により挟んで形成された共振部が、前記下部電極側において支持基板上に支持された薄膜バルク音響共振器において、
   前記共振部の前記下部電極側に第１金属膜が設けられ、前記支持基板上に第２金属膜が設けられ、前記第１金属膜と前記第２金属膜の共晶反応による接合を介して前記共振部が前記支持基板と結合されて、前記共振部と前記支持基板との間に中空構造が形成され、
   前記上部電極は、前記圧電体膜の表面粗さＲｍｓが５ｎｍ以下の面上に形成されていることを特徴とする薄膜バルク音響共振器。