JP4689568B2 - ガラスエッチング用紫外線硬化型レジスト組成物及びガラスエッチング処理方法 - Google Patents
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(1)ガラス基材の表面に、上記紫外線硬化型レジスト組成物を塗装してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、
(2)所望のパターン形状が得られるように、前記レジスト膜に対して、マスクを介して紫外線を照射する、もしくは、マスクを介さずに紫外線を直接照射する露光工程、
(3)前記レジスト膜の現像処理及び加熱処理を行って、所望のパターンを有するレジスト膜を形成する現像及び加熱工程、
(4)前記所望のパターンを有するレジスト膜から露出する部分のガラス基材をエッチング処理するガラスエッチング工程、及び、
(5)前記ガラスエッチング工程後に、残存するレジスト膜を剥離する剥離工程、
をこの順で有するガラスエッチング処理方法である。
A成分は、レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性や光硬化膜の剥離液による除去を行うために使用する。A成分としては、例えば、カルボキシル基を有する(メタ)アクリル系樹脂、カルボキシル基を有するポリエステル系樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は1種又は2種以上組合わせて用いることができる。なお、「(メタ)アクリル」とはアクリル及びメタクリルの総称である。
B成分としては、例えば、多価アルコールと(メタ)アクリル酸とのエステル化物又はアクリル酸エステルとのエステル交換反応物が挙げられる。なお、このB成分として使用される不飽和化合物には、後に詳述するD成分は除外される。
C成分の具体例としては、ベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルキサントン、チオキサントン、アントラキノンなどの芳香族カルボニル化合物;アセトフェノン、プロピオフェノン、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、α,α'−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン、1−ヒドロキシ−1−シクロヘキシルアセトフェノン、ジアセチルアセトフェノンなどのアセトフェノン類;ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルジパーオキシイソフタレート、3,3'4,4'−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノンなどの有機過酸化物;ジフェニルヨードブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロライドなどのジフェニルハロニウム塩;四臭化炭素、クロロホルム、ヨードホルムなどの有機ハロゲン化物;3−フェニル−5−イソオキサゾロン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンベンズアントロンなどの複素環式及び多環式化合物;2,2'−アゾ(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2−アゾビスイソブチロニトリル、1,1'−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)、2,2'−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)などのアゾ化合物;2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オンなどのアミノアルキルフェノン系化合物;チタノセン化合物;ビスイミダゾール系化合物;N−アリールグリシジル系化合物;アクリジン系化合物;芳香族ケトン/芳香族アミンの組み合わせ;ペルオキシケタール;などが挙げられる。これらの中でも、芳香族カルボニル化合物及びアミノアルキルフェノン系化合物は、架橋又は重合に対して活性が高いので好ましい。
不飽和基含有アルコキシシラン化合物(D−1成分)は、例えば、1分子中に2個以上のアルコキシシリル基と1分子中に1個の不飽和基とを含有する化合物である。D−1成分の具体例としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリス(メトキシエトキシ)シラン、γ−(メタ)アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(メタ)アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、γ−(メタ)アクリロイルオキシプロピルジメトキシメチルシラン、2−スチリルエチルトリメトキシシランなどのビニルシラン類が挙げられる。
E成分の具体例としては、タルク、マイカ、セリサイト、雲母、沈降性硫酸バリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシム、石膏、クレー、シリカ、ホワイトカーボン、珪藻土、炭酸マグネシウム、アルミナホワイトなどが挙げられる。これら無機微粉末は1種又は2種以上組合わせて用いることができる。これらの中でも、タルク、マイカ、セリサイトなどのフレ−ク状顔料が好ましい。特に、タルクはエッチング液に対する抵抗性が優れており、エッチング処理液がレジスト膜に浸透することによる膜の分解や付着劣化を防止する作用が大きいので好ましい。
本発明のレジスト組成物の配合割合は、次の通りである。なお、下記配合割合は、A成分100質量部に対する値(固形分換算値)である。
本発明のレジスト組成物は、例えば、A〜E成分を有機溶剤に溶解もしくは分散して得られる有機溶剤系組成物として使用することもできる。有機溶剤の具体例としては、ケトン類、エステル類、エーテル類、セロソルブ類、芳香族炭化水素類、アルコール類、ハロゲン化炭化水素類などが挙げられる。
本発明のガラスエッチング処理方法は、上述した本発明のレジスト組成物を用いて、(1)レジスト膜形成工程、(2)露光工程、(3)現像及び加熱工程、(4)ガラスエッチング工程及び(5)レジスト膜の剥離工程を行なう方法である。
酸基含有樹脂A−1(酸価50KOHmg/g、水酸基価30KOHmg/g、ガラス転移温度80℃、重量平均分子量35,000、スチレン/n−ブチルアクリレート/メタクリル酸メチル/メタクリル酸/メタクリル酸2−ヒドロキシエチル)100質量部、アロニックスM−309(トリメチロールプロパントリアクリレート、東亞合成社製、商品名)50質量部、イルガキュア907(光開始剤、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、商品名)1質量部、カヤキュアDETX−S(光開始剤、日本化薬社製、商品名)1質量部、タルク(平均粒径約5μm、MgO・SiO2)40質量部、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン10質量部、及び、メチルエチルケトン200質量部を配合して、実施例1のレジスト液(ガラスエッチング用紫外線硬化型レジスト組成物)を調製した。
レジスト組成物の組成を表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同様にしてレジスト組成物を調製し、ガラスエッチング処理を行なった。各々の性能試験結果を表1に示す。
(注2)酸基含有樹脂A−3:酸価170KOHmg/g、水酸基価30KOHmg/g、ガラス転移温度80℃、重量平均分子量35,000、スチレン/n−ブチルアクリレート/メタクリル酸メチル/メタクリル酸/メタクリル酸2−ヒドロキシエチル
(注3)酸基含有樹脂A−4:酸価100KOHmg/g、水酸基価0KOHmg/g、ガラス転移温度80℃、重量平均分子量35,000、スチレン/n−ブチルアクリレート/メタクリル酸メチル/メタクリル酸
(注4)酸基含有樹脂A−5:酸価100KOHmg/g、水酸基価60KOHmg/g、ガラス転移温度80℃、重量平均分子量35,000、スチレン/n−ブチルアクリレート/メタクリル酸メチル/メタクリル酸/メタクリル酸2−ヒドロキシエチル
(注5)酸基含有樹脂A−6:酸価100KOHmg/g、水酸基価90KOHmg/g、ガラス転移温度80℃、重量平均分子量35,000、スチレン/n−ブチルアクリレート/メタクリル酸メチル/メタクリル酸/メタクリル酸2−ヒドロキシエチル。
・耐エッチング性試験:
レジスト膜のパターン形成後のガラス基材を40℃のエッチング処理液(フッ酸濃度7質量%、硫酸濃度15質量%)にそれぞれ80分間(エッチング加工深さ300μm)、100分間(エッチング加工深さ400μm)浸漬を行い、その後水洗を行った。水洗後のレジスト膜の状態を目視により観察し、以下の基準で判定した。
「◎」:レジスト膜のガラス基材からの浮き・剥れが全く無く非常に良好である。
「○」:レジスト膜端部がガラス基材からわずかに浮いているが剥れは無く良好である。
「△」:レジスト膜がガラス基材から浮いている部分が有る。
「×」:レジスト膜がガラス基材から剥れている。
・レジスト膜の剥離性試験:
レジスト膜のパターン形成後のガラス基材を40℃のエッチング液(フッ酸濃度7質量%、硫酸濃度15質量%)に80分間浸漬を行い、その後水洗を行った。次いで、ガラス基材を5重量%苛性ソーダ水溶液(剥離液)に、60℃で15分間浸漬した。浸漬後のレジスト膜の剥離状態を目視により観察し、以下の基準で判定した。
「◎」:レジスト膜の全面がガラス基材から剥れている。
「○」:レジスト膜がガラス基材に付着しているが、その後の水洗で全て剥れる。
「△」:レジスト膜の一部がガラス基材に付着しており、その後の水洗でも剥れない。
「×」:レジスト膜の大部分がガラス基材に付着しており、その後の水洗でも剥れない。
・エッチング後のガラス形状:
上記レジスト膜の剥離性試験後のガラス基材の端部形状を、目視により観察し、以下の基準で判定した。
「◎」:ガラス基材端部がシャープであり非常に良好である。
「○」:ガラス基材端部にわずかな丸みがあるものの良好である。
「△」:ガラス基材端部に丸みがある。
「×」:ガラス基材端部が大きく丸みを帯びている。
Claims (7)
- (A)酸基含有樹脂、(B)不飽和化合物、(C)光開始剤、(D)不飽和基又はエポキシ基を含有するアルコキシシラン化合物、及び、(E)無機微粉末を含有するガラスエッチング用紫外線硬化型レジスト組成物。
- A成分100質量部に対して、B成分を10〜100質量部、C成分を0.1〜10質量部、D成分を1〜80質量部、E成分を5〜100質量部(全て固形分換算値)含有する請求項1記載のガラスエッチング用紫外線硬化型レジスト組成物。
- A成分の酸価が50〜200KOHmg/gである請求項1記載のガラスエッチング用紫外線硬化型レジスト組成物。
- A成分がさらに水酸基を有している請求項1記載のガラスエッチング用紫外線硬化型レジスト組成物。
- A成分の水酸基価が1〜200KOHmg/gである請求項4記載のガラスエッチング用紫外線硬化型レジスト組成物。
- (1)ガラス基材の表面に、請求項1記載の紫外線硬化型レジスト組成物を塗装してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、
(2)所望のパターン形状が得られるように、前記レジスト膜に対して、マスクを介して紫外線を照射する、もしくは、マスクを介さずに紫外線を直接照射する露光工程、
(3)前記レジスト膜の現像処理及び加熱処理を行って、所望のパターンを有するレジスト膜を形成する現像及び加熱工程、
(4)前記所望のパターンを有するレジスト膜から露出する部分のガラス基材をエッチング処理するガラスエッチング工程、及び、
(5)前記ガラスエッチング工程後に、残存するレジスト膜を剥離する剥離工程、
をこの順で有するガラスエッチング処理方法。 - レジスト膜形成工程において、加熱処理を行なう請求項6記載のガラスエッチング処理方法。
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