JP4682925B2 - エレベータ用のヒートシンク - Google Patents
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Description
薄板とされ、前記裏面側に複数がほぼ等間隔に配置され、前記板状部分に対して表面がほぼ垂直になるように接続された前記放熱板と、を備え、前記凸部において、前記半導体チップで発生し前記金属ベースを伝わってくる熱量を前記周辺部よりも多く吸収できるようにしたものである。
10がボルト50によって板状部分1に固定され、固定された状態で、半導体パワーモジュール100内部の金属ベース10上に設けられる複数個の半導体チップ11は、板状部分1のほぼ中央部に位置している。板状部分1は、そのほぼ中央部すなわち複数の半導体チップ11のほぼ直下部において、表面aすなわち半導体パワーモジュール100の搭載面の裏面側に突出する凸部4を有する。板状部分1は、支持部3によってベース部分2と互いに接続されて、両部分の表面がほぼ平行になるように支持される。板状部分1,ベース部分2および支持部3によって囲まれる空隙dに半導体パワーモジュール100で発生する熱が放出される。この空隙d内、すなわち板状部分1における半導体パワーモジュール100の搭載面aの裏面側には、薄板からなる複数の放熱板5がほぼ等間隔に配置される放熱層が設けられている。放熱板5は、板状部分1及びベース部分2に対して表面がほぼ垂直になるように、板状部分1及びベース部分2と接続されている。板状部分1の凸部4も、同じ空隙d内に位置し、凸部4にも放熱板5が同様に接続される。すなわち、放熱板5は凸部4の周辺あるいは両側と、凸部4に設けられる。なお、板状部分1,ベース部分2,支持部3,凸部4および放熱板5の材料はアルミニウムや銅等の金属材料である。また、各部は一体に形成しても良いし、それぞれ別体で形成して組み立てても良い。
(Insulated Gate Bipolar Transistor)などの半導体チップ11が半田などにより接着される。半導体チップ11の表面に設けられる電極と、絶縁基板12上の薄膜電極端子
14や図示しない電極端子とが、アルミニウムワイヤなどの金属ワイヤ20によって電気的に接続される。金属ベース10上は樹脂ケース30で覆われ、半導体チップ11や絶縁基板12などのモジュール部品は樹脂ケース30内に格納される。図1に示した板状部分1の表面aは、そのほぼ全面が一様に平坦な平面であるため、金属ベース10の露出面のほぼ全面が板状部分1と接触する。従って、半導体チップ11で発生した熱が、絶縁基板12および金属ベース10を介して板状部分1に伝わり易くなっている。
11の直下部において、図1の実施例と同様にヒートシンクの板状部分1が凸部4を有する。このため、本実施例においては、板状部分1が、2枚の絶縁基板のそれぞれに対応して2個の凸部を有している。なお、半導体チップが接着される絶縁基板の枚数は2個に限らず、それ以上の複数個でも良く、それに対応して凸部を複数個備えても良い。
Claims (3)
- エレベータの主回路に用いられる半導体パワーモジュールの搭載面を有する板状部分と、前記板状部分の前記搭載面の裏面に設けられる複数の放熱板とを備えるエレベータ用のヒートシンクにおいて、
前記半導体パワーモジュールの金属ベースが前記搭載面に固定され、前記金属ベース上に半導体チップが設けられ、前記半導体チップの下部において、前記裏面側に前記半導体チップの周辺部の厚みよりも大きくなるように突出した凸部を有する前記板状部分と、
薄板とされ、前記裏面側に複数がほぼ等間隔に配置され、前記板状部分に対して表面がほぼ垂直になるように接続された前記放熱板と、
を備え、前記凸部において、前記半導体チップで発生し前記金属ベースを伝わってくる熱量を前記周辺部よりも多く吸収できるようにしたことを特徴とするエレベータ用のヒートシンク。 - 請求項1に記載されたエレベータ用のヒートシンクにおいて、前記半導体チップは、前記板状部分のほぼ中央部に位置し、前記凸部は前記半導体チップの直下となるように前記中央部に設けられたことを特徴とするエレベータ用のヒートシンク。
- 請求項1に記載されたエレベータ用のヒートシンクにおいて、前記半導体チップは、複数とされ、前記凸部はそれぞれの前記半導体チップの直下となるように設けられたことを特徴とするエレベータ用のヒートシンク。
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