JP2004200333A - 水冷型電力用半導体モジュールの実装構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】直接水冷構造の電力用半導体モジュールにおいて、電力用半導体素子で発生した熱を効果的に水に導く構造を提供すること。
【解決手段】水冷型電力用半導体モジュールの実装構造において、該金属製ベースの該外壁に該ベースと一体の板状フィンが複数枚形成され、該板状フィンが電力用半導体素子を中心として略放射状に配置されるように、該板状フィンの、該金属製ベースの面及び該板状フィンの面の何れにも垂直な断面における該板状フィン板中心間の間隔が、該ベースから離れるにつれ大きくなり、しかも該板状フィンの向かい合う面どうしの間隙が該金属製ベースに近い側、すなわち該フィン根元から、該金属製ベースから遠ざかる側、すなわち該フィンの先端に至るにつれ、一定もしくは狭まることを特徴とする、水冷型電力用半導体モジュールの実装構造。
【効果】放熱が効果的に行われる。
【選択図】 図1
【解決手段】水冷型電力用半導体モジュールの実装構造において、該金属製ベースの該外壁に該ベースと一体の板状フィンが複数枚形成され、該板状フィンが電力用半導体素子を中心として略放射状に配置されるように、該板状フィンの、該金属製ベースの面及び該板状フィンの面の何れにも垂直な断面における該板状フィン板中心間の間隔が、該ベースから離れるにつれ大きくなり、しかも該板状フィンの向かい合う面どうしの間隙が該金属製ベースに近い側、すなわち該フィン根元から、該金属製ベースから遠ざかる側、すなわち該フィンの先端に至るにつれ、一定もしくは狭まることを特徴とする、水冷型電力用半導体モジュールの実装構造。
【効果】放熱が効果的に行われる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水冷型電力用半導体モジュールの実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
間接水冷構造に相対する構造として、モジュールの金属ベースを直接水で冷却する、いわゆる直接水冷構造があり、特開平11−121668号公報に代表的な構造が開示されている。また、特開平11−163572号公報では、ブロックを水中に入れて水と金属ベースとの接触面積を増している。特開平4−2156号公報では、水路をモジュール底面部のみ浅くし、金属ベース表面近傍での水の流速を増す工夫をしている例を示している。特開平10−22428号公報では、パイプからモジュールの金属ベースに垂直に水をぶつける、いわゆる衝突型の冷却構造を採ることで冷却能力を増加させる提案をしている。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−121668号公報
【特許文献2】
特開平11−163572号公報
【特許文献3】
特開平4−2156号公報
【特許文献4】
特開平10−22428号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術では、水との接触面積を増すとか、水の流速を増すとかによって冷却能力を増加させる工夫をしている。しかし、さらに有効に電力用半導体素子で発生した熱を水に導くため、半導体素子の配置まで考慮して、効率良く熱を水に導く手段についての従来技術が見当たらない。
【0005】
以上述べたように、従来技術には、電力用半導体素子で発生した熱を効率的に水に導くための構造上のさらなる工夫が認められない。
【0006】
本発明の目的は、電力用半導体素子で発生した熱をより効果的に冷却媒体に導く構造を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
電力用半導体素子で発生した熱を効果的に水冷する構造として、電力用半導体素子を搭載したモジュールの底面を構成する金属ベースにフィンを付ける、いわゆるフィン付き直接水冷構造が優れている。
【0008】
図2(a)に、代表的なフィン付き直接水冷構造の水冷型モジュール200の断面を示す。この例では、表示断面においては、電力用半導体素子、すなわち半導体チップ201が1個見える場合を示している。水冷フィンには種々の構造があるが、ここでは圧力損失の少ないストレートフィン(板状のフィン)を採用している。平行型水冷用フィン205は、同じ高さ(断面図での金属ベース204から突き出している長さ)で、厚さも同じ、また、板と板の間隔も同じである。
【0009】
熱の経路に熱の伝わりにくい部分があると、その上流側で熱が横に広がる。しかし、水冷構造の場合、熱の経路に熱伝導の悪い部分を極力作らないので、熱はあまり広がらず、比較的まっすぐに流れる傾向がある。すなわち、図の場合、周辺部の平行型水冷用フィン205に流れる熱より中央部の平行型水冷用フィン205に流れる熱が圧倒的に多い。図では矢印の太さでその状況を模式的に示している。この状況は、平行型水冷用フィン205がその機能を充分発揮していないことを示している。金属ベース204及び平行型水冷用フィン205の材料として、熱伝導率の高い銅を使用し、また、金属ベース204の厚さを大きくすることで、熱の広がりを改善することは可能である。しかし、金属ベース204全面に熱を広げることは非常に困難であり、この構造のフィンでは、フィンの能力を充分発揮することはできない。
【0010】
そこで、同図(b)に示すように、放射型水冷用フィン212とし、フィンの付け根を半導体チップ201に近い部分に集中させる構造を採用した水冷型モジュール210を提案する。このモジュールでは、図に矢印で示すように、金属ベース211内で半導体チップ201から出た熱が高密度に存在する部分に集中的に放射型水冷用フィン212を配しているため、放射型水冷用フィン212全体に比較的均質に熱が流入する。しかも、放射状になっているため、広範囲の水に熱を伝えることができ、総合的な熱抵抗が下がる。
【0011】
つぎに、水流との関係を、図3を用いて説明する。同図(a)は、図2(b)と同じ水冷型モジュール210である。水が流れる部分、すなわち、放射型水冷用フィン212の板と板の隙間は、図中に丸印の大小で示しているように、金属ベース211に近い部分で狭く、金属ベース211から離れると広くなっている。この場合、水が流れる際の抵抗は、金属ベース211に近い部分の方が金属ベース211から遠い部分より高くなる。すなわち、金属ベース211に近い部分では、水が流れにくい。
【0012】
一方、金属ベース211を経由して流れる熱は、放射型水冷用フィン212自体の熱抵抗を考えると、金属ベース211に近い部分で水に流れ込む方が望ましい。ところが、図3(a)の構造では、金属ベース211から遠い部分の方が熱が水に流れ込みやすく、多くの熱が放射型水冷用フィン212の先端近くで水に移動する形になっている。この望ましくない構造を解消する構造が、同図(b)の水冷型モジュール300である。すなわち、板厚変動型放射型水冷用フィン302は、金属ベース301から遠ざかるにつれ板厚が増している。その結果、水が流れる隙間は、金属ベース301に近い方が広くなっている。水は金属ベース301に近い部分でより多く流れ、効率的に熱を奪う。隙間は、板厚変動型放射型水冷用フィン302の先端と根元で同じか、根元の方が広いことが重要である。この構造の副次的な効果として、板厚変動型放射型水冷用フィン302の先端の板が厚いため、この部分が熱の一時貯蔵場所、すなわち、半導体チップ201の急激な発熱量の変化に熱的なクッションの役割を果たす場所になるという利点もある。
【0013】
【発明の実施の形態】
今回発明者らは、水冷構造有するインバータについて種々検討した。モーター駆動用インバータ、とりわけ電気自動車やハイブリッド自動車のモーターを駆動するインバータでは、数百ボルト、かつ数百アンペアという大電力を扱うため、スイッチングを行う電力用半導体素子の消費電力が大きい。しかも、自動車内であるため取り付け部が狭いという制約もある。そのため、インバータに使用する電力用半導体素子を組み込んだ電力用半導体モジュールでは、水冷構造を採用することが多い。
【0014】
水冷構造を採用した電力用半導体モジュールの実装構造としては、冷却水容器に熱伝導グリース等を介して電力用半導体モジュールを取り付ける、いわゆる間接水冷が一般的である。この構造はモジュールの取り付けに水洩れ対策等、余分の技術を要しない点で利点があるが、モジュールの底面、すなわち、金属ベースから冷却水に至る経路の熱抵抗が大きく、冷却能力が劣るという欠点を併せ持つ。
【0015】
間接水冷構造に相対する構造として、モジュールの金属ベースを直接水で冷却する、いわゆる直接水冷構造がある。単に金属ベースを水に触れさせるのみでは冷却能力に限りがあるので、冷却能力を増すための追加構造についても、二三の技術が開示されている。また、ブロックを水中に入れて水と金属ベースとの接触面積を増しているものも開示されている。また、水路をモジュール底面部のみ浅くし、金属ベース表面近傍での水の流速を増す工夫をしている例や、パイプからモジュールの金属ベースに垂直に水をぶつける、いわゆる衝突型の冷却構造を採ることで冷却能力を増加させる提案をしている文献もある。
【0016】
これらの技術では、水との接触面積を増すとか、水の流速を増すとかによって冷却能力を増加させる工夫をしている。しかし、さらに有効に電力用半導体素子で発生した熱を水に導くため、半導体素子の配置まで考慮して、効率良く熱を水に導く手段についての従来技術が見当たらない。
【0017】
一部の実施例は、特に、モジュール底面に形成された板状フィンが電力用半導体素子から略放射状になるように配置され、しかも、フィンの向かい合う面どうしの間隙がフィン根元からフィンの先端に至るにつれ、一定もしくは狭まる、水冷型電力用半導体モジュールの実装構造に関する。
【0018】
以下、実施例によりさらに具体的に説明する。なお、発明者の考えはこれら実施例に限定されない。
【0019】
実施例1乃至2を、図1,図4乃至図6に従って説明する。
【0020】
(実施例1)
実施例1について、図1,図4及び図5を参照して説明する。
【0021】
図1は、実施例1による水冷型電力用半導体モジュール、すなわち水冷型モジュール100を、斜め下から眺めたところである。
【0022】
図示していないが、水冷型モジュール100には電力用半導体であるIGBTチップを6個搭載している。損失は、1個あたり300W、モジュール全体では1.8kW である。6個のIGBTチップはモジュール内で一列に並んでいる。モジュールは、長手方向200mm,短手方向50mmの長矩形である。水冷の場合、長矩形にする方が熱抵抗が小さくなるためである。水冷型モジュール100の外形は、大きく分けて、中の回路を外部から遮蔽するための蓋にあたる樹脂ケース101と、土台にあたる銅ベース102から成っている。銅ベース102の水冷型モジュール100外部側の構造としては、水冷用フィン104がある。これは、銅ベース102と一体構造である。さらに、銅ベース102の水冷型モジュール100外部側の構造としては、漏水防止のためのゴムパッキング103がある。
【0023】
図4に、水冷型モジュール100の断面形状を示す。主な発熱源は、IGBTチップ400である。IGBTチップ400は、本実施例では水冷型モジュール100内で一列に並んでいる。本断面図では1個が見えている。IGBTチップ400のアノード電極は、セラミック配線基板401の導体パターンにはんだ付けされている。カソード及びゲート電極は、ボンディングワイヤ402でセラミック配線基板401の導体パターンに接続されている。耐湿性確保のため、IGBTチップ400,セラミック配線基板401、及びボンディングワイヤ402は、シリコーンゲル403で覆われている。
【0024】
IGBTチップ400で発生した熱をいかに効率良く水冷用フィン104に導くか、そのために、まず、水冷用フィン104がIGBTチップ400を中心とした放射状に配置されている。さらに、銅ベース102の板厚が、IGBTチップ400の直下でもっとも厚くなるように、若干円形状になっている。この二つの構造上の特徴により、IGBTチップ400で発生した熱が、中央部のみならず、周辺部まで比較的均一に全部の水冷用フィン104に行き渡る。冷却水への熱の伝達を良好にするため、水冷用フィン104の根元の隙間より先端の隙間を若干小さくしてある。両端を除いた根元の隙間は2.0mm、先端の隙間は1.8mmである。水冷用フィン104の根元の方が先端よりIGBTチップ400からの熱抵抗が小さいので、できるだけ根元に近い部分に流れる冷却水を多くし、IGBTチップ400から冷却水までの熱抵抗を小さくする構造になっている。
【0025】
図5に、水冷型モジュール100を冷却水容器500に取り付けた状態を示す。本実施例では、水冷用フィン104がIGBTチップ400から放射状に配置されていることに加え、水冷用フィン104と冷却水501との接する面積が、中央のフィンと周辺のフィンで余り異ならないこと、また、冷却水501の幅が、中央のフィンと周辺のフィンで余り異ならないこと、のため、水冷用フィン104の冷却能力が中央と周辺で余り異ならない。
【0026】
さらに、本実施例では、冷却水容器500の底面が水冷用フィン104の先端に合わせた曲面になっている。その上、水冷用フィン104の先端が若干冷却水容器500に食い込む形態になっている。これらの構造を採用することで、冷却水501が水冷用フィン104の隙間にほぼ100%流れることになり、IGBTチップ400から冷却水501までの熱抵抗を下げる効果が飛躍的に大きくなる。
【0027】
もちろん、冷却水容器500の底面をフラットにするとか、本実施例と同じように水冷用フィン104の先端に合わせた曲面にするにしても、水冷用フィン104の先端が冷却水容器500に食い込む形態にしない、滑らかな底面にする構造もあり得る。この場合、冷却の効率は本実施例より若干落ちるが、本実施例の本質、すなわち、水冷用フィン104の根本付近に流れる冷却水501を増やすことにより熱抵抗を下げるという効果は存在する。
【0028】
(実施例2)
実施例2について、図6を参照して説明する。本実施例では、パワー半導体であるIGBTチップ600が冷却水609の流れる方向(紙面に垂直)に対して、2列並んでいる。したがって、主な熱の流れが第1の実施例のように1系統でなく、2系統になる。
【0029】
このような場合、水冷用フィン606の形状は、第1の実施例の形状を水平方向にずらして重ねたようになる。すなわち、山が二つある形状になる。熱の流れとしては、左側の山に相当する水冷用フィン606が主に左側のIGBTチップ600からの熱を放出し、右側の山に相当する水冷用フィン606が主に右側のIGBTチップ600からの熱を放出するという形になる。
【0030】
第1の実施例と同じく、冷却水容器608の底を水冷用フィン606の凹凸に合わせて、冷却水609が水冷用フィン606の隙間の空間に効率的に流れるように工夫している。
【0031】
なお、各実施例は冷却媒体として水を用いたが、水に薬品を注入し熱容量の調整や粘度の調整を行ってもよい。
【0032】
【発明の効果】
本発明の目的は、電力用半導体素子で発生した熱をより効果的に冷却媒体に導く構造を提供することにある。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例を示す斜視図。
【図2】手段を示す断面図。
【図3】手段を示す断面図。
【図4】第1の実施例を示す断面図。
【図5】第1の実施例を示す断面図。
【図6】第2の実施例を示す断面図。
【符号の説明】
100,200,210,300…水冷型モジュール、101,203,601…樹脂ケース、102,605…銅ベース、103,607…ゴムパッキング、104,606…水冷用フィン、201…半導体チップ、202…配線基板、204,211,301…金属ベース、205…平行型水冷用フィン、206…パッキング、212…放射型水冷用フィン、302…板厚変動型放射型水冷用フィン、400,600…IGBTチップ、401,602…セラミック配線基板、402,603…ボンディングワイヤ、403,604…シリコーンゲル、500,608…冷却水容器、501,609…冷却水。
【発明の属する技術分野】
本発明は、水冷型電力用半導体モジュールの実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
間接水冷構造に相対する構造として、モジュールの金属ベースを直接水で冷却する、いわゆる直接水冷構造があり、特開平11−121668号公報に代表的な構造が開示されている。また、特開平11−163572号公報では、ブロックを水中に入れて水と金属ベースとの接触面積を増している。特開平4−2156号公報では、水路をモジュール底面部のみ浅くし、金属ベース表面近傍での水の流速を増す工夫をしている例を示している。特開平10−22428号公報では、パイプからモジュールの金属ベースに垂直に水をぶつける、いわゆる衝突型の冷却構造を採ることで冷却能力を増加させる提案をしている。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−121668号公報
【特許文献2】
特開平11−163572号公報
【特許文献3】
特開平4−2156号公報
【特許文献4】
特開平10−22428号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術では、水との接触面積を増すとか、水の流速を増すとかによって冷却能力を増加させる工夫をしている。しかし、さらに有効に電力用半導体素子で発生した熱を水に導くため、半導体素子の配置まで考慮して、効率良く熱を水に導く手段についての従来技術が見当たらない。
【0005】
以上述べたように、従来技術には、電力用半導体素子で発生した熱を効率的に水に導くための構造上のさらなる工夫が認められない。
【0006】
本発明の目的は、電力用半導体素子で発生した熱をより効果的に冷却媒体に導く構造を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
電力用半導体素子で発生した熱を効果的に水冷する構造として、電力用半導体素子を搭載したモジュールの底面を構成する金属ベースにフィンを付ける、いわゆるフィン付き直接水冷構造が優れている。
【0008】
図2(a)に、代表的なフィン付き直接水冷構造の水冷型モジュール200の断面を示す。この例では、表示断面においては、電力用半導体素子、すなわち半導体チップ201が1個見える場合を示している。水冷フィンには種々の構造があるが、ここでは圧力損失の少ないストレートフィン(板状のフィン)を採用している。平行型水冷用フィン205は、同じ高さ(断面図での金属ベース204から突き出している長さ)で、厚さも同じ、また、板と板の間隔も同じである。
【0009】
熱の経路に熱の伝わりにくい部分があると、その上流側で熱が横に広がる。しかし、水冷構造の場合、熱の経路に熱伝導の悪い部分を極力作らないので、熱はあまり広がらず、比較的まっすぐに流れる傾向がある。すなわち、図の場合、周辺部の平行型水冷用フィン205に流れる熱より中央部の平行型水冷用フィン205に流れる熱が圧倒的に多い。図では矢印の太さでその状況を模式的に示している。この状況は、平行型水冷用フィン205がその機能を充分発揮していないことを示している。金属ベース204及び平行型水冷用フィン205の材料として、熱伝導率の高い銅を使用し、また、金属ベース204の厚さを大きくすることで、熱の広がりを改善することは可能である。しかし、金属ベース204全面に熱を広げることは非常に困難であり、この構造のフィンでは、フィンの能力を充分発揮することはできない。
【0010】
そこで、同図(b)に示すように、放射型水冷用フィン212とし、フィンの付け根を半導体チップ201に近い部分に集中させる構造を採用した水冷型モジュール210を提案する。このモジュールでは、図に矢印で示すように、金属ベース211内で半導体チップ201から出た熱が高密度に存在する部分に集中的に放射型水冷用フィン212を配しているため、放射型水冷用フィン212全体に比較的均質に熱が流入する。しかも、放射状になっているため、広範囲の水に熱を伝えることができ、総合的な熱抵抗が下がる。
【0011】
つぎに、水流との関係を、図3を用いて説明する。同図(a)は、図2(b)と同じ水冷型モジュール210である。水が流れる部分、すなわち、放射型水冷用フィン212の板と板の隙間は、図中に丸印の大小で示しているように、金属ベース211に近い部分で狭く、金属ベース211から離れると広くなっている。この場合、水が流れる際の抵抗は、金属ベース211に近い部分の方が金属ベース211から遠い部分より高くなる。すなわち、金属ベース211に近い部分では、水が流れにくい。
【0012】
一方、金属ベース211を経由して流れる熱は、放射型水冷用フィン212自体の熱抵抗を考えると、金属ベース211に近い部分で水に流れ込む方が望ましい。ところが、図3(a)の構造では、金属ベース211から遠い部分の方が熱が水に流れ込みやすく、多くの熱が放射型水冷用フィン212の先端近くで水に移動する形になっている。この望ましくない構造を解消する構造が、同図(b)の水冷型モジュール300である。すなわち、板厚変動型放射型水冷用フィン302は、金属ベース301から遠ざかるにつれ板厚が増している。その結果、水が流れる隙間は、金属ベース301に近い方が広くなっている。水は金属ベース301に近い部分でより多く流れ、効率的に熱を奪う。隙間は、板厚変動型放射型水冷用フィン302の先端と根元で同じか、根元の方が広いことが重要である。この構造の副次的な効果として、板厚変動型放射型水冷用フィン302の先端の板が厚いため、この部分が熱の一時貯蔵場所、すなわち、半導体チップ201の急激な発熱量の変化に熱的なクッションの役割を果たす場所になるという利点もある。
【0013】
【発明の実施の形態】
今回発明者らは、水冷構造有するインバータについて種々検討した。モーター駆動用インバータ、とりわけ電気自動車やハイブリッド自動車のモーターを駆動するインバータでは、数百ボルト、かつ数百アンペアという大電力を扱うため、スイッチングを行う電力用半導体素子の消費電力が大きい。しかも、自動車内であるため取り付け部が狭いという制約もある。そのため、インバータに使用する電力用半導体素子を組み込んだ電力用半導体モジュールでは、水冷構造を採用することが多い。
【0014】
水冷構造を採用した電力用半導体モジュールの実装構造としては、冷却水容器に熱伝導グリース等を介して電力用半導体モジュールを取り付ける、いわゆる間接水冷が一般的である。この構造はモジュールの取り付けに水洩れ対策等、余分の技術を要しない点で利点があるが、モジュールの底面、すなわち、金属ベースから冷却水に至る経路の熱抵抗が大きく、冷却能力が劣るという欠点を併せ持つ。
【0015】
間接水冷構造に相対する構造として、モジュールの金属ベースを直接水で冷却する、いわゆる直接水冷構造がある。単に金属ベースを水に触れさせるのみでは冷却能力に限りがあるので、冷却能力を増すための追加構造についても、二三の技術が開示されている。また、ブロックを水中に入れて水と金属ベースとの接触面積を増しているものも開示されている。また、水路をモジュール底面部のみ浅くし、金属ベース表面近傍での水の流速を増す工夫をしている例や、パイプからモジュールの金属ベースに垂直に水をぶつける、いわゆる衝突型の冷却構造を採ることで冷却能力を増加させる提案をしている文献もある。
【0016】
これらの技術では、水との接触面積を増すとか、水の流速を増すとかによって冷却能力を増加させる工夫をしている。しかし、さらに有効に電力用半導体素子で発生した熱を水に導くため、半導体素子の配置まで考慮して、効率良く熱を水に導く手段についての従来技術が見当たらない。
【0017】
一部の実施例は、特に、モジュール底面に形成された板状フィンが電力用半導体素子から略放射状になるように配置され、しかも、フィンの向かい合う面どうしの間隙がフィン根元からフィンの先端に至るにつれ、一定もしくは狭まる、水冷型電力用半導体モジュールの実装構造に関する。
【0018】
以下、実施例によりさらに具体的に説明する。なお、発明者の考えはこれら実施例に限定されない。
【0019】
実施例1乃至2を、図1,図4乃至図6に従って説明する。
【0020】
(実施例1)
実施例1について、図1,図4及び図5を参照して説明する。
【0021】
図1は、実施例1による水冷型電力用半導体モジュール、すなわち水冷型モジュール100を、斜め下から眺めたところである。
【0022】
図示していないが、水冷型モジュール100には電力用半導体であるIGBTチップを6個搭載している。損失は、1個あたり300W、モジュール全体では1.8kW である。6個のIGBTチップはモジュール内で一列に並んでいる。モジュールは、長手方向200mm,短手方向50mmの長矩形である。水冷の場合、長矩形にする方が熱抵抗が小さくなるためである。水冷型モジュール100の外形は、大きく分けて、中の回路を外部から遮蔽するための蓋にあたる樹脂ケース101と、土台にあたる銅ベース102から成っている。銅ベース102の水冷型モジュール100外部側の構造としては、水冷用フィン104がある。これは、銅ベース102と一体構造である。さらに、銅ベース102の水冷型モジュール100外部側の構造としては、漏水防止のためのゴムパッキング103がある。
【0023】
図4に、水冷型モジュール100の断面形状を示す。主な発熱源は、IGBTチップ400である。IGBTチップ400は、本実施例では水冷型モジュール100内で一列に並んでいる。本断面図では1個が見えている。IGBTチップ400のアノード電極は、セラミック配線基板401の導体パターンにはんだ付けされている。カソード及びゲート電極は、ボンディングワイヤ402でセラミック配線基板401の導体パターンに接続されている。耐湿性確保のため、IGBTチップ400,セラミック配線基板401、及びボンディングワイヤ402は、シリコーンゲル403で覆われている。
【0024】
IGBTチップ400で発生した熱をいかに効率良く水冷用フィン104に導くか、そのために、まず、水冷用フィン104がIGBTチップ400を中心とした放射状に配置されている。さらに、銅ベース102の板厚が、IGBTチップ400の直下でもっとも厚くなるように、若干円形状になっている。この二つの構造上の特徴により、IGBTチップ400で発生した熱が、中央部のみならず、周辺部まで比較的均一に全部の水冷用フィン104に行き渡る。冷却水への熱の伝達を良好にするため、水冷用フィン104の根元の隙間より先端の隙間を若干小さくしてある。両端を除いた根元の隙間は2.0mm、先端の隙間は1.8mmである。水冷用フィン104の根元の方が先端よりIGBTチップ400からの熱抵抗が小さいので、できるだけ根元に近い部分に流れる冷却水を多くし、IGBTチップ400から冷却水までの熱抵抗を小さくする構造になっている。
【0025】
図5に、水冷型モジュール100を冷却水容器500に取り付けた状態を示す。本実施例では、水冷用フィン104がIGBTチップ400から放射状に配置されていることに加え、水冷用フィン104と冷却水501との接する面積が、中央のフィンと周辺のフィンで余り異ならないこと、また、冷却水501の幅が、中央のフィンと周辺のフィンで余り異ならないこと、のため、水冷用フィン104の冷却能力が中央と周辺で余り異ならない。
【0026】
さらに、本実施例では、冷却水容器500の底面が水冷用フィン104の先端に合わせた曲面になっている。その上、水冷用フィン104の先端が若干冷却水容器500に食い込む形態になっている。これらの構造を採用することで、冷却水501が水冷用フィン104の隙間にほぼ100%流れることになり、IGBTチップ400から冷却水501までの熱抵抗を下げる効果が飛躍的に大きくなる。
【0027】
もちろん、冷却水容器500の底面をフラットにするとか、本実施例と同じように水冷用フィン104の先端に合わせた曲面にするにしても、水冷用フィン104の先端が冷却水容器500に食い込む形態にしない、滑らかな底面にする構造もあり得る。この場合、冷却の効率は本実施例より若干落ちるが、本実施例の本質、すなわち、水冷用フィン104の根本付近に流れる冷却水501を増やすことにより熱抵抗を下げるという効果は存在する。
【0028】
(実施例2)
実施例2について、図6を参照して説明する。本実施例では、パワー半導体であるIGBTチップ600が冷却水609の流れる方向(紙面に垂直)に対して、2列並んでいる。したがって、主な熱の流れが第1の実施例のように1系統でなく、2系統になる。
【0029】
このような場合、水冷用フィン606の形状は、第1の実施例の形状を水平方向にずらして重ねたようになる。すなわち、山が二つある形状になる。熱の流れとしては、左側の山に相当する水冷用フィン606が主に左側のIGBTチップ600からの熱を放出し、右側の山に相当する水冷用フィン606が主に右側のIGBTチップ600からの熱を放出するという形になる。
【0030】
第1の実施例と同じく、冷却水容器608の底を水冷用フィン606の凹凸に合わせて、冷却水609が水冷用フィン606の隙間の空間に効率的に流れるように工夫している。
【0031】
なお、各実施例は冷却媒体として水を用いたが、水に薬品を注入し熱容量の調整や粘度の調整を行ってもよい。
【0032】
【発明の効果】
本発明の目的は、電力用半導体素子で発生した熱をより効果的に冷却媒体に導く構造を提供することにある。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例を示す斜視図。
【図2】手段を示す断面図。
【図3】手段を示す断面図。
【図4】第1の実施例を示す断面図。
【図5】第1の実施例を示す断面図。
【図6】第2の実施例を示す断面図。
【符号の説明】
100,200,210,300…水冷型モジュール、101,203,601…樹脂ケース、102,605…銅ベース、103,607…ゴムパッキング、104,606…水冷用フィン、201…半導体チップ、202…配線基板、204,211,301…金属ベース、205…平行型水冷用フィン、206…パッキング、212…放射型水冷用フィン、302…板厚変動型放射型水冷用フィン、400,600…IGBTチップ、401,602…セラミック配線基板、402,603…ボンディングワイヤ、403,604…シリコーンゲル、500,608…冷却水容器、501,609…冷却水。
Claims (7)
- 水冷型電力用半導体モジュールの実装構造において、
該金属製ベースの該外壁に該ベースと一体の板状フィンが複数枚形成され、
該板状フィンが電力用半導体素子を中心として略放射状に配置されるように、該板状フィンの、該金属製ベースの面及び該板状フィンの面の何れにも垂直な断面における該板状フィン板中心間の間隔が、該ベースから離れるにつれ大きくなり、
該板状フィンの向かい合う面どうしの間隙は、該金属製ベースに近い側である該フィン根元から、該金属製ベースから遠ざかる側である該フィンの先端に至るにつれ、一定もしくは狭まることを特徴とする、水冷型電力用半導体モジュールの実装構造。 - 該板状フィンの高さ、すなわち該板状フィンの該金属製ベース取り付け部からの距離が、該板状フィンの該金属製ベースに対する取り付け角度が直角から外れるに従い小さくなることを特徴とする請求項1項記載の水冷型電力用半導体モジュールの実装構造。
- 該金属ベースの厚さが、該板状フィンの該金属製ベースに対する取り付け角度が直角に近づくに従い大きくなることを特徴とする、請求項2項記載の水冷型電力用半導体モジュールの実装構造。
- 水冷型電力用半導体モジュールの実装構造、とりわけモジュール底面を構成する金属製ベースの外壁を直接冷却水に触れさせる、直接水冷型電力用半導体モジュールにおいて、該金属製ベースの該外壁に該ベースと一体の板状フィンが複数枚形成され、該板状フィンが電力用半導体素子を中心として略放射状に配置されるように、該板状フィンの、該金属製ベースの面及び該板状フィンの面の何れにも垂直な断面における該板状フィン板中心間の間隔が、該ベースから離れるにつれ大きくなり、しかも該板状フィンの向かい合う面どうしの間隙が該金属製ベースに近い側、すなわち該フィン根元から、該金属製ベースから遠ざかる側、すなわち該フィンの先端に至るにつれ、一定もしくは狭まることを特徴とする、水冷型電力用半導体モジュールを冷却水容器に取り付けた状態で、該フィンの先端が冷却水容器の内壁に隙間がほぼない状態で取り付けられることを特徴とする、水冷型電力用半導体モジュールの実装構造。
- 該冷却水容器の底面と該金属製ベース間の距離、すなわち該冷却水の深さが、該板状フィンの該金属製ベースに対する取り付け角度が直角から外れるに従い小さくなることを特徴とする、請求項4項記載の水冷型電力用半導体モジュールの実装構造。
- 該冷却水容器の底面の該板状フィンの先端に対応する部分のみに凹みを儲けることを特徴とする、請求項4項記載の水冷型電力用半導体モジュールの実装構造。
- 請求項1において、前記水冷型電力用半導体モジュールは、モジュール底面を構成する金属製ベースの外壁を直接冷却水に触れさせる、直接水冷型電力用半導体モジュールであることを特徴とする水冷型電力用半導体モジュールの実装構造。
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