JP2008218828A - 冷却装置及び冷却装置付半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】冷却装置付半導体装置において、互いに向かい合う放熱板に配置する発熱素子の配置を最適とすることである。
【解決手段】発熱素子であるパワースイッチング素子30,40が互いに向かい合って配置される流路18の高さをhとし、パワースイッチング素子30,40について冷媒6,7が流れる方向に沿った長さをaとし、パワースイッチング素子30,40から流路18の冷媒6,7に向けて熱が放射状に拡散する範囲を示す角度である熱拡散角度をθとし、一方側の放熱板12に配置されたパワースイッチング素子30と、他方側の放熱板14に配置されたパワースイッチング素子40とについて、冷媒6,7が流れる方向に沿った配置ピッチをPとして、P≧a+tan(θ/2)×hとする。
【選択図】図8
【解決手段】発熱素子であるパワースイッチング素子30,40が互いに向かい合って配置される流路18の高さをhとし、パワースイッチング素子30,40について冷媒6,7が流れる方向に沿った長さをaとし、パワースイッチング素子30,40から流路18の冷媒6,7に向けて熱が放射状に拡散する範囲を示す角度である熱拡散角度をθとし、一方側の放熱板12に配置されたパワースイッチング素子30と、他方側の放熱板14に配置されたパワースイッチング素子40とについて、冷媒6,7が流れる方向に沿った配置ピッチをPとして、P≧a+tan(θ/2)×hとする。
【選択図】図8
Description
本発明は冷却装置及び冷却装置付半導体装置に係り、特に、冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の発熱素子が配置される冷却装置、及び冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の半導体素子が配置される冷却装置付半導体装置に関する。
電力用半導体素子等は作動に伴って発熱するので、適当な冷却板に取り付け、場合によっては空気あるいは冷却水等を用いて、素子の温度を許容範囲以上に上昇しないように熱を外部に放散させることが行われる。
例えば、特許文献1には、昇圧コンバータ及びインバータを構成する複数のパワー半導体素子を半導体モジュールとして形成し、これを積層して半導体スタックとする際に、積層方向に隣接する半導体モジュールを、パワー半導体素子の発熱中心が対向しないように、千鳥配列状(ジグザグ状)に配置することが開示されている。そして、隣接する半導体モジュールの間には冷却器となる接続モジュールが配置され、その中を冷却水が流れる。上流側と下流側とで冷却能力が異なるので、上流側に、発熱大、動作頻度大、耐熱性大の半導体モジュールを配置することが述べられている。
特許文献1の構成によれば、パワー半導体素子の発熱中心が対向しないように配置されるので、高密度にパワー半導体素子が搭載された半導体モジュール又は半導体装置とすることができる。
しかし、特許文献1においては具体的な千鳥配列状等の内容が開示されていないので、場合によっては、半導体素子等の発熱素子の配置が最適でないことが生じえる。
本発明の目的は、発熱素子の最適配置を可能とする冷却装置及び冷却装置付半導体装置を提供することである。
本発明に係る冷却装置は、冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の発熱素子が配置される冷却装置であって、一方側壁面と他方側壁面との間隔である流路高さをhとし、配置された発熱素子について冷媒が流れる方向に沿った長さをaとし、発熱素子から流路の冷媒に向けて熱が放射状に拡散する範囲を示す角度である熱拡散角度をθとし、一方側壁面の外側面に配置された発熱素子と、他方側壁面の外側面に配置された発熱素子とについて、冷媒が流れる方向に沿った配置ピッチをPとして、P≧a+tan(θ/2)×hの条件の下で複数の発熱素子が配置されることを特徴とする。
また、本発明に係る冷却装置は、冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の発熱素子が配置される冷却装置であって、一方側壁面と他方側壁面との間隔である流路高さをhとし、配置された発熱素子について冷媒が流れる方向に垂直な方向に沿った長さをbとし、発熱素子から流路の冷媒に向けて熱が放射状に拡散するときの角度である熱拡散角度をθとし、一方側壁面の外側面に配置された発熱素子と、他方側壁面の外側面に配置された発熱素子とについて、冷媒が流れる方向に垂直な方向に沿った配置ピッチをSとして、S≧b+tan(θ/2)×hの条件の下で複数の発熱素子が配置されることを特徴とする。
また、本発明に係る冷却装置付半導体装置は、冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の半導体素子が配置される冷却装置付半導体装置であって、一方側壁面と他方側壁面との間隔である流路高さをhとし、配置された半導体素子について冷媒が流れる方向に沿った長さをaとし、半導体素子から流路の冷媒に向けて熱が放射状に拡散する範囲を示す角度である熱拡散角度をθとし、一方側壁面の外側面に配置された半導体素子と、他方側壁面の外側面に配置された半導体素子とについて、冷媒が流れる方向に沿った配置ピッチをPとして、P≧a+tan(θ/2)×hの条件の下で複数の半導体素子が配置されることを特徴とする。
また、本発明に係る冷却装置付半導体装置は、冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の半導体素子が配置される冷却装置付半導体装置であって、一方側壁面と他方側壁面との間隔である流路高さをhとし、配置された半導体素子について冷媒が流れる方向に垂直な方向に沿った長さをbとし、半導体素子から流路の冷媒に向けて熱が放射状に拡散するときの角度である熱拡散角度をθとし、一方側壁面の外側面に配置された半導体素子と、他方側壁面の外側面に配置された半導体素子とについて、冷媒が流れる方向に垂直な方向に沿った配置ピッチをSとして、S≧b+tan(θ/2)×hの条件の下で複数の半導体素子が配置されることを特徴とする。
上記構成によれば、一方側壁面の外側面に配置される発熱する素子からの熱拡散の境界が、他方側壁面の外側面に配置される発熱する素子からの熱拡散の境界と重ならないように、素子の配置ピッチが設定される。そして、双方の熱拡散の境界がちょうど重なるときの配置ピッチが、他方の熱拡散の影響を受けずに最も高密度に素子を配置できる最適配置条件となる。このように、本発明に係る冷却装置及び冷却装置付半導体装置によれば、他の素子の発熱の影響を受けることのない最適配置が可能となる。
以下に図面を用いて、本発明に係る実施の形態につき詳細に説明する。以下では、冷却装置付半導体装置として、半導体素子を放熱板に取り付けたものを2組用意し、半導体素子が取り付けられていない面を向かい合わせて隙間を開けて配置し、その隙間の間に冷媒を流す構成を説明する。ここでは、放熱板の隙間の間に冷媒が流される構成が冷却装置として機能する。すなわち、冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面が、複数の発熱素子を配置する取付面として用いられる冷却装置として機能する。このように、冷却装置付半導体装置において、発熱素子を冷却する機能の部分を取り出したものが冷却装置である。
以下では、冷却装置付半導体装置として、パワースイッチング素子とパワーダイオードとを含んで構成されるインバータ回路に用いられ、複数のパワースイッチング素子を配置した冷却装置付半導体装置を説明するが、もちろん、複数のパワーダイオードを配置した冷却装置付半導体装置であってもよく、パワースイッチング素子とパワーダイオード素子とを1組としてこれを複数組配置した冷却装置付半導体装置であってもよい。また、インバータ回路以外の回路に用いられる冷却装置付半導体装置でもよく、発熱する素子としてはパワースイッチング素子、パワーダイオード以外の素子であってもよい。
また、以下で説明する材料、寸法、温度等は説明のための例示であって、用途に応じ適当に変更することができる。
図1は、インバータ回路を構成する複数のパワースイッチング素子をモジュール化し、冷媒が流れる流路を形成するように構成された冷却装置付半導体装置10を示す図である。冷却装置付半導体装置10は、放熱板12,14と、側壁板および冷却フィン16によって冷媒が流される流路が形成される冷却装置と、放熱板12,14に取り付けられて配置されるパワースイッチング素子30,40とを含む。なお、図1では、放熱板14に取り付けられているパワースイッチング素子40は、放熱板14の下側に隠れているため図示されていない。
冷却装置20は、放熱板12,14と、側壁板および冷却フィン16とによって、冷媒が流される流路18が形成されるもので、流路に冷媒が流れることで放熱板12,14等を冷却し、放熱板12,14に取り付けられて配置されるパワースイッチング素子30,40が作動によって生じる熱を外部に運び出す機能を有する。放熱板12,14、側壁板および冷却フィン16は、熱伝導性のよい金属板を適当に成形したものを用いることができる。例えば、厚さ約1mmから数mm程度のアルミニウム板等を用いて、複数の矩形断面の流路を形成するように組み立てたものを冷却装置20として用いることができる。ここで、放熱板12,14は、パワースイッチング素子30,40を取り付けるもので、冷媒が流れる流路18を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面に対応する部材である。
図1には、冷媒6,7が矢印で流れる方向を示して図示されている。冷媒としては、適当に冷却された空気、あるいは冷却水等の冷却流体を用いることができる。
パワースイッチング素子30,40は、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等である。放熱板12,14が適当な絶縁表面処理が施されている場合には、半導体チップ等で形成されたIGBTチップを直接搭載することができる。放熱板12,14が絶縁処理がなされていない場合等には、例えば、IGBTチップを適当な絶縁板あるいは回路基板に搭載し、その絶縁板あるいは回路基板を放熱板12,14に取り付けるものとすることができる。発熱素子であるパワースイッチング素子30,40は、放熱板12,14のそれぞれの外側面、すなわち冷媒が流れる内側面の反対側の面に配置されて取り付けられる。図1の例では、冷媒6,7の流れる方向をX方向とし、パワースイッチング素子30,40は、放熱板12,14の外側面上に、X方向に沿って配置され取り付けられる。
図2から図4は、パワースイッチング素子30,40の適切配置を説明するために、いくつかの配置例を示す図である。これらの図では、流路18の断面図を示すように、放熱板12,14とパワースイッチング素子30,40と、冷媒6,7を抜き出して示してあり、パワースイッチング素子30,40から冷媒6,7に向けて放射状に拡散する熱50がシャワー状の線で模式的に示されている。図2は、パワースイッチング素子30が、放熱板12の外側面にのみ配置される場合で、図3から図5は、パワースイッチング素子30,40が放熱板12,14のそれぞれの外側面に配置される場合である。
図2は、パワースイッチング素子30が放熱板12の外側面のみに配置される場合であるので、冷媒6,7の流れる方向に沿った配置ピッチを適当に取ることで、隣接するパワースイッチング素子30から放射状に拡散する熱50が重複することを適当に防ぐことができる。しかし、そのためには、適当な配置ピッチを設定することが必要で、パワースイッチング素子30の数が多くなるにつれ、冷媒6,7を流す流路18の長さが長くなり、冷却装置、あるいは冷却装置付半導体装置の大きさが大きくなる。
図3は、冷媒6,7が流れる流路18において互いに向かい合う放熱板12,14に、それぞれパワースイッチング素子30,40を互いに向かい合う位置関係で配置するものである。図2と比較すると、同じ数のパワースイッチング素子30,40を配置するのに、流路18の長さが半分で済み、冷却装置、あるいは冷却装置付半導体装置の小型化を図ることができる。ただし、図3に示されるように、放熱板12に配置されたパワースイッチング素子30から放射状に拡散する熱50と、放熱板14に配置されたパワースイッチング素子40から放射状に拡散する熱50とが重複するので、冷媒6,7の流量が十分でないと、パワースイッチング素子30,40はいずれも冷却が不十分となり、その温度が許容範囲を超えることが生じえる。
図4は、図3の弊害を避けるために、放熱板12に配置されたパワースイッチング素子30と、放熱板14に配置されたパワースイッチング素子40とについて、冷媒6,7の流れる方向に沿った配置ピッチをPとして、Pを十分に大きくとった場合である。図2と比較して分かるように、Pを大きく取ると、パワースイッチング素子30,40の搭載密度は、放熱板12のみにパワースイッチング素子30を配置した場合とあまり変わらなくなる。
図5は、図3と図5の中間の場合で、図4よりはPを小さくした場合である。この場合は、パワースイッチング素子30,40の搭載密度を図2の場合より向上させることができるが、まだ、放熱板12に配置されたパワースイッチング素子30から放射状に拡散する熱50と、放熱板14に配置されたパワースイッチング素子40から放射状に拡散する熱50とが重複することが生じている。
これらの図から分かるように、放熱板12,14の双方の外側面にパワースイッチング素子30,40を配置する場合、放熱板12に配置されたパワースイッチング素子30と、放熱板14に配置されたパワースイッチング素子40とについて、冷媒6,7の流れる方向に沿った配置ピッチPによって、パワースイッチング素子30,40の冷却の様子が異なることになる。
図6は、その様子を実際の条件に適合させたシミュレーションによって示す図である。ここでは、放熱板12におけるパワースイッチング素子30の配置位置を固定条件とし、放熱板14に2つのパワースイッチング素子40をパワースイッチング素子30との間の配置ピッチPを変化させて配置したときの流路18における温度分布が示されている。すなわち、図6の上段側から下段側に、配置ピッチPが、5mm、15mm、25mm、35mm、45mm、55mmと、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の間の配置ピッチPが広くなっている。流路18には、図6の左側から、約65℃の冷媒が流される。図6において、流路18の中の冷媒の温度は、高温側ほど斜線の線密度を細かくし、低温側ほど斜線の線密度を粗くして示してある。
図6から、配置ピッチPを大きくしてゆくにつれ、流路18の中の冷媒の温度分布はより低温側になることが分かる。ここで、パワースイッチング素子30,40のところの温度に注目すると、向かい合うパワースイッチング素子30,40の熱の影響は、配置ピッチPが小さく約35mm程度までのときは相互に干渉しているのがわかる。一方、ピッチPが約45mm程度を超えると干渉が少なくなることがわかる。
図7は、横軸に配置ピッチPをとり、縦軸に放熱板12に配置されるパワースイッチング素子30の温度をとって示した図である。図7から分かるように、配置ピッチPを大きくするとともにパワースイッチング素子30の温度が低下するが、配置ピッチPが約45mm以上ではほとんど同じ温度となる。したがって、図6の例では、配置ピッチPを約45mmに設定することで、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の熱の影響を少なくし、パワースイッチング素子30,40の搭載密度を最大とすることができる。
図8は、図6の結果を実際の流路の寸法等と照らし合わせて、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の熱の影響を少なくし、パワースイッチング素子30,40の搭載密度を最大とする配置ピッチPを設定する一般的条件を求めた結果を示す摸式図である。ここでは、図1から図7におけると同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。図8では、発熱素子から流路の冷媒に向けて熱が放射状に拡散する範囲を示す角度である熱拡散角度をθとして示されている。
ここで、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40から放射状に拡散する熱が互いに重複しないようにするには、パワースイッチング素子30からθで規定される領域と、パワースイッチング素子40からθで規定される領域とが重複しないようにすればよい。すなわち、図8に示されるように、冷媒6,7の流れる方向に沿ったパワースイッチング素子30の端部からθ/2で引いた線が、パワースイッチング素子30に向かい合って隣接するパワースイッチング素子40の端部からθ/2で引いた線と一致するように、配置ピッチPを定めればよい。このとき、パワースイッチング素子30からθで規定される領域と、パワースイッチング素子40からθで規定される領域とがちょうど接する限度となる。このときの配置ピッチPが最適配置ピッチとなる。
最適配置ピッチよりも配置ピッチPを大きくしても、図7から分かるように、パワースイッチング素子の温度はさらには下がらない。一方で、最適配置ピッチより配置ピッチPを小さくすると、パワースイッチング素子30からθで規定される領域と、パワースイッチング素子40からθで規定される領域とが重複することが生じ、図7から理解されるように、パワースイッチング素子の温度が、より高くなる。したがって、図8の状態が、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の熱の影響を少なくしながら、最も搭載密度を高くできる最適配置ピッチとなる。
図8に示されるように、流路18の高さをhとし、パワースイッチング素子30,40について冷媒6,7が流れる方向に沿った長さをaとし、パワースイッチング素子30,40から流路18の冷媒6,7に向けて熱が放射状に拡散する範囲を示す角度である熱拡散角度をθとし、一方側の放熱板12に配置されたパワースイッチング素子30と、他方側の放熱板14に配置されたパワースイッチング素子40とについて、冷媒6,7が流れる方向に沿った配置ピッチをPとして、P≧a+tan(θ/2)×hとすることで、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の間の熱の影響を抑制することができる。具体的には、この条件の下で、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の間の熱は、互いに重複または重畳することを避けることができる。
また、P=a+tan(θ/2)×hの条件の配置ピッチPが、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の熱の影響を少なくしながら、最も搭載密度を高くできる最適配置ピッチである。なお、実験によれば、熱拡散角度θを、一般的には90度とすることができる。
上記では、パワースイッチング素子30,40を冷媒6,7の流れる方向に1列に配置するものとして説明した。放熱板12,14の幅が、パワースイッチング素子30,40の幅に比べて十分に広く取れる場合には、放熱板12,14において、パワースイッチング素子30,40を冷媒6,7の流れる方向に複数列配置するものとできる。そのような場合のパワースイッチング素子30,40の最適配置ピッチについての様子を図9、図10を用いて説明する。
図9は、放熱板12,14において、パワースイッチング素子30,40を冷媒6,7の流れる方向に2列配置する様子を示す図である。なお、以下では、図1から図8と同一の要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。図10(a)は、図9の平面図であり、図10(b)は、図10(a)におけるB−B線に沿った断面図、図10(c)は、図10(a)におけるC−C線に沿った断面図である。図10から分かるように、B−B線は、冷媒6,7の流れる方向に平行な方向の切断線であり、C−C線は、冷媒6,7に流れる方向に垂直な方向の切断線である。なお、パワースイッチング素子30,40の寸法は、冷媒6,7が流れる方向に沿った長さがa、冷媒6,7が流れる方向に垂直な方向に沿った長さがbとして示されている。
図10(b)においては、冷媒6,7が流れる方向に沿った配置ピッチPの問題であるので、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の最適配置ピッチは、図8と同様に、P=a+tan(θ/2)×hとすることができる。そして、P≧a+tan(θ/2)×hとすることで、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の間の熱の影響を抑制することができる。
図10(c)においても、図8と同様に考えることができる。すなわち、放熱板12に配置されたパワースイッチング素子30と放熱板14に配置されたパワースイッチング素子40とについて、冷媒6,7が流れる方向に垂直な方向に沿った配置ピッチをSとすると、S=b+tan(θ/2)×hとすることができる。そして、S≧b+tan(θ/2)×hとすることで、互いに向かい合うパワースイッチング素子30,40の間の熱の影響を抑制することができる。
6,7 冷媒、10 冷却装置付半導体装置、12,14 放熱板、16 側壁板および冷却フィン、18 流路、20 冷却装置、30,40 パワースイッチング素子、50 熱。
Claims (4)
- 冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の発熱素子が配置される冷却装置であって、
一方側壁面と他方側壁面との間隔である流路高さをhとし、
配置された発熱素子について冷媒が流れる方向に沿った長さをaとし、
発熱素子から流路の冷媒に向けて熱が放射状に拡散する範囲を示す角度である熱拡散角度をθとし、
一方側壁面の外側面に配置された発熱素子と、他方側壁面の外側面に配置された発熱素子とについて、冷媒が流れる方向に沿った配置ピッチをPとして、
P≧a+tan(θ/2)×h
の条件の下で複数の発熱素子が配置されることを特徴とする冷却装置。 - 冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の発熱素子が配置される冷却装置であって、
一方側壁面と他方側壁面との間隔である流路高さをhとし、
配置された発熱素子について冷媒が流れる方向に垂直な方向に沿った長さをbとし、
発熱素子から流路の冷媒に向けて熱が放射状に拡散するときの角度である熱拡散角度をθとし、
一方側壁面の外側面に配置された発熱素子と、他方側壁面の外側面に配置された発熱素子とについて、冷媒が流れる方向に垂直な方向に沿った配置ピッチをSとして、
S≧b+tan(θ/2)×h
の条件の下で複数の発熱素子が配置されることを特徴とする冷却装置。 - 冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の半導体素子が配置される冷却装置付半導体装置であって、
一方側壁面と他方側壁面との間隔である流路高さをhとし、
配置された半導体素子について冷媒が流れる方向に沿った長さをaとし、
半導体素子から流路の冷媒に向けて熱が放射状に拡散する範囲を示す角度である熱拡散角度をθとし、
一方側壁面の外側面に配置された半導体素子と、他方側壁面の外側面に配置された半導体素子とについて、冷媒が流れる方向に沿った配置ピッチをPとして、
P≧a+tan(θ/2)×h
の条件の下で複数の半導体素子が配置されることを特徴とする冷却装置付半導体装置。 - 冷媒が流れる流路を形成する壁面のうち、互いに向かい合う一方側壁面と他方側壁面のそれぞれの外側面に複数の半導体素子が配置される冷却装置付半導体装置であって、
一方側壁面と他方側壁面との間隔である流路高さをhとし、
配置された半導体素子について冷媒が流れる方向に垂直な方向に沿った長さをbとし、
半導体素子から流路の冷媒に向けて熱が放射状に拡散するときの角度である熱拡散角度をθとし、
一方側壁面の外側面に配置された半導体素子と、他方側壁面の外側面に配置された半導体素子とについて、冷媒が流れる方向に垂直な方向に沿った配置ピッチをSとして、
S≧b+tan(θ/2)×h
の条件の下で複数の半導体素子が配置されることを特徴とする冷却装置付半導体装置。
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