JP6391533B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1および図2を参照して、冷媒ジャケット付パワーモジュール201(半導体装置)は、パワーモジュール101(半導体装置)と、冷媒ジャケット10とを有する。冷媒ジャケット10は、後述するベース板1に固定されている。冷媒ジャケット10は、ベース板1との間に冷媒の流路FLを設けるものである。パワーモジュール101は、流路FLに沿って流れる冷媒によって冷却されるための放熱領域RRを有する。放熱領域RRは、断面視(図1)における冷媒の流路FLの断面領域である。
図8を参照して、本実施の形態の冷媒ジャケット付パワーモジュール202(半導体装置)においては、突出部70は、離間範囲突出部75(図2)に代わり、離間範囲MT0内に位置する離間範囲突出部76を含む。離間範囲突出部76には、波形を有する側面が設けられている。離間範囲MT0において側面のそれぞれは素子実装範囲MT1およびMT2の方を向いている。
図9を参照して、本実施の形態の冷媒ジャケット付パワーモジュール203(半導体装置)においては、突出部70は、各々が円柱形状を有する複数のピンフィンである。平面レイアウト(図9の視野における2次元的なレイアウト)において、素子実装範囲MT1およびMT2において突出部70が占める割合に比して、離間範囲MT0において突出部70が占める割合の方が大きい。
図11を参照して、本実施の形態のパワーモジュール104(半導体装置)は、3相インバータ装置であり、各相に対応して半導体素子EL1〜EL3を有する。
Claims (8)
- 冷却されるための放熱領域を有し、平面レイアウトにおいて、第1の素子実装範囲と、第2の素子実装範囲と、前記第1の素子実装範囲および前記第2の素子実装範囲の間の離間範囲とを有する半導体装置であって、
前記第1の素子実装範囲と前記離間範囲と前記第2の素子実装範囲とにまたがる第1の面と、前記第1の面と反対の第2の面とを有する基板と、
前記第1の素子実装範囲において前記基板の前記第1の面上に実装された少なくとも1つの第1の半導体素子と、
前記第2の素子実装範囲において前記基板の前記第1の面上に実装された少なくとも1つの第2の半導体素子と、
前記第1の素子実装範囲と前記離間範囲と前記第2の素子実装範囲とにまたがり前記第2の面に接合された第3の面と、前記第3の面と反対の、前記放熱領域に面する第4の面とを有するベース板と、
前記ベース板の前記第4の面に固定され、前記第4の面から前記放熱領域中に突出する複数の突出部と、
を備え、断面視において前記放熱領域は、前記第1の素子実装範囲内の第1の断面領域と、前記第2の素子実装範囲内の第2の断面領域と、前記離間範囲内の第3の断面領域とを有し、前記第1の断面領域および前記第2の断面領域において前記突出部が占める割合に比して、前記第3の断面領域において前記突出部が占める割合の方が大きく、
前記突出部は、前記離間範囲内に位置する離間範囲突出部を含み、前記離間範囲突出部には、波形を有する側面が設けられている、半導体装置。 - 冷却されるための放熱領域を有し、平面レイアウトにおいて、第1の素子実装範囲と、第2の素子実装範囲と、前記第1の素子実装範囲および前記第2の素子実装範囲の間の離間範囲とを有する半導体装置であって、
前記第1の素子実装範囲と前記離間範囲と前記第2の素子実装範囲とにまたがる第1の面と、前記第1の面と反対の第2の面とを有する基板と、
前記第1の素子実装範囲において前記基板の前記第1の面上に実装された少なくとも1つの第1の半導体素子と、
前記第2の素子実装範囲において前記基板の前記第1の面上に実装された少なくとも1つの第2の半導体素子と、
前記第1の素子実装範囲と前記離間範囲と前記第2の素子実装範囲とにまたがり前記第2の面に接合された第3の面と、前記第3の面と反対の、前記放熱領域に面する第4の面とを有するベース板と、
前記ベース板の前記第4の面に固定され、前記第4の面から前記放熱領域中に突出する複数の突出部と、
を備え、断面視において前記放熱領域は、前記第1の素子実装範囲内の第1の断面領域と、前記第2の素子実装範囲内の第2の断面領域と、前記離間範囲内の第3の断面領域とを有し、前記第1の断面領域および前記第2の断面領域において前記突出部が占める割合に比して、前記第3の断面領域において前記突出部が占める割合の方が大きく、
平面レイアウトにおいて、前記第1の素子実装範囲および前記第2の素子実装範囲において前記突出部が占める割合に比して、前記離間範囲において前記突出部が占める割合の方が大きく、
前記突出部は複数のピンフィンであり、
平面レイアウトにおいて、前記第1の素子実装範囲および前記第2の素子実装範囲における単位面積当たりの前記ピンフィンの数に比して、前記離間範囲における単位面積当たりの前記ピンフィンの数の方が多い、半導体装置。 - 冷却されるための放熱領域を有し、平面レイアウトにおいて、第1の素子実装範囲と、第2の素子実装範囲と、前記第1の素子実装範囲および前記第2の素子実装範囲の間の離間範囲とを有する半導体装置であって、
前記第1の素子実装範囲と前記離間範囲と前記第2の素子実装範囲とにまたがる第1の面と、前記第1の面と反対の第2の面とを有する基板と、
前記第1の素子実装範囲において前記基板の前記第1の面上に実装された少なくとも1つの第1の半導体素子と、
前記第2の素子実装範囲において前記基板の前記第1の面上に実装された少なくとも1つの第2の半導体素子と、
前記第1の素子実装範囲と前記離間範囲と前記第2の素子実装範囲とにまたがり前記第2の面に接合された第3の面と、前記第3の面と反対の、前記放熱領域に面する第4の面とを有するベース板と、
前記ベース板の前記第4の面に固定され、前記第4の面から前記放熱領域中に突出する複数の突出部と、
を備え、断面視において前記放熱領域は、前記第1の素子実装範囲内の第1の断面領域と、前記第2の素子実装範囲内の第2の断面領域と、前記離間範囲内の第3の断面領域とを有し、前記第1の断面領域および前記第2の断面領域において前記突出部が占める割合に比して、前記第3の断面領域において前記突出部が占める割合の方が大きく、
平面レイアウトにおいて、前記第1の素子実装範囲および前記第2の素子実装範囲において前記突出部が占める割合に比して、前記離間範囲において前記突出部が占める割合の方が大きく、
前記突出部は複数のピンフィンであり、
平面レイアウトにおいて、前記第1の素子実装範囲および前記第2の素子実装範囲に位置するピンフィンの最大寸法に比して、前記離間範囲に位置するピンフィンの最大寸法の方が大きい、半導体装置。 - 前記突出部の各々は同じ材料からなる、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記少なくとも1つの第1の半導体素子は、前記基板の前記第1の面上において、
第1の素子と、
第1の方向において前記第1の素子と隣り合う第2の素子と、
前記第1の方向と交差する第2の方向において前記第1の素子と隣り合う第3の素子と、
前記第1の方向において前記第3の素子と隣り合いかつ前記第2の方向において前記第2の素子と隣り合う第4の素子と、
を含み、
前記第1の素子および前記第4の素子は第1の種類の素子であり、前記第2の素子および前記第3の素子は前記第1の種類と異なる第2の種類の素子である、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ベース板は平板形状を有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記断面視における前記放熱領域は、冷媒の流路の断面領域である、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ベース板に固定され、前記ベース板との間に前記流路を設ける冷媒ジャケットをさらに備える、請求項7に記載の半導体装置。
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