JP4669065B2 - プログラミング速度を向上させるプログラミング電圧に応じたプログラム時間調整 - Google Patents
プログラミング速度を向上させるプログラミング電圧に応じたプログラム時間調整 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4669065B2 JP4669065B2 JP2009503138A JP2009503138A JP4669065B2 JP 4669065 B2 JP4669065 B2 JP 4669065B2 JP 2009503138 A JP2009503138 A JP 2009503138A JP 2009503138 A JP2009503138 A JP 2009503138A JP 4669065 B2 JP4669065 B2 JP 4669065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- program
- pulses
- pulse
- programming
- charge storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/32—Timing circuits
Description
Claims (23)
- 複数の電荷蓄積素子を備える不揮発性メモリシステムをプログラムする方法であって、
電荷ポンプにより所定の振幅でのプログラムパルスを順次提供するステップであって、前記複数の電荷蓄積素子をプログラムするプログラミングサイクル中に少なくともいくつかのパルスの各々の振幅は直前のパルスに比べて増加し、プログラムパルスの振幅が増加すると共に、所定の振幅でのプログラムパルスのプログラム時間が減少するステップと、
電荷ポンプによって提供されるパルスの種々の振幅を伝える信号に応じて複数のプログラム時間制御信号を生成するステップであって、前記プログラム時間制御信号により、電荷蓄積素子に対するプログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間の値は複数回にわたり調整され、この値は前記複数の電荷蓄積素子を所定の状態までプログラムするためのパルス数を減少させるために、所定の振幅でのプログラムパルスのプログラム時間を概ね一定に保つ値であるステップと、
を含む方法。 - 請求項1記載の方法であって、
前記生成するステップは、電荷蓄積素子に対する前記プログラミングサイクル中に電荷ポンプによって提供されるパルスの数または振幅を伝える複数のインジケータ信号を生成する方法。 - 請求項2記載の方法であって、
プログラム時間制御信号はインジケータ信号に応じて生成され、これにより電荷蓄積素子に対する前記プログラミングサイクルの少なくとも一部分では、電荷ポンプによってn個のプログラムパルスが提供されるたびにプログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間が増加し、nは正の整数である方法。 - 請求項3記載の方法であって、
プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中に前記複数の電荷蓄積素子をプログラムするために所定の数のパルスが提供された後、電荷ポンプによってn個のプログラムパルスが提供されるたびに増加する方法。 - 請求項4記載の方法であって、
プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中に前記複数の電荷蓄積素子をプログラムするために所定の数のプログラムパルスが提供されるまで増加しない方法。 - 請求項2記載の方法であって、
インジケータ信号に応じて生成されるプログラム時間制御信号により、プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、電荷蓄積素子に対する前記プログラミングサイクルの少なくとも一部分では、電荷ポンプによって提供されるプログラムパルスの振幅がn回漸増するたびに増加し、nは正の整数である方法。 - 請求項6記載の方法であって、
プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中にプログラムパルスの振幅が所定の回数にわたって漸増した後、電荷ポンプによって提供されるプログラムパルスの振幅がn回漸増するたびに増加する方法。 - 請求項7記載の方法であって、
プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中にプログラムパルスの振幅が所定の回数にわたり漸増するまで増加しない方法。 - 請求項3,6,7記載の方法であって、
nの値は1である方法。 - 請求項2記載の方法であって、
前記インジケータ信号のうちの少なくとも1つのインジケータ信号と前記複数のプログラム時間制御信号とにより、電荷蓄積素子に対するプログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中に1度だけ、より高い値に調整され、これにより前記複数の電荷蓄積素子を所定の状態までプログラムするためのパルス数は減少する方法。 - 請求項2記載の方法であって、
前記インジケータ信号は、電荷ポンプの任意の出力の振幅を使わずに生成される方法。 - 不揮発性メモリシステムであって、
複数の電荷蓄積素子と、
所定の振幅でのプログラムパルスを順次提供する電荷ポンプであって、前記複数の電荷蓄積素子をプログラムするプログラミングサイクル中に少なくともいくつかのパルスの各々の振幅は直前のパルスに比べて増加し、プログラムパルスの振幅が増加すると共に、所定の振幅でのプログラムパルスのプログラム時間が減少する電荷ポンプと、
電荷ポンプによって提供されるパルスの種々の振幅を伝える信号に応じて複数のプログラム時間制御信号を生成する装置であって、前記プログラム時間制御信号により、電荷蓄積素子に対するプログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間の値は複数回にわたり調整され、この値は前記複数の電荷蓄積素子を所定の状態までプログラムするためのパルス数を減少させるために、所定の振幅でのプログラムパルスのプログラム時間を概ね一定に保つ値である装置と、
を備えるシステム。 - 請求項12記載のシステムであって、
前記装置は、
電荷ポンプによって提供されるパルスの振幅を伝える複数のインジケータ信号を生成する第1の回路と、
前記インジケータ信号に応じて複数のプログラム時間制御信号を生成する第2のプログラム時間制御回路であって、電荷蓄積素子に対するプログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間の値は、前記複数の電荷蓄積素子を所定の状態までプログラムするためのパルス数を減少させる値に調整される第2のプログラム時間制御回路と、
を備えるシステム。 - 請求項13記載のシステムであって、
前記複数のインジケータ信号は、電荷蓄積素子に対する前記プログラミングサイクル中に電荷ポンプによって提供されるプログラムパルスの数を伝えるシステム。 - 請求項14記載のシステムであって、
インジケータ信号に応じて前記第2のプログラム時間制御回路によって生成されるプログラム時間制御信号により、プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、電荷蓄積素子に対する前記プログラミングサイクルの少なくとも一部分では、電荷ポンプによってn個のプログラムパルスが提供されるたびに増加し、nは正の整数であるシステム。 - 請求項14記載のシステムであって、
プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中に前記複数の電荷蓄積素子をプログラムするために所定の数のパルスが提供された後、電荷ポンプによってn個のプログラムパルスが提供されるたびに増加するシステム。 - 請求項16記載のシステムであって、
プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中に前記複数の電荷蓄積素子をプログラムするために所定の数のプログラムパルスが提供されるまで増加しないシステム。 - 請求項13記載のシステムであって、
インジケータ信号に応じて前記第2のプログラム時間制御回路によって生成されるプログラム時間制御信号により、プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、電荷蓄積素子に対する前記プログラミングサイクルの少なくとも一部分では、電荷ポンプによって提供されるプログラムパルスの振幅がn回漸増するたびに増加し、nは正の整数であるシステム。 - 請求項18記載のシステムであって、
プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中にプログラムパルスの振幅が所定の回数にわたって漸増した後、電荷ポンプによって提供されるプログラムパルスの振幅がn回漸増するたびに増加するシステム。 - 請求項19記載のシステムであって、
プログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中にプログラムパルスの振幅が所定の回数にわたり漸増するまで増加しないシステム。 - 請求項15,16,18記載のシステムであって、
nの値は1である方法。 - 請求項13記載のシステムであって、
前記インジケータ信号のうちの少なくとも1つのインジケータ信号と前記複数のプログラム時間制御信号とにより、電荷蓄積素子に対するプログラムパルスの印加に配分されるプログラム時間は、前記プログラミングサイクル中に1度だけ、より高い値に調整され、これにより前記複数の電荷蓄積素子を所定の状態までプログラムするためのパルス数は減少するシステム。 - 請求項13記載のシステムであって、
前記インジケータ信号は、電荷ポンプの任意の出力の振幅を使わずに生成されるシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/392,265 US7327608B2 (en) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | Program time adjustment as function of program voltage for improved programming speed in programming method |
US11/391,811 US7330373B2 (en) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | Program time adjustment as function of program voltage for improved programming speed in memory system |
PCT/US2007/064064 WO2007112213A2 (en) | 2006-03-28 | 2007-03-15 | Program time adjustment as function of program voltage for improved programming speed |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009531806A JP2009531806A (ja) | 2009-09-03 |
JP2009531806A5 JP2009531806A5 (ja) | 2010-04-30 |
JP4669065B2 true JP4669065B2 (ja) | 2011-04-13 |
Family
ID=38541790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009503138A Expired - Fee Related JP4669065B2 (ja) | 2006-03-28 | 2007-03-15 | プログラミング速度を向上させるプログラミング電圧に応じたプログラム時間調整 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2005439B1 (ja) |
JP (1) | JP4669065B2 (ja) |
KR (1) | KR101312503B1 (ja) |
AT (1) | ATE515035T1 (ja) |
TW (1) | TWI340389B (ja) |
WO (1) | WO2007112213A2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7330373B2 (en) | 2006-03-28 | 2008-02-12 | Sandisk Corporation | Program time adjustment as function of program voltage for improved programming speed in memory system |
KR101893864B1 (ko) * | 2012-02-06 | 2018-08-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 프로그램 방법과 이를 이용하는 데이터 처리 시스템 |
US11694751B2 (en) * | 2019-11-30 | 2023-07-04 | Semibrain Inc. | Logic compatible flash memory programming with a pulse width control scheme |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004022112A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2007115359A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリのデータ書込方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3807744B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2006-08-09 | マクロニクス インターナショナル カンパニイ リミテッド | 可変プログラムパルス高及びパルス幅によるページモードフラッシュメモリ用自動プログラミングアルゴリズム |
US5991201A (en) * | 1998-04-27 | 1999-11-23 | Motorola Inc. | Non-volatile memory with over-program protection and method therefor |
US7110298B2 (en) * | 2004-07-20 | 2006-09-19 | Sandisk Corporation | Non-volatile system with program time control |
-
2007
- 2007-03-15 WO PCT/US2007/064064 patent/WO2007112213A2/en active Application Filing
- 2007-03-15 EP EP07758602A patent/EP2005439B1/en not_active Not-in-force
- 2007-03-15 AT AT07758602T patent/ATE515035T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-03-15 JP JP2009503138A patent/JP4669065B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-15 KR KR1020087025529A patent/KR101312503B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-23 TW TW096110183A patent/TWI340389B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004022112A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2007115359A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリのデータ書込方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200805384A (en) | 2008-01-16 |
EP2005439A2 (en) | 2008-12-24 |
EP2005439B1 (en) | 2011-06-29 |
ATE515035T1 (de) | 2011-07-15 |
TWI340389B (en) | 2011-04-11 |
KR101312503B1 (ko) | 2013-10-16 |
WO2007112213A3 (en) | 2008-03-27 |
KR20090018027A (ko) | 2009-02-19 |
WO2007112213A2 (en) | 2007-10-04 |
JP2009531806A (ja) | 2009-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7330373B2 (en) | Program time adjustment as function of program voltage for improved programming speed in memory system | |
KR101222063B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 그 동작방법 | |
KR100890016B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및그것의 프로그램 방법 | |
KR100888844B1 (ko) | 프로그램 성능을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치 및그것의 프로그램 방법 | |
KR100771520B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
KR20090119042A (ko) | 플래시 메모리 장치, 그것의 프로그램 방법, 그리고 그것을포함하는 메모리 시스템 | |
JP2006179167A (ja) | リップルフリー高電圧発生回路及び方法、及びこれを具備した半導体メモリ装置 | |
US20100067305A1 (en) | Nonvolatile memory device and program method with improved pass voltage window | |
JP2007087569A (ja) | Nandフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 | |
US7327608B2 (en) | Program time adjustment as function of program voltage for improved programming speed in programming method | |
KR101212739B1 (ko) | 비휘발성 메모리장치 및 이의 동작방법 | |
KR20120061574A (ko) | 펌프회로 및 이를 구비한 반도체 메모리 장치 | |
US8036042B2 (en) | Method of operating nonvolatile memory device | |
JP4669065B2 (ja) | プログラミング速度を向上させるプログラミング電圧に応じたプログラム時間調整 | |
KR101193060B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 구동 방법 | |
US7817471B2 (en) | Flash memory device and programming method | |
KR20070052403A (ko) | 낸드 플래시 메모리의 프로그램 방법 | |
JP2013191264A (ja) | 半導体記憶装置およびその駆動方法 | |
KR101495789B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
KR102618534B1 (ko) | 레귤레이터 및 이를 포함하는 메모리 장치 | |
US8559227B2 (en) | Nonvolatile memory device | |
JP2022162233A (ja) | 半導体装置および消去方法 | |
KR20240078899A (ko) | 비휘발성 메모리 장치에 데이터를 프로그램 및 검증하기 위한 장치 및 방법 | |
KR20060075161A (ko) | 시작전압과 종료전압이 제어되는 불휘발성 반도체 메모리장치의 프로그램 워드라인 전압발생회로 | |
KR20070035277A (ko) | 스텝형 컨버전스 프로그램 스킴을 구비한 플래시 메모리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100310 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100310 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20100310 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100709 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100716 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4669065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |