JP4668343B1 - 半導体基板熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】同心円上に配置された複数の誘導加熱コイル12(12a〜12e)と、複数の誘導加熱コイル12のそれぞれに接続されて、各誘導加熱コイル12に対する投入電力を制御するインバータ20(20a〜20e)と、複数の誘導加熱コイル12により構成される面上に配置される円盤型のグラファイト14とを有してグラファイト14に載置されたウエハ16を加熱する熱処理装置10であって、グラファイト14は、その外径を複数の誘導加熱コイル12のうち最外に配置された誘導加熱コイル12eの外径よりも大きくしたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
を満たし、前記加熱体が複数の前記誘導加熱コイルを完全に覆うように配置された、前記加熱体に載置された半導体基板を加熱することを特徴とする。
まず、本発明の半導体基板熱処理装置(以下、単に熱処理装置と称す)に係る実施形態について、図1を参照して説明する。本実施形態に係る熱処理装置10は少なくとも、誘導加熱コイル12(12a〜12e)と、加熱体としてのグラファイト14、及び電力制御部18を備え、グラファイト14上に半導体基板であるウエハ16を載置する構成としている。なお、以下の実施形態においては前述したように、加熱体としてグラファイト14を例に挙げて説明するが、本願に適用可能な加熱体はグラファイトに限るものでは無い。グラファイトに代わる加熱体としては例えば、SiC、SiCコートグラファイト、及び耐熱金属などを挙げることができる。
コンバータ24は、三相交流電源26から入力される三相交流電流を直流に変換して、後段に接続されるチョッパ22へと出力する順変換部である。
前記インバータ20は、チョッパ22により電圧調整された直流電流を、交流電流へと変換して誘導加熱コイル12へ供給する逆変換部である。なお、本実施形態で例に挙げる熱処理装置10のインバータ20は、誘導加熱コイル12と共振コンデンサ19とを直列に配置した直列共振型のインバータとする。また、複数(本実施形態の場合は5つ)の誘導加熱コイル12にはそれぞれ、個別にインバータ20、およびチョッパ22が接続されている。なお、インバータ20から誘導加熱コイル12への出力電流の制御は、図示しない駆動制御部からの入力信号に基づいて行うものとする。
また、図3に示す従来のグラファイトのように、最外に配置された誘導加熱コイルの外径とグラファイトの外径が略等しい大きさであり、誘導加熱コイルに対してグラファイトの配置位置が偏心した場合次のような現象が生じてしまう。すなわち、磁束の浸透深さの影響により、狭まった最外の誘導加熱コイルによる加熱領域(格子線の領域:特に図中右側)に対して磁束が集中し、局所的な過加熱が生ずるのである。このためグラファイト全体としての加熱のバランスが崩れ、均一な温度分布制御に悪影響を与えるのである。
Claims (1)
- 同心円状に配置された複数の誘導加熱コイルと、複数の前記誘導加熱コイルのそれぞれに接続されて、各誘導加熱コイルに対する投入電力を、加熱体に均一な温度分布を与えるように制御する電力制御部と、複数の前記誘導加熱コイルにより構成される面上に配置される円盤型の前記加熱体とを有して、前記加熱体の外径Dが、最外に配置された誘導加熱コイルの磁束到達距離をh、複数の前記誘導加熱コイルと前記加熱体との垂直距離をd、前記最外に配置された誘導加熱コイルの直径をD 0 とした場合に、
を満たし、前記加熱体が複数の前記誘導加熱コイルを完全に覆うように配置された、前記加熱体に載置された半導体基板を加熱することを特徴とする半導体基板熱処理装置。
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