JP5535566B2 - 半導体基板熱処理装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明の半導体基板熱処理装置(以下、単に熱処理装置と称す)に係る実施形態について、図1を参照して説明する。本実施形態に係る熱処理装置10は少なくとも、誘導加熱コイル12(12a〜12f)と、加熱体としてのグラファイト14、温度センサ、及び電力制御部18を備え、グラファイト14上に半導体基板であるウエハ16を載置する構成としている。なお、以下の実施形態においては前述したように、加熱体としてグラファイト14を例に挙げて説明するが、本願に適用可能な加熱体はグラファイトに限るものでは無い。グラファイトに代わる加熱体としては例えば、SiC、SiCコートグラファイト、及び耐熱金属などを挙げることができる。
前記チョッパ22は、コンバータ24から出力される電流の通流率を変化させ、インバータ20に入力する電流の電圧を変化させる電圧調整部である。
Claims (3)
- 同心円上に配置された複数の誘導加熱コイルと、複数の前記誘導加熱コイルのそれぞれに接続されて、各誘導加熱コイルに対する投入電力を制御するインバータと、複数の前記誘導加熱コイルにより構成される面上に配置される加熱体とを有して前記加熱体に載置された半導体基板を加熱する半導体基板熱処理装置であって、
複数の前記誘導加熱コイルから、隣接配置された2つの誘導加熱コイルをそれぞれ組として選択し、選択した組を成す2つの前記誘導加熱コイル間で加熱される前記加熱体を温度検出点としてそれぞれ温度の検出を行う複数の温度センサと、
複数の前記温度センサにより検出された前記温度検出点間の温度から温度勾配を導き出し、当該温度勾配に基づいて、複数の前記誘導加熱コイルのそれぞれに投入する電力を定める温度制御部とを備えることを特徴とする半導体基板熱処理装置。 - 前記温度制御部は、隣接配置された温度センサにより検出された温度を比較することにより、前記温度検出点間の温度勾配を求め、
前記温度検出点間の温度勾配に基づいて、前記組を成す2つの誘導加熱コイルへの投入電力に基づいて、前記組を成す2つの誘導加熱コイルによる加熱ゾーンそれぞれの温度バランスを予測し、
予測した前記加熱ゾーンの温度バランスに応じて、前記温度勾配を補正し、補正後の温度勾配に基づいて、前記誘導加熱コイルに対する投入電力を定めることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板熱処理装置。 - 前記温度制御部は、記憶部を備え、
前記記憶部には、予備テストにより求めた前記温度勾配に基づく前記誘導加熱コイルへの投入電力のバランスと、熱処理開始後の経過時間を記憶し、
熱処理開始後の経過時間に応じた前記投入電力のバランスに従って、前記誘導加熱コイルに対する投入電力を定めることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板熱処理装置。
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