JP4651185B2 - フラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はフラッシュメモリのソースコンタクトモニタリング方法に関し、特にソース線をローカル相互接続(local interconnection)方法を適用して形成するフラッシュメモリ素子において、接触面積の狭いソースコンタクトが接触されたか否かをフラッシュセルの過消去セル(over erase cell)特性を用いて容易にモニタリングする方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、フラッシュメモリのソース線は各セルのソース間に不純物イオン注入による拡散ライン(diffusion line)を形成して半導体基板内にソース線を形成するか、ローカル相互接続方法を適用して形成する。ローカル相互接続方法でソース線を形成する場合には16個のセル毎に形成されるソースコンタクトを形成しなくてもよいので、有効セルサイズ(effective cell size)が拡散ライン方法を適用するときより約86%位減少し、且つ拡散抵抗によって生じる電位差が0.1Vから0.01Vに減少するバックバイアス(back bias)効果が1/10に減少するという長所がある。
【0003】
しかし、ローカル相互接続方法によるソース線を有するフラッシュメモリ素子は、各セルのソースコンタクト接触面積が狭くてコンタクト不良を誘発させる虞がある。
【0004】
図1(a)は従来のローカル相互接続方法が適用されたフラッシュメモリのセルアレイの平面図である。図1(b)は図1(a)のX−X’線に沿ったフラッシュメモリの断面図であり、図1(c)は図1(a)のY−Y’線に沿ったフラッシュメモリの断面図である。
【0005】
従来のローカル相互接続方法が適用されたフラッシュメモリは、フィールド酸化膜12を形成することによりアクティブ領域が定義された半導体基板11にフローティングゲート13、コントロールゲート14、ドレイン15及び共通ソース16からなる多数の単位セルを形成し、各単位セルのコントロールゲート14が連結されてワード線を成し、各単位セルのドレイン15にドレインコンタクト17を形成し、各ドレインコンタクト17を連結してビット線170を形成し、各単位セルの共通ソース16にソースコンタクト18を形成し、各ソースコンタクト18を接続して共通ソース連結線180を形成してなる。
【0006】
図1(a)の平面図に示すように、ソースコンタクト18が並列に1024個連結され、拡散ライン方法で連結された場合より抵抗値が小さいため、メモリ特性を向上させることができる。しかし、図1(c)のビット線170方向の断面図から分かるように、ソースコンタクト18の接触面積が狭くてコンタクト不良が生じる虞がある。従って、ソースコンタクト18の接触状態を注意深く観察しなければならないが、既存の方法ではこれを正確に把握することができなかった。図1(b)の断面図に示すように、既存の方法では1024個のコンタクト中に不良状態のコンタクトが存在してもこれを確認する方法がないが、これはソース連結線が連結されている状態なので、共通ソース連結ラインの一端からいずれの電圧を印加しても不良コンタクトに関係無く電流が流れるからである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、ソース線をローカル相互接続方法を適用して形成するフラッシュメモリ素子において、接触面積の狭いソースコンタクトが接触されたか否かをフラッシュセルの過消去セル特性を用いて容易にモニタリングする方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係るフラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法は、列方向に延在するアクティブ領域と、行方向に延在するワード線と、前記ワード線間のアクティブ領域に交互に接続されたドレインコンタクト及びソースコンタクトと、前記ドレインコンタクトに接続され列方向に延在するビット線と、前記ソースコンタクトを連結して、行方向に延在するローカル相互接続方法で形成された共通ソース連結線と、を有するフラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法であって、ワード線には共通VG端子を連結し、ソースコンタクトモニタリングを行う前記アクティブ領域列の一端部のドレインコンタクトにはVD端子を連結し、ソースコンタクトモニタリングを行う前記アクティブ領域列の他端部の前記ソースコンタクトにはVSS端子を連結するが、残りのソースコンタクトにはVS端子を連結する段階と、全てのセルがターンオン状態となるように過消去電圧として、前記VG端子には陰電圧を印加し、前記VD端子はフローティングさせ、前記VS端子及びVSS端子には陽電圧をそれぞれ印加する段階と、前記VD端子から前記VSS端子への電流が流れるよう前記各端子にテスト電圧として、前記VG端子には0Vの電圧を印加し、前記VD端子には5V以下の電圧を印加し、前記VS端子はフローティングさせ、前記VSS端子は接地させて電流の流れを確認する段階とを含んでなることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図に基づいて詳細に説明する。
【0010】
図2(a)は本発明の実施例に係るフラッシュメモリのソースコンタクトモニタリング方法を説明するためのセルアレイの平面図である。
【0011】
本発明に係るローカル相互接続方法が適用されたフラッシュメモリは、フィールド酸化膜22を形成することによりアクティブ領域が定義された半導体基板21に、フローティングゲート23、コントロールゲート24、ドレイン25及び共通ソース26からなる多数の単位セルを形成し、各単位セルのコントロールゲート24が連結されてワード線を成し、各単位セルのドレイン25にドレインコンタクト27を形成し、各ドレインコンタクト27を連結してビット線270を形成し、各単位セルの共通ソース26にソースコンタクト28を形成し、各ソースコンタクト28を連結して共通ソース連結線280を形成してなる。
【0012】
図2(a)に示すように、このような構造のフラッシュメモリにおいてソースコンタクトモニタリングのために、ワードライン24には共通VG端子400を連結し、最初のドレインコンタクト27にはVD端子500を連結する。最後のソースコンタクト28にはVSS端子700を連結するが、残りのソースコンタクト28にはVS端子600を連結する。たとえ空間問題によってパターンが折れて隣り合うドレインコンタクト27が分離される場合には、これらドレインコンタクト27をドレインコンタクト連結金属配線300で連結してVD端子500からVSS端子700まで電流が流れるようにする。
【0013】
図2(b)は本発明のソースコンタクトモニタリング方法の原理を説明するための概念図であり、図2(a)も一緒に参照して本発明のソースコンタクトモニタリング原理を説明すると、次の通りである。
【0014】
本発明はソースコンタクト28における接触状態をモニタリングするために、まずセルの消去条件と同一の電圧を各端子、例えばVG端子400には−9Vの陰の高電圧を印加し、VD端子500はフローティングさせ、VS端子600及びVSS端子700には5Vの陽の高電圧をそれぞれ印加するが、消去時間を十分長くしてVS端子600及びVSS端子700のそれぞれに連結されたソースコンタクト28に隣接する全てのセルのフローティングゲート23に存在する電子が過消去されるようにするので、全てのセルはターンオン状態となるが、図2(b)の○印で表わした部分のように接触不良のソースコンタクト28が存在する場合、このソースコンタクト28に共有された2つのセルではフローティングゲート23に存在する電子が消去されなくてターンオフ状態で残る。ターンオフ状態のセルはゲートに電圧を印加しなければ導通状態にはなれない。このような状態で、VG端子400には0Vの電圧を印加し、VD端子500には5V以下の電圧を印加し、VS端子600はフローティングさせ、VSS端子700は接地させるテスト電圧を印加すると、接触不良のソースコンタクト28に共有された2つのセルではVD端子500からVSS端子700への電流の流れが切れてソースコンタクト28の接触状態をモニタリングすることができる。VD端子500に印加される電圧はデザインされたセルの電流或いは連結されたセルの個数によって調節することができる。
【0015】
【発明の効果】
上述したように、本発明はソース線をローカル相互接続方法を適用して形成するフラッシュメモリ素子において、ソースコンタクトにおける接触有無を効果的にモニタリングし、これを工程に反映して素子の歩留り及び信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)は、従来のフラッシュメモリのセルアレイの平面図である。(b)は、図1(a)のX−X’線に沿ったフラッシュメモリの断面図である。(c)は、図1(a)のY−Y’線に沿ったフラッシュメモリの断面図である。
【図2】 (a)は、本発明の実施例に係るフラッシュメモリのソースコンタクトモニタリング方法を説明するためのセルアレイの平面図である。(b)は、本発明のソースコンタクトモニタリング方法の原理を説明するための概念図である。
【符号の説明】
11,21…半導体基板
12,22…フィールド酸化膜
13,23…フローティングゲート
14,24…コントロールゲート(ワード線)
15,25…ドレイン
16,26…共通ソース
17,27…ドレインコンタクト
170,270…ビット線
18,28…ソースコンタクト
180,280…共通ソース連結線
300…ドレインコンタクト連結金属配線
400…VG端子
500…VD端子
600…VS端子
700…VSS端子
Claims (5)
- 列方向に延在するアクティブ領域と、行方向に延在するワード線と、前記ワード線間のアクティブ領域に交互に接続されたドレインコンタクト及びソースコンタクトと、前記ドレインコンタクトに接続され列方向に延在するビット線と、前記ソースコンタクトを連結して、行方向に延在するローカル相互接続方法で形成された共通ソース連結線と、を有するフラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法であって、
ワード線には共通VG端子を連結し、ソースコンタクトモニタリングを行う前記アクティブ領域列の一端部のドレインコンタクトにはVD端子を連結し、ソースコンタクトモニタリングを行う前記アクティブ領域列の他端部の前記ソースコンタクトにはVSS端子を連結するが、残りのソースコンタクトにはVS端子を連結する段階と、
全てのセルがターンオン状態となるように過消去電圧として、前記VG端子には陰電圧を印加し、前記VD端子はフローティングさせ、前記VS端子及びVSS端子には陽電圧をそれぞれ印加する段階と、
前記VD端子から前記VSS端子への電流が流れるよう前記各端子にテスト電圧として、前記VG端子には0Vの電圧を印加し、前記VD端子には5V以下の電圧を印加し、前記VS端子はフローティングさせ、前記VSS端子は接地させて電流の流れを確認する段階と、
を含んでなることを特徴とするフラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法。 - ソースコンタクトモニタリングを行う2列のアクティブ領域列をドレインコンタクト連結金属配線で連結して前記VD端子からVSS端子まで電流が流れるようにすることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法。
- 前記過消去電圧条件は、前記VG端子には−9Vの陰の高電圧を印加し、前記VD端子はフローティングさせ、前記VS端子及びVSS端子には5Vの陽の高電圧をそれぞれ印加することを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法。
- 前記過消去電圧の印加時、接触不良のソースコンタクトに共有された2つのセルではフローティングゲートに存在する電子が消去されなくてターンオフ状態で存在することを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法。
- 前記テスト電圧の印加時、接触不良のソースコンタクトが存在する場合には前記VD端子から前記VSS端子への電流流れが切れることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR99-62946 | 1999-12-27 | ||
KR1019990062946A KR100363842B1 (ko) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 플래쉬 메모리의 소오스 콘택 모니터링 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001196482A JP2001196482A (ja) | 2001-07-19 |
JP4651185B2 true JP4651185B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=19630332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000373148A Expired - Fee Related JP4651185B2 (ja) | 1999-12-27 | 2000-12-07 | フラッシュメモリ素子のソースコンタクトモニタリング方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6391665B1 (ja) |
JP (1) | JP4651185B2 (ja) |
KR (1) | KR100363842B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100357185B1 (ko) * | 2000-02-03 | 2002-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비휘발성 메모리소자 및 그의 제조방법 |
KR20040008485A (ko) * | 2002-07-18 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 테스트 패턴 형성방법 |
JP4331070B2 (ja) | 2004-08-06 | 2009-09-16 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR100684198B1 (ko) | 2005-09-16 | 2007-02-20 | 삼성전자주식회사 | 소스 스트래핑 라인이 구비된 반도체 장치 |
JP2009158590A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR102268296B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2021-06-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 |
CN110854092A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-02-28 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 共享接触孔及其刻蚀缺陷检测方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03237699A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH077140A (ja) * | 1992-10-29 | 1995-01-10 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | 不揮発性メモリのゲート酸化物層評価方法およびその試験装置 |
JPH0774326A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH1131394A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置の制御方法 |
JPH11195771A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2848223B2 (ja) * | 1993-12-01 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置の消去方法及び製造方法 |
ATE238610T1 (de) * | 1994-03-03 | 2003-05-15 | Rohm Corp | Niederspannungs-eintransistor-flash-eeprom-zell mit fowler-nordheim programmier- und löschung |
-
1999
- 1999-12-27 KR KR1019990062946A patent/KR100363842B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-11-27 US US09/722,112 patent/US6391665B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-07 JP JP2000373148A patent/JP4651185B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03237699A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH077140A (ja) * | 1992-10-29 | 1995-01-10 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | 不揮発性メモリのゲート酸化物層評価方法およびその試験装置 |
JPH0774326A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH1131394A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置の制御方法 |
JPH11195771A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6391665B1 (en) | 2002-05-21 |
KR20010060549A (ko) | 2001-07-07 |
JP2001196482A (ja) | 2001-07-19 |
KR100363842B1 (ko) | 2002-12-06 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
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