JP4644303B2

JP4644303B2 - 基板材の表面処理装置

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Publication number: JP4644303B2
Application number: JP2010100305A
Authority: JP
Inventors: 啓一伊藤; 浩昭伊藤
Original assignee: YONEZAWA DIA ELECTRONICS CO.,INC.
Current assignee: YONEZAWA DIA ELECTRONICS CO.,INC.
Priority date: 2009-05-14
Filing date: 2010-04-23
Publication date: 2011-03-02
Anticipated expiration: 2030-04-23
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Description

本発明は、基板材の表面処理装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程、代表的にはエッチング工程で使用され、基板材を処理液にて表面処理する、表面処理装置に関するものである。

《技術的背景》
プリント配線基板，その他の電子回路基板の代表的な製造工程では、銅張り積層板よりなる基板材の外表面に、→まず、液状やドライフィルム状の感光性レジストが、塗布又は張り付けられる。
→それから、回路のネガフィルムを当てて露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現像により溶解除去し、→もって露出した回路形状部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥離により溶解除去する。
このようなプロセスを辿ることにより、基板材の外表面に残った銅箔にて電子回路が形成され、電子回路基板が製造されている。なお、この種の銅箔としては、電解銅，メッキ銅，両者を併用したもの、等が使用されている。

《従来技術》
さて、図５の（１）図に示したように、上述した現像工程，エッチング工程，剥離工程等では、それぞれ、現像装置，エッチング装置，剥離装置等の表面処理装置１にて、搬送される基板材Ａに対し、スプレーノズル２（１液体ノズル）から現像液，エッチング液，剥離液等の処理液Ｂが、噴射される。
もって、基板材Ａについて、現像，エッチング，剥離等の表面処理が、順次実施されていた。図５の（１）図中、３は、基板材Ａを搬送するコンベア４の搬送ローラーであり、５は処理液Ｂの液槽である。

このような表面処理装置１としては、例えば、次の特許文献１，特許文献２に示されたものが挙げられる。
特開２００２−６８４３５号公報特開２００６−２２２１１７号公報

ところで、上述したこの種従来例の表面処理装置１については、次の課題が指摘されていた。
《課題となる問題点》
電子回路基板は、パターン形成される回路Ｃ（図５の（２）図を参照）の微細化，高密度化の進展が顕著である。例えば、回路幅Ｌや回路間スペースＳで１５μｍ〜４０μｍ程度まで、微細化，高密度化されている。
これに対し、その基板材Ａのエッチング等の表面処理について、精度や安定性に問題が指摘されていた。例えば、図３の（４）図に示したように、略富士山状・急傾斜台形状の断面形状の回路Ｃが形成されてしまう、サイドエッチング・オーバーエッチングの発生が、報告されていた。
図３の（４）図の例では、４０μｍの回路幅Ｌ，４０μｍの回路間スペースＳ，２０μｍの回路高さＨ等の設定下において、頂面幅Ｘが２５μｍ〜３５μｍ程度でサイドエッチング幅Ｙが左右５μｍ前後程度となった回路Ｃ箇所が、多々エッチング形成されてしまっていた。もって、エッチング評価の目安であるエッチングファクターは、３前後程度と低かった。
そして、このようなサイドエッチング・オーバーエッチングの発生は、上述した回路Ｃの微細化，高密度化傾向にとって、大きな問題となっていた。回路Ｃにこのような箇所が発生すると、通電容量，抵抗値等が設定値に対し大きく変動してしまい、信号伝達等にも支障が生じ、発熱することもあった。

《その原因について》
回路Ｃがこのようにサイドエッチング・オーバーエッチングされ、回路幅Ｌが狭く細くなる原因としては、エッチング液等の処理液Ｂのインパクト不足が、まず挙げられる。例えば、エッチング噴射による回路Ｃパターン形成には、基板材Ａへの最大衝撃値２００ｍＮ以上のインパクトが必要とされているが、この種従来例では大きく不足していた。
そこでこの種従来例では、基板材Ａについて、スプレーされたエッチング液の更新が妨げられ、液溜まりや滞留も生じて、エッチング不足箇所が発生し、これをカバーすべくエッチング量を増やすと、上述したようにエッチング過多のサイドエッチング・オーバーエッチングが発生していた。
更に、このようなサイドエッチング・オーバーエッチングの発生原因としては、基板材Ａにスプレーされるエッチング液等の処理液Ｂの粒径が大きく、微細化，高密度化された回路Ｃパターン内への入り込みが、不確実化することも挙げられていた。

《本発明について》
本発明の基板材の表面処理装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第１に、基板材の表面処理が精度高く安定的に実施され、第２に、もって電子回路基板を精度高く安定的に製造可能な、基板材の表面処理装置を提案することを、目的とする。

《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず、請求項１については次のとおり。
請求項１の基板材の表面処理装置は、電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する。
そして該スプレーノズルは、２流体ノズルよりなり、処理液とエアーとを混合して噴射し、該基板材と該スプレーノズル間が、５ｍｍ以上〜４０ｍｍ以下の距離間隔となっている。
また該スプレーノズルは、各スプレー管にそれぞれ複数個設けられており、各該スプレー管は、左右方向に向けて配列され、前後の搬送方向に相互間隔を存しつつ、複数本設けられると共に、左右方向に水平往復移動可能である。

そして該スプレーノズルから該エアーと共に噴射された該処理液は、微小粒子となって該基板材にスプレーされ、極めて近い前記距離間隔のもと、該基板材に対し最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトでスプレーされると共に、該スプレー管そして該スプレーノズルの前記水平往復移動により、該基板材に対し広く均一にスプレーされる。
かつ該エアーは、圧送源であるブロワから、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下のエアー圧で、該スプレーノズルに圧送供給される。
更に、該ブロワから該スプレーノズルに圧送供給される該エアー、そして該スプレーノズルから該エアーと混合して噴射される該処理液は、該基板材の表面処理に適した温度へと設定可能に温度上昇しており、もって該処理液が該基板材にスプレーされることにより、該基板材の表面処理精度向上機能を発揮すること、を特徴とする。

請求項２については、次のとおり。請求項２の基板材の表面処理装置では、請求項１ににおいて、該表面処理装置は、現像工程，エッチング工程，剥離工程，又は洗浄工程で使用され、該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする。

《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）この表面処理装置は、電子回路基板の製造工程、例えばエッチング工程で使用される。
（２）もって、そのスプレーノズルから処理液を噴射して、基板材を表面処理する。
（３）そして、２流体ノズル製のスプレーノズルを、基板材に対し５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔で配設すると共に、水平往復移動させる構成よりなる。エアーは、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下のエアー圧で、スプレーノズルに圧送供給される。
（４）そこで、スプレーノズルからエアーと共に噴射された処理液は、微小粒子化されると共に、最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトで、基板材にスプレーされる。
（５）又、スプレーノズルが左右へ往復移動されるので、処理液は広いスプレー範囲のもと、基板材に対し満遍なく均一にスプレーされる。
（６）以上により、微細化，高密度化した回路パターン形成に際しても、基板材の表面処理が精度高く安定的に実施されるようになる。
（７）すなわち処理液は、回路パターン内に確実に入り込むことができると共に、更新が進展し液留まりや滞留発生は回避され、もってエッチング不足そしてオーバーエッチング等は、発生しなくなる。
（８）このようにして、理想に近い断面形状の回路が得られるようになる。
（９）そして本発明は、エアー圧送源としてブロワを採用したので、スプレーノズルに圧送供給されて噴射されるエアーそして処理液が、温度上昇している。もって、基板材の表面処理が、一段とスムーズかつ迅速に精度高く実施され、極めて理想に近い断面形状の回路が得られるようになる。
（１０）さてそこで、本発明は次の効果を発揮する。

《第１の効果》
第１に、基板材の表面処理が精度高く安定的に実施される。本発明の表面処理装置は、まず、２流体ノズル、５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔、水平往復移動等を、組み合わせて採用してなる。もって、例えばエッチングに際しては、微小粒子状となったエッチング液が、最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトで基板材にスプレーされると共に、往復移動により、広く均一にスプレーされる。
そこで、１流体スプレーを用いた前述したこの種従来例のようなサイドエッチング・オーバーエッチングは回避されて、回路幅が狭く細くなる箇所の発生は防止され、もって理想に近い断面形状の回路が形成されるようになる。本発明の表面処理装置では、このようにエッチングその他の表面処理が、精度高く安定的に実施されるようになる。
又、上述した理由に基づき、例えばエッチングスピードも早くなる等、装置全体の処理スピードが向上する、という利点もある。

そして本発明は、エアー圧送源としてブロワを採用したことを特徴とし、もって基板材の表面処理が、一段と精度高く安定的に、しかも処理スピードにも優れて実施されるようになる。
すなわち、温度上昇した処理液が基板材にスプレーされるので、基板材のエッチング等の表面処理が、一段とスムーズ化し精度高く安定的に実施されると共に、エッチングスピード等の処理スピードも向上する。

《第２の効果》
第２に、そこで微細化，高密度化された回路の電子回路基板であっても、精度高く安定的に製造可能となる。
すなわち、本発明の表面処理装置では、上述したように、エッチングその他の表面処理が、精度高く安定的に実施される。そこで、回路幅や回路間スペースで１５μｍ〜４０μｍ程度まで微細化された回路を、パターン形成する際も、所期のとおり表面処理が実施され、もって高精度の電子回路基板を安定的に製造可能となる。
１流体ノズルを用いた前述したこの種従来例のように、製造された電子回路基板の回路について、通電容量，抵抗値等が設定値に対して変動するようなこともなく、信号伝達に支障が生じたり、発熱したりすることも防止される。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。

本発明に係る基板材の表面処理装置について、発明を実施するための形態の説明に供し、正面の断面説明図である。同発明を実施するための形態の説明に供し、平面説明図である。同発明を実施するための形態の説明に供し、（１）図は、スプレーノズル等の正面の説明図である。（２）図，（３）図，（４）図は、回路の断面説明図であり、（２）図は、理想例を、（３）図は、良い例（本発明）を、（４）図は、悪い例（従来例）を示す。同発明を実施するための形態の説明に供し、スプレーインパクト（最大衝撃値）のグラフである。（１）図は、表面処理装置の側面の断面説明図である。（２）図は、電子回路基板のテストパターンの要部を拡大した、平面図である。

以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。
《表面処理装置６について》
図１，図２に示したように、本発明の基板材Ａの表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材Ａに対し、スプレーノズル７から処理液Ｂを噴射して、表面処理する（製造工程等については、前述した背景技術欄も参照）。
すなわち、この表面処理装置６は、エッチング工程を始め現像工程や剥離工程、更にはこれらの工程に付随して設けられた洗浄工程等において、エッチング装置，現像装置，剥離装置，又は洗浄装置等として、使用される。又、代表的にはサブトラクティブ法に適用されるが、それ以外の電子回路基板の各種の製造方法、例えばセミアディティブ法にも適用可能である。
そして、この表面処理装置６では、チャンバー８内において、コンベア４の搬送ローラー３等（図１等では図示を省略、前述した図５の（１）図を参照）で、水平搬送される基板材Ａに対し、エッチング液，現像液，剥離液，又は洗浄液等の処理液Ｂが、噴射される。もって、処理液Ｂがスプレーされた基板材Ａが、所定の薬液処理や洗浄処理される等、表面処理される。
なお、表面処理後の処理液Ｂは、液槽５へと流下，回収，貯留された後、ポンプ９，フィルター１０，配管１１等を経由して、スプレー管１２_１からスプレーノズル７へと、循環供給されて再使用される。
表面処理装置６は、概略このようになっている。

《本発明の概要》
以下、本発明の表面処理装置６について、図１〜図４を参照して説明する。まず、その概要について述べる。
この表面処理装置６のスプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、処理液ＢとエアーＤとを混合して噴射する。基板材Ａとスプレーノズル７間は、５ｍｍ以上〜４０ｍｍ以下の距離間隔Ｅとなっている。エアーＤは、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下のエアー圧で、スプレーノズル７に圧送供給される。
そしてスプレーノズル７は、各スプレー管１２にそれぞれ複数個設けられており、各スプレー管１２は、左右方向Ｆに向けて配列され、前後の搬送方向Ｇに相互間隔を存しつつ、複数本設けられると共に、左右方向Ｆに水平往復移動可能となっている。
そしてスプレーノズル７からエアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、微小粒子となって基板材Ａにスプレーされる。処理液Ｂは、極めて近い前記距離間隔Ｅのもと、基板材Ａに対し強いインパクトでスプレーされると共に、基板材Ａに対しその分だけ狭くなるスプレー範囲が、スプレー管１２そしてスプレーノズル７の前記水平往復移動によりカバーされており、もって基板材Ａに対し、広く均一にスプレーされる。
なお処理液Ｂは、基板材Ａに対し、最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトで、広く均一にスプレーされる。
そして本発明では、エアーＤがブロワを圧送源１４として、圧送供給されるようになっている。
本発明の概要は、このようになっている。

《本発明の詳細》
このような表面処理装置６について、更に詳述する。まず、図１や図３の（１）図中に示したように、そのスプレーノズル７は２流体ノズルよりなる。
そして、この２流体ノズル製のスプレーノズル７では、圧送供給されたエアーＤが内部噴射路１３を直進し、圧送供給された処理液Ｂが、直進するエアーＤに対し、内部噴射路１３の途中で直交する横方向から供給，混合される。
エアーＤは、このように直進することにより、内部抵抗が少ないという利点がある。これに対し処理液Ｂは、直進するエアーＤに対し横から供給されることにより、スムーズにエアーＤに吸い込まれて混合されるという利点がある。又これにより、その圧送供給圧が低くてよいという利点もある。

そしてエアーＤは、導入された外気が、ブロワよりなる圧送源１４から圧送され、もって、フィルター１５，流量計１６，配管１７等を経由した後、スプレー管１２_２からスプレーノズル７へと供給される。図中１８は圧力計である。
このエアーＤは、圧送源１４のブロワから、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下程度の比較的低圧の供給圧で、供給される。
圧送源１４としてブロワ例えばルーツブロワが使用されるので、導入される外気の雰囲気温度より温度上昇したエアーＤが、ブロワで生成される。例えば、４０℃〜９０℃程度に温度上昇したエアーＤが、ブロワにて生成され、もって適宜供給されることになる。
他方、処理液Ｂは前述したように、スプレー管１２_１からスプレーノズル７へと供給される。

スプレーノズル７の噴射孔１９からエアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、平均粒子径が２０μｍ〜３０μｍ程度の微小粒子となると共に、エアーＤの前記供給圧より若干低い噴射圧で、基板材Ａにスプレーされる。
そして、スプレーノズル７の噴射孔１９から基板材Ａまでの距離間隔Ｅは、上下５ｍｍ〜４０ｍｍ程度に設定されている。エッチング等の表面処理による回路Ｃパターン形成に際し、噴射された処理液Ｂが基板材Ａに対し、最大衝撃値が安定的に２００ｍＮ以上となる打圧、つまり強いインパクトを与えることが必要とされているが、このような距離間隔Ｅにより、必要なインパクトが得られるようになる。
例えば図４に示したように、基板材Ａに対し半径４０ｍｍ程度で形成される全体的，外観的スプレー範囲中、半径２０ｍｍ程度で形成される中心的，実質的スプレー範囲において、最大衝撃値は確実に２００ｍＮ以上となる。
なお、距離間隔Ｅが４０ｍｍを超えると、最大衝撃値が２００ｍＮを下廻るのに対し、距離間隔Ｅが５ｍｍ未満の場合は、スプレーノズル７と基板材Ａが接近し過ぎ、処理液Ｂの反射等によりスムーズな表面処理に支障が生じる。
スプレーノズル７としては、フラットコーンノズル（スプレーパターンが楕円形）やフルコーンノズル（スプレーパターンが円形）が、代表的に使用されるが、勿論これら以外の各種ノズルも使用可能である。
又、基板材Ａとしては、表裏両面に回路Ｃが形成される両面基板タイプが代表的であるが、勿論、片面のみに回路Ｃが形成される片面基板タイプも考えられ、更に、多層基板その他各種タイプの基板についても、この表面処理装置６は広く適用可能である。

図示例では、スプレーノズル７は、各スプレー管１２に５個ずつ設けられている。そして各スプレー管１２は、前後方向である搬送方向Ｇと直交する左右方向Ｆに向け、平行に配列されている。つまり、前後の搬送方向Ｇに相互前後間隔を存しつつ、チャンバー８内に例えば上下４本ずつ設けられている。
そして、各スプレー管１２そしてスプレーノズル７は、左右方向Ｆに向け、同期連動して所定距離間を水平スライドしつつ、往復移動可能となっている。
ところで、エアーＤはスプレー管１２_２から、処理液Ｂはスプレー管１２_１から、それぞれスプレーノズル７へと供給される。そして図１の例では、スプレー管１２_２とスプレー管１２_１とは、別個に配設されると共に同期連動して水平往復移動する。
これに対し、図２に示した例のように、共通のスプレーノズル７に対して対をなすスプレー管１２_２とスプレー管１２_１とを、スプレー管１２として並存，一体連接設しておくと（例えば、スプレー管１２内部を２流体用に区画した構成）、往復移動動作が容易化する。
本発明は、このようになっている。

《作用等》
本発明の基板材Ａの表面処理装置６は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）この表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用される。すなわち、製造工程の中核をなすエッチング工程を始め、現像工程，剥離工程，洗浄工程等において、エッチング装置、更には現像装置，剥離装置，洗浄装置等として、使用される。

（２）そして表面処理装置６は、基板材Ａを処理液Ｂにて、回路Ｃ形成用に表面処理する。
すなわち、搬送される基板材Ａに対し、スプレー管１２（１２_１，１２_２）を経由してスプレーノズル７から、エッチング液，現像液，剥離液，洗浄液等の処理液Ｂを噴射し、もって基板材Ａをエッチング，現像，剥離，洗浄等する（図１，図２を参照）。エッチング液としては、例えば塩化第二銅や塩化第二鉄が使用される。

（３）そして、本発明の表面処理装置６は、スプレーノズル７として２流体ノズルを採用すると共に、このスプレーノズル７を、基板材Ａに対し５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔Ｅに配設し、更にスプレー管１２（１２_１，１２_２）と共に、左右方向Ｆに水平往復移動せしめる構成よりなる。そしてエアーＤは、圧送源１４であるブロワから、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下のエアー圧で、スプレーノズル７に圧送供給される。
本発明は、このような構成を組み合わせて採用したことを、特徴とする（図１，図２，図３の（１）図等を参照）。

（４）そこで、スプレーノズル７からエアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、まず、２０μｍ〜４０μｍ程度に微小粒子化して、基板材Ａにスプレーされる。
そして処理液Ｂは、５ｍｍ〜４０ｍｍと極めて近い距離間隔Ｅで基板材Ａに向けて噴射され、もって強いインパクトで基板材Ａにスプレーされる。エッチング等の表面処理には、最大衝撃値２００ｍＮ程度以上のインパクトが必要とされているが、このような強いインパクトが確実に得られる（後述する表１や図４も参照）。

（５）ところで、このように近い距離間隔Ｅで処理液Ｂが噴射されるので、そのままでは、基板材Ａへのスプレー範囲が狭くなる（図４を参照）。
そこで、狭いスプレー範囲をカバーするため、スプレー管１２（１２_１，１２_２）そしてスプレーノズル７を、左右方向Ｆへ水平往復移動させるシステムが、採用されている。もって処理液Ｂは、基板材Ａに対し強いインパクトを与えると共に、水平往復移動により広いスプレー範囲のもと、基板材Ａに対し満遍なく均一にスプレーされる。

（６）本発明の表面処理装置６では、このように処理液Ｂが、微小粒子化し強いインパクトで均一に、基板材Ａにスプレーされる。
そこで、回路幅Ｌや回路間スペースＳで１５μｍ〜４０μｍ程度まで、微細化，高密度化された回路Ｃのパターン形成に際しても、表面処理が精度高く安定的に実施される。

（７）すなわち処理液Ｂは、微粒子化しているので、基板材Ａの微細化，高密度化された回路Ｃのパターン内に、確実に入り込み可能となる。そして処理液Ｂは、強いインパクトに基づき、基板材Ａ外表面での更新が進展し、液留まりや滞留発生は回避され、エッチング不足やオーバーエッチングも発生しずらい。

（８）このようにして、基板材Ａの表面処理が進行し、理想に近い断面形状の回路Ｃが得られるようになる。この種従来例のようなサイドエッチングは回避され、回路幅Ｌが狭く細くなる箇所の発生は防止される。
もって、断面形状が正方形や長方形の理想例（図３の（２）図を参照）に近い、回路Ｃが得られるようになる（図３の（３）図を参照）。この種従来例のように、略富士山状・急傾斜台形状の回路Ｃは（図３の（４）図を参照）、回避される。

例えば、エッチングに際して、４０μｍの回路幅Ｌ，４０μｍの回路間スペースＳ，２０μｍの回路高さＨ等の設定下では、次のようになる（図３の（３）図を参照）。
すなわち少なくとも、頂面幅Ｘが３６μｍ程度、サイドエッチング幅Ｙが左右２μｍ程度の回路Ｃが、形成されるようになる（図３の（４）図と比較対照）。エッチング評価の目安であるエッチングファクターは、５〜１０前後程度まで向上した。

（９）そして本発明は、エアーＤの圧送源１４として、ブロワ例えばルーツブロワを採用したので、更に一段とこれらの作用に優れるようになる。
すなわち、ブロワよりなる圧送源１４から圧送供給されるエアーＤは、外気の雰囲気温度より温度上昇しているので、スプレーノズル７からエアーＤと混合して噴射される処理液Ｂも、これに伴い温度上昇する。
もって、温度上昇した処理液Ｂが、基板材Ａにスプレーされることになる。そこで、基板材Ａのエッチング，現像，剥離等の表面処理が、一段とスムーズかつ迅速に精度高く実施されるので、極めて理想に近い回路Ｃが得られるようになる。

（１０）例えば、エッチング工程で基板材Ａをエッチング処理する場合は、代表的には４５℃〜５０℃程の温度が適している。場合によっては、６０℃前後程度が適していることもあり、ソフトエッチングの場合は、例えば３０℃〜３５℃程度が適している。
又、剥離工程で基板材Ａを剥離処理する場合は、代表的には４５℃〜５０℃程度が適しており、現像工程で基板材Ａを現像処理する場合は、例えば３０℃〜３５℃程度が適している。
これに対し、圧送源１４であるブロワで生成される温度上昇したエアーＤは、４０℃〜９０℃程度間の所定温度域にある。
そこで、その表面処理に適した温度のエアーＤが、圧送源１４のブロワで生成されるケースでは、ブロワからスプレーノズル７に対し、上記温度域まで温度上昇したエアーＤが、そのまま圧送供給される。
これに対し、その表面処理に適した温度が、ブロワで生成される上記温度域より低いケースでは、ブロワに冷却装置が付設される。もって、その表面処理に適した温度まで温度調節，温度低下せしめられたエアーＤが、スプレーノズル７に圧送供給される。

ここで、本発明の実施例１のデータについて説明する。次の表１および添付の図４は、実施例１の表面処理装置６に関して得られたデータを示す。

まず、テスト条件については、表１中にも示したように、次のとおりである。
・使用したスプレーノズル７：２流体ノズル
・エアーＤの供給量（空気量）：２００Ｌ／ｍｉｎ
・処理液Ｂの供給量（噴霧水量）：０．８Ｌ／ｍｉｎ
・エアーＤの供給圧（空気圧）：０．０３８ＭＰａ
・噴射圧（水圧）：０．０２６ＭＰａ

このようなテスト条件のもとで、基板材Ａに対するスプレーノズル７の距離間隔Ｅを、順次変更すると共に、各距離間隔Ｅ毎に、基板材Ａへの処理液Ｂによる最大衝撃値を計測した。（なお、処理液Ｂの粒子径は、３０μｍ程度で計測された。）
すると、表１や図４中に示した計測結果が得られた。本発明のように距離間隔Ｅを５ｍｍ〜４０ｍｍに設定すると、必要なインパクトである２００ｍＮ以上の最大衝撃値が、安定的に得られた。
すなわち、距離間隔Ｅが５ｍｍで４７７ｍＮ、１０ｍｍで３８５ｍＮ、２０ｍｍで２９８ｍＮ、３０ｍｍで２４４ｍＮ、４０ｍｍで２２４ｍＮの最大衝撃値が、それぞれ計測された。そしてこれと共に、各距離間隔Ｅ共に、基板材Ａへの半径２０ｍｍの中心的，実質的スプレー範囲において、２００ｍＮ以上の最大衝撃値が安定的に得られた。
なお第１に、距離間隔Ｅが４５ｍｍでは、２１２ｍＮの最大衝撃値が計測されたが、この最大衝撃値は部分的，瞬間的であり、スプレー範囲について安定的に得られたものではない。又、距離間隔Ｅが５０ｍｍでは、１６０ｍＮ程度の最大衝撃値へと低下した。
このように、距離間隔Ｅが４０ｍｍを超えると、２００ｍＮ未満の最大衝撃値となり、必要なインパクトは得られなかった。
なお第２に、距離間隔Ｅが小さくなるほど、最大衝撃値は大きくなるが、スプレー範囲は狭くなる。そこで、水平往復移動の移動距離が、大きく設定されるようになる。
実施例１については、以上のとおり。

次に、本発明の実施例２のデータについて説明する。
次の表２は、実施例２の表面処理装置６に関して得られたデータを示し、表３は、この種従来例の表面処理装置１に関して得られたデータを示す。但し、データには若干の測定誤差が含まれている可能性がある。

そして、各ライン＆スペース（つまり回路幅Ｌ／回路間スペースＳ）の各々の目標値・理想値（前述した図３の（２）図を参照）毎に、共通のエアー圧（エアーＤの供給圧，空気圧），液圧（噴射圧，水圧），エッチング時間等の条件下で、テストした。なお、ノズル高さ（距離間隔Ｅ）も共通に３０ｍｍとした。
その結果、本発明の実施例２では、上記表２に示したように、パターントップ幅（頂面幅Ｘ），パターンボトム幅（回路幅Ｌ），パターン間隔（回路間スペースＳ），パターン高さ（回路高さＨ）等の各ポイントの測定値から見て、理想に近い良い形状の回路Ｃが得られ（前述した図３の（３）図を参照）、もってエッチングファクター（Ｅ／Ｆ）も高かった。
これに対し、この種従来例では、上記表３に示したように、各ポイントの測定値から見て、略富士山状・急傾斜台形状の悪い形状の回路Ｃとなり（前述した図３の（４）図を参照）、エッチングファクター（Ｅ／Ｆ）も低かった。
このように、データ的にも本発明の優れた作用効果が、裏付けられた。実施例２については、以上のとおり。

次に、本発明の実施例３のデータについて説明する。
次の表４は、ノズル高さ（距離間隔Ｅ）を３０ｍｍに設定した実施例の表面処理装置６に関して得られたデータを示し、表５は、ノズル高さ（距離間隔Ｅ）を４０ｍｍに設定した実施例の表面処理装置６に関して得られたデータを示す。但し、データには若干の測定誤差が含まれている可能性がある。

そして共に、ライン＆スペース（つまり回路幅Ｌ／回路間スペースＳ）の目標値・理想値（前述した図３の（２）図を参照）を、共通の２０／２０とすると共に、共通のエッチング時間のもとで、エアー圧（エアーＤの供給圧，空気圧）および液圧（噴射圧，水圧）の条件を、順次変化させてテストした。その結果、いずれも良好なデータが得られた。
すなわち、パターントップ幅（頂面幅Ｘ），パターンボトム幅（回路幅Ｌ），パターン間隔（回路間スペースＳ），パターン高さ（回路高さＨ）等の各ポイントの測定値から見て、理想に近い良い形状の回路Ｃが得られ（前述した図３の（３）図も参照）、良好なエッチングファクター（Ｅ／Ｆ）となった。
このようなデータ面からも、本発明の優れた作用効果が、裏付けられた。実施例３については、以上のとおり。

１表面処理装置（従来例）
２スプレーノズル（従来例）
３搬送ローラー
４コンベア
５液槽
６表面処理装置（本発明）
７スプレーノズル（本発明）
８チャンバー
９ポンプ
１０フィルター
１１配管
１２スプレー管
１２_１スプレー管
１２_２スプレー管
１３内部噴射路
１４圧送源
１５フィルター
１６流量計
１７配管
１８圧力計
１９噴射孔
Ａ基板材
Ｂ処理液
Ｃ回路
Ｄエアー
Ｅ距離間隔
Ｆ左右方向
Ｇ搬送方向
Ｈ回路高さ
Ｌ回路幅
Ｓ回路間スペース
Ｘ頂面幅
Ｙサイドエッチング幅

Claims

電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する、基板材の表面処理装置において、
該スプレーノズルは、２流体ノズルよりなり、処理液とエアーとを混合して噴射し、該基板材と該スプレーノズル間が、５ｍｍ以上〜４０ｍｍ以下の距離間隔となっており、
該スプレーノズルは、各スプレー管にそれぞれ複数個設けられており、各該スプレー管は、左右方向に向けて配列され、前後の搬送方向に相互間隔を存しつつ、複数本設けられると共に、左右方向に水平往復移動可能であり、
該スプレーノズルから該エアーと共に噴射された該処理液は、微小粒子となって該基板材にスプレーされ、極めて近い前記距離間隔のもと、該基板材に対し最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトでスプレーされると共に、該スプレー管そして該スプレーノズルの前記水平往復移動により、該基板材に対し広く均一にスプレーされ、
かつ該エアーは、圧送源であるブロワから、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下のエアー圧で、該スプレーノズルに圧送供給され、
該ブロワから該スプレーノズルに圧送供給される該エアー、そして該スプレーノズルから該エアーと混合して噴射される該処理液は、該基板材の表面処理に適した温度へと設定可能に温度上昇しており、もって該処理液が該基板材にスプレーされることにより、該基板材の表面処理精度向上機能を発揮すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
請求項１に記載した表面処理装置において、該表面処理装置は、現像工程，エッチング工程，剥離工程，又は洗浄工程で使用され、
該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。