JP4639471B2 - ポリイミド材料 - Google Patents

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Description

【0001】
【技術分野】
本発明は、液晶表示素子や半導体素子における保護膜、絶縁膜、さらには光通信用の先導波路材料などへ使用され、270℃〜350℃の高温焼成でも、可視部のみならず紫外部の透明性に優れ、かつ低誘電率、低複屈折、高耐熱性などの特性を具備した新規なポリイミド材料に関する。
【0002】
【背景技術】
一般に全芳香族ポリイミドは溶媒に不溶であり、その前駆体であるポリイミド前駆体を基板上にキャストもしくはスピンコート等により塗布したのち、高温で加熱することにより目的とするポリイミドとすることができる。これらの耐熱性全芳香族ポリイミドは濃い琥珀色を呈し着色しているのが一般的である。
【0003】
ポリイミドはその特徴である高い機械的強度、耐熱性、絶縁性、耐溶剤性のために、液晶表示素子や半導体素子における保護材料、絶縁材料などとして広く用いられている。また光通信用の光導波路材料としても用いられている。しかし、近年のこれら分野の発展は目覚ましく、それに対応して、用いられる材料に対しても益々高度な特性が要求されるようになっている。即ち単に耐熱性に優れるだけでなく、用途に応じた性能を多数あわせもつことが期待されている。
【0004】
近年は、液晶表示素子や半導体素子における保護材料、絶縁材料に対し、耐熱性はもちろん、270℃〜350℃の高温焼成において可視部のみならず紫外部においての透明性を保持することが要求されたり、塗膜を形成した際の複屈折が小さく低誘電率な材料が望まれる場合がある。
【0005】
例えば、特定の半導体素子における保護膜であるバッファーコート材料においては、素子作製時に発生するメモリーエラーを消去するために、リソグラフィー技術を用いたスルーホールを形成し、電気的に消去するなど、工程が煩雑となるなどの問題があった。このバッファーコート材料が紫外光に対し透明性を有していれば、スルーホールを形成することなくUV照射のみにより光学的な消去が可能となり、プロセスの簡略化が図れる。この場合、紫外光の大きな吸収は致命的であった。さらに特定の光導波路材料分野においては耐熱性が高いことは勿論、複屈折が小さく、紫外部の透明性が高い材料が望まれている。
【0006】
一般に可視部の透明性を実現する方法の一つとして、脂肪族のテトラカルボン酸二無水物とジアミンの重組合反応によりポリイミド前駆体を得、該前駆体をイミド化しポリイミドを製造すれば、比較的着色が少なく、透明性のよいポリイミドが得られることはよく知られている(特公平2−24294号公報、特開昭58−208322号公報)。
たしかにこれらの公知の方法を用い、ジアミンとして芳香族ジアミンを用いたポリイミドを作製すると400nm付近の可視部においては透明性に優れたポリイミドが得られるが、一般には芳香族環の電子遷移吸収の存在する300nm付近の紫外部においては大きな吸収が出現してしまう。また脂肪族のテトラカルボン酸二無水物は一般に反応性の低いものが多く、構造上適切なものを選択しないと重合度の高い高分子を得ることが難しい。
【0007】
さらに可視部のみならず紫外部の吸収を低減し、塗膜が低複屈折性を示す方法として脂肪族のテトラカルボン酸二無水物と特定の脂肪族ジアミンの組合わせからなるポリイミドが提案されている(W.Folksen等、リアクティヴ&ファンクショナル ポリマー,30巻,61ページ,1996年)。たしかにこの組み合わせからできるポリイミドは可視部のみならず紫外部の透明性にすぐれるが、300℃付近での高温焼成をすると塗膜が横変し、耐熱性に劣る。又、脂肪族ジアミンの塩基性が芳香族のそれに比べ高いので重合中に生成するカルボン酸と塩を形成し、溶解性の制御が難しく、時には重合が進行しないなど、一般的とは言えなかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の事情に鑑みなされたものであって、高温焼成においても可視部のみならず紫外部の透明性に優れ、かつ低誘電率、低複屈折、高耐熱性などの特性を具備した新規なポリイミド材料を提供しようとするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上記課題を解決するため鋭意検討を行った結果、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物とヘキサフルオロプロピリデン基を分子中に有する特定のジアミンからなるポリミド前駆体をイミド化して得たポリイミドが、上記の目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0010】
即ち、本発明は、以下の要旨を有するものである。
1.下記一般式般式(1)
【0011】
【化4】
Figure 0004639471
【0012】
(Rはジアミンを構成する2価の有機基を表す。)
で表される繰り返し単位を有し、R が下記一般式(2)
【0013】
【化5】
Figure 0004639471
【0014】
(式中、Aは水素原子を表し、nは芳香環上置換基の数であり1〜4の整数を表す。)で表される、分子中にヘキサフルオロプロピリデン基を有するジアミンを構成する2価の有機基を含有し、かつ還元粘度が0.05〜5.0dl/g(温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5g/dl)であるポリイミド前駆体をイミド化することにより得られる一般式(3)
【0015】
【化6】
Figure 0004639471
【0016】
(Rは、前記式(2)と同じである。)
の繰り返し単位を有するポリイミドからなり、オーブン中で250℃、1日間加熱処理後の厚さ1.5×10 nmの膜についての波長300nmの紫外線透過率が77%以上を有するポリイミド材料。
2.上記1に記載のポリイミド材料からなる光導波路材料
【0017】
ジアミン成分としては2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパンであり、これらは単独または2種以上混合して使用する
こともできる。
【0018】
本発明の効果を達成するためには、発明の効果を顕著に発現する上でも上記の組み合わせからなるポリイミド前駆体を70モル%〜100モル%含有することが好ましい。
残りのテトラカルボン酸二無水物成分としては通常ポリイミドの合成に使用されるテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体を用いることは、何ら差し支えない。
その具体例としては、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸、2,3,4,5−テトラヒドロフランテトラカルボン酸、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸、3,4−ジカルボキシ−1−シクロヘキシルコハク酸、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタレンコハク酸などの脂環式テトラカルボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物などが挙げられる。
【0019】
更にはピロメリット酸、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸、1,2,5,6−アントラセンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4−ビフェニルテトラカルボン酸、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン、2,3,4,5,−ピリジンテトラカルボン酸、2,6−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ピリジンなどの芳香族テトラカルボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸などの脂肪族テトラカルボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物などが挙げられる。
【0020】
また、これらのテトラカルボン酸及びその誘導体の1種又は2種以上を混合して使用することもできる。
残りのジアミン成分としては通常ポリイミドの合成に使用される1級ジアミンであって、特に限定されるものではない。
敢えてその具体例を挙げれば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、2,6−ジアミノトルエン、4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、2,2’−ジアミノジフェニルプロパン、ビス(3,5−ジエチル4−アミノフェニル)メタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノベンゾフェノン、ジアミノナフタレン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、9,10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2’−トリフルオロメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ビス(4−ジアミノフェノキシ)オクタフルオロビフェニル等の芳香族ジアミン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタン等の脂環式ジアミン及びテトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン、更には、
【0021】
【化7】
Figure 0004639471
【0022】
(式中、mは1から10の整数を表す)
等のジアミノシロキサン等が挙げられる。又、これらのジアミンの1種又は2種以上を混合して使用することもできる。
【0023】
本発明のポリイミド前駆体を得る方法は、具体的には該テトラカルボン酸二無水物及びその誘導体と前記ジアミンを反応、重合させて得ることができる。この際用いるテトラカルボン酸二無水物のモル数とジアミンと一般ジアミンの総モル数との比は0.8から1.2であることが好ましい。通常の重縮合反応同様、このモル比が1に近いほど生成する重合体の重合度は大きくなる。この場合、重合度が小さすぎるとポリイミド膜の強度が不十分となる。又、重合度が大きすぎるとポリイミド膜形成時の作業性が悪くなる場合がある。従って、本反応における生成物の重合度は、ポリイミド前駆体溶液の還元粘度換算で0.05〜5.0dl/g(温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5g/dl)とするのが好ましい。
【0024】
テトラカルボン酸二無水物と上記ジアミンとを反応、重合させる方法は、特に限定されないがN−メチルピロリドンなどの極性溶媒に上記ジアミンを溶解し、その溶液中に上記テトラカルボン酸二無水物添加、反応させて、ポリイミド前駆体を合成する。その際の反応温度は好ましくは−20℃から150℃、好ましくは−5℃〜100℃の任意の温度を選択することができる。
【0025】
更にポリアミック酸の重合法としては通常の溶液法が好適である。溶液重合法に使用される溶剤の具体例としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、及びブチルラクトン等を挙げることができる。これらは単独でも、また混合して使用してもよい。更に、ポリイミド前駆体を溶解しない溶剤であっても、その溶剤を均一溶液が得られる範囲内で上記溶剤に加えて使用してもよい。
【0026】
本発明のポリイミド前駆体溶液はそのまま用いてもよいが、有機溶媒可溶性ポリイミドとして用いてもよい。有機溶媒可溶性ポリイミドを得る方法は特に限定されるものではないが、一般にはポリイミド前駆体を脱水閉環イミド化して得ることが出来る。
テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させて得られたポリイミド前駆体を溶液中でそのままイミド化し溶剤可溶性ポリイミド溶液を得ることができる。溶液中でポリイミド前駆体をポリイミドに転化する場合には、通常は加熱により脱水閉環させる方法が採用される。この加熱脱水による閉環温度は、100°C〜350°C、好ましくは150°C〜350°C、より好ましくは270℃〜350℃の任意の温度を選択することができる。270℃以上が必要な理由は、ポリアミック酸からポリイミドへの転換を完全に行う事や、残存溶媒除去する事により、長期間の塗膜の信頼性を保証するためである。また350℃を越えて焼成する事は、焼成効果の向上が見られないので、必要としない。
【0027】
また、ポリイミド前駆体をポリイミドに転化する他の方法としては、公知の脱水閉環触媒を使用して化学的に閉環することも出来る。また脱水閉環時の温度または時間を選択する事により任意のイミド化率に制御することができる。溶解させる溶媒は、得られたポリイミドを溶解させるものであれば特に限定されないが、その例としてはm−クレゾール、2−ピロリドン、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン、N−ビニルピロリドン、N,Nジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
得られたポリイミド溶液はそのまま使用することもでき、またメタノール、エタノール等の貧溶媒に沈殿単離させポリイミドを粉末として、或いはそのポリイミド粉末を適当な溶媒に再溶解させて使用することが出来る。
【0028】
再溶解させる溶媒は、得られたポリイミドを溶解させるものであれば特に限定されないが、その例としては2−ピロリドン、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン、N−ビニルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
上記のようなポリイミド前駆体、及び溶剤可溶性ポリイミドはそのまま用いることができるが、一種または二種以上のポリイミド前駆体または溶剤可溶性ポリイミドと混合して用いてもよい。混合割合としては、任意に選択することができる。
【0029】
本発明の溶剤可溶性ポリイミドに使用される溶媒は、ポリイミドを溶解させるものであれば特に限定されないが、その例としては2−ピロリドン、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン、N−ビニルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
【0030】
また、単独ではポリマーを溶解させない溶媒であっても、溶解性を損なわない範囲であれば上記溶媒に加えて使用することができる。
その例としては、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、エチレングリコール等が挙げられる。
【0031】
又、ポリイミド膜と基板の密着性を更に向上させる目的で、得られたポリイミド溶液にカップリング剤等の添加剤を加えることはもちろん好ましい。
この溶液を基板に塗布し、溶媒を蒸発させることにより基板上にポリイミド被膜を形成させることができる。この際の温度は通常は100から300°Cで充分である。
【0032】
以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、得られたポリイミドの物性評価は次の装置および方法を用いて行った。
(1)粘度測定
固形分0.5重量%のNMP溶液とし、30℃でウベローデ粘度計を用いて測定した。
(2)紫外スペクトル
島津製作所製UV−3100PCを用いた。
(3)5%重量減少温度
マックサイエンス社製熱重量分析装置を用い、昇温速度10℃/分で測定した。
(4)ガラス転移温度
マックサイエンス社製熱機械測定装置を用い、荷重5g、昇温速度5℃/分で測定した。
(5)複屈折率
メトリコン社製プリズムカップラーモデル2010を用い、膜厚2×10nm、波長633nmのTEおよびTM方向偏波光を用い、その差を求めた。
(6)誘電率
安藤電気社製AG−4311BLCRメーターとSE−70型固体用電極を用いて、25℃、100KHzで測定した。
【0033】
【実施例】
実施例1
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、2,2’−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン33.4g(0.1モル)とN−メチル−2−ピロリドン(以下NMPと省略する)299.2gを投入し溶解した。この溶液に室温でシクロブタンテトラカルボン酸二無水物19.4g(0.099モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えて6時間攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得た。得られたポリイミド前駆体の還元粘度は、0.6dl/g(濃度0.5g/dl、NMP中30℃)であった。
この溶液を、石英基板上に1500rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、300℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。
このポリイミド膜の紫外スペクトルを測定したところ、波長300nmでの透過率が85%、400nmでの透過率が96%であり、紫外部においても高い透過率を有することがわかった。
さらにこのポリイミド膜を250℃、1日オーブン中で加熱処理した後、紫外スペクトルの測定をおこなったところ、波長300nmでの透過率が83%、400nmでの透過率が96%となり、高い透過率を保持していた。
【0034】
次にポリイミド前駆体溶液をガラス基板上に塗布し、300℃で1時間焼成し、膜厚10×10nmのフィルムを得た。このフィルムを用いて測定した5%重量減少開始温度は420℃であり、ガラス転移温度は350℃であり高い耐熱性を有していた。
また、同様に作成したポリイミド膜(膜厚2×10nm)を作成し、プリズムカプラー法を用いて測定した複屈折は0.0023(TE方向;1.5384、TM方向;1.5361)であった。
【0035】
次に、ポリイミド前駆体溶液を、アルミ層を真空蒸着法により形成したガラス基板上に1500rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、300℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。さらにポリイミド膜上に直径6ミリのアルミ電極を真空蒸着法により形成し電気測定用サンプルとした。
このサンプルを用いポリイミド膜の誘電率を測定したところ、周波数100kHzで2.77であった。
【0043】
比較例1
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、2,2’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン51.8g(0.1モル)とNMP403.5gを投入し溶解した。この溶液に室温でシクロブタンテトラカルボン酸二無水物19.4g(0.099モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えて6時間攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得た。得られたポリイミド前駆体の還元粘度は、0.6dl/g(濃度0.5g/dl、NMP中30℃)であった。
【0044】
この溶液を、石英基板上に2000rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、300℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。
このポリイミド膜の紫外スペクトルを測定したところ、波長300nmでの透過率が50%、400nmでの透過率が94%でり、紫外域での透過率が低かった。
さらにこのポリイミド膜を250℃、1日オーブン中で加熱処理した後、紫外スペクトルの測定をおこなったところ、波長300nmでの透過率が45%、400nmでの透過率が88%となり、さらに透過率が低下した。
【0045】
次にポリイミド前駆体溶液をガラス基板上に塗布し、300℃で1時間焼成し、膜厚10×10nmのフィルムを得た。このフィルムを用いて測定した5%重量減少開始温度は420℃であり、ガラス転移温度は350℃であった。
またプリズムカプラー法を用いて測定した複屈折は0.0218(TE方向;1.5773、TM方向;1.5555)であった。
【0046】
次に、ポリイミド前駆体溶液を、アルミ層を真空蒸着法により形成したガラス基板上に2000rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、300℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。さらにポリイミド膜上に直径6ミリのアルミ電極を真空蒸着法により形成し電気測定用サンプルとした。
このサンプルを用いポリイミド膜の誘電率を測定したところ、周波数100kHzで2.81であった。
【0047】
比較例2
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン33.4g(0.1モル)とNMP438.6gを投入し溶解した。この溶液に室温で2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物44.0g(0.099モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えて6時間攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)樹脂溶液を得た。得られたポリイミド前駆体の還元粘度は、0.8dl/g(濃度0.5g/dl、NMP中30℃)であった。
【0048】
この溶液を、石英基板上に2000rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、300℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。
このポリイミド膜の紫外スペクトルを測定したところ、波長300nmでの透過率が9%、400nmでの透過率が97%となり、紫外域での透過率が非常に低かった。
さらにこのポリイミド膜を250℃、1日オーブン中で加熱処理した後、紫外スペクトルの測定をおこなったところ、波長300nmでの透過率が9%、400nmでの透過率が97%であった。
【0049】
次にポリイミド前駆体溶液をガラス基板上に塗布し、300℃で1時間焼成し、膜厚10×10nmのフィルムを得た。このフィルムを用いて測定した5%重量減少開始温度は520℃であり、ガラス転移温度は248℃であった。
またプリズムカプラー法を用いて測定した複屈折は0.0034(TE方向;1.5419、TM方向;1.5384)であった。
【0050】
次に、ポリイミド前駆体溶液を、アルミ層を真空蒸着法により形成したガラス基板上に2000rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、300℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。さらにポリイミド膜上に直径6ミリのアルミ電極を真空蒸着法により形成し電気測定用サンプルとした。
このサンプルを用いポリイミド膜の誘電率を測定したところ、周波数100kHzで2.63であった。
【0051】
比較例3
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン13.8g(0.1モル)とNMP188.1gを投入し溶解した。この溶液に室温でシクロブタンテトラカルボン酸二無水物19.4g(0.099モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えた。反応溶液はジアミンの塩基性の高さのため、カルボン酸との間にNMPに不溶な錯体を形成するため、それを溶解、重合させるため24時間以上攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得た。得られたポリイミド前駆体の還元粘度は、0.8dl/g(濃度0.5g/dl、NMP中30℃)であった。
【0052】
この溶液を、NMPにより総固形分8重量%に希釈後、石英基板上に2000rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、250℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。
このポリイミド膜の紫外スペクトルを測定したところ、波長300nmでの透過率が82%、400nmでの透過率が95%となり、高い透過率を有していた。
しかし、このポリイミド膜を250℃、1日オーブン中で加熱処理した後、紫外スペクトルの測定をおこなったところ、波長300nmでの透過率が6%、400nmでの透過率が45%となり、透過率が大きく低下した。
【0053】
次にポリイミド前駆体溶液をガラス基板上に塗布し、250℃で1時間焼成し、膜厚10×10nmのフィルムを得た。このフィルムを用いて測定した5%重量減少開始温度は360℃であり、ガラス転移温度は310℃であった。
またプリズムカプラー法を用いて測定した複屈折は0.0040(TE方向;1.5330、TM方向;1.5290)であった。
【0054】
次に、ポリイミド前駆体溶液を、アルミ層を真空蒸着法により形成したガラス基板上に4000rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、250℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。さらにポリイミド膜上に直径6ミリのアルミ電極を真空蒸着法により形成し電気測定用サンプルとした。
このサンプルを用いポリイミド膜の誘電率を測定したところ、周波数100kHzで3.00であった。
【0055】
比較例4
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン13.8g(0.1モル)とNMP329.8gを投入し溶解した。この溶液に室温で2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物44.4g(0.1モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えた。反応溶液はジアミンの塩基性の高さのため、カルボン酸との間にNMPに不溶な錯体を形成するため、それを溶解、重合させるため24時間以上攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得た。得られたポリイミド前駆体の還元粘度は、0.6dl/g(濃度0.5g/dl、NMP中30℃)であった。
【0056】
この溶液をNMPにより総固形分10重量%に希釈後、石英基板上に1500rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、250℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。
このポリイミド膜の紫外スペクトルを測定したところ、波長300nmでの透過率が9%、400nmでの透過率が97%と、紫外域での透過率が非常に低かった。
さらにこのポリイミド膜を250℃、1日オーブン中で加熱処理した後、紫外スペクトルの測定をおこなったところ、波長300nmでの透過率が5%、400nmでの透過率が70%となり、さらに透過率が低下した。
【0057】
次にポリイミド前駆体溶液をガラス基板上に塗布し、300℃で1時間焼成し、膜厚10×10nmのフィルムを得た。このフィルムを用いて測定した5%重量減少開始温度は394℃であり、ガラス転移温度は258℃であった。
またプリズムカプラー法を用いて測定した複屈折は0.0063(TE方向;1.5405、TM方向;1.5342)であった。
【0058】
次に、ポリイミド前駆体溶液を、アルミ層を真空蒸着法により形成したガラス基板上に4000rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、250℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。さらにポリイミド膜上に直径6ミリのアルミ電極を真空蒸着法により形成し電気測定用サンプルとした。
このサンプルを用いポリイミド膜の誘電率を測定したところ、周波数100kHzで2.60であった。
【0059】
比較例5
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、2,2’−ジトリフルオロメチル−4,4’−ジアミノビフェニル32.0g(0.1モル)とNMP291.3gを投入し溶解した。この溶液に室温でシクロブタンテトラカルボン酸二無水物19.4g(0.099モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えて6時間攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得た。得られたポリイミド前駆体の還元粘度は、0.6dl/g(濃度0.5g/dl、NMP中30℃)であった。
【0060】
この溶液をNMPにより総固形分10重量%に希釈後、石英基板上に2000rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、300℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。
このポリイミド膜の紫外スペクトルを測定したところ、波長300nmでの透過率が24%、400nmでの透過率が93%と、紫外域での透過率が非常に低かった。
さらにこのポリイミド膜を250℃、1日オーブン中で加熱処理した後、紫外スペクトルの測定をおこなったところ、波長300nmでの透過率が20%、400nmでの透過率が88%となり、さらに透過率が低下した。
【0061】
次にポリイミド前駆体溶液をガラス基板上に塗布し、300℃で焼成し、膜厚10×10nmのフィルムを得た。このフィルムを用いて測定した5%重量減少開始温度は440℃であり、ガラス転移温度は360℃であった。
またプリズムカプラー法を用いて測定した複屈折は0.0371(TE方向;1.5572、TM方向;1.5201)であった。
次に、ポリイミド前駆体溶液を、アルミ層を真空蒸着法により形成したガラス基板上に4000rpmでスピンコートし、ついで80℃で5分、250℃で1時間加熱処理することにより厚さ1.5×10nmのポリイミド膜を形成した。さらにポリイミド膜上に直径6ミリのアルミ電極を真空蒸着法により形成し電気測定用サンプルとした。
このサンプルを用いポリイミド膜の誘電率を測定したところ、周波数100kHzで3.06であった。
表1、表2には実施例1〜3及び比較例1〜5の結果をまとめた。
【0062】
【表1】
Figure 0004639471
【0063】
【表2】
Figure 0004639471
【0064】
比較例6
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、2,2’−ビス(3−メチル−4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン32.5g(0.09モル)とNMP112gを投入し溶解した。この溶液に室温でシクロペンタンテトラカルボン酸二無水物18.9g(0.09モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えて24時間攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得ようと試みた。しかし結果として溶液は黒色になり重合はほとんど進行せず、塗膜作製可能な粘度のポリアミック酸は得られなかった。
【0065】
比較例7
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、2,2’−ビス(3−メチル−4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン32.5g(0.09モル)とNMP112gを投入し溶解した。この溶液に室温でシクロヘキサン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物18.0g(0.09モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えて24時間攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得ようと試みたが、重合はほとんど進行せず、塗膜作製可能な粘度のポリアミック酸は得られなかった。
【0066】
比較例8
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、2.2’−ビス(3−メチル−4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン32.5g(0.09モル)とNMP112gを投入し溶解した。この溶液に室温でテトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物18.0g(0.09モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えて24時間攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)樹脂溶液を得ようと試みたが、重合はほとんど進行せず、塗膜作製可能な粘度のポリアミック酸は得られなかった。
【0067】
比較例9
攪拌機、及び窒素導入管を設けたフラスコに、2,2’−ビス(3−メチル−4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン32.5g(0.09モル)とNMP224gを投入し溶解した。この溶液に室温で1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物17.8g(0.09モル)を溶液温度の上昇に注意しながら加えて24時間攪拌し、ポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得ようと試みたが、重合はほとんど進行せず、塗膜作製可能な粘度のポリアミック酸は得られなかった。
【産業上の利用可能性】
【0068】
本発明のポリイミドは、270℃〜350℃の高温焼成でも可視部のみならず紫外部の透明性に優れ、かつ低誘電率、低複屈折、高耐熱性などの特性を有しており、液晶表示素子や半導体素子における保護膜、絶縁膜或いは光通信用の光導波路材料等に用いることが出来る。

Claims (2)

  1. 下記一般式般式(1)
    Figure 0004639471
    (Rはジアミンを構成する2価の有機基を表す。)
    で表される繰り返し単位を有し、Rが下記一般式(2)
    Figure 0004639471
    (式中、Aは水素原子を表し、nは芳香環上置換基の数であり1〜4の整数を表す。)で表される、分子中にヘキサフルオロプロピリデン基を有するジアミンを構成する2価の有機基を含有し、かつ還元粘度が0.05〜5.0dl/g(温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5g/dl)であるポリイミド前駆体をイミド化することにより得られる一般式(3)
    Figure 0004639471
    (Rは、前記式(2)と同じである。)
    の繰り返し単位を有するポリイミドからなり、オーブン中で250℃、1日間加熱処理後の厚さ1.5×10nmの膜についての波長300nmの紫外線透過率が77%以上を有するポリイミド材料。
  2. 請求項1に記載のポリイミド材料からなる光導波路材料。
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