JP4633296B2 - サーモパイルセンサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、サーモパイルよりなる感温素子で構成されるサーモパイルセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
物体の温度を非接触で測定する温度測定装置の一つに、赤外線透過性窓を有するキャンとステムとからなる容器内にサーモパイルセンサを設けた熱型赤外線検出器がある。このサーモパイルセンサは、感温素子の冷接合部をヒートシンクに熱的に接続するとともに、感温素子の温接合部において測定対象である物体から輻射される赤外線を検出するものである。この感温素子は、二種の熱電材料、例えばポリシリコンおよびアルミニウムを接続した複数の熱電対を直列に接続したサーモパイルよりなる。
【0003】
例えば、図9〜図11に示すように、感温素子(以下、単に素子という)71は、Si基板72の空洞部(図示せず)を覆う絶縁膜73上にポリシリコン層74を互いに噛み合うようにパターン形成し、ポリシリコン層74と絶縁膜73を覆う絶縁膜75a,75bに形成した開口部76を介してポリシリコン層74とコンタクトするアルミニウム薄膜層77をパターン形成し、ポリシリコン層74とアルミニウム薄膜層77とのコンタクトによる冷接合部78および温接合部79を、測定対象である物体から輻射される赤外線の平面視円形の受光領域(受光部)Nの外側および受光領域Nの内側にそれぞれ位置するように環状に形成してなるものである。81は信号取り出しリードである。なお、図10では、ポリシリコン層74を覆う前記絶縁膜75a,75bは図示されていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
つまり、前記温接合部79はポリシリコン層74とアルミニウム薄膜層77のコンタクトによって形成され、そのコンタクト部はmで示すコンタクト領域を有するが、サーモパイルセンサにおいて感度を高くしようとすると、前記受光領域N内における輻射量の大きな、すなわち、温度の高い中心部80にできるだけ近づいた位置に前記コンタクト部(温接合部)79を配置する必要がある。そこで、温接合部79を、図11の二点鎖線で示すように中心部80に近づけると、その分ポリシリコン層74とアルミニウム薄膜層77が長さL’だけ長くなり素子71の抵抗が大きくなってしまう。つまり、サーモパイルセンサにおいては、素子71の抵抗が大きくなるほどSN比が悪くなるので、素子71の抵抗はできるだけ低くする必要があるといった相反する問題があった。
【0005】
また、前記絶縁膜75a,75bを設けることなくポリシリコン層74とアルミニウム薄膜層77をコンタクトさせる図12、図13に示すタイプの素子71’でも前記素子71の場合と同様の問題があった。
【0006】
この発明は上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、素子の抵抗を大きくすることなく感度を向上できるサーモパイルセンサを提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
複数の熱電対を直列に接続したサーモパイルよりなる感温素子の温接合部が、測定対象である物体から輻射される赤外線の受光領域から内側に形成され、前記受光領域の外側の領域に冷接合部が形成されてなるサーモパイルセンサにおいて、前記熱電対を構成する二種の熱電材料を、前記受光領域における輻射量の大きな中心部の近傍位置にまで至る広い範囲にわたってコンタクトさせた状態で前記温接合部を形成し、感度を高くするよう構成することが考えられる。
【0008】
すなわち、図2の下段に示すように、コンタクト部(温接合部)9のパターンを受光領域Nにおける輻射量の大きな温度の高い中心部80の近傍位置にまで至る広い範囲にわたって形成する、つまり、コンタクト部(温接合部)9のコンタクト領域n(図3参照)を、図2の上段に示す従来のコンタクト部(温接合部)79のコンタクト領域m(図9参照)に比して中心部80の近傍位置まで更に長さCだけ長く設定すれば、その分温度の高い中心部80の熱を熱伝導によって有効に活用してコンタクト部(温接合部)9の温度を上げ易くできる。そして、二種の熱電材料7,4を従来のように長さL’だけ長くするのではなく二種の熱電材料7,4(図3参照)のコンタクト領域nを長くすれば、従来のように素子の抵抗が大きくなることはない。
【0009】
この発明は、複数の熱電対を直列に接続したサーモパイルよりなる感温素子の温接合部が、測定対象である物体から輻射される赤外線の受光領域内に該受光領域の外縁に沿うように形成され、前記受光領域の外側の領域に冷接合部が形成されてなるサーモパイルセンサにおいて、各前記熱電対を構成する二種の熱電材料自体を、前記温接合部から該温接合部よりも前記受光領域における中心部に近い位置にまで延設してある。
この場合、コンタクト部(温接合部)9’(図6参照)から受光領域Nにおける輻射量の大きな温度の高い中心部80の近傍位置にまで至る広い範囲にわたって二種の熱電材料7’,4’を延設しており、しかも、熱電材料7’,4’のコンタクト部(温接合部)9’からの延設部分7a’,4a’に電流が流れないので、従来のように素子の抵抗が大きくなることはない。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を、図を参照しながら説明する。
図1〜図3は、コンタクト部(温接合部)9のパターンを、受光領域Nにおける輻射量の大きな温度の高い中心部80の近傍位置にまで至る広い範囲nにわたって形成してあるこの発明の第1の参考例を示す。
【0011】
図1は、二種の熱電材料を接続した複数の熱電対を直列に接続したサーモパイルよりなり、冷接合部8が受光領域(受光部)Nの外側に、温接合部9が受光領域Nから内側にそれぞれ位置するように環状に形成されてなるサーモパイルセンサの感温素子1の構成を示す平面図である。図2は、従来例との相違を示す図で、上段に従来例のコンタクト部(温接合部)79のパターンを、下段にこの参考例のコンタクト部(温接合部)9のパターンを示す。図3は、図2におけるA−A線断面図を示す。なお、図1〜図3において、図7〜図9に示した符号と同一のものは、同一または相当物である。
【0012】
図1〜図3において、感温素子(以下、単に素子という)1は、二種の熱電材料である半導体(例えばポリシリコン)および金属(例えばアルミニウム)同士を接続した複数の熱電対を直列に接続したサーモパイルよりなる。なお、前記二種の熱電材料は、半導体のみであってもよく、半導体同士を接続した複数の熱電対を直列に接続したサーモパイルを用いてもよい。更に、前記二種の熱電材料は、金属のみであってもよく、金属同士を接続した複数の熱電対を直列に接続したサーモパイルを用いてもよい。
【0013】
この参考例において、前記素子1は、Si基板2の空洞部(図示せず)を覆う絶縁膜3上にポリシリコン層4を互いに噛み合うようにパターン形成し、ポリシリコン層4と絶縁膜3を覆う絶縁膜5a,5bに形成した開口部6を介してポリシリコン層4とコンタクトする金属薄膜層としてのアルミニウム薄膜層7をパターン形成し、ポリシリコン層4とアルミニウム薄膜層7とのコンタクトによる冷接合部8および温接合部9を、測定対象である物体から輻射される赤外線の平面視円形の受光領域(受光部)Nの外側および受光領域Nから内側にそれぞれ位置するように環状に形成してなるものである。
【0014】
更に、前記熱電対を構成する二種の熱電材料を、受光領域Nにおける輻射量の大きな温度の高い中心部80の近傍位置にまで至る広い範囲nにわたってコンタクトさせた状態で前記温接合部9を形成している。
【0015】
つまり、この参考例では、ポリシリコン層4とアルミニウム薄膜層7のコンタクトによって形成されたコンタクト部で構成される前記温接合部9を、中心部80の近傍位置にまで至る広い範囲にわたって形成している。従来例では、前記中心部80の近傍位置にまで至る広い範囲ではなくて、前記中心部80の近傍位置とは離れた受光領域(受光部)Nの直ぐ内側の位置までしか温接合部79が形成されていなかった。したがって、前記温接合部9は、従来の温接合部79のコンタクト領域mよりも中心部10へ更に長さCだけ長く延びたコンタクト領域n(>m)を有する。
【0016】
而して、測定対象である物体から輻射される赤外線が受光領域Nで受光される。この場合、受光領域Nの中心部80の温度が最も高く、この中心部80の熱を中心部80の近傍位置まで長く延びたコンタクト領域nを有する温接合部9で捉えることができる。すなわち、受光領域Nの温接合部9の形状を中心部80の近傍位置まで延ばしたので、温度の高い中心部80の熱を熱伝導によって有効に活用でき、温接合部9の温度を上げることができるとともに、素子1の抵抗は、従来の温接合部79のコンタクト領域mによって決まるので、素子1の抵抗値を大きくすることなく、容易に感度を上げることができる。
【0017】
上記参考例では、温接合部9を、平面視円形の受光領域(受光部)Nから内側に位置させたものを示した。
【0018】
図4は、温接合部9を、平面視正方形の受光領域(受光部)N’から内側に位置させた第2の参考例を示す。なお、図4において、図1〜図3、図7〜図9に示した符号と同一のものは、同一または相当物である。
【0019】
この場合も、コンタクト部(温接合部)9のパターンを受光領域Nの中心部80の近傍位置まで延ばしたので、中心部80の熱を有効に活用でき、素子1の抵抗を大きくすることなくサーモパイルセンサを高感度化することができる。
【0020】
図5、図6は、熱電対を構成する二種の熱電材料を、当該二種の熱電材料のコンタクト部(温接合部)9’から受光領域Nにおける輻射量の大きな中心部80の近傍位置にまで至る広い範囲にわたって延設したこの発明の実施形態を示す。なお、図5、図6において、図1〜図4、図7〜図9に示した符号と同一のものは、同一または相当物である。
【0021】
この場合、二種の熱電材料であるポリシリコン層4’およびアルミニウム薄膜層7’のそれぞれは、コンタクト部(温接合部)9’から長さLだけ中心部80の近傍位置に向かって延設された延設部分7a’および4a’を有する。
【0022】
このように、コンタクト部(温接合部)9’のコンタクト領域mにおいて、ポリシリコン層4’およびアルミニウム薄膜層7’が接触していることに変わりはないので、従来のように素子の抵抗が大きくなることはない。
【0023】
図7、図8は、ポリシリコン層4と絶縁膜3を覆う絶縁膜5a,5bを設けることなく、コンタクト部(温接合部)9のパターンを、受光領域Nにおける輻射量の大きな温度の高い中心部80の近傍位置にまで至る広い範囲nにわたって形成してあるこの発明の第3の参考例を示す。なお、図7、図8において、図1〜図6、図9〜図11に示した符号と同一のものは、同一または相当物である。
【0024】
この場合も、上記第1の参考例と同様に、受光領域Nの温接合部9の形状を中心部80の近傍位置まで延ばしたので、温度の高い中心部80の熱を熱伝導によって有効に活用でき、温接合部9の温度を上げることができるとともに、素子1の抵抗は、従来の温接合部79のコンタクト領域mによって決まるので、素子1の抵抗値を大きくすることなく、容易に感度を上げることができる。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したようにこの発明では、素子の抵抗を大きくすることなく、つまり、SN比を悪くすることなく測定対象である物体から輻射される赤外線の受光領域の温度の高い中心部の熱を有効に活用して感度を向上できるサーモパイルセンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の第1の参考例を示す平面図である。
【図2】 上記参考例におけるコンタクト部(温接合部)のパターンと従来のコンタクト部(温接合部)のパターンの相違を説明するための図である。
【図3】 図2におけるA−A線断面図である。
【図4】 この発明の第2の参考例を示す一部平面図である。
【図5】 この発明の実施形態におけるコンタクト部(温接合部)のパターンと従来のコンタクト部(温接合部)のパターンの相違を説明するための図である。
【図6】 図5におけるA’−A’線断面図である。
【図7】 この発明の第3の参考例におけるコンタクト部(温接合部)を含む斜視図である。
【図8】 図7におけるA’’−A’’線断面図である。
【図9】 従来例の感温素子の構成を概略的に示す平面図である。
【図10】 従来例の感温素子のコンタクト部(温接合部)のパターンの一部を示す図である。
【図11】 図10におけるB−B線断面図である。
【図12】 別の従来例の感温素子のコンタクト部(温接合部)を含む斜視図である。
【図13】 図12におけるB’−B’線断面図である。
【符号の説明】
1…感温素子、4…ポリシリコン層、7…アルミニウム薄膜層、9…温接合部、80…中心部、N…受光領域、n…コンタクト領域。
Claims (2)
- 複数の熱電対を直列に接続したサーモパイルよりなる感温素子の温接合部が、測定対象である物体から輻射される赤外線の受光領域内に該受光領域の外縁に沿うように形成され、前記受光領域の外側の領域に冷接合部が形成されてなるサーモパイルセンサにおいて、各前記熱電対を構成する二種の熱電材料自体を、前記温接合部から該温接合部よりも前記受光領域における中心部に近い位置にまで延設してあることを特徴とするサーモパイルセンサ。
- 前記二種の熱電材料は半導体である請求項1に記載のサーモパイルセンサ。
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