JP4633096B2 - 磁界検出素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、図1aに示されたように、半導体基板1上に第1のシード膜2を形成する。そして、前記第1のシード膜2上に所定の高さのフォトレジストを塗布した後、露光と現像過程を経て図1bに示されたような多数の溝3aを有する第1のメッキ型3を形成する。次に、電気メッキなどの工程で第1のメッキ型3の溝3aに金属を満たして図1cに示されたような多数のコイル線4a、4b、・・・を形成する。次いで、前記第1のメッキ型3とこのメッキ型3の下部のシード膜を除去し、図1dに示されたように互いに絶縁された多数のコイル線4a、4b、・・・からなる第1のコイル4を形成する。
次に、半導体基板1の軟磁性コア6上に、図1gに示されたように、所定の厚さの第2の絶縁膜7を形成する。そして、図1hに示されたように、前述の第1のコイル4の両端部をなすコイル線4a、4oと連通するビアホール8a、8bを形成し、前記第2の絶縁膜7の上部に第2のシード膜9を所定の厚さに形成した後、フォトレジストを第2のシード膜9の上に厚く塗布し、露光と現像過程を経て多数の溝10aを有する第2のメッキ型10を形成する。
なお、図示していないが、前記第2のコイル11の上部に保護膜を積層することで磁界検出素子の製造を完了する。
また、本発明の目的は、コイルが形成された半導体基板の平坦化が容易で、かつ平坦化物質の厚さが薄く、工程が簡素化すると共に、磁界検出素子を薄型化することができる磁界検出素子およびその製造方法を提供することにある。
また、前記第1のコイル形成ステップは、前記ウェルの表面に第1のシード膜を形成するステップと、前記第1のシード膜上に多数の溝を有する第1のメッキ型を形成するステップと、前記第1のメッキ型の各溝に金属を満たして第1のコイルを構成する多数のコイル線を形成するステップと、前記第1のメッキ型およびこのメッキ型の下部の第1のシード膜を除去するステップとを含むように構成できる。
前記第2のコイル形成ステップは、前記軟磁性コアの両側の前記第1および第2の絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成するステップと、前記ビアホールが形成された第2の絶縁膜の上面に第2のシード膜を形成するステップと、前記第2のシード膜上に多数の溝を有する第2のメッキ型を形成するステップと、前記第2のメッキ型の各溝に金属を満たして第2のコイルを構成する多数のコイル線を形成すると共に前記ビアホールを介して前記第1のコイルと前記第2のコイルとを連結させるステップと、前記第2のメッキ型およびこのメッキ型の下部の第2のシード膜を除去するステップとを含むように構成できる。
前記第2のコイルを含む構造物を保護するための保護膜を形成するステップを含むように構成できる。
本発明に係る磁界検出素子は、半導体基板、前記半導体の上部に形成された軟磁性コア、前記軟磁性コアの上下部側に位置するように形成された絶縁膜、および前記軟磁性コアと前記絶縁膜とを挟んで軟磁性コアを取り囲むように形成され、それぞれ多数のコイル線を有する第1および第2のコイルを含む磁界検出素子において、前記半導体基板には、所定の深さのウェルが形成され、前記ウェル内に前記第1のコイルを構成するコイル線が配置されることを特徴とする。
また、前記第1のコイルは前記軟磁性コアの下部に、また、前記第2のコイルは前記軟磁性コアの上部に位置し、前記第1のコイルおよび第2のコイルの各コイル線は、前記軟磁性コアの両側の前記絶縁膜を貫通して形成されたビアホールに満たされた第3のコイルで連結されるように構成できる。
前述のように軟磁性コア122を形成した後は、図2gに示されたように、半導体基板100の第1の絶縁膜120上に第2の絶縁膜125を所定の厚さに形成する。そして、第2の絶縁膜125に第1のコイル106の両端部をなすコイル線と連通するビアホール135を形成する。
図2kは、第2のコイル136の上部に、この第2のコイル136を含む構造物を保護するための保護膜140を形成した状態を示すものである。
半導体基板100に酸化層を形成してから第2の絶縁膜125を形成するまでの工程(図5a乃至図5e参照)は、前述の実施形態と同様であるため、詳細な過程の説明は、省略する。
前述のように、本発明による磁界検出素子の製造方法によれば、シード膜の除去のためにメッキ型を除去する必要がないため、製造工程が単純であり、絶縁膜として使用し得る物質に対する制約が少ない磁界検出素子を提供することが可能となる。
図6hおよび図7hによれば、本発明の磁界検出素子は、半導体基板200、軟磁性コア220、前記軟磁性コア220の上下部側に位置するように形成された第1および第2の絶縁膜230、240および前記軟磁性コア220と前記絶縁膜230、240とを挟んで軟磁性コア220を取り囲む形状に形成され、それぞれ多数のコイル線251、252・・・(261、262・・・)を備える第1および第2のコイル250、260を含む。
前述のように、第1のコイル250が従来とは異なり半導体基板200の表面に突出することなく半導体基板200のウェル211内に半導体基板200の上面と同一平面に形成されるため、第1のコイル250が形成された半導体基板200を平坦化させることが容易であり、かつ、平坦化物質、例えば、絶縁膜230、240の厚さを極薄にすることができる。
なお、前記ほぼ長方形のウェル211は、図中その上部から底面に行くほどだんだん内側に傾斜している傾斜側壁を有するように形成され、公知の種々のエッチング技術で形成することができる。
前述のような本発明による磁界検出素子の製造方法は、次の通りである。
次いで、前記軟磁性コア220を含む第1の絶縁膜230の上部に絶縁物質を所定の厚さに塗布し、図6eおよび図7eに示されたような第2の絶縁膜240を形成する。
前述のような第2のメッキ型280を形成した後は、図6gおよび図7gに示されたように、メッキ型280の溝280aに電気メッキ法などで金属を満たしてコイル線261を形成するが、このとき、金属が前記貫通ホール290、290’にも充填されることで、下部側の第1のコイル250と上部側の第2のコイル260とは、前記貫通ホール290、290’に充填される第3のコイル300により連結され、従って、前記コイル250、260は、前記軟磁性コア220を取り囲む形状となる。
以上、図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明してきたが、本発明の保護範囲は、前述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
102、130、141 シード膜
104、132、142、270、280 メッキ型
106、136、250、260 コイル
120、125、230、240 絶縁膜
122、220 軟磁性コア
135 ビアホール
211 ウェル
Claims (11)
- 半導体基板の上部に第1のコイルを形成し、前記第1のコイルの上部に絶縁膜を介在して軟磁性コアを形成した後、前記軟磁性コアの上部にまた他の絶縁膜を介在して第2のコイルを形成する磁界検出素子の製造方法において、
前記半導体基板に所定の深さのウェルを形成した後、このウェル内に前記第1のコイルを前記半導体基板の表面に突出しないように、前記ウェルの深さと同一の高さを有する多数のコイル線を配置させることを特徴とする磁界検出素子の製造方法。 - 半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板に所定の深さのウェルを形成するステップと、
前記半導体基板のウェル内に、前記半導体基板の表面に突出しないように、前記ウェルの深さと同一の高さを有する多数のコイル線からなる第1のコイルを形成するステップと、
前記ウェルを含む半導体基板の上部に第1の絶縁膜を形成するステップと、
前記第1の絶縁膜の上部に軟磁性コアを形成するステップと、
前記軟磁性コアを含む第1の絶縁膜の上部に第2の絶縁膜を形成するステップと、
前記第2の絶縁膜の上部に前記第1のコイルと対応する第2のコイルを形成するステップと、を含むことを特徴とする磁界検出素子の製造方法。 - 前記ウェルは、エッチング工程でその上部から底面に行くほどだんだん内側に傾斜している傾斜側壁を有するように形成することを特徴とする請求項2に記載の磁界検出素子の製造方法。
- 前記第1のコイル形成ステップは、
前記ウェルの表面に第1のシード膜を形成するステップと、
前記第1のシード膜上に多数の溝を有する第1のメッキ型を形成するステップと、
前記第1のメッキ型の各溝に金属を満たして第1のコイルを構成する多数のコイル線を形成するステップと、
前記第1のメッキ型およびこのメッキ型の下部の第1のシード膜を除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の磁界検出素子の製造方法。 - 電気メッキを用いて前記第1のメッキ型の各溝に金属を満たすことを特徴とする請求項4に記載の磁界検出素子の製造方法。
- 前記第2のコイル形成ステップは、
前記軟磁性コアの両側の前記第1および第2の絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成するステップと、
前記ビアホールが形成された第2の絶縁膜の上面に第2のシード膜を形成するステップと、
前記第2のシード膜上に多数の溝を有する第2のメッキ型を形成するステップと、
前記第2のメッキ型の各溝に金属を満たして第2のコイルを構成する多数のコイル線を形成すると共に前記ビアホールを介して前記第1のコイルと前記第2のコイルとを連結させるステップと、
前記第2のメッキ型およびこのメッキ型の下部の第2のシード膜を除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の磁界検出素子の製造方法。 - 電気メッキを用いて前記第2のメッキ型の各溝に金属を満たすことを特徴とする請求項6に記載の磁界検出素子の製造方法。
- 前記第2のコイルを含む構造物を保護するための保護膜を形成するステップを含むことを特徴とする請求項2に記載の磁界検出素子の製造方法。
- 半導体基板、前記半導体の上部に形成された軟磁性コア、前記軟磁性コアの上下部側に位置するように形成された絶縁膜、および前記軟磁性コアと前記絶縁膜とを挟んで軟磁性コアを取り囲むように形成され、それぞれ多数のコイル線を有する第1および第2のコイルを含む磁界検出素子において、
前記半導体基板には、所定の深さのウェルが形成され、前記ウェル内に前記第1のコイルを構成するコイル線が配置され、
前記ウェル内の前記第1のコイルが前記半導体基板の表面に突出しないように、前記コイル線の高さと前記ウェルの深さとが等しく形成されることを特徴とする磁界検出素子。 - 前記第1のコイルは前記軟磁性コアの下部に、また、前記第2のコイルは前記軟磁性コアの上部に位置し、前記第1のコイルおよび第2のコイルの各コイル線は、前記軟磁性コアの両側の前記絶縁膜を貫通して形成されたビアホールに満たされた第3のコイルで連結されることを特徴とする請求項9に記載の磁界検出素子。
- 前記ウェルは、その上部から底面に行くほどだんだん内側に傾斜している傾斜側壁を有することを特徴とする請求項9に記載の磁界検出素子。
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