JP4624406B2 - ワークピース処理用シングルチャンバ - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェハ、パネルディスプレイ、リジッドディスクまたは光学媒体のようなワークピース、あるいは、マイクロ電子回路、データ記憶素子またはデータ記憶層、あるいは、マイクロ機械エレメントが形成され得る基板から形成される薄膜ヘッドまたは他のワークピースの表面調整、洗浄、リンスおよび乾燥に関する。これらおよび他の同様な物品は、「ウェハ」または「ワークピース」と、総称する。特に、本発明は、半導体ウェハを加工処理するためのワークピースのプロセスチャンバに関する。より特定的には、半導体ウェハをロードし、処理する新たなプロセスチャンバに関する。また、本発明は、半導体ウェハを加工処理するための新たな方法に関する。
(本発明の背景)
マイクロ電子デバイスは、多彩な製品に使用されている。これらデバイス(メモリおよびマイクロプロセッサチップを含むがこれらに限定されない)は、コンピュータ、電話、音声装置、および、他の電子消費財に使用されている。長年にわたって、製造業者は、このようなマイクロ電子デバイスを改良してきた。例えば、製造業者は、処理速度がより速く、他の特性も改善し、同時に、コストも下げて、エンドユーザに届く低価格の新たなマイクロプロセッサチップを考案してきた。このような低価格となったために、このようなマイクロ電子デバイスは、家電製品、自動車、ならびに、玩具およびゲームといった低価格商品など、従来は使用されなかった製品あるいは控えめにしか使用されなかった製品にも使用できるようになってきた。このような製品にマイクロ電子デバイスの使用が増加したことで、これら製品の製造業者は、製品コストを下げ、新たな特徴を有し、製品の信頼性の向上した製品の提供が可能となった。これらマイクロ電子デバイスの速度、汎用性、コスト効率が向上したことで、全く新たなタイプの製品を創出することまでも、容易になった。
これら改善されたマイクロ電子デバイスの開発の大きな要因は、その製造に使用される装置および方法にある。マイクロ電子デバイスの製造業者には、精度が高いこと、非常に高純度な原材料および非常にクリーンな製造環境が要求される。たとえ、粉塵、汚れ、金属および製造薬品の非常に小さな粒子ですら、これらデバイスの表面に、製造プロセスの任意の段階で残っていれば、デバイス不良または故障が結果として生じ得る。このような理由から、これらデバイスのメーカは、特殊化した装置、製造施設(「ファブ」としても周知)および製造方法に、ますます依存してきた。こうした装置および施設は、設計、建築、設備および維持にコストが掛かる。その結果、修理、サービスまたは交換による不稼働時間最低限とするために、装置には信頼性あることが必須である。
現代のウェハ処理装置は、典型的には、マルチ処理ユニットまたはチャンバを有する。例えば、典型的なウェハ処理装置は、14ものプロセスチャンバを有し得る。これらユニットまたはチャンバのそれぞれは、マイクロ電子デバイスに対するマルチステップ製造プロセスにおける特定のステップを達成するように、独立にプログラムが組まれ得る。プロセスチャンバが不調になり、サービスを受けなくてはならないチャンバが、たとえ1つだけという事態において、オペレータが即座に修理したい、あるいは、他のプロセスチャンバに交換したいと望んだ場合、そのウェハ処理装置全体は、そのチャンバを修理または交換する必要があるときは常に、その任務から外されなくてはならない。場合によっては、このような修理または交換後、交換したプロセスチャンバからウェハを出し入れするロボットを再度キャリブレーションする必要もある。この再キャリブレーションのステップによって、その単一のプロセスチャンバの修理または交換から生じる通常の不稼働時間に、さらに不稼働時間が加わる。
この不可動時間によって、かなりの製造能力に対する損失を生じ得る。装置のオペレータは、プロセスチャンバが1つだけ不調または使用不能であっても、装置を動かし続ける選択をすることが多い。この選択は、1つのプロセスチャンバを使用せずに処理装置を稼動すると、稼動のコストアップおよび効率低下を招く場合であっても、行われる。この選択がなされる理由は、比較的短期間においては、処理装置がラインに残り、おそらく、その12のプロセスチャンバのうち11のみが稼動する場合のほうが、処理装置を1つの不調なプロセスチャンバの交換または修理のために一時的にラインを外さなくてはならない場合より、多くの最終製品を製造できるからである。
稼動不能なプロセスチャンバがあるまま、処理装置を稼動し続けることを決定したオペレータは、究極のところ、そのチャンバを修理し、その装置全体をラインから外さなくてはならない。典型的には、装置全体がラインから外されるのは、第二または第三のチャンバがサービスを受ける必要が生じたとき、あるいは、ファブにおける何らかの他の事態で、さらなる製造中断を生じることなく、装置にサービスを受ける機会が与えられたときである。
マイクロ電子デバイスの製造には、様々な種類の薬品が使用される。これら薬品は、しばしば液体の状態であり、ときとして、気体または蒸気の状態であり得る。これら薬品は、高純度であるがゆえに、高価である。これらプロセスで使用されるフッ化水素および他の強酸、ならびに、酸化剤のような薬品の一部は、また、毒性でもある。その結果、これら薬品の使用、保管および処分には、高性能な設備および厳重な注意が要求され、その結果、高価になり得る。それゆえ、マイクロ電子デバイスの製造に使用されるこれら薬品の使用量を削減することは望ましい。毒性排出物の放出を避けるために、これら薬品およびその蒸気を装置内に留めることも、これら蒸気を外気に放出することなく適切に処分する方法を提供することも、必要である。
最大限生産量を確保するために、信頼性の高いプロセスチャンバを創出することが非常に望まれていることは、上述から理解される。信頼性を高めるための一つの方法は、機械的に単純な構造を有するプロセスチャンバを創出することである。
さらに、処理中に使用された薬品をプロセスチャンバ内に保つのに有用なプロセスチャンバを設計することも望まれている。それは、これら薬品の購入および処分に掛かるコストを下げるためであり、また、再利用されないこれら薬品の任意の量を適切に処分可能とするためでもある。
最後に、マイクロ電子デバイスの製造に使用されるウェハにわたって、乾燥したエアをより効率的に導くプロセスチャンバを創出すること、および、ウェハの出し入れに使用されるエンドエフェクタをクリーンに保つことは、非常に望まれている。これらの効果を有する設計は、さらに、粉塵、汚れ、金属および製造薬品の非常に小さな粒子が、これらウェハの表面に残る可能性、および、これら粒子が結果得られるマイクロ電子デバイスにダメージを与える可能性をさらに減らすことになろう。
(発明の概要)
本発明は、半導体ウェハ処理用システムに関する。本システムは、多数のプロセスチャンバを含み得る。これらプロセスチャンバの少なくとも1つは、新たなプロセスチャンバである。本発明は、また、この新たなチャンバを用いて、半導体ウェハを加工処理する方法でもある。
プロセスチャンバに接続したチルト可能なリム(rim)を使用することで、プロセスチャンバの構造をシンプルになり、それゆえ、プロセスチャンバの信頼性が向上し、保守管理作業が軽減するはずである。チルト可能なリムは、また、単一の(シングル)プロセスチャンバで様々な処理ステップを可能とする。特に、チルト可能なリムを使用すると、第一の面を、すなわち、処理しようと意図する面を上にして、ウェハを挿入することを可能とする。チルト可能なリムは、3つの処理操作をシングルプロセスチャンバで実行することを可能にする。例えば、2つ以上の処理ステップが、プロセスチャンバの上部コンパートメント(compartment)で、1つ以上の処理ステップが、プロセスチャンバの下部コンパートメントで実行され得る。チルト可能なリムを使用すると、特に、ビルトインされたチャネルと組み合わせて使用すると、ウェハ処理中に、半導体ウェハ、および、これらウェハを挿入し、取り出すロボットエンドエフェクタをクリーンに保つことができる。こうして、結果として得られるマイクロ電子デバイスにダメージを与える可能性を減らす。
ピボットアームまたはスイングアームをチルト可能なリムと一緒に使用すると、さらなる有益な効果が得られる。典型的には、ピボットアームは、第二の位置から第一の位置へ、スピンするウェハの表面にわたって、ウェハを走査するように移動する。これは、ピボットアームから放出される流体が、事実上ウェハの表面全体に、衝突(impinge)し、接触するようにするためである。
半導体ウェハを処理する新たなプロセスチャンバは、プロセスチャンバ内に少なくとも1つのロータを含む。ロータは、これらウェハの受け入れおよび処理に適合する。
上述のように、本プロセスチャンバの最上部に、チルト可能なリムを含む。このチルト可能なリムは、非傾斜位置から傾斜位置にチルトする。このチルト可能なリムが非傾斜位置にあるとき、リムはロボットによるロータへのアクセスが妨げられ、チャンバは処理のために閉じられる。逆に、チルト可能なリムが、傾斜位置にあるとき、リムはロボットがプロセスチャンバにアクセス可能となる。
上述のように、プロセスチャンバはピボットアームを含み得る。ピボットアームは、処理用流体を実質的にウェハ表面全体へ配送しやすくする。ピボットアームは第一の位置から第二の位置まで移動可能である。第一の位置において、アームはこれら処理用流体をウェハの上に配置される。第二の位置において、アームは、例えば、リムの上のように、ウェハの側面に配置される。
プロセスチャンバは、また、上向きに配置されたシュラウド(upwardly−disposed shroud)、および、ウェハ乾燥用エアの回収と移送のために、チルト可能なリム内に排気口を含み得る。シュラウドは、プロセスチャンバの一部をチルト可能なリムより下で囲む。
排気口は、アッパエンド(upper end)を含む。このアッパエンドは、特にウェハが上部コンパートメントにあるとき、ウェハ面よりも下の点に配置されることが好ましい。シュラウドおよび排気口は一緒になって、ウェハ全面を通る乾燥用エアの分配および排出の効率化と、ウェハをクリーンにするために使用される流体の分配および排出の効率化とを提供する。このようにして、シュラウドおよび排気口は、粉塵、汚れ、金属および製造薬品の非常に小さな粒子が、マイクロ電子デバイスの表面に残る可能性を減少させるのに役立ち、結果として得られるマイクロ電子デバイスにダメージを与える可能性を減少させるのに役立つ。
チルト可能なリムは、また、そのリム内に位置されたチャネルを少なくとも1つ含む。ウェハが、リンス水をその表面から除去するために処理中にスピンされると、そのリンス水は、リムの外側に移動し、リムに格納された1つ以上のチャネルの中に移動する。これらチャネルは、流体を回収し、移送し、ウェハの表面から遠ざけ、究極的には、プロセスチャンバの外に出す。チャネルは、また、エンドエフェクタをクリーンに保つのにも役立ち、このようにして、エンドエフェクタ上の汚染物質が処理されたウェハにダメージを与える機会を減らす。
プロセスチャンバは、いわゆるエレベータまたはリフト/回転アクチュエータを含み得る。このアクチュエータは、プロセスチャンバの上部コンパートメントから、下部コンパートメントに、ウェハを移動し得る。このリフト/回転アクチュエータが、ウェハをプロセスチャンバの上部コンパートメントから下部コンパートメントに移動させると、このアクチュエータは、また、ウェハを反転させる。特に、リフト/回転アクチュエータは、ウェハの第一の面を上向きにして上部コンパートメントの位置から、ウェハの第一の面を下向きにして下部コンパートメントにして下部コンパートメントの位置に、ウェハを移動する。この下部コンパートメントにおいて、下向きウェハは、例えば、薬品流体への浸漬による処理、あるいは、薬品流体スプレイを用いた処理を介し、処理ステップを受け得る。プロセスチャンバの上部コンパートメントに、第一の面が再び上向きになる位置にウェハが戻った後に、処理または加工処理されたウェハは、リンスされ、乾燥され、次いで、プロセスチャンバから取り出される。
本発明の別の局面は、プロセスチャンバ内における半導体ウェハの加工処理用プロセスである。このプロセスは、幾つかのステップを含む。プロセスチャンバを開くために、プロセスチャンバの最上部にあるチルト可能なリムは非傾斜位置から傾斜位置までチルトされる。次いで、プロセスチャンバ内に位置されたロータに、ウェハは挿入される。ウェハは、ロボットアームとロボットエンドエフェクタによって挿入される。このような挿入後、ウェハの第一の面は上向きになる。次いで、チルト可能なリムは、非傾斜位置に戻され得る。
次いで、ウェハおよびロータは、プロセスチャンバの上部コンパートメントから、プロセスチャンバの下部コンパートメントまで下げられる。ウェハおよびロータが下部コンパートメントに移動されたとき、それらが同時に反転されることが好ましい。こうして、ウェハおよびロータが下部コンパートメントに位置されたとき、ウェハの第一の面は下向きとなる。
ウェハが反転され、下部コンパートメントに配置される間に、ウェハは、少なくとも1つの処理ステップを受ける。次いで、ウェハは上部コンパートメントに戻され、ウェハの該第一の面をその当初の位置に、すなわち、第一の面を上向きに戻される。次いで、ウェハはリンスされ、乾燥される。プロセスチャンバを開くために、チルト可能なリムは、その傾斜位置に戻される。最後に、ロボットアームは、処理されたウェハをプロセスチャンバから取り出す。
上述したプロセスチャンバのチルト可能なリムは、機械的にシンプルな構造を有する。このシンプルな構造のため、このチルト可能なリムを含むプロセスチャンバは、高い信頼性が得られ、マイクロ電子デバイスの生産効率を向上させるはずである。
シュラウドを使用すると、プロセスチャンバの上部を介して、エアフローを下向きに導くのに寄与するはずである。下向きのエアフローは、薬品の蒸気をプロセスチャンバ内に保つことにも寄与するはずであり、付加的に、これら薬品の購入および処分に掛かるコストを下げる。また、シュラウドは、マイクロ電子デバイスに使用されるウェハ全体にわたって、乾燥用エアを導くのに、プラスの効果をもたらし得る。
エアフローをより効率的にすることで、粉塵、汚れ、金属および製造薬品の非常に小さな粒子が、マイクロ電子デバイスの表面に残る可能性を減少し得るし、こうして、これらデバイスにダメージを与える可能性をさらに減少し得る。
(詳細な説明)
本発明は、半導体ウェハ処理システム、本システムの一部である新たなプロセスチャンバ、および、半導体ウェハを処理する新たな方法で、好ましくは、この新たなプロセスチャンバを使用する方法である。
図1は、本発明のシステム10の上平面図を示す。図1に示すシステム10は、10のプロセスチャンバを含み、そのそれぞれが図1の円で表わされている、システム10は、プロセスチャンバをより多くも、より少なくも含み得ることは、理解されるべきである。プロセスチャンバは、直径200mmまたは300mmの半導体ウェハのようなマイクロ電子ワークピースを処理するように設計され得る。本発明のプロセスチャンバは、従来の既存処理システム10に利用されるように設計される。それは、例えば、係属中の米国特許出願第10/691,688号(2003年10月22日出願)および同第10/690,864号(2003年10月21日出願)に開示されており、この両出願の開示は、本明細書において、参考として、援用される。このシステム10は、異なる処理ステーションまたはチャンバ(例えば、無電解メッキおよび電解メッキを実行するチャンバだが、これらに限定されない)を含み得る。より特定的には、これらチャンバは、マイクロ電子ワークピースをプレーティングおよび他の処理用の手段として機能する。このようなシステムおよびプロセスチャンバは、モンタナ州KalispellのSemitool,Inc.によって開発されてきた。これらシステムは、モジュール化され得るし、それゆえ、容易に拡張され得る。
図1Aは、本発明のプロセスチャンバが囲まれる筺体(enclosure)11を示す。この筺体11の上部は、HEPAフィルタ13を含む。エアが、このHEPAフィルタ13を介して筺体11の中に引き込まれる。HEPAフィルタ13を介して、エアが筺体11に入った後、本発明のプロセスチャンバ12を通り抜け、次いで、エアは筺体11の最下部に接続された排気管を介して、引き抜かれる。
図1Bは、図1および図1Aの処理システムの一部を示す等角図である。以下に説明されるように、本発明は、チルト可能なリム24およびシュラウド40を含む。チルト可能なリム24およびシュラウド40は、処理システムのデッキ19(図1Bを参照)に固定されている。特に、図3に示されるように、シュラウド40のベース部分21は、デッキ19に固定されている。
図1および図1Bに示す処理システムは、より詳細には、係属中の米国特許出願第10/733,807号(2003年12月11日出願)、同第10/859,748号(2004年6月3日出願)、同第10/859,749号(2004年6月3日出願)、同第10/860,384号(2004年6月3日出願)、同第10/860,385号(2004年6月3日出願)、同第10/860,592号(2004年6月3日出願)、同第10/860,593号(2004年6月3日出願)、および、同第10/861,240号(2004年6月3日出願)に記載されており、これら出願の記載は、本明細書にて、参考として援用される。
新たなプロセスチャンバ12は、図2に斜視図で示されている。上述のように、図2に示すような本発明の新たなプロセスチャンバ12のシュラウドおよびチルト可能なリムは、図1Bの既存のチャンバ15に、すなわちデッキ19の上に、直接設置され得る。このプロセスチャンバ12は、多数の異なる機能を実行する多数の異なるチャンバの一つであり得て、典型的にはシステム10に含まれる。
図2および図3に最適に示されるように、本発明の新たなプロセスチャンバ12は、半導体ウェハ14のような単一のワークピースに処理ステップを実行するように設計される。半導体ウェハ14は、ロボットアーム16およびロボットエンドエフェクタ18によって、プロセスチャンバ12に送り込まれる。ロボットアーム16およびロボットエンドエフェクタ18について、および、半導体ウェハの処理との関係でのそれらの使用については、いずれも業界で周知である。
ロボットアーム16およびロボットエンドエフェクタ18は双方とも、未完成ウェハ14をロータ20に置き、完成ウェハ14をロータ20から取り出す。この好ましい実施形態において、プロセスチャンバ12は、ロータ20を1個含む。しかしながら、2個以上のロータも使用され得る。
ロータ20は、ロータアセンブリ22の一部である。ロータアセンブリ22は、ウェハ14を受け取り、運び、処理のためにウェハ14を置き、処理または乾燥ステップ中に、回転またはスピン可能である。
ウェハ14の取り入れ、取り出しを可能とするために、プロセスチャンバは、チルト可能なリム24を含む。このチルト可能なリム24は、非傾斜位置(図4〜図7)と傾斜位置(図2および図3)との間で移動可能である。チルト可能なリム24が、図4〜図7に示すように、その非傾斜位置にあるとき、そのリム24は、開口部を閉じる。その開口部が閉じていない場合、ウェハ14のプロセスチャンバ12への取り入れ、プロセスチャンバからの取り出しが可能である。逆に、チルト可能なリム24が、図2および図3に示すように、その傾斜位置にあるとき、そのリム24は、プロセスチャンバ12の一部を開く。リム24が、この傾斜位置にあるとき、ウェハ14をプロセスチャンバ12へ取り入れ、プロセスチャンバ12から取り出され得る。
図2および図3に示されるように、リム24はチルトするので、ロボットアーム16およびロボットアームエフェクタ18がロータ20にアクセス可能となる。このように、リム24がチルトするので、ウェハ14をプロセスチャンバ12に取り入れ、ロータ20上へ搭載し、引き続き取り出すことが可能となる。ロータ20から出ている小さなフックのような指30は、ウェハ14の処理中にロータ20にウェハ14を固定するために使用される。
チルト可能なリム24は、2つの回転軸またはピボットヒンジの周りを旋回する。これらピボットヒンジ26の一方は、図2に示される。他方のヒンジは、図2に示されない。ピボットヒンジ26は、リム24の反対側で、図2では明瞭でないプロセスチャンバの一部であるプロセスチャンバ12を固定する。図2と図7とで比較して示すように、チルト可能なリム24は、空圧リフトアームメカニズム28を作動させて、その傾斜位置と非傾斜位置との間を移動する。特に、この空圧リフトアームメカニズム28は、ピボットクレビスを装着した(pivoting clevis mount)複動空圧シリンダである。このような空圧シリンダの販売業者から購入可能な磁気センサが、2つの位置、すなわち、このシリンダの上昇位置と下降位置とを指示するのに使用される。シリンダのこの双方の位置は、機械的ハードストップ(hard stop)によって規定される。
上述から、チルト可能なリム24およびその作動メカニズムは、構造がシンプルで、その結果、信頼性が向上し、保守管理作業が軽減するはずであることは、理解される。
プロセスチャンバ12は、図2および図7で最適に示されるように、また、ピボットアームまたはスイングアーム32も含む。ピボットアーム32は、2つの最終位置の間で、走査する動作で動く。その動きは、50ワットのYaskawaのモータおよびハーモニックギア減速機とを組み合わせて、達成される。ハーモニックギア減速比は、50:1である。空圧リフトアームメカニズム28と同様に、このピボットアームまたはスイングアーム32の一行程の両端は、ハードストップによって規定される。ホーム(ゼロ)位置は、2つのハードストップの一方に対し、ピボットアーム32に登録することで設定される。Yaskawaのモータの上の相対位置・絶対位置検出器が、ピボットアーム32のホーム位置との相対的な任意の位置を規定するために使用される。
ピボットアーム32は、ウェハ14への処理用流体の配送を容易にする。本実施形態において、ピボットアーム32は、第一の位置から第二の位置に移動可能である。ピボットアーム32の第一の位置は、図7に示される。第一の位置において、ピボットアームは、この処理用流体をウェハ14に配送するため、ウェハ14の上に配置される。
図7に示すように、ピボットアーム32は、2つのチューブ34および36を含む。製造業者の処理ニーズによって、任意の気体または液体が、これらチューブ34および36を介して、調合され得る。
好ましい一実施形態において、チューブ32は、ウェハ14への脱イオン水の配送を容易にする。一方、チューブ34は、ウェハ14への窒素単独の配送あるいは窒素とイソプロピルアルコールとを組み合わせた配送のいずれかを容易にし、その配送のために設けられる。従来式バルブ(図示せず)は、これら気体および液体をチューブ34および36それぞれに配送するのを制御するために使用される。
ピボットアーム32の第二の位置は、図2に示される。この第二の位置において、ピボットアーム32は、ウェハ14の側面に配置されており、チルト可能なリム24の上にある。この第二の位置において、ピボットアームの端は、ドリップ受けトレイ38の上にある。ドリップ受けトレイ38は、ピボットアーム32の端にある2つのノズル先端のいずれかからポタポタ落ちる液体を回収する。また、ドリップ受けトレイ38は、従来式バルブとノズル先端との間の脱イオン水を回収し、その除去を容易にする。この脱イオン水は、ときとして、チューブ32からパージされなくてはならない。ドリップ受けトレイ38は、これら廃液を処分のための離れたロケーションに移送する手段と接続されている。ここでは、ドリップ受けトレイ38は、チャネル44に注ぎ込まれる。
ピボットアーム32またはスイングアームをチルト可能なリム24と一緒に使用すると、有益な効果が多数ある。典型的には、ピボットアームは、第二の位置から第一の位置に、走査する動きで、スピンするウェハの表面にわたって移動する。これは、ピボットアーム32から放出された流体が、事実上ウェハ14の表面全体に、衝突し、接触するようにするためである。ピボットアーム32は、このように、脱イオン水をスピンするウェハ14の事実上表面全体に直接衝突させることを可能とする。これは、ウェハ14の洗浄強化を提供するものと考えられる。当然、ピボットアーム32は、窒素、イソプロピルアルコール、および、任意のその他の液体または気体を、ウェハ14の表面全体に衝突させるためにも、また使用され得る。
プロセスチャンバ12は、また、上向きに配置されたシュラウド40を含み得る。上述のように、シュラウド40は、図1Bおよび図3に示すように、チルト可能なリム24の下ではあるが、デッキ19の上に位置される。シュラウド24は、ウェハ14の第一の面42の周囲および表面にわたるエアフローの強化と効率化とを促進すると考えられる。このエアフローの強化と効率化によって、ウェハ14の表面にパーティクルが残留しないようになるはずである。加えて、シュラウド40は、ウェハ14の処理に使用された薬品の蒸気をプロセスチャンバ12内に保つことにも寄与し得る。乾燥用エアは、HEPAフィルタ13を介して、図1、図1Aおよび図1Bに示すユニットに入る。次いで、このエアは、ウェハ14を避けて通り、シュラウド40の最上部に入る。エアは、シュラウド40の最下部から放出され、次いで、図1および図1Bに示す丸みを帯びた通気開口部17の一部を介して、下方に進み続ける。4つの丸みを帯びた通気開口部17の残りの部分は、シュラウド40のベース21で、フランジによって覆われている。
図5に最適に示されるように、少なくとも1つのチャネル44は、チルト可能なリム24の内部に置かれている。好ましい実施形態は、3つのチャネルを含み得る。そして、これら3つのチャネル44のうち、2つが図5に示される。ウェハ14の表面すなわち第一の面42から、リンス水および粉塵または汚れを除去するために、ウェハ14が処理中にスピンされると、水分および巻き込まれた(entrained)微粒子は、遠心力で、外側に、リム24に向かって移動される。水分がリム24に近づくと、その水分はリム24内のチャネル44に入る。これらチャネル44は、ウェハの第一の面42から流体を回収し、移送して遠ざけ、究極的に、プロセスチャンバ12の外に出す。このようにして、チャネル44およびチルト可能なリム24は、この流体がプロセスチャンバ12の最下部に到達する可能性を減らすために、協働する。
チャネル44の内部で回収された流体の多くは、フレキシブルなドレインホースフィッティング46を介して、プロセスチャンバ12から除去される。このフレキシブルなドレインホースフィッティング46は、図3に最適に示され得る。チャネル44の内部に接続された流体の一部は、ロータアセンブリ22によって、ウェハ14のリンスおよびスピン乾燥中に、このホースフィッティング46を介して除去される。チャネル44の中の流体の残りは、ロボットエンドエフェクタ18によって、処理されたウェハ14の除去中に放出される。特に、チルト可能なリム24は、その非傾斜位置から、図3に示すような傾斜位置に移動するので、チャネル44内の任意の残留した流体は、リム24の最下点の方に、すなわち、フレキシブルなドレインホースフィッティング46の方に移動する。フレキシブルなドレインホースフィッティング46の外に流れ出された流体は全て、次いで、処分用の離れたロケーションに放出される。
上述のように、エアは、ウェハ14を乾燥するために、プロセスチャンバ12のようなプロセスチャンバを介して引き込まれる。この乾燥用エアは、プロセスチャンバ12の最下部近くで形成された真空状態の発生の結果として、プロセスチャンバ12に入る。この真空状態の結果、プロセスチャンバ12の最上部の上、ウェハの上、そして、チャンバ12の最下部までの雰囲気(ambient)からエアが導かれる。
排気口48は、チルト可能なリム24に提供される。特に、これら排気口48は、チルト可能なリム24の内部に形成あるいは内部に位置される。これら排気口48の1つは、図3、図8および図9に示されている。双方の排気口48は、図10に示されている。排気口48は、アッパエンド50を含む。
図8は、傾斜位置にあるチルト可能なリム24を示す。それでも、この図8を検討して分かるように、チルト可能なリム24が、その非傾斜位置にあり、ロータアセンブリ20およびウェハ14が、プロセスチャンバ12の上部コンパートメントにあるとき、図8に示すように、これら排気口48のアッパエンド50は、ウェハ14の水平面より下にある。
プロセスチャンバは、また、一対の排気管52も含む。排気管52のそれぞれは、単一の排気口48と関連している。一方の排気管52およびその関連排気口48は、図8および図9に描かれている。
チルト可能なリム24は、その傾斜位置にあるとき、図8に示すように、その排気口48は、排気管52から分離されている。一方、チルト可能なリム24は、図9に示すように、その非傾斜位置にあるとき、密閉するように、排気管52に係合する。ウェハ14を避けて通る乾燥用エアの一部は、排気口48に入り、次いで、プロセスチャンバ12から放出するために、排気管52に入る。
処理サイクル中、ウェハ14をリンスするため、ピボットアーム32から放出される液体の比較的少ない一部が、排気口48および排気管52の方に回され得る。この液体は、本質的に噴霧蒸気を形成するために、エア中に引っ張っていかれる。この噴霧蒸気は、排気口48および排気管52を介して、チルト可能なリム24を離れる。次いで、噴霧蒸気は、プロセスチャンバ12から外に運ばれる。
処理されたままの状態のウェハ14近傍の領域から乾燥用エアおよび液体を除去することによって、より効率的に乾燥用エアをウェハ14全体に導くように、シュラウド40、排気口48および排気管52は一体となって協働する。このようにして、シュラウド40、排気口48および排気管52は協働して、粉塵、汚れ、金属および製造薬品の非常に小さな粒子が、処理中にウェハの表面に残る可能性を減らす。次いで、これにより、結果として得られるマイクロ電子デバイスにダメージを与える可能性を減らす。
今まで見てきたように、プロセスチャンバ12は、いわゆるエレベータまたはリフト/回転アクチュエータ54によって機能を果たし得る。このリフト/回転アクチュエータ54は、図4に示すようなプロセスチャンバ12の上部コンパートメントから、図6に示すプロセスチャンバの下部コンパートメントに、ウェハ14を移動し得る。
プロセスチャンバ12の上部コンパートメントから下部コンパートメントにウェハ14が移動すると、リフト/回転アクチュエータ54は、ウェハ14と、ウェハがその上に載っているロータ20とを反転する。特に、リフト/回転アクチュエータ54は、図4に示すようにウェハ14の第一の面42を上にして、上部コンパートメントの位置から、図6に示すようにウェハ14の第一の面を下にして、プロセスチャンバ12の下部コンパートメントの位置にウェハを移動する。
この下部コンパートメントにおいて、この下向きウェハ14は、例えば、液体薬品による処理または液体薬品への浸漬による処理、あるいは、流体スプレイ処理による処理などの処理ステップを受け得る。リフト/回転アクチュエータ54は、ウェハ14がプロセスチャンバ12の上部コンパートメントに、第一の面42が再び上向きになる位置に戻った後に、処理または加工処理されたウェハ14は、リンスされ、乾燥され、次いで、プロセスチャンバ12から取り出される。
したがって、本発明は、また、半導体ウェハ処理システム10のデッキ19への着脱式の固定(removable securement)用のアタッチメントでもあることは、明らかである。このアタッチメントは、傾斜位置から非傾斜位置までチルトするチルト可能なリム24を含む。上述のように、このチルト可能なリム24は、そのリムがその傾斜位置にあるとき、ウェハ14をシステム10に取り入れ、システム10から取り出すことを可能にする。本発明は、また、デッキ19にチルト可能なリム24を固定するサポートも含む。このサポートは、シュラウド40であることが好ましい。
本発明の典型的なプロセスを再び触れると、上述したコンポーネントを使用して、本プロセスは、プロセスチャンバ12の内部での半導体ウェハ14の処理を包含する。このプロセスは、幾つかのステップを含む。第一に、プロセスチャンバ12の最上部にあるチルト可能なリム24は、図4〜図7に示すような非傾斜位置から、図2および図3に示すような傾斜位置にチルトされる。リム24がチルトすると、プロセスチャンバ12の前面が開く。
第二に、半導体ウェハ14は、プロセスチャンバ12の内部に置かれたロータ20の上に挿入される。図2および図3で、最適に示されるように、ウェハ14は、ロボットアーム16およびロボットエンドエフェクタ18によって、このロータ20上に挿入されることが好ましい。このような挿入をすると、ウェハ14の第一の面42は、上向きとなる。このロータ20上の初期位置において、図2および図3のウェハ14は、プロセスチャンバ12の上部コンパートメントに位置される。チルト可能なリム24は、ここで、その非傾斜位置に戻り、プロセスチャンバ12を閉じる。この時点で、ウェハは、オプションの処理ステップを受け得る。次いで、ウェハ14およびロータ20は、このプロセスチャンバ12の上部コンパートメントから、プロセスチャンバ12の下部コンパートメントに下げられる。このウェハ14は、図5および図6のチャンバ12の下部コンパートメントに示されている。リフト/回転アクチュエータ54が、ロータ20をプロセスチャンバ12の下部コンパートメントに動かすとき、アクチュエータ54は、同時にウェハ14を反転する。その結果、ウェハ14の第一の面42は、下向きになる。
ウェハ14が下部コンパートメント内で反転され、下部コンパートメントに配置される間に、ウェハ14は化学的処理ステップのような別の処理ステップを受け得る。ウェハ14が処理された後に、リフト/回転アクチュエータ54はウェハ14を上部コンパートメントに戻し、ウェハ14の第一の面42をその初期位置に、すなわち、その第一の面42を上向きに戻す。次いで、ウェハ14は、また別の化学的処理(リンスおよび/または乾燥を含むが、これらに限定されない)を受け得る。
最後に、チルト可能なリム24は、その傾斜位置に戻される。図3に最適に示されるように、この傾斜位置において、チャネル44内に回収された任意の流体は、フレキシブルなドレインホースフィッティング46に導かれ、その後、プロセスチャンバ12から排出される。リム24がその傾斜位置になると、ロボットアーム16は、プロセスチャンバ12からウェハ14を取り出す。
したがって、本発明の装置およびプロセスは、機械的にシンプルな構造を有するチルト可能なリムを提供する。潜在的に、その結果、高い信頼性が得られ、マイクロ電子デバイスの生産における効率が向上する。
シュラウドおよび排気口の使用によって、チャンバ12内での薬品蒸気の保持性が向上し得る。また、マイクロ電子デバイス製造に使用されるウェハ14全面へ乾燥用エアをより効率的に導入し得るし、粉塵、汚れ、金属および製造薬品の非常に小さな粒子が、これらウェハの表面に残る可能性を減少し得る。
図1は、本発明の実施形態に従う半導体ウェハのような単一のワークピース処理システムの上平面図である。 図1Aは、図1の処理システムの一部分の斜視図である。 図1Bは、本発明の実施形態に従う図1および図1Aの処理システムの一部分を示す等角図である。 図2は、新たなプロセスチャンバの斜視図であり、プロセスチャンバからの半導体ウェハの取り入れ、または、取り出しを容易にするため、チルトするリムが傾斜位置にある。 図3は、図2のプロセスチャンバの部分断面図である。 図4は、図3のプロセスチャンバの図であるが、チルトするリムはその非傾斜位置にある。 図5は、図2のプロセスチャンバの斜視図であるが、ウェハとロータの双方がプロセスチャンバの下部コンパートメントにあり、ウェハの第一の面が下を向くように、図2に示す方向から反転している。 図6は、図5のプロセスチャンバの部分断面図である。 図7は、図2および図5のプロセスチャンバの斜視図であるが、ロータとウェハはその当初の位置に戻り、ウェハに処理用流体を配送するために、ピボットアームがそのウェハの第一の位置にあることを示す。 図8は、図2のプロセスチャンバの部分断面図であるが、図3とは異なる断面線に沿い、チルト可能なリムがその傾斜位置にあることを示す。 図9は、図8のプロセスチャンバの部分断面図であるが、チルト可能なリムは非傾斜位置にある。 図10は、チルト可能なリムの下側の拡大斜視図である。

Claims (9)

  1. 半導体ウェハを処理するプロセスチャンバであって、該チャンバは、
    (a)該プロセスチャンバ内の少なくとも1つのロータであって、該ロータは、ウェハの受け入れおよび/または処理に適合されている、ロータと、
    (b)該プロセスチャンバの最上部のチルト可能なリムであって、該チルト可能なリムは、非傾斜位置から傾斜位置まで該ロータとは独立にチルトし、該リムが該傾斜位置にあるとき、該プロセスチャンバへのウェハの取り入れと、該プロセスチャンバからのウェハの取り出しとを可能にする、チルト可能なリムと
    を備える、プロセスチャンバ。
  2. ピボットアームをさらに備え、
    該アームは、前記ウェハに処理用流体を配送するために該アームが該ウェハの上に配置される第一の位置から、該アームが該ウェハの側面に配置される第二の位置まで移動可能である、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
  3. 上向きに配置されたシュラウドであって、前記プロセスチャンバの一部を前記チルト可能なリムより下で囲むシュラウドをさらに備える、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
  4. 前記チルト可能なリムの内部に配置された排気口をさらに備える、請求項3に記載のプロセスチャンバ。
  5. 前記排気口は、上端部を含み、
    該排気口の上端部は、前記ウェハが前記プロセスチャンバの上部コンパートメントにあるとき、該ウェハの水平面より下に位置する、請求項4に記載のプロセスチャンバ。
  6. 前記チルト可能なリムの内部に位置する少なくとも1つのチャネルであって、ウェハ加工処理用流体の回収および/または移送に適合されているチャネルをさらに備える、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
  7. プロセスチャンバ内で半導体ウェハを加工処理するプロセスであって、該プロセスは、
    (a)該プロセスチャンバの最上部にあるチルト可能なリムを非傾斜位置から傾斜位置までチルトすることにより、該プロセスチャンバを開くことと、
    (b)該プロセスチャンバ内に位置するロータ上にウェハを挿入することであって、該ロータは、非傾斜位置にある、ことと、
    (c)少なくとも1つの処理ステップを該プロセスチャンバ内の該ウェハに受けさせることと、
    (d)該プロセスチャンバから該ウェハを取り出すことと
    を包含する、プロセス。
  8. 前記ウェハを前記プロセスチャンバの上部コンパートメントから、該プロセスチャンバの下部コンパートメントまで下げることと、
    該下部コンパートメント内で該ウェハを処理することと、
    該ウェハを該上部コンパートメントに戻すことと、
    該ウェハを乾燥させることと
    を包含する、請求項7に記載のプロセス。
  9. 前記ウェハを反転および移動する装置であって、該ウェハの第一の面を下向き位置に反転し、処理するために該ウェハを前記プロセスチャンバの上部コンパートメントから該プロセスチャンバの下部コンパートメントに移動する装置をさらに備え、
    (e)該ウェハを反転および移動する該装置は、次いで、該プロセスチャンバの該上部コンパートメントに、かつ、該第一の面が上向きになる位置に、該ウェハを戻し、(f)該プロセスチャンバから該加工処理されたウェハを取り出す、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
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