KR20060131912A - 단일제품 공정챔버 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 공정챔버에 관한 것이다. 상기 챔버는 상기 공정챔버 내에서 적어도 하나의 회전자를 포함한다. 상기 회전자는 반도체 웨이퍼를 수용 및/또는 처리한다. 상기 공정챔버의 상측은 만곡가능림을 포함한다. 상기 림은 비경사위치로부터 경사위치로 만곡한다. 상기 웨이퍼는 경사위치에 위치될 때 상기 공정챔버로부터 로딩 및 언로딩될 수 있다.

공정챔버, 반도체, 웨이퍼, 회전자, 림

Description

단일제품 공정챔버{SINGLE WORKPIECE PROCESSING CHAMBER}

본 발명은 표면처리, 세정, 헹굼 및 제품의 건조에 관한 것으로 이를테면 반도체웨이퍼, 평면패널디스플레이, 경식디스크 또는 광학매체, 박막헤드 또는 마이크로전자공학회로의 기판으로부터 형성된 다른 제품, 데이터저장부 또는 층, 또는 마이크로메커니컬구성요소가 형성될 수 있다. 상술한 것 또는 다른 유사한 것들은 '웨이퍼' 또는 '제품'으로 집합적으로 참조 된다. 특히, 본 발명은 반도체웨이퍼를 처리하기 위한 제품공정챔버에 관련한 것으로 보다 상세하게는 반도체웨이퍼를 적재 및 처리하기 위한 신규한 공정챔버에 관한 것이다.

마이크로전자공학장치는 널리 사용되고 있다. 상기 장치는 메모리 및 마이크로프로세칩을 포함하지만 이에 한정되지 않고 컴퓨터부품, 전화, 음성장치 및 다른 전자제품에서 사용된다. 지난 수년간 제조업자들은 상기 마이크로전자공학 장치를 향상시켰다. 예를 들면 제조업자들은 보다 빠른 공정속도를 구비하는 등 향상된 기능을 구비하는 새로운 마이크로프로세서칩을 개발하여 개발비를 낮추고 사용자들에게 보다 저렴한 가격으로 제공하고 있다. 이전에는 저렴한 가격으로 인해 제품에서 상기 마이크로전자공학 장치의 이용이 가능해졌으나 이전에는 이용되지 않거나 저렴한 제품 이를테면, 가전제품, 자동차 및 보다 저렴한 제품인 장난감 및 게임기에 이용되었다. 상기 마이크로전자공학장치가 다양한 제품에 이용되어 제조업자들에게 저렴한 제조비, 새로운 형상, 신뢰도 증가를 가져왔다. 마이크로전자공학장치의 증가된 속도, 응용성, 가격효율성은 새로운 형상을 구비하는 제품의 개발을 가능하게 한다.

상기 향상된 마이크로전자공학장치의 개발의 주요인은 제품에서 기계 및 방법을 구비한다. 마이크로전자공학장치의 제조는 높은 정밀도, 원료 그대로의 순수한 물질 및 상당히 깨끗한 제조환경을 요구한다. 제조공정 중 어느 단계에서라도 먼지, 흙, 금속 화학물질의 미세한 입자가 표면에 잔류하게 되면 장치에 결함을 주게 된다. 상술한 이유로 인해 상기 장치의 제조자는 향상된 전문화된 기계, 제조용이성(fabs"라고 알려진) 및 제조방법에 의존한다. 상기 기계 및 용이성은 고비용으로 형성, 조립, 장착 및 유지한다. 따라서, 수리, 서비스 또는 교체를 위한 비사용시간을 최소화하기 위하여 기계는 신뢰성이 높아야한다.

현대의 웨이퍼공정기계는 다중공정 유닛 또는 챔버를 구비한다. 예를 들면, 웨이퍼공정기계는 14개의 공정챔버를 구비한다. 각각의 상기 유닛 또는 챔버는 마이크로전자공학 장치를 위한 다중단계 제조공정에서 특정단계를 완성하도록 독립적으로 프로그램될 수 있다. 상기의 경우에서 공정챔버 중 하나라도 기능고장인 경우 반드시 서비스되고 상기 작동기가 공정챔버의 즉시 수리 또는 교체를 원하면 전체 웨이퍼공정기계는 상기 챔버를 수리 또는 교체하는 것이 필요할 때 언제든지 서비스로부터 제거된다. 일부 예에서 상기 수리 또는 교체 후에 로봇을 재보정하는 것이 필요하고 상기 교체된 공정챔버로부터 웨이퍼를 삽입 및 제거한다. 상기 재보정 단계는 단일공정챔버의 수리 또는 교체로부터 미가동시간이 추가되게 된다. 상기 미가동시간은 유효생산수용량의 손실을 가져온다. 하나의 공정챔버가 기능고장 되어 이용할 수 없게 되면 기계조작자는 종종 기계를 계속 작동하려 하게 된다. 상기 선택은 상기 공정챔버 중 하나의 이용 없이 상기 공정기계의 작동을 하게 되어 보다 높은 작동비용 및 낮은 효율성을 야기한다. 상기 선택을 위한 이유는 비교적 짧은 시간에 걸쳐 이루어지고 아마도 열두 개의 공정챔버 작업 중 열한 개가 공정기계는 라인에 잔류하게 되는데 단일 기능고장 공정챔버를 수리 또는 교체하는 라인 밖에 일시적으로 두는 공정에 비해 완성제품을 더 많이 생산할 수 있다.

조작자는 동작불능 공정챔버를 수리하여 구비하는 공정기계를 연속적으로 작동하고 상기 전체 기계 오프라인을 취한다. 상기 전체 기계는 제 2 또는 제 3공정이 서비스가 필요하거나 제조용이성에서 다른 경우에 생산에 차질이 생기지 않으며 서비스를 받을 기회를 제공한다.

마이크로전자공학 장치의 제조는 다양한 화학물질을 이용하는 것을 포함한다. 상기 화학물질은 액체상태이지만 가스 또는 증기상태일 수 있다. 상기 화학물질은 고순도이며 고가이다. 상기 화학물질 중 일부는 상기 공정에서 사용되는데 이를테면, 독소로서 플르오르화수소 및 다른 강산 및 산화제가 있다. 따라서, 상기 이용, 유지 및 상기 화학물질의 처리는 정교한 장치 및 광범위한 예방대책을 요구하므로 비용의 증가를 발생한다. 따라서, 마이크로전자공학장치를 제조하는데 보다 적은 양의 화학물질이 사용되는 것이 필요하다. 독소방출을 방지하기 위하여 상기 기계 내에서 화학물질 및 증기를 이용하는 것이 바람직하고 대기에 방출하지 않고 증기를 적당하게 처리할 수 있는 수단을 제공한다.

상술한 바에 의하여 생산의 최대화를 꾀할 수 있으며 높은 신뢰도를 갖는 공정챔버를 제조하기 위하여 매우 바람직한 방법이다. 상기 신뢰도를 향상하기 위한 한가지 방법으로는 기계적으로 단순한 구성을 구비하는 공정챔버를 제조하는 것이다.

또한, 상기 공정챔버 내에서 공정 중에 이용되는 화학물질을 유지하는 공정챔버를 형성하는 것이 바람직한데 낮은 생산비용 및 화학물질의 발생을 낮추고 화학물질의 양의 적합한 배치는 재사용되지 않는다.

따라서, 마이크로전자공학장치를 제조하도록 이용되는 상기 웨이퍼에 공기를 보다 효율적으로 직접 공정챔버를 생성하고 웨어퍼를 삽입 및 제거하도록 이용되는 종단 효과기를 지속적으로 세정하는 것이 바람직하다. 상기 효과를 갖는 형상은 제조공정 중에 먼지, 흙, 금속 및 제조화학물질의 미세입자가 웨이퍼 표면에 잔류하는 것을 감소할 수 있고 마이크로전자공학 장치에 손상을 입히는 것도 방지할 수 있다.

본 발명은 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 시스템에 관한 것이다. 상기 시스템은 복수의 공정챔버를 포함한다. 적어도 하나의 상기 공정챔버는 신규한 공정챔버이다. 또한, 본 발명은 신규한 공정챔버를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 방법을 제공한다.

공정챔버와 연결된 만곡가능림의 이용은 상기 공정챔버의 구성을 단순화하고 보다 신뢰성 있게 하며 보다 낮은 유지공정챔버를 유도한다. 상기 만곡가능림의 이용은 단일공정챔버 내에서 완료되는 다양한 공정단계를 허용한다. 특히 상기 만곡가능림의 이용은 상기 제 1측면을 구비하는 웨이퍼의 삽입을 허용하는데 즉, 상기 측면은 처리되도록 되고 마주한다. 상기 만곡가능림은 세개의 공정 작동기가 단일공정챔버에서 수행된다. 예를 들면, 둘 또는 그 이상의 단계는 상기 공정챔버의 상부구획에서 수행되고 하나 또는 복수의 공정단계는 상기 공정챔버의 낮은 구획에 수행 된다. 상기 만곡가능림의 이용은 특히 빌트인(built-in) 채널과 연결되고 반도체웨이퍼를 유지하며 상기 로봇 종단효과기는 상기 웨이퍼를 삽입 및 제거하며 웨이퍼 공정 동안 세정을 한다. 상술한 것은 마이크로전자공학 장치를 손상을 입힐 가능성을 감소한다.

상기 만곡가능림에 연결된 상기 피보팅암(pivoting arm) 또는 스윙암(swing arm)은 추가적인 기능을 구비한다. 상기 피보팅암은 제 2 위치로부터 스위핑동작의 제 1위치로 이동하고 상기 물의 방사의 표면을 가로지르는데 유체는 실질적으로 상기 웨이퍼의 전체표면에 연결하는 영향을 미치는 피보팅암으로부터 방출된다.

반도체웨이퍼를 처리하기 위한 상기 신규한 공정챔버는 상기 공정챔버 내에서 적어도 하나의 회전자를 포함한다. 상기 회전자는 상기 웨이퍼를 수신 및/또는 처리한다.

상술한 바와 같이 상기 공정챔버의 상단은 만곡가능림을 포함한다. 상기 만곡가능림은 비경사위치로부터 경사위치로 만곡된다. 상기 만곡기능림이 비경사위치에 위치하면 상기 림은 상기 로봇에 의해 사기 회전자에 접속하는 것을 방지하고 상기 챔버는 공정을 위해 폐쇄된다. 반면, 상기 만곡가능림이 비경사위치에 위치될 때 로봇이 상기 공정챔버에 접속하는 것을 허용한다.

상술한 바와 같이 상기 공정챔버는 피보팅암을 더 포함한다. 상기 피보팅암은 공정 유체의 전송을 용이하게 하고 상기 웨이퍼의 전체표면에 전송한다. 상기 피보팅암은 제 1위치로부터 제 2위치로 이동가능하다. 제 1위치에서 상기 암은 상기 웨이퍼로 공정 유체를 전송하기 위하여 웨이퍼의 상단에 위치된다. 제 2위치에서 상기 암은 상기 웨이퍼의 측면에 위치되는데 이를테면 상기 림 상부이다.

상기 공정챔버는 상측에 위치되는 덮개를 포함하고 상기 웨이퍼건조 공기의 수집 및 전송을 위한 상기 만곡가능림 내에 포함되는 배기부를 포함한다. 상기 덮개는 상기 만곡가능림 하부의 상기 공정챔버의 부분을 둘러싼다.

상기 배기부는 상기 웨이퍼면 아래 지점에 바람직하게 위치되는 상부말단을 포함하는데 특히 상기 웨이퍼가 상기 상단구획에 있을 때이다. 상기 덮개 및 상기 배기부는 분배 및 상기 웨이퍼를 통과하는 건조공기의 배기을 위하여 보다 효율적으로 제공되고 상기 유체는 상기 웨이퍼를 세정하도록 이용된다. 상술한 방법에 의해 상기 덮개 및 배기부는 먼지, 흙, 금속 및 제조화학물질의 미세입자가 제조공정 동안 표면에 잔류할 가능성 및 마이크로전자공학스 장치가 손상을 입을 가능성을 감소한다.

상기 만곡가능림은 내측에 위치되는 적어도 하나의 채널을 포함한다. 상기 웨이퍼가 표면의 헹굼액을 제거하는 공정을 하는 동안 스펀되고 상기 헹굼액이 상기 림측 즉 외측으로 이동하고 상기 림에 의해 하우스 된 하나 또는 복수의 채널로 이동한다. 상기 채널은 상기 유체를 상기웨이퍼의 표면으로부터 이격되며 상기 공정챔버의 외측에서 수집 및 전송한다. 상기 채널은 종단효과기 세정을 유지하고 상기 방법은 처리된 웨이퍼를 손상시킬 수 있는 종단효과기를 오염시킬 기회를 감소시킨다.

상기 공정챔버는 승강 또는 상승/회전 작동기를 포함하며 상부구획으로부터 상기 공정챔버의 보다 낮은 구획으로 이동할 수 있다. 상기 웨이퍼를 상기 공정챔버의 상단으로부터 하단구획으로 이동함으로 상기 상승/회전 작동기는 상기 웨이퍼를 회전한다. 특히 상기 상승/회전 작동기는 상기 웨이퍼가 상기 상부구획의 위치로 부터 이동하고 상기 웨이퍼의 제 1측면은 상부측과 마주하며 상기 하부구획의 위치로 상기 웨이퍼의 제 1측면이 하단에 마주한다. 상기 낮은 구획에서 상기 하부에 마주하는 웨이퍼는 공정단계에 영향을 받고 예를 들면 화학유체 또는 화학유체스프레이에 의한 담금질에 의한 공정을 통한다. 상기 웨이퍼가 상기 공정챔버의 상부구획으로 복귀한 후에 상단에 마주하는 제 1측면의 위치로 상기 공정된 또는 처리된 웨이퍼는 헹굼, 건조 및 상기 공정챔버로부터 제거된다.

본 발명의 다른실시예는 공정챔버 내의 반도체 웨이퍼에 관한 것이다. 상기 공정은 몇 가지의 단계를 포함한다. 상기 공정챔버 상단의 만곡가능림은 비경사위치 로부터 경사위치로 만곡되고 상기 공정챔버를 개방한다. 웨이퍼는 상기 공정챔버 내에 위치된 회전자와 삽입된다. 상기 웨이퍼는 로봇암 및 로봇 종단효과기와 회전자에 삽입된다. 상기 삽입에 의해 상기 웨이퍼의 제 1측면은 상단과 마주한다. 상기 만곡가능림은 비경사위치로 복귀된다.

다음으로 상기 웨이퍼 및 상기 회전자는 상기 공정챔버의 상부구획으로부터 상기 공정챔버의 하부구획으로 하강한다. 바람직하게는 상기 웨이퍼 및 회전자는 상기 하부구획으로 이동되고 동시에 반전된다. 따라서, 상기 웨이퍼 및 회전자가 상기 하부구획에 위치될 때 상기 웨이퍼의 제 1측면은 하단을 마주한다.

상기 웨이퍼가 상기 하부구획 내로 반전 및 위치될 때 적어도 하나의 공정단계로 된다. 상기 웨이퍼는 상부구획으로 복귀하고 상기 웨이퍼의 제 1측면은 하단에 마주하는 제 1측면과 함께 시작위치로 복귀한다. 상기 웨이퍼는 헹굼되고 건조된다. 상기 만곡가능림은 경사위치로 복귀하고 상기 공정챔버를 개방한다. 따라서 상기 로봇암은 상기 공정챔버로부터 처리된 웨이퍼를 제거한다.

상술한 상기 공정챔버의 상기 만곡가능림은 기계적으로 단일구성을 구비한다. 단일구성으로 인해 공정챔버는 높은 신뢰도를 포함하고 마이크로전자공학장치의 효율적인 생산을 향상한다. 덮개의 이용은 공기를 직접 하단으로 흘려보내고 상기 공정챔버의 상부를 통한다. 상기 하단 공기흐름은 상기 챔버 내의 화학증기의 유지를 증가하고 생산 비용 및 화학물질의 이용을 감소한다. 상기 덮개는 마이크로장치를 생산하도록 이용되는 상기 웨이퍼에 직접 공기를 건조하는 긍정적인 효과를 구비한다.

보다 효율적인 공기의 흐름은 먼지, 흙, 금속 및 제조화학물질의 미세입자가 제조공정동안 표면에 잔류할 가능성 및 마이크로전자공학스 장치가 손상을 입을 가능성이 감소한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 반도체웨이퍼와 같은 단일제품을 처리하기 위한 시스템의 평면도이다.

도 1A는 도 1의 공정시스템의 일부분을 도시한 사시도이다.

도 1B는 본 발명의 실시예에 의한 도 1 및 도 1A의 공정시스템의 일부분을 도시한 투시도이다.

도 2는 상기 공정챔버로부터 반도체 웨이퍼의 로딩 및 언로딩을 용이하게 하는 경사위치에서 만곡가능림을 구비하는 신규한 공정챔버의 사시도이다.

도 3은 도 2의 공정챔버의 부분단면도이다.

도 4는 도 3의 공정챔버를 도시한 것이지만 비경사위치에서의 만곡가능림을 추가적으로 도시한 것이다.

도 5는 상기 공정챔버의 낮은구획에서 웨이퍼 및 상기 회전자를 구비하고 도 2에 도시된 방향정위로부터 반전되는데 웨이퍼의 제 1측면은 하단에 마주하는 상기 도 2의 공정챔버의 사시도이다.

도 6은 도 5의 공정챔버의 부분단면도이다.

도 7은 회전자 및 웨이퍼가 원래의 위치로 복귀하고 공정유체를 상기 웨이퍼로 전송하기 위한 웨이퍼의 상부에 제 1 위치에 피보팅암을 도시한 도 2 및 도 5의 공정챔버의 사시도이다.

도 8은 도 3의 다른 단면선을 따라 경사위치에서 만곡가능한림을 도시한 도 2의 공정챔버의 부분단면도이다.

도 9는 비경사위치에서 만곡가능림을 구비하는 도 8의 공정챔버의 부분단면 도이다.

도 10은 만곡가능한림 하측의 확대사시도이다.

본 발명은 반도체 웨이퍼 공정을 위한 시스템, 상기 시스템의 일부인 신규한 공정챔버 및 특히 신규한 공정챔버를 이용하는 반도체 웨이퍼 공정방법에 관한 것이다.

도 1은 본 발명에 의한 시스템(10)의 평면도이다. 도 1에 도시된 상기 시스템(10)은 원으로 도시된 열 개의 공정챔버를 포함한다. 상기 시스템(10)의 공정챔버는 도시된 것보다 적거나 많을 수 있다. 상기 공정챔버는 마이크로닉 제품를 처리하도록 형성될 수 있는데 이를테면, 200 또는 300mm 크기의 반도체 웨이퍼이다. 본 발명의 상기 공정챔버는 종래의 공정시스템(10)에서 이용되도록 형성되는데 예를 들면 2003년 10월 22일에 출원된 출원번호 제10/691,688, 2003년 10월 21일에 출원된 출원번호 10/690,864에 기재된 내용을 참조한다. 상기 시스템(10)은 다른 공정스테이션 또는 챔버를 포함하는데 비전착성 금속 석출의 도금 및 전기도금을 수행하는데에 한정되지는 않는다. 보다 상세하게 상기 챔버는 도금 및 다른 공정 마이크로전자공학 제품를 위한 수단으로서 작동한다. 상기 시스템 및 공정챔버는 몬타나, 칼리스펠(Kailspell)사의 세미툴(Semitool)에 의해 개발되었다. 상기 시스템은 모듈화되고 쉽게 확장된다.

도 1A는 본 발명에 의한 공정챔버의 구획벽(11)을 도시한 것이다. 상기 구획벽(11)의 상부는 헤파필터(HEPA filter, 13)를 포함한다. 공기는 상기 헤파필 터(13)를 통해 상기 구획벽(11)으로 방출된다. 상기 헤파필터(13)를 통해 상기 구획벽(11)으로 삽입된 후에 상기 공기는 본 발명에 의한 상기 공정챔버(12)를 통과하고 상기 구획벽(11)의 하부에 연결되는 배기관을 통해 방출된다.

도 1B는 도 1 및 도 1B에 도시된 상기 공정시스템의 일부를 도시한 투시도이다. 하기에 서술하는 바와 같이 본 발명은 만곡가능림(24) 및 덮개(40)를 포함한다. 상기 만곡가능림(24) 및 상기 덮개(40)는 상기 공정시스템의 데크(deck, 19)에 고정된다. 특히 도 3에 도시된 바와 같이 상기 덮개(40)의 상기 기저부(21)는 상기 데크(19)에 고정된다.

도 1 및 도 1B에 도시된 상기 공정시스템은 동시계속출원중인 2003년 12월 11일에 출원된 미국특허 제 10/733,807호, 2004년 6월3일에 출원된 미국특허 제 10/859,748, 2004년 6월 3일에 출원된 미국특허 제 10/859,749, 2004년 6월 3일에 출원된 미국특허 제10/860,384호, 2004년 6월 3일 출원된 미국특허 제10/860,385호, 2004년 6월 3일에 출원된 10/860,592, 2004년 6월 3일에 출원된 미국특허 제10/860,593호 및 2004년 6월 3일에 출원된 미국특허 제10/861,240에 공통적 으로 기재되어 있다.

도 2는 상기 공정챔버(12)의 사시도이다. 상술한 바와 같이, 도 2에 도시된 본 발명의 상기 신규한 공정챔버의 상기 덮개 및 상기 만곡가능림은 미리 존재하는 챔버(15)의 상부에 직접 위치된다. 상기 공정챔버(12)는 많은 다른 챔버 중 하나일 수 있지만 상기 시스템(10)에서 포함되고 많은 다른 기능을 수행한다.

도 2 및 도 3에 가장 명확하게 도시된 본 발명에 의한 상기 공정챔버(12)는 단일 제품에 공정단계를 수행하도록 형성되는데 이를테면 반도체웨이퍼(14)이다. 상기 반도체웨이퍼(14)는 로봇암(16) 및 로봇 말단효과기(18)에 의한 상기 공정챔버(12)에 공급된다. 상기 로봇암(16) 및 상기 로봇 말단효과기(18) 및 반도체 웨이퍼의 공정에 연관되는 이용은 공지된 기술이다.

상기 로봇암(16) 및 로봇 말단효과기(18)는 모두 완료되지 않은 웨이퍼(14)에 위치되고 완료된 웨이퍼가 회전자(20)로 부터 분리된다. 바람직한 실시예에서 상기 공정챔버(12)는 단일 회전자(20)를 포함한다. 하지만, 두 개 또는 그 이상의 회전자가 이용될 수 있다.

상기 회전자(20)는 회전자부(22)의 일부이다. 상기 회전자부(22)는 상기 웨이퍼를 수신 및 운반하고 공정을 위해 상기 웨이퍼를 위치시키며 공정 또는 건조단계 동안 상기 웨이퍼(14)를 회전 또는 급회전할 수 있다.

상기 웨이퍼(14)의 로딩 및 언로딩 하는 것이 의해 상기 공정챔버는 만곡가능림(24)을 포함한다. 상기 만곡가능림(24)은 비경사위치(도 4 내지 도 7) 및 경사위치(도 2 및 도 3) 사이에 이동가능하다. 상기 만곡가능림(24)은 비경사위치에 위치하고 도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이 상기 림(24)은 개구부를 닫고 웨이퍼가 상기 공정챔버(12)로 부터 로딩 및 언로딩 되도록 허용한다. 반면, 상기 만곡기능림(24)이 경사위치에 위치되며 도 2에 도시된 바와 같이 상기 림(24)은 상기 공정챔버(12)의 일부분을 개방한다. 상기 림(24)이 상기 경사위치에 위치될 때, 상기 웨이퍼(14)는 상기 공정챔버(12)로부터 로딩 및 언로딩될 수 있다.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 만곡가능림(24)은 상기 로봇암(16) 및 상기 로봇암 효과기(18)에 의해 상기 회전자(20)에 접속되는 것이 허용된다. 따라서, 상기 만곡가능림 는 상기 공정챔버(12) 및 상기 회전자에 에 웨이퍼가 로딩 되거나 언로딩 되는 것을 허용한다.

상기 만곡가능림(24)은 두 개의 피벗 지점 또는 힌지를 피벗 한다. 도 2는 상기 힌지(26) 중 하나를 도시하고 있다. 다른 힌지는 도 2에 도시되어 있지 않다. 상기 다른 힌지는 상기 챔버의 일부분에 상기 림의 맞은편에 상기 공정챔버(12)가 고정되어 있는 것이 도 2에 분명하지 않지만 도시되어 있다. 도 2 및 도 7의 비교에 의해 상기 만곡가능림(24)은 공기압상승암메커니즘(28, pneumatic lift arm mechanism)의 작동에 의해 경사위치 및 비경사위치 사이에 이동된다. 특히 상기 공기압상승암메커니즘(28)은 피보팅클레비스마운트(pivoting clevis mount)와 함께 공기압실린더를 이중작동한다. 상기 공기압실린더의 벤더(vendor)와 같은 자석센서는 상기 두 개의 위치를 표기하도록 이용되는데 즉, 상기 실린더의 상기 상승 및 하강한 위치이다. 상기 실린더의 양 위치는 기계적 강제종료에 의해 한정된다. 상술한 것에 의해 상기 만곡가능림(24) 및 작동기계는 간단하게 구성되고 보다 신뢰성이 있으며 보다 낮은 유지작동을 한다.

상기 공정챔버(12)는 도 2 및 도 7에 도시된 피보팅암 또는 스윙암(32)을 포함할 수 있다. 상기 피보팅암(32)은 두 개의 말단위치 사이에 스위핑 작동에서 움직이는 것이 바람직하다. 상기 움직임은 50와트의 야스카와 모터(Yaskawa motor) 및 고조파(harmonic) 기어감소조합에 의해 영향을 받는다. 상기 고조파 기어감소조합은 50:1이다. 공기압상승암메커니즘(28)에 의해 상기 피보팅 또는 스윙암(32)의 이동말단은 강제종료에 의해 한정된다. 원위치는 상기 두 개의 강제종료 중 하나에 마주하는 상기 피보팅암을 등록하는 것에 의해 성립된다. 상기 야스카와모터의 증분 및 절대 암호기는 다른 위치를 한정하도록 이용되고 상기 피보팅암(32)의 원위치에 관련된다.

상기 피보팅암(32)은 상기 웨이퍼(14)에 공정유체의 전송을 용이하게 한다. 상기 실시예에서 상기 피보팅암(32)은 제 1 위치로부터 제 2위치로 이동가능하다. 상기 피보팅암(32)의 제 1위치는 도 7에 도시되어 있다. 상기 제 1위치에서 상기 피보팅암은 상기 웨이퍼(14)로 상기 공정유체의 전송을 위한 상기 웨이퍼의 상부에 위치된다.

도 7에 도시된 바와 같이, 상기 피보팅암(32)은 두 개의 튜브(34, 36)를 포함 한다. 가스 또는 액체는 제조자의 공정요구에 의해 상기 튜브(34, 36)를 통해 분배된다. 반면, 튜브(34)는 용이하고 질소 또는 질소 및 이소프로필알코올의 혼합의 상기 웨이퍼에 전송하도록 한다. 종래의 밸브(도시되지 않음)는 상기 각각의 튜브(34, 36)에 가스 및 액체의 전송을 제어하도록 이용된다.

상기 피보팅암(32)의 제 2위치는 도 2에 도시된다. 상기 제 2위치에서 상기 피보팅암(32)은 상기 웨이퍼(14)의 측면 및 상기 만곡가능림(24)의 상부에 위치된다. 상기 제 2위치에서 상기 피보팅암의 말단은 드립캐치트레이(38, drip catch tray)를 초과한다. 상기 드립캐치트레이(38)는 상기 피보팅암(32)의 말단에 두 개의 노즐 팁으로부터 드립되는 액체를 수집한다. 상기 드립캐치트레이(38)는 상기 종래의 밸브 및 노즐팁 사이의 증류수를 수집 또는 제거를 용이하게 하고 때때로 튜브(32)로 부터 세척되어야만 한다. 상기 드립캐치트레이(38)는 이격하여 배열하고 폐수를 흘려보내기 위한 수단에 연결된다. 상기 드립캐치트레이(38)는 채널(44)로 제공된다.

상기 만곡가능림(24)과 연결된 피보팅암(32)의 이용 또는 스윙암은 많은 바람직한 효과들을 구비하고 있다. 상기 피보팅암은 스위핑작동에서 제 2위치로부터 제 1위치로 이동하고 상기 스피닝웨이퍼의 표면을 가로지르는데 상기 웨이퍼(14)의 전체표면을 사실상 영향을 미치고 접촉하는 유체가 상기 피보팅암으로부터 방출된다. 따라서 상기 피보팅암(32)은 상기 스피닝웨이퍼(14)의 전체표면에 증류수의 직접분무를 허용한다. 상술한 것은 강화된 상기 웨이퍼(14)의 세척을 제공한다. 물론, 상기 피보팅암(32)은 질소, 이소프로필알콜 및 다른 액체 또는 가스를 상기 웨이퍼(14)의 전체표면에 분무하도록 이용될 수 있다.

상기 공정챔버(12)는 상향 위치되는 덮개(40)를 포함한다. 상술한 바와 같이 상기 덮개(40)는 상기 만곡기능림(24) 하측에 위치되지만 상기 데크(19) 상측에 위치되는 것이 도 1B 및 도 3에 도시되어 있다. 상기 덮개(24)는 상기 페리미터(perimeter) 및 상기 웨이퍼(14)의 제 1측면을 가로질러 기류를 보다 높고 보다 효율적으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 덮개(40)는 상기 웨이퍼(14)를 처리하도록 이용되는 화학물질의 증기가 상기 공정챔버 내에서 유지되도록 한다. 공기를 건조시켜 상기 헤파필터(13)를 통해 도 1, 도1a 및 도 1b에 도시된 상기 유닛에 유입시킨다. 상기 웨이퍼(14)를 통과하고 상기 덮개(40)의 상부로 유입된다. 공기는 상기 덮개(40)의 하측으로부터 방사 되고 도 1 및 도 1b에 도시된 네개의 방사 통풍구를 통해 하측연속적으로 방사된다. 상기 네 개의 방사통풍구(17)의 잔류부는 상기 덮개(40)의 상기 베이스(21)에서 플랜지(flange)에 의해 감싸진다.

도 5에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 채널(44)은 상기 만곡가능림(24) 내에 위치된다. 바람직한 실시예는 세 개의 채널을 포함하고 상기 세 개의 채널(44) 중 두 개가 도 5에 도시되어 있다. 웨이퍼(14)가 상기 표면 또는 제 1측면(42)으로 부터 헹굼액 및 먼지 또는 오물을 제거하기 위한 공정을 하는 동안 스펀(spun) 되고 상기 물 및 혼입된 입자는 원심력에 의해 상기 림(24)의 외측 및 상기 림을 향해 이동된다. 상기 채널(44)은 상기 유체를 상기 웨이퍼의 제 1측면(42)으로부터 상기 공정챔버의 외측으로 수집 및 전송된다. 상술한 방법에 의해 상기 채널(44) 및 만곡가능림(24)은 상기 공정챔버(12)의 하측에 도달하는 유체를 감소하기 위하여 결합한다.

상기 채널(44) 내에 수집되는 많은 상기 유체는 유연한 배수호스피팅(46, drain hose fitting)을 통해 상기 공정챔버(12)로 부터 제거된다. 상기 유연한 배수호스피팅(46)은 도 3에 잘 도시되어 있다. 상기 채널(44) 내에 연결된 상기 유체 중 일부는 상기 회전자부품(22)의 수단에 의해 상기 웨이퍼(14)의 헹굼 및 스핀건조하는 동안 상기 호스피팅(46)을 통해 제거된다. 상기 채널(44)에서의 상기 유체의 잔여물은 상기 로봇말단효과기(18)에 의해 처리된 웨이퍼(14)를 제거하는 동안 방출된다. 특히 도 3에 도시된 바와 같이 상기 만곡가능림(24)은 비경사위치로 부터 경사위치로 이동되는데 상기 채널(44) 내에 잔류하는 유체는 상기 림(24)의 가장낮은 지점을 향해 이동되는데 즉, 상기 유연한 배수호스피팅(46)을 향해서이다. 모든 유체, 상기 유연한 배수호스피팅(46)의 외부로 배수되는 것은 원격위치로 방출된다.

상술한 바에 의하면 공기는 공정챔버를 통해 배출되는데 상기 웨이퍼(14)를 건조하기 위한 공정챔버이다. 상기 건조된 공기가 상기 공정챔버(12) 하측 부근에 형성된 진공상태의 발생에 의해서 상기 공정챔버(12)로 유입된다. 진공상태의 결과로 공기는 상기 공정챔버(12)의 상단 주변, 상기 웨이퍼(14) 전체로부터 유출되고 상기 챔버(12)의 하측을 통해 하강한다.

배기부(48)는 상기 만곡가능림(24)에서 제공된다. 특히 상기 배기부(48)는 상기 만곡가능림(24) 내에 형성되거나 위치된다. 도 3, 도 8, 도 9에는 배기부(48) 중에 하나가 도시되어 있고 배기부(48)는 도 10에 도시되어 있다. 각각의 배기부(48)는 상부말단(50)을 포함한다.

도 8은 상기 경사위치에서 상기 만곡가능림(24)을 도시하고 있다. 그럼에도 불구하고 도 8에서는 상기 만곡가능림이 비경사위치에 위치될 때 상기 회전자부품(20) 및 웨이퍼(14)가 상기 공정챔버(12)의 상단부에 위치되는 것이 도 8에 도시되어 있고, 상기 배기부(48)의 상기 상부말단(50)은 상기 웨이퍼(14)의 수평면 하측에 위치된다.

상기 공정챔버는 한 쌍의 배기관(52)을 포함한다. 각각의 상기 배기관(52)은 단일 배기부(48)와 연결된다. 상기 배기관(52) 중 하나 및 배기부(48)와 연결된 형상이 도 8 및 도 9에 도시되어 있다.

도 8에 도시된 바와 같이 상기 만곡가능림(24)이 경사부에 위치되면 상기 배 기부(48)는 상기 배기관(52)으로부터 분리된다. 반면, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 만곡가능림(24)이 비경사위치에 위치되면 상기 배기부(48)는 밀봉적으로 상기 배기관(52)과 결합된다. 공기를 건조하는 부위는 상기 배기부(48)에 유입되는 상기 웨이퍼(14) 전반을 통과하고 상기 공정챔버(12)로부터 방출하기 위한 배기관(12)으로 유입된다.

처리과정을 반복하는 동안 상기 액체의 비교적 작은 부분은 상기 배기부(48) 및 배기관(52)을 향해 전송되는 상기 웨이퍼(14)를 헹굼 하기 위한 상기 피보팅암(32)으로부터 방출한다. 상기 액체는 원자화된 증기를 형성하기 위한 공기로 유입된다. 상기 원자화된 증기는 상기 배기부(48) 및 상기 배기관(52)을 통해 상기 만곡가능림(24)을 이탈한다. 상기 원자화된 증기는 상기 공정챔버(12)의 외부로 이동된다. 상기 웨이퍼 근처로부터 건조된 공기 및 액체를 제거하는 공정이 진행되는 것에 의해 상기 덮개, 배기부(48) 및 배기관(52)은 함께 상기 웨이퍼(14)의 건조된 공기를 직접 보다 효율적으로 조합한다. 상술한 경우 상기 덮개, 배기부(48) 및 배기관(52)은 먼지, 오물, 금속 및 제조 화학물질의 미세입자가 상기 웨이퍼(14)의 표면에 잔류하는 것을 감소하기 위하여 조합된다. 따라서, 마이크로전자공학장치는 손상된다.

도시된 바와 같이 상기 공정챔버(12)는 엘리베이터 또는 상승/회전 작동기(54)에 의해 작동된다. 도 4에 도시된 바와 같이 상기 상승/회전 작동기(54)는 상기 공정챔버(12)의 상부로부터 도 6에 도시된 상기 공정챔버의 하부로 상기 웨이퍼(14)를 이동할 수 있다.

상기 웨이퍼(14)를 상기 상부로부터 상기 하부로 이동하는 것에 의해 상기 상승/회전 작동기(54)는 상기 웨이퍼(14)를 동시에 전도하고 상기 회전자(20)는 고정된다. 특히, 상기 상승/회전 작동기(54)는 상기 웨이퍼(14)를 상기 상부의 위치로부터 이동하는데 상기 웨이퍼(14)의 상기 제 1측면(42)은 도 6에 도시된 하측에 마주한다.

상기 하부에서 상기 하부지향 웨이퍼(14)는 공정단계일 수 있는데 이를테면 공정을 통하거나 액체에 담금질하거나 유체스프레이로 처리한다. 상기 상승/회전 작동기(54)가 상기 공정챔버(12)의 상부로 상기 웨이퍼(14)를 돌려놓은 후에 상기 제 1측면(42)은 상부에 마주하고 상기 처리된 웨이퍼(14)는 헹굼, 건조 및 상기 공정챔버(12)로부터 제거된다.

따라서, 본 발명은 공정 반도체웨이퍼를 위한 시스템(10)의 데크(19)로 제거할 수 있는 보증을 위한 부착이다. 상기 부착은 상기 만곡가능림(24)을 포함하는데 상기 비경사위치로부터 경사위치로 만곡된다. 상술한 바와 같이 상기 만곡가능림(24)은 웨이퍼(14)가 상기 시스템(10)으로 부터 로드 및 언로드되는 것을 허용하고 상기 림은 경사위치에 위치된다. 본 발명은 상기 데크(19)로 상기 만곡가능한림(24)을 고정하기 위해 지지수단하는 것을 포함한다. 바람직하게 상기 지지수단은 덮개(40)이다.

본 발명의 공정을 재생하는 것은 상술한 바와 같은 구성요소를 이용하고 상기 공정은 공정챔버(12) 내의 반도체웨이퍼(14)의 처리를 포함한다. 상기 공정은 몇 가지 단계를 포함한다. 제 1단계, 도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이 상기 공 정챔버(12)의 상부에서 만곡가능한림(24)은 상기 비경사위치로부터 도 2 및 도 3에 도시된 상기 경사위치로 만곡된다. 상기 림(24)의 만곡은 상기 공정챔버(12)의 전면을 개방한다.

제 2단계, 반도체웨이퍼(14)는 상기 공정챔버(12) 내에 위치된 회전자(20)에 삽입된다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(14)는 로봇암(16) 및 로봇말단효과기(18)에 의해 상기 회전자(20)에 삽입되는 것이 바람직하다. 삽입하는 것에 의해 상기 웨이퍼(14)의 제 1측면(42)은 상부에 마주한다. 상기 회전자(20)의 시작위치에 도 2 및 도 3에 도시된 상기 웨이퍼는 상기 공정챔버(12)의 상부에 위치된다. 상기 만곡가능림(24)은 상기 비경사위치로 복귀되고 상기 공정챔버(12)를 폐쇄한다. 상기 지점에서 상기 웨이퍼는 선택적인 공정단계일 수 있다. 다음으로 상기 웨이퍼(14) 및 회전자(20)는 상기 공정챔버(12)의 상부로부터 상기 공정챔버(12)의 하부로 하강한다. 상기 웨이퍼(14)는 도 5 및 도 6에 도시된 상기 챔버(12)의 하부에 도시되어 있다. 상기 상승/회전 작동기(54)가 상기 회전자를 상기 공정챔버(12)의 하부로 이동하는 것에 의해 상기 웨이퍼(14)는 동시에 반전된다. 본 발명에 의해 상기 웨이퍼(14)의 상기 제 1측면은 하부에 마주한다.

상기 웨이퍼(14)가 상기 하부 내에 반전되고 위치될 때 다른 공정단계일 수 있는데 이를테면 화학공정단계이다. 상기 웨이퍼(14)가 처리된 후 상기 상승/회전 작동기(54)는 상기 웨이퍼(14)가 상기 상부로 복귀하고 상기 웨이퍼(14)의 제 1측면(42)이 시작위치로 복귀하고 상기 제 1측면(42)이 상부와 마주한다. 상기 웨이퍼(14)는 다른 공정단계이기 쉬운데 화학공정, 헹굼 및/또는 건조를 포함하는 것에 한정하지는 않는다.

끝으로 상기 만곡가능림(24)은 상기 경사위치로 복귀된다. 도 3에 도시된 바와 같이 상기 경사위치일 때 유체는 상기 유연한 배수호스피팅(46)에 직접 상기 채널(44) 내에 수집되고 상기 공정챔버(12)로 부터 방출된다. 상기 경사위치에서 상기 림과 상기 로봇암(16)은 상기 공정챔버(12)로부터 상기 웨이퍼(14)를 제거한다.

따라서, 본 발명은 기계적으로 단순한 구조를 구비하는 만곡가능한림, 잠재적으로 높은 신뢰성 및 마이크로전자공학장치의 생산에 효율성의 향상을 가져온다.

덮개 및 배기부의 이용은 상기 챔버(12) 내에서 화학증기의 유지를 증가할 수 있고 마이크로전자공학장치를 생산하도록 이용되는 상기 웨이퍼(14)를 통해 건조된 공기를 직접 보다 효율적으로 공급할 수 있고 마이크로전자공학장치의 표면에 잔류하는 먼지, 오물, 금속 및 제조화학물질의 미세입자를 감소할 수 있다.

Claims (17)

1. 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버에 있어서,

   (a) 웨이퍼를 수신 및/또는 처리하는 상기 공정챔버내의 적어도 하나의 회전자; 및

   (b) 비경사위치로부터 경사위치로 만곡되고 경사위치에 위치될 때 상기 공정챔버로 부터 로딩 및 언로딩되는 웨이퍼를 허용하는 상기 공정챔버의 상단에서 만곡가능림; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버.
2. 제 1항에 있어서,

   공정 유체를 상기 웨이퍼로 공정유체를 전송하기 위한 상기 웨이퍼의 상부에 위치되는 상기 암의 제 1 위치로부터 상기 웨이퍼의 측면에 위치되는 암의 제 2위치로 이동가능한 피보팅암을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 만곡가능한림 하부에 상기 공정챔버의 일부를 둘러싸고 상단에 위치되는 덮개를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 만곡가능한림 내에 위치되는 배기부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 배기부는 상부말단을 더 포함하고 상기 배기부의 상부말단은 상기 웨이퍼가 상기 공정챔버의 상부에 위치될 때 상기 웨이퍼의 수평면 아래에 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 만곡가능림 내에 위치되는 적어도 하나의 채널을 포함하고 상기 채널은 유체를 처리하는 웨이퍼를 수집 및/또는 전송하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버.
7. 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버에 있어서,

   (a) 웨이퍼를 수용 및/또는 처리 하는 상기 공정챔버 내의 적어도 하나의 회전자; 및

   (b) 상기 공정챔버를 둘러싸고 상기 만곡가능림 하측에 상기 공정챔버의 일부를 감싸는 덮개; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버.
8. 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버에 있어서,

   (a) 웨이퍼를 수용 및/또는 처리하는 상기 공정챔버 내의 적어도 하나의 회전자; 및

   (b) 비경사위치로부터 경사위치로 만곡되고 상기 경사위치에 위치될 때 상기 공정챔버로 부터 로딩 및 언로딩되는 웨이퍼를 허용하는 상기 공정챔버의 상부위치하는 만곡가능림; 및

   (c) 상기 만곡가능림 하측에 상기 공정챔버의 일부를 감싸는 덮개; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 공정을 위한 공정챔버.
9. 공정챔버 내의 반도체 웨이퍼 처리공정에 있어서,

   비경사위치로 부터 경사위치로 공정챔버의 상측에서 만곡가능림을 만곡하는 단계;

   상기 공정챔버 내에 위치된 회전자에 웨이퍼를 삽입하는 단계;

   상기 공정챔버 내의 상기 웨이퍼를 적어도 하나의 공정단계를 검사하는 단계; 및

   상기 웨이퍼를 상기 공정챔버로부터 제거하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 공정챔버 내의 반도체 웨이퍼 처리공정.
10. 공정챔버 내의 반도체 웨이퍼 처리공정에 있어서,

    (a) 비경사위치로부터 경사위치로 상기 공정챔버의 상단의 만곡가능림을 만 곡하는 단계;

    (b) 상기 공정챔버 내에 위치되는 회전자에 웨이퍼를 삽입하는 단계;

    (c) 상기 공정챔버의 상부로부터 상기 공정챔버의 하부로 상기 웨이퍼를 하강하는 단계;

    (d) 상기 하부 내의 상기 웨이퍼를 적어도 하나의 공정단계를 검사하는 단계

    (e) 상기 웨이퍼를 상기 상부로 복귀하는 단계;

    (f) 상기 웨이퍼를 건조하는 단계; 및

    (g) 상기 웨이퍼를 상기 공정챔버로부터 제거하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 공정챔버 내의 반도체 웨이퍼 처리공정.
11. 반도체 웨이퍼의 적어도 제 1측면에서 공정을 위한 공정챔버에 있어서,

    (a) 웨이퍼를 수용 및 처리하고 상기 웨이퍼 상부의 제 1측면을 고정하는 적어도 하나의 회전자;

    (b) 비경사위치로부터 경사위치로 만곡 되고, 웨이퍼를 상기 림이 경사위치에 위치할 때 상기 공정챔버로부터 로딩 및 언로딩하는 만곡가능림;

    (c) 상기 웨이퍼의 제 1측면을 하측에 마주하는 위치로 반전하고 상기 웨이퍼를 상기 공정챔버의 상부로부터 하부로 이동하는 반전 및 이동장치;

    (d) 상기 웨이퍼의 제 1측면이 하측에 마주하고 상기 공정챔버의 하부에 위치될 때 상기 웨이퍼를 처리하는 단계;

    (e) 상기 공정챔버의 상부 및 상부와 마주하는 상기 웨이퍼의 제 1측면의 위 치로 상기 웨이퍼를 복귀하는 상기 웨이퍼를 반전 및 이동장치; 및

    (f) 상기 공정챔버로부터 상기 처리된 웨이퍼를 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 적어도 제 1측면에서 공정을 위한 공정챔버.
12. 제 11항에 있어서,

    상기 만곡가능림 하측에 상기 공정챔버의 일부를 감싸는 덮개를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 적어도 제 1측면에서 공정을 위한 공정챔버.
13. 공정챔버 내의 반도체웨이퍼의 처리를 위한 공정에 있어서,

    (a) 상기 공정챔버를 개방하기 위하여 상기 공정챔버를 비경사위치로부터 경사위치로 상기 공정챔버의 상측의 만곡가능림을 만곡하는 단계;

    (b) 상기 웨이퍼의 제 1측면이 상측에 마주하는 것에 의해 상기 공정챔버 내에 위치되는 회전자에 웨이퍼를 삽입하는 단계; 및

    (c) 상기 웨이퍼를 상기 공정챔버의 상부로 부터 상기 공정챔버의 하부로 하강하고 상기 웨이퍼의 제 1측면이 하측에 마주하는 것에 의해 상기 웨이퍼를 반전하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공정챔버 내의 반도체웨이퍼의 처리를 위한 공정.
14. 복수의 공정챔버를 포함하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 시스템에 있어서,

    (a) 웨이퍼를 수용 및/또는 처리하는 상기 공정챔버내의 적어도 하나의 회전 자; 및

    (b) 비경사위치로부터 경사위치로 만곡되고 경사위치에 위치될 때 상기 공정챔버로부터 웨이퍼가 로딩 및 언로딩되는 것을 허용하는 상기 공정챔버 상측의 만곡가능림; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 시스템.
15. 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 공정챔버에 있어서,

    (a) 웨이퍼를 수용 및/또는 처리하기 위한 상기 공정챔버내의 적어도 하나의 회전자; 및

    (b) 비경사위치로부터 경사위치로 만곡하고 경사위치에 위치될 때 상기 공정챔버로부터 웨이퍼가 로딩 및 언로딩되는 것을 허용하는 상기 공정챔버 상측의 만곡가능림; 및

    (c) 공정 유체를 상기 웨이퍼로 전송하기 위한 상기 웨이퍼 상에 위치되는 제 1측면으로부터 상기 웨이퍼의 측면에 위치되는 제 2위치로 이동가능한 피보팅암; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 공정챔버.
16. 공정 반도체웨이퍼를 위한 시스템의 데크에 제거가능한 부착에 있어서,

    (a) 비경사위치로부터 경사위치로 만곡되고 공정반도체웨이퍼를 위한 상기 시스템으로부터 경사위치에 위치될 때 로딩 및 언로딩되는 것을 허용하는 만곡가능림; 및

    (b) 상기 만곡가능림을 상기 데크로 고정하기 위한 지지수단; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 반도체웨이퍼를 위한 시스템의 데크에 제거가능한 부착.
17. 제 16항에 있어서,

    상기 지지수단은 덮개인 것을 특징으로 하는 공정 반도체웨이퍼를 위한 시스템의 데크에 제거가능한 부착.

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