JP4622275B2 - 不純物導入方法 - Google Patents
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Ext. Abstr. of IWJT, pp23−26, Tokyo(2002) Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, pp53−54, Kyoto(2003) Ext. Abstr. of IWJT, pp31−34, Tokyo(2002) Ext. Abstr. of IWJT, pp27−28, Tokyo(2002) 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings, pp.175−177(2000)
このような構成により、安価な大気圧プラズマ処理装置(または大気圧近傍で動作するプラズマ処理装置)を利用するため、高価なイオン注入装置が不要となり、安価に不純物導入を行うことが可能となる。
以下、本発明の第1実施形態について、図1を参照して説明する。
以下、本発明の第2実施形態について、図1を参照して説明する。
以下、本発明の第3実施形態について、図1を参照して説明する。
以下、本発明の第4実施形態について、図1を参照して説明する。
以下、本発明の第5実施形態について、図2を参照して説明する。
以下、本発明の第6実施形態について、図3を参照して説明する。
2 基板
3 対向電極
4 シャワー電極
5 シャワープレート
6 シャワー穴
7 ガス供給装置
8 配管
9 ガス溜まり
10 高周波電源
G ギャップ
Claims (2)
- 基板の表面をアモルファス状態とするアモルファス化プラズマ照射を行う工程と、前記基板に浅い接合を形成すべく不純物をプラズマドーピングする工程と、前記基板の表面を活性化すべくアニールする工程とを含む不純物導入方法であって、
アモルファス化プラズマ照射を行う工程において、0.5気圧以上1.5気圧以下の圧力下で生成されたヘリウムガスのプラズマを基板の表面に照射すること
を特徴とする不純物導入方法。 - 前記ヘリウムガスのプラズマを基板の表面に照射する際に、基板を載置する基板電極と、基板に対向する対向電極間に高周波電力を供給すること
を特徴とする請求項1記載の不純物導入方法。
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