JP4612605B2 - コンタクトプローブの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、コンタクトプローブの製造方法に関する。

図１３は、従来のコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図１３（ａ）〜図１３（ｊ）は従来のコンタクトプローブの製造方法における各工程を示す図である。

従来のコンタクトプローブの製造方法は、コンタクトピンの先端部にバンプが形成されたコンタクトプローブを製造するための製造方法であって、ステンレス製の金属板からなる基板層９１０にバンプに対応する形状の凹部９１２を形成する凹部形成工程（図１３（ａ）及び図１３（ｂ）参照。）と、基板層９１０上に銅からなる第１金属層９５０を形成する第１金属層形成工程（図１３（ｃ）参照。）と、第１金属層９５０上にフォトレジスト層９２０を形成し、フォトマスクを施して露光・現像することにより、フォトレジスト層９２０に金属配線パターンに対応する形状の溝９２２を形成する溝形成工程（図１３（ｄ）及び図１３（ｅ）参照。）と、メッキ処理により、溝９２２を覆うように第２金属層９３０を形成するメッキ処理工程（図１３（ｆ）参照。）と、フォトレジスト層９２０を取り除いた第２金属層９３０の上面に、金属配線パターンのうちコンタクトピンとなる部分以外をカバーするフィルム９４０を接着層９４６を介して被着させるフィルム被着工程（図１３（ｇ）及び図１３（ｈ）参照。）と、フィルム９４０、第２金属層９３０及び第１金属層９５０からなる部分と基板層９１０とを分離する分離工程（図１３（ｉ）参照。）と、フィルム９４０、第２金属層９３０及び第１金属層９５０からなる部分に銅エッチングを施す銅エッチング工程（図示せず。）と、第２金属層９３０（金属配線パターン）の表面に金メッキ層９６０を形成する金メッキ層形成工程（図１３（ｊ）参照。）とをこの順序で含む。フィルム９４０は、上層が銅などからなる金属フィルム９４２であり、下層がポリイミド樹脂などからなる樹脂フィルム９４４である。

このため、従来のコンタクトプローブの製造方法によれば、上記した凹部形成工程を含んでいるため、コンタクトピンの先端部にバンプ９３４が形成されたコンタクトプローブを製造することが可能となる。このため、コンタクトプローブのバンプ９３４が測定対象装置のパッド等に良好に食い込むようになり、測定対象装置のパッド等に対するコンタクト性を向上することが可能となる。

特開平１０−１４２２５９号公報

しかしながら、従来のコンタクトプローブの製造方法においては、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するためには、凹部形成工程で形成した凹部の位置に合わせてフォトマスクを精度良く配置する必要があるため、フォトマスクの位置合わせ作業が煩雑で、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となるという問題がある。また、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのも容易ではないという問題がある。

また、従来のコンタクトプローブの製造方法においては、図１３（ｈ）に示すように、第２金属層９３０の上面にフィルム９４０を被着させる際にはフォトレジスト層９２０が取り除かれているため、金属配線パターン（第２金属層９３０）が傾いた状態でフィルム９４０に被着される場合があり、コンタクトプローブの信頼性が低下するという問題がある。

そこで、本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性が低下するのを抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的とする。

（１）本発明のコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、金属基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層にレーザ光を照射して前記金属配線パターンに対応する形状の溝を前記金属基板に至るように形成する溝形成工程と、前記金属基板における溝形成部分にレーザ光又はイオンビームを照射して前記バンプに対応する形状の凹部を形成する凹部形成工程と、電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記バンプ付きの前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で含むことを特徴とする。

このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成した後にバンプに対応する形状の凹部を形成することとしているため、従来のコンタクトプローブの製造方法のようにフォトマスクの位置合わせ作業を行う必要もなく、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業を従来よりも容易に行うことが可能となる。

また、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、溝の位置に合わせて凹部を形成することが可能であるため、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易となる。

また、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターンの間に樹脂層が残っている状態で樹脂基材形成工程を行うこととしているため、樹脂基材形成工程において金属配線パターンが傾いてしまうこともなくなり、コンタクトプローブの信頼性が低下するのを抑制することが可能となる。

したがって、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。

ところで、従来のコンタクトプローブの製造方法においては、金属配線パターンに対応する形状の開口部を有するフォトマスクを予め準備することで、当該開口部と同じ形状、すなわち、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成することとしている。このことは、金属配線パターンを形成する際のパターン形成の自由度がそれほど高くないことを意味している。
これに対し、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、樹脂層にレーザ光を照射して金属配線パターンに対応する形状の溝を形成することとしているため、金属配線パターンを形成する際のパターン形成の自由度が比較的高いという効果がある。

また、従来のコンタクトプローブの製造方法においては、凹部９１２が形成された基板層９１０上に第１金属層９５０を形成し、さらにその上にフォトレジスト層９２０を形成して当該フォトレジスト層９２０に溝９２２を形成することとしている。この場合、金属配線パターンが形成された側の部分（フィルム９４０、第２金属層９３０及び第１金属層９５０からなる部分）と基板層９１０とを分離した後に、第１金属層９５０を除去する工程を行う必要がある。
これに対し、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属基板上に樹脂層を形成し、樹脂層に溝を形成して金属基板に凹部を形成することとしている。つまり、従来のコンタクトプローブの製造方法の場合のような第１金属層に当たるものを金属基板上に形成していないため、従来のように第１金属層を除去する工程を行う必要がなくなり、工程数を少なくすることが可能となる。

なお、凹部形成工程を行った後の溝や凹部に、レーザ加工による加工残渣が残る場合がある。したがって、本発明のコンタクトプローブの製造方法においては、凹部形成工程と金属配線パターン形成工程との間に、溝及び凹部を洗浄する洗浄工程をさらに含むことが好ましい。
このような方法とすることにより、溝や凹部に残る加工残渣を除去することが可能となるため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
溝や凹部を洗浄する手段としては、アルコール洗浄や超音波洗浄などを用いることが好ましい。

（２）上記（１）に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、紫外線レーザ加工装置を用いて前記溝形成工程を行うことが好ましい。

紫外線レーザ加工装置は、レーザ加工時における熱の発生が比較的少ないという特徴を有する。このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、紫外線レーザ加工装置を用いて溝形成工程を行うこととしているため、精密に溝を形成することが可能となり、精密な金属配線パターンを形成することが可能となる。

（３）上記（１）又は（２）に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、フェムト秒レーザ加工装置を用いて前記凹部形成工程を行うことが好ましい。

フェムト秒レーザ加工装置は、比較的容易に金属を加工することができ、レーザ加工時における熱の発生が紫外線レーザ加工装置よりもさらに少ないという特徴を有する。このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、フェムト秒レーザ加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしているため、精密な凹部を比較的容易に形成することが可能となり、精密なバンプを比較的容易に形成することが可能となる。

（４）上記（１）又は（２）に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、集束性イオンビーム加工装置を用いて前記凹部形成工程を行うことが好ましい。

集束性イオンビーム加工装置は、比較的容易に金属を加工することができ、イオンビームのスポット径を小さくすることでレーザ加工装置よりも精密な加工を行うことができるという特徴を有する。このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、集束性イオンビーム加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしているため、精密な凹部を比較的容易に形成することが可能となり、精密なバンプを比較的容易に形成することが可能となる。

（５）上記（３）又は（４）に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記紫外線レーザ加工装置及び前記フェムト秒レーザ加工装置又は前記集束性イオンビーム加工装置を備える複合加工装置を準備しておき、前記複合加工装置を用いて、前記溝形成工程と前記凹部形成工程とを連続して行うことが好ましい。

このような方法とすることにより、加工対象となる部品を装置から出し入れする手間を省略することが可能となる。
また、加工対象となる部品を複合加工装置内の移動台に位置調整して配置してしまえば、その後は、加工対象となる部品を移動台から取り外すことなく溝形成工程及び凹部形成工程を連続して実施することが可能となるため、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となる。

（６）上記（１）〜（５）のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記樹脂基材形成工程においては、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に樹脂基材を圧着することにより前記樹脂基材を形成することが好ましい。

このような方法とすることにより、比較的簡単な操作で樹脂基材を金属配線パターンに良好に被着させることが可能となる。

（７）上記（１）〜（５）のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記樹脂基材形成工程においては、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に樹脂を塗布してその後固化させることにより前記樹脂基材を形成することが好ましい。

このような方法とすることによっても、樹脂基材を金属配線パターンに良好に被着させることが可能となる。

（８）上記（１）〜（７）のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記金属配線転写工程においては、前記金属基板に前記樹脂層を残したまま、前記樹脂基材上に前記金属配線パターンのみを転写することが好ましい。

このような方法とすることにより、樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造することが可能となる。
また、上記のような方法とすることにより、金属基板上には金属配線パターンに対応する形状の溝がそのままの形で残ることとなるため、金属配線パターンに対応する形状の溝が形成された金属基板を再び使用することが可能となり、製造コストの低減化を図ることが可能となる。

（９）上記（１）〜（７）のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記金属配線転写工程においては、前記樹脂基材上に前記金属配線パターンとともに前記樹脂層をも転写することが好ましい。

このような方法とすることにより、樹脂基材上に樹脂層とバンプ付きの金属配線パターンとが形成されたコンタクトプローブを製造することが可能となる。
また、上記のような方法とすることにより、樹脂基材上における金属配線パターンの強度を高くすることが可能となるため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。

（１０）上記（１）〜（７）のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記金属配線転写工程においては、前記樹脂基材が形成された前記金属基板をエッチング液に浸漬して前記樹脂層を溶解して、前記金属基板と前記金属配線パターンが転写された樹脂基材とを分離することが好ましい。

このような方法とすることにより、金属基板と金属配線パターンが転写された樹脂基材とを分離する際に不要な応力がかかることもないため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。

（１１）上記（８）又は（９）に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記樹脂層形成工程においては、前記金属基板として、第２樹脂基材上に金属層が形成された金属基板又は金属箔からなる金属基板を用いることが好ましい。

第２樹脂基材上に金属層が形成された金属基板又は金属箔からなる金属基板の厚みは比較的薄いものであり、これらの金属基板は柔軟性があるため、上記のような方法とすることにより、金属配線転写工程において金属基板を反らせ易くすることが可能となる。このため、金属配線パターンが形成された樹脂基材側の部分にかかる応力を小さくすることが可能となり、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。

（１２）上記（１１）に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記樹脂基材形成工程と前記金属配線転写工程との間に、前記樹脂基材上に裏打ち層を形成する裏打ち層形成工程をさらに含み、前記金属配線転写工程においては、前記金属基板を反らせることにより前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することが好ましい。

このような方法とすることにより、金属配線パターンが転写された樹脂基材側の部分の機械的強度を高くすることが可能となるため、金属配線パターンが形成された樹脂基材側の部分にかかる応力をさらに小さくすることが可能となり、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。

（１３）上記（１）〜（１２）のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、１枚の金属基板に複数の金属配線パターンを形成して、複数のコンタクトプローブを製造することが好ましい。

このような方法とすることにより、１枚の金属基板から複数のコンタクトプローブを同時に製造することが可能となるため、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となる。

（１４）本発明のコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、上記（８）に記載のコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「前記樹脂基材から分離された前記樹脂層付きの前記金属基板」を出発材料として用い、電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で繰り返すことを特徴とする。

このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターンに対応する形状の溝がそのままの形で残った状態の金属基板を繰り返し使用してコンタクトプローブを製造することができ、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となるとともに製造コストの低減化を図ることが可能となる。

（１５）本発明のコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、上記（９）又は（１０）に記載のコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「前記樹脂基材から分離された前記金属基板」を出発材料として用い、前記金属基板を研磨する金属基板研磨工程と、前記金属基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層にレーザ光を照射して前記金属配線パターンに対応する形状の溝を前記金属基板に至るように形成する溝形成工程と、前記金属基板における溝形成部分にレーザ光又はイオンビームを照射して前記バンプに対応する形状の凹部を形成する凹部形成工程と、電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で繰り返すことを特徴とする。

このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線転写工程を行った後の金属基板について表面を研磨することにより、当該金属基板を再利用することが可能となり、コンタクトプローブを製造する際の省資源化を図ることが可能となる。

以下、本発明のコンタクトプローブの製造方法について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。

〔実施形態１〕
図１は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法によって製造されたコンタクトプローブ１００を説明するために示す図である。図１（ａ）はコンタクトプローブ１００の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面におけるコンタクトプローブ１００の模式図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ断面におけるコンタクトプローブ１００の模式図である。なお、図１（ａ）においては、金属配線パターン１３０の形状を説明するため、金属配線パターン１３０の上側に配置される樹脂基材１４０についての図示を省略している。

図２は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図２（ａ１）〜図２（ｇ１）及び図２（ａ２）〜図２（ｇ２）は実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。なお、図２（ａ１）〜図２（ｇ１）は図１（ｂ）に対応する図であり、図２（ａ２）〜図２（ｇ２）は図１（ｃ）に対応する図である。

図３は、複合加工装置１０を説明するために示す概念図である。なお、図３においては、装置の大きさに対して加工対象となる部品を誇張して大きく図示している。

図４は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図４（ａ）は樹脂層形成工程前の金属基板１１０を示す図であり、図４（ｂ）は金属配線パターン形成工程後の樹脂層１２０及び金属配線パターン１３０を示す図であり、図４（ｃ）は金属配線転写工程後のコンタクトプローブ１００を示す図である。なお、図４（ｃ）においては、樹脂基材１４０の図示を省略している。

実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法は、図１に示すように、樹脂基材１４０上にバンプ１３４付きの金属配線パターン１３０が形成されたコンタクトプローブ１００を製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」が順次実施される。以下、これら各工程について、図２〜図４を用いて説明する。

１．樹脂層形成工程
まず、図２（ａ１）、図２（ａ２）、図２（ｂ１）及び図２（ｂ２）に示すように、金属基板１１０を準備し、金属基板１１０上に樹脂層１２０を形成する。
金属基板１１０としては、例えばチタン又はチタン合金からなる金属基板を好適に用いることができる。金属基板１１０の厚さは、例えば２ｍｍである。
樹脂層１２０に用いる樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂を好適に用いることができる。樹脂層１２０の厚さは、例えば５μｍである。

２．溝形成工程
次に、図２（ｃ１）及び図２（ｃ２）に示すように、紫外線レーザ加工装置を用いて、樹脂層１２０に紫外線レーザ光Ｌ_１を照射して金属配線パターン１３０に対応する形状の溝１２２を金属基板１１０に至るように形成する。

３．凹部形成工程
次に、図２（ｄ１）及び図２（ｄ２）に示すように、集束性イオンビーム加工装置を用いて、金属基板１１０における溝１２２形成部分にイオンビームＩＢをビーム電流が例えば１．２５ｎＡの条件で照射して、バンプ１３４に対応する形状の凹部１１２を形成する。

なお、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、上記溝形成工程及び凹部形成工程で用いる紫外線レーザ加工装置及び集束性イオンビーム加工装置を備える複合加工装置１０を準備しておき、複合加工装置１０を用いて、溝形成工程と凹部形成工程とを連続して行うこととしている。

複合加工装置１０は、図３に示すように、加工対象となる部品を搬入するためのロード室１２と、紫外線レーザ加工装置が内部に配置された紫外線レーザ加工室１４と、集束性イオンビーム加工装置が内部に配置された集束性イオンビーム加工室１６と、加工後の部品を搬出するためのアンロード室１８と、加工対象となる部品が配置され各部屋を移動可能な移動台２０とを備える。

４．金属配線パターン形成工程
次に、図２（ｅ１）及び図２（ｅ２）に示すように、電鋳法によって、凹部１１２及び溝１２２を覆うように金属配線パターン１３０を形成する。
金属配線パターン１３０に用いる金属材料としては、例えばニッケル又はニッケル合金を好適に用いることができる。

５．樹脂基材形成工程
次に、図２（ｆ１）及び図２（ｆ２）に示すように、樹脂層１２０における金属基板１１０とは反対側の表面に樹脂基材１４０を圧着して形成する。
樹脂基材１４０に用いる樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂を好適に用いることができる。

６．金属配線転写工程
そして、図２（ｇ１）及び図２（ｇ２）に示すように、金属基板１１０と樹脂基材１４０とを分離することにより樹脂基材１４０上にバンプ１３４付きの金属配線パターン１３０を転写する。このとき、金属基板１１０に樹脂層１２０を残したまま、樹脂基材１４０上に金属配線パターン１３０のみを転写している。

以上により、樹脂基材１４０上に金属配線パターン１３０が形成され、コンタクトピン１３２の先端部にバンプ１３４が形成されたコンタクトプローブ１００を製造することができる（図１参照。）。

なお、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、図４に示すように、１枚の金属基板１１０に例えば４つの金属配線パターン１３０を形成して、４つのコンタクトプローブ１００を製造することとしている。

このように、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材１４０上にバンプ１３４付きの金属配線パターン１３０が形成されたコンタクトプローブ１００を製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、上述のように、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含む。

このため、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターン１３０に対応する形状の溝１２２を形成した後にバンプ１３４に対応する形状の凹部１１２を形成することとしているため、従来のコンタクトプローブの製造方法のようにフォトマスクの位置合わせ作業を行う必要もなく、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業を従来よりも容易に行うことが可能となる。

また、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、溝１２２の位置に合わせて凹部１１２を形成することが可能であるため、コンタクトピン１３２の先端部にバンプ１３４を精度良く形成するのが容易となる。

また、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターン１３０の間に樹脂層１２０が残っている状態で樹脂基材形成工程を行うこととしているため、樹脂基材形成工程において金属配線パターン１３０が傾いてしまうこともなくなり、コンタクトプローブの信頼性が低下するのを抑制することが可能となる。

したがって、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法は、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。

また、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、樹脂層１２０に紫外線レーザ光Ｌ_１を照射して金属配線パターン１３０に対応する形状の溝１２２を形成することとしているため、金属配線パターンを形成する際のパターン形成の自由度が比較的高いという効果がある。

また、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板１１０上に樹脂層１２０を形成し、樹脂層１２０に溝１２２を形成して金属基板１１０に凹部１１２を形成することとしている。つまり、従来のコンタクトプローブの製造方法の場合のような第１金属層に当たるものを金属基板上に形成していないため、従来のように第１金属層を除去する工程を行う必要がなくなり、工程数を少なくすることが可能となる。

実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、紫外線レーザ加工装置を用いて溝形成工程を行い、集束性イオンビーム加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしている。

紫外線レーザ加工装置は、レーザ加工時における熱の発生が比較的少ないという特徴を有する。このため、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、紫外線レーザ加工装置を用いて溝形成工程を行うこととしているため、精密に溝１２２を形成することが可能となり、精密な金属配線パターン１３０を形成することが可能となる。
また、集束性イオンビーム加工装置は、比較的容易に金属を加工することができ、イオンビームのスポット径を小さくすることでレーザ加工装置よりも精密な加工を行うことができるという特徴を有する。このため、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、集束性イオンビーム加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしているため、精密な凹部１１２を比較的容易に形成することが可能となり、精密なバンプ１３４を比較的容易に形成することが可能となる。

実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、紫外線レーザ加工装置及び集束性イオンビーム加工装置を備える複合加工装置１０を準備しておき、複合加工装置１０を用いて、溝形成工程と前記凹部形成工程とを連続して行うこととしている。これにより、加工対象となる部品を装置から出し入れする手間を省略することが可能となる。また、加工対象となる部品を複合加工装置１０内の移動台２０に位置調整して配置してしまえば、その後は、加工対象となる部品を移動台２０から取り外すことなく溝形成工程及び凹部形成工程を連続して実施することが可能となるため、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となる。

実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、樹脂基材形成工程においては、樹脂層１２０における金属基板１１０とは反対側の表面に樹脂基材１４０を圧着することにより樹脂基材１４０を形成することとしているため、比較的簡単な操作で樹脂基材１４０を金属配線パターン１３０に良好に被着させることが可能となる。

実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属配線転写工程においては、金属基板１１０に樹脂層１２０を残したまま、樹脂基材１４０上に金属配線パターン１３０のみを転写することとしているため、樹脂基材１４０上にバンプ１３４付きの金属配線パターン１３０が形成されたコンタクトプローブ１００を製造することが可能となる。また、金属基板１１０上には金属配線パターン１３０に対応する形状の溝１２２がそのままの形で残ることとなるため、金属配線パターン１３０に対応する形状の溝１２２が形成された金属基板１１０を再び使用することが可能となり、製造コストの低減化を図ることが可能となる。

実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、１枚の金属基板１１０に４つの金属配線パターン１３０を形成して、４つのコンタクトプローブ１００を製造することとしている。これにより、１枚の金属基板１１０から４つのコンタクトプローブ１００を同時に製造することが可能となるため、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となる。

〔実施形態２〕
図５は、実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図５（ａ１）〜図５（ｇ１）及び図５（ａ２）〜図５（ｇ２）は実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。

実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法と同様に、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」をこの順序で含んでいるが、「金属配線転写工程」の内容が、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法の場合とは異なっている。

以下、実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程について説明するが、「１．樹脂層形成工程」〜「５．樹脂基材形成工程」までは、図５（ａ１）〜図５（ｆ１）及び図５（ａ２）〜図５（ｆ２）からもわかるように、実施形態１で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略し、「６．金属配線転写工程」についてのみ説明する。また、図５中に示す金属基板２１０、凹部２１２、樹脂層２２０、溝２２２、金属配線パターン２３０、バンプ２３４及び樹脂基材２４０は、実施形態１で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略する。

６．金属配線転写工程
図５（ｇ１）及び図５（ｇ２）に示すように、金属基板２１０と樹脂基材２４０とを分離することにより樹脂基材２４０上にバンプ２３４付きの金属配線パターン２３０を転写する。このとき、樹脂基材２４０上に金属配線パターン２３０とともに樹脂層２２０をも転写する。

このように、実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法とは、「金属配線転写工程」の内容が異なるが、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法の場合と同様に、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含んでいるため、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。

また、実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属配線転写工程においては、樹脂基材２４０上に金属配線パターン２３０とともに樹脂層２２０をも転写することとしている。これにより、樹脂基材２４０上における金属配線パターン２３０の強度を高くすることが可能となるため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。

実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法においては、「金属配線転写工程」の内容が異なる点以外の点では、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法と同様の工程を含むものであるため、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。

〔実施形態３〕
図６は、実施形態３に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図６（ａ１）〜図６（ｈ１）及び図６（ａ２）〜図６（ｈ２）は実施形態３に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。

実施形態３に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法と同様に、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」をこの順序で含んでいるが、「金属配線転写工程」の内容が、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法の場合とは異なっている。

以下、実施形態３に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程について説明するが、「１．樹脂層形成工程」〜「５．樹脂基材形成工程」までは、図６（ａ１）〜図６（ｆ１）及び図６（ａ２）〜図６（ｆ２）からもわかるように、実施形態１で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略し、「６．金属配線転写工程」についてのみ説明する。また、図６中に示す金属基板３１０、凹部３１２、樹脂層３２０、溝３２２、金属配線パターン３３０、バンプ３３４及び樹脂基材３４０は、実施形態１で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略する。

６．金属配線転写工程
図６（ｇ１）及び図６（ｇ２）に示すように、樹脂基材３４０が形成された金属基板３１０をエッチング液ＥＬに浸漬して樹脂層３２０を溶解する。そして、図６（ｈ１）〜図６（ｈ２）に示すように、金属基板３１０と金属配線パターン３３０が転写された樹脂基材３４０とを分離する。

このように、実施形態３に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法とは、「金属配線転写工程」の内容が異なるが、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法の場合と同様に、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含んでいるため、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。

また、実施形態３に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属配線転写工程においては、金属配線転写工程においては、樹脂基材３４０が形成された金属基板３１０をエッチング液に浸漬して樹脂層３２０を溶解して、金属基板３１０と金属配線パターン３３０が転写された樹脂基材３４０とを分離することとしている。これにより、金属基板３１０と金属配線パターン３３０が転写された樹脂基材３４０とを分離する際に不要な応力がかかることもないため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。

実施形態３に係るコンタクトプローブの製造方法においては、「金属配線転写工程」の内容が異なる点以外の点では、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法と同様の工程を含むものであるため、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。

〔実施形態４〕
図７は、実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図７（ａ１）〜図７（ｈ１）及び図７（ａ２）〜図７（ｈ２）は実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。

実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法と同様に、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」をこの順序で含んでいるが、金属基板の種類及び「裏打ち層形成工程」をさらに含む点が、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法の場合とは異なっている。

すなわち、実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板として、図７（ａ１）及び図７（ａ２）に示すように、第２樹脂基材４１６上に金属層４１８が形成された金属基板４１０を用いている。
第２樹脂基材４１６に用いる樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂を好適に用いることができる。
金属層４１８に用いる金属材料としては、例えばチタン又はチタン合金を好適に用いることができる。

また、実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法においては、樹脂基材形成工程（図７（ｆ１）及び図７（ｆ２）参照。）と金属配線転写工程（図７（ｈ１）及び図７（ｈ２）参照。）との間に、樹脂基材４４０上に裏打ち層４５０を形成する裏打ち層形成工程（図７（ｇ１）及び図７（ｇ２）参照。）をさらに含んでいる。また、金属配線転写工程においては、金属基板４１０を反らせることにより金属基板４１０と樹脂基材４４０とを分離することとしている。

裏打ち層形成工程においては、例えば、Ｎｉ層を電鋳法で形成することにより樹脂基材４４０上に裏打ち層４５０を形成することができる。また、ステンレスなどの金属板を接着することにより樹脂基材４４０上に裏打ち層４５０を形成することができる。裏打ち層４５０の厚さは、例えば１ｍｍである。

なお、実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法における「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」の内容については、図７からもわかるように、実施形態１で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略する。また、図７中に示す凹部４１２、樹脂層４２０、溝４２２、金属配線パターン４３０、バンプ４３４及び樹脂基材４４０は、実施形態１で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略する。

このように、実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法とは、金属基板の種類及び「裏打ち層形成工程」をさらに含む点が異なるが、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法の場合と同様に、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含んでいるため、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。

また、実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板として、第２樹脂基材４１６上に金属層４１８が形成された金属基板４１０を用いている。このような金属基板４１０は厚みが比較的薄いものであり、柔軟性があるため、金属配線転写工程において金属基板４１０を反らせ易くすることが可能となる。このため、金属配線パターン４３０が形成された樹脂基材４４０側の部分にかかる応力を小さくすることが可能となり、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。

また、実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法においては、樹脂基材形成工程と金属配線転写工程との間に、樹脂基材４４０上に裏打ち層４５０を形成する裏打ち層形成工程をさらに含み、金属配線転写工程においては、金属基板４１０を反らせることにより金属基板４１０と樹脂基材４４０とを分離することとしている。これにより、金属配線パターン４３０が転写された樹脂基材４４０側の部分の機械的強度を高くすることが可能となるため、金属配線パターン４３０が形成された樹脂基材４４０側の部分にかかる応力をさらに小さくすることが可能となり、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。

実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板の種類及び「裏打ち層形成工程」をさらに含む点以外の点では、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法と同様の工程を含むものであるため、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。

〔実施形態５〕
図８は、実施形態５に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図８（ａ１）〜図８（ｇ１）及び図８（ａ２）〜図８（ｇ２）は実施形態５に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。

実施形態５に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法と同様に、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」をこの順序で含んでいるが、「凹部形成工程」で用いる装置の種類が、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法の場合とは異なっている。

すなわち、実施形態５に係るコンタクトプローブの製造方法においては、集束性イオンビーム加工装置に代えて、フェムト秒レーザ加工装置を用いている。そして、図８（ｄ２）に示すように、金属基板５１０における溝５２２形成部分にフェムト秒レーザ光Ｌ_２をレーザ出力が例えば２１１ｍＷの条件で照射して、バンプ５３４に対応する形状の凹部５１２を形成する。

このように、実施形態５に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法とは、「凹部形成工程」で用いる装置の種類が異なるが、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法の場合と同様に、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含んでいるため、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。

また、実施形態５に係るコンタクトプローブの製造方法においては、フェムト秒レーザ加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしている。これにより、精密な凹部を比較的容易に形成することが可能となり、精密なバンプを比較的容易に形成することが可能となる。

実施形態５に係るコンタクトプローブの製造方法においては、「凹部形成工程」で用いる装置の種類が異なる点以外の点では、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法と同様の工程を含むものであるため、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。

〔実施形態６〕
図９は、実施形態６に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図９（ａ１）〜図９（ｄ１）及び図９（ａ２）〜図９（ｄ２）は実施形態６に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。図１０は、実施形態６に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示すフローチャートである。なお、図９において、図２と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

実施形態６に係るコンタクトプローブの製造方法は、図９（ａ１）及び図９（ａ２）に示すように、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる樹脂層１２０付きの金属基板１１０を出発材料として用い、図９（ｂ１）及び図９（ｂ２）に示すように、電鋳法によって、凹部１１２及び溝１２２を覆うように金属配線パターン１３０を形成する金属配線パターン形成工程（図１０のステップＳ１４）と、図９（ｃ１）及び図９（ｃ２）に示すように、樹脂層１２０における金属基板１１０とは反対側の表面に樹脂基材１４０を形成する樹脂基材形成工程（図１０のステップＳ１５）と、図９（ｄ１）及び図９（ｄ２）に示すように、金属基板１１０と樹脂基材１４０とを分離することにより樹脂基材１４０上に金属配線パターン１３０を転写する金属配線転写工程（図１０のステップＳ１６）とがこの順序で繰り返し行われる。

なお、実施形態６に係るコンタクトプローブの製造方法における金属配線パターン形成工程（図１０のステップＳ１１）、樹脂基材形成工程（図１０のステップＳ１２）及び金属配線転写工程（図１０のステップＳ１３）の内容は、実施形態１で説明したものと同様であるため、詳細な説明は省略する。

このように、実施形態６に係るコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材１４０上にバンプ１３４付きの金属配線パターン１３０が形成されたコンタクトプローブ１００を製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる樹脂層１２０付きの金属基板１１０を出発材料として用い、上述のように、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で繰り返す。

このため、実施形態６に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターン１３０に対応する形状の溝１２２がそのままの形で残った状態の金属基板１１０を繰り返し使用してコンタクトプローブ１００を製造することができ、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となるとともに製造コストの低減化を図ることが可能となる。

〔実施形態７〕
図１１は、実施形態７に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図１１（ａ１）〜図１１（ｈ１）及び図１１（ａ２）〜図１１（ｈ２）は実施形態７に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。図１２は、実施形態７に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示すフローチャートである。なお、図１１において、図５と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

実施形態７に係るコンタクトプローブの製造方法は、図１１（ａ１）及び図１１（ａ２）に示すように、実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「樹脂基材１４０から分離された金属基板２１０」を出発材料として用い、図１１（ｂ１）及び図１１（ｂ２）に示すように、金属基板２１０を研磨する金属基板研磨工程（図１２のステップＳ２７）と、図１１（ｃ１）及び図１１（ｃ２）に示すように、金属基板２１０上に樹脂層２２０を形成する樹脂層形成工程（図１２のステップＳ２１）と、図１１（ｄ１）及び図１１（ｄ２）に示すように、樹脂層２２０に紫外線レーザ光Ｌ_１を照射して金属配線パターン２３０に対応する形状の溝２２２を金属基板２１０に至るように形成する溝形成工程（図１２のステップＳ２２）と、図１１（ｅ１）及び図１１（ｅ２）に示すように、金属基板２１０における溝２２２形成部分にイオンビームＩＢを照射してバンプ２３４に対応する形状の凹部２１２を形成する凹部形成工程（図１２のステップＳ２３）と、図１１（ｆ１）及び図１１（ｆ２）に示すように、電鋳法によって、凹部２１２及び溝２２２を覆うように金属配線パターン２３０を形成する金属配線パターン形成工程（図１２のステップＳ２４）と、図１１（ｇ１）及び図１１（ｇ２）に示すように、樹脂層２２０における金属基板２１０とは反対側の表面に樹脂基材２４０を形成する樹脂基材形成工程（図１２のステップＳ２５）と、図１１（ｈ１）及び図１１（ｈ２）に示すように、金属基板２１０と樹脂基材２４０とを分離することにより樹脂基材２４０上に金属配線パターン２３０を転写する金属配線転写工程（図１２のステップＳ２６）とがこの順序で繰り返し行われる。

なお、実施形態７に係るコンタクトプローブの製造方法における樹脂層形成工程（図１２のステップＳ２１）、溝形成工程（図１２のステップＳ２２）、凹部形成工程（図１２のステップＳ２３）、金属配線パターン形成工程（図１２のステップＳ２４）、樹脂基材形成工程（図１２のステップＳ２５）及び金属配線転写工程（図１２のステップＳ２６）の内容は、実施形態１及び実施形態２で説明したものと同様であるため、詳細な説明は省略する。

このように、実施形態７に係るコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材２４０上にバンプ２３４付きの金属配線パターン２３０が形成されたコンタクトプローブ２００（図示せず。）を製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「樹脂基材２４０から分離された金属基板２１０」を出発材料として用い、上述のように、金属基板研磨工程と、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で繰り返す。

このため、実施形態７に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線転写工程を行った後の金属基板２１０について表面を研磨することにより、金属基板２１０を再利用することが可能となり、コンタクトプローブを製造する際の省資源化を図ることが可能となる。

以上、本発明のコンタクトプローブの製造方法を上記の各実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。

（１）上記各実施形態に係るコンタクトプローブの製造方法において、樹脂基材形成工程においては、樹脂層における金属基板とは反対側の表面に樹脂基材を圧着することにより樹脂基材を形成することとしているが、本発明はこれに限定するものではない。樹脂基材形成工程においては、樹脂層における金属基板とは反対側の表面に樹脂を塗布してその後固化させることにより樹脂基材を形成することとしてもよい。

（２）上記実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板として、第２樹脂基材上に金属層が形成された金属基板と用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、金属箔からなる金属基板を用いてもよい。

（３）上記各実施形態に係るコンタクトプローブの製造方法においては、凹部形成工程の後に金属配線パターン形成工程を行うこととしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、凹部形成工程と金属配線パターン形成工程との間に、溝及び凹部を洗浄する洗浄工程を行ってもよい。この場合、溝や凹部に残る加工残渣を除去することが可能となるため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。

（４）上記実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法においては、１枚の金属基板から４つのコンタクトプローブを製造する場合を例示して説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、１枚の金属基板に２つ、３つ又は５つ以上の金属配線パターンを形成して、２つ、３つ又は５つ以上のコンタクトプローブを製造してもよい。

実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法によって製造されたコンタクトプローブ１００を説明するために示す図である。 実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。 複合加工装置１０を説明するために示す概念図である。 実施形態１に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。 実施形態２に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。 実施形態３に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。 実施形態４に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。 実施形態５に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。 実施形態６に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。 実施形態６に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示すフローチャートである。 実施形態７に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。 実施形態７に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示すフローチャートである。 従来のコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。

符号の説明

１０…複合加工装置、１２…ロード室、１４…紫外線レーザ加工室、１６…集束性イオンビーム加工室、１８…アンロード室、２０…移動台、１００…コンタクトプローブ、１１０，２１０，３１０，４１０，５１０…金属基板、１１２，２１２，３１２，４１２，５１２…凹部、１２０，２２０，３２０，４２０，５２０…樹脂層、１２２，２２２，３２２，４２２，５２２…溝、１３０，２３０，３３０，４３０，５３０…金属配線パターン、１３２，２３２，３３２，４３２，５３２…コンタクトピン、１３４，２３４，３３４，４３４，５３４…バンプ、１４０，２４０，３４０，４４０，５４０…樹脂基材、４１６…第２樹脂基材、４１８…金属層、４５０…裏打ち層、９１０…基板層、９１２…凹部、９２０…フォトレジスト層、９２２…溝、９３０…第２金属層、９３４…バンプ、９４０…フィルム、９４２…金属フィルム、９４４…樹脂フィルム、９５０…第１金属層、９６０…金メッキ層、ＥＬ…エッチング液、ＩＢ…イオンビーム、Ｌ_１…紫外線レーザ、Ｌ_２…フェムト秒レーザ

Claims (15)

1. 樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、
   金属基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
   前記樹脂層にレーザ光を照射して前記金属配線パターンに対応する形状の溝を前記金属基板に至るように形成する溝形成工程と、
   前記金属基板における溝形成部分にレーザ光又はイオンビームを照射して前記バンプに対応する形状の凹部を形成する凹部形成工程と、
   電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、
   前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、
   前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記バンプ付きの前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で含むことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
2. 請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
   紫外線レーザ加工装置を用いて前記溝形成工程を行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
3. 請求項１又は２に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
   フェムト秒レーザ加工装置を用いて前記凹部形成工程を行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
4. 請求項１又は２に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
   集束性イオンビーム加工装置を用いて前記凹部形成工程を行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
5. 請求項３又は４に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
   前記紫外線レーザ加工装置及び前記フェムト秒レーザ加工装置又は前記集束性イオンビーム加工装置を備える複合加工装置を準備しておき、
   前記複合加工装置を用いて、前記溝形成工程と前記凹部形成工程とを連続して行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
   前記樹脂基材形成工程においては、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に樹脂基材を圧着することにより前記樹脂基材を形成することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
7. 請求項１〜５のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
   前記樹脂基材形成工程においては、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に樹脂を塗布してその後固化させることにより前記樹脂基材を形成することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
   前記金属配線転写工程においては、前記金属基板に前記樹脂層を残したまま、前記樹脂基材上に前記金属配線パターンのみを転写することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
9. 請求項１〜７のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
   前記金属配線転写工程においては、前記樹脂基材上に前記金属配線パターンとともに前記樹脂層をも転写することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
10. 請求項１〜７のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
    前記金属配線転写工程においては、前記樹脂基材が形成された前記金属基板をエッチング液に浸漬して前記樹脂層を溶解して、前記金属基板と前記金属配線パターンが転写された樹脂基材とを分離することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
11. 請求項８又は９に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
    前記樹脂層形成工程においては、前記金属基板として、第２樹脂基材上に金属層が形成された金属基板又は金属箔からなる金属基板を用いることを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
12. 請求項１１に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
    前記樹脂基材形成工程と前記金属配線転写工程との間に、前記樹脂基材上に裏打ち層を形成する裏打ち層形成工程をさらに含み、
    前記金属配線転写工程においては、前記金属基板を反らせることにより前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
13. 請求項１〜１２のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
    １枚の金属基板に複数の金属配線パターンを形成して、複数のコンタクトプローブを製造することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
14. 樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、
    請求項８に記載のコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「前記樹脂基材から分離された前記樹脂層付きの前記金属基板」を出発材料として用い、
    電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、
    前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、
    前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で繰り返すことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
15. 樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、
    請求項９又は１０に記載のコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「前記樹脂基材から分離された前記金属基板」を出発材料として用い、
    前記金属基板を研磨する金属基板研磨工程と、
    前記金属基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
    前記樹脂層にレーザ光を照射して前記金属配線パターンに対応する形状の溝を前記金属基板に至るように形成する溝形成工程と、
    前記金属基板における溝形成部分にレーザ光又はイオンビームを照射して前記バンプに対応する形状の凹部を形成する凹部形成工程と、
    電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、
    前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、
    前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で繰り返すことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。