JP4612147B2 - 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 - Google Patents
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【産業上の利用分野】
本発明は耐摩耗性の向上や低摩擦目的とした保護膜として摺動部品などに適用する硬質炭素膜及びその製造方法に関する。さらに本発明は、摺動部品を非晶質硬質炭素膜でコーティングした機械部品に関する。
【0002】
【従来の技術およびその問題点】
従来より金属材料の表面処理方法としてめっき、窒化やPVD法、CVD法などによるTiC、TiN等の金属炭化物、金属窒化物等の硬質薄膜を工具、金型などの金属材料表面にコーティングして耐摩耗性、耐焼き付き性を向上させる方法がある。しかしながら、これらのコーティング層はHv2000〜3000と高硬度ではあるが、摩擦係数が0.2〜0.8程度と比較的大きいため、相手材との摩擦において摺動抵抗が増加し、コーティング層の摩耗、相手材の損傷といった問題を生じる。
プラズマやイオンビームを用いたCVD法などにより形成される非晶質硬質炭素膜は、高硬度(Hv約2000〜6000)であることから、耐摩耗性の良い硬質コーティング材として注目されている。非晶質硬質炭素膜は、アモルファスカーボン膜、ダイヤモンドライクカーボン膜、i−カーボン膜、水素化アモルファスカーボン膜(a−C:H)等とも呼ばれ、非晶質(アモルファス)状の炭素が主体の膜である。
このような非晶質硬質炭素膜は、摺動部材への適用も検討されているが、膜自体の圧縮応力が大きいために母材との密着性が悪く、厚くコーティングできないという問題がある。
密着性を改善する方法として基材との間に中間層として金属、金属窒化物、金属炭化物の層を用いることが提案されている。例えば特許公報平5−82472では周期律表4a、5a、6a族金属の炭化物、炭窒化物、炭酸化物、炭窒酸化物、炭硼化又はSiの炭化物、炭窒化物などの用いる方法が開示されている。また、特開平10−130865ではAl,Cr,Sn,Co及びB,並びにこれらの酸化物、窒化物、及び炭化物を主成分とした中間層が開示されている。
しかしながら、これらは密着性を向上させるために用いる中間層に関するものであり、直接摺動に関与する表面層に関するものではない。
Surface and Coatings Technology, 47,710-721(1991)や特開平3−240957(特許2971928号)では非晶質硬質炭素−水素−珪素薄膜で摺動中に表面に形成された珪素酸化物(SiO2)による気体の吸着などにより、低摩擦係数が実現できることが開示されている。
しかしながら、ここでいう珪素酸化物は予めSiを含んだ水素化アモルファスカーボン皮膜が相手材との摺動することにより、表面に形成されるものであり、最初から膜中に存在しているものではない。そのため摺動初期の段階で摩擦係数が高くなり、本来の低摩擦係数となるまでに時間を要すると言う問題があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は係る問題点を解決すべくなされたもので、本発明の目的は高硬度、高密着性かつ低摩擦係数の非晶質硬質炭素膜及びその製造方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は炭素と水素を主成分とする非晶質炭素膜であって、膜中に金属酸化物を含有したことを特徴とする。この金属酸化物はSi,Ti,B及びWからなる群から選ばれた少なくとも1種以上の元素の酸化物である。また炭素膜中の酸素の含有量は0.1〜10原子%である。このような炭素と水素を主成分とし、金属酸化物を含有した非晶質炭素膜は炭素原料、金属含有原料及び酸素原料を、基材を設置した真空室内に導入することにより形成することができる。また、本発明の非晶質硬質炭素膜は高硬度で耐摩耗性に優れ、低摩擦係数であることから、潤滑の困難な摺動部分を有する機械部品への適用が可能である。
【0005】
【作用】
非晶質硬質炭素膜中にSi,Ti,Wなどの安定なカーバイドを形成しやすい金属元素を添加することにより、鉄系の基材との密着性を良好なものとすることができる。また成膜中のプラズマに酸素を添加したり、予め金属元素と酸素を含んだ材料を用いることにより非晶質硬質炭素膜中に金属酸化物が形成される。例えばSiを添加した非晶質硬質炭素膜では酸化物としてSiO2 が膜中に生成する。SiO2はそれ自体では摩擦係数は1.0程度と大きいが雰囲気ガスの吸着によるコンタミネーション潤滑現象により摩擦係数は0.25程度まで減少することが知られている。このようにして最表面ばかりでなく膜中にも微量の金属酸化物を含有させることにより摺動初期から安定した低摩擦係数の非晶質硬質炭素膜とすることができる。
【0006】
【実施例】
本発明による非晶質硬質炭素膜を形成するには、まず真空チャンバー内に基材を配設し、真空チャンバー内を排気する。例えば5.25E−8Pa(7E−6torr)以下まで排気する。次に、真空チャンバー内を連続的に排気しながらArガスを導入して直流電力または高周波電力を基材に印加してプラズマ放電を励起させ基材表面をクリーニングする。Arガスを止めた後、真空チャンバー内に炭素ガス、金属含有原料ガス及び酸素ガスを、基材を設置した真空室内に導入して、プラズマ放電を励起し、基材表面上に金属酸化物を含有する非晶質硬質炭素膜を形成する。炭素原料ガスとしてはメタン,アセチレンなどの炭化水素ガスを用いることができる。また金属含有原料ガスとしてはテトラメチルシラン(Si(CH3)4)、テトラエチルシラン(Si(C2H5)4)、テトラメトキシシラン(Si(OCH3)4)、テトラエトキシシラン(Si(OC2H5)4)やトリエトキシボロン(B(OC2H5)3)、テトラ−i−プロポキシチタン(Ti(OCH(CH3)2)4)、六フッ化タングステン(WF6)などを用いることができる。真空チャンバー内の圧力は7.5E−6〜7.5E−5Pa(1〜10mmtorr)が好適である。
【0007】
以下本発明の実施例について説明する。
実施例1(酸素添加)基材に鏡面仕上げしたSKH51材を使用し、RFプラズマCVD法により基材表面に非晶質硬質炭素膜を成膜し、評価試験を行った。本発明の成膜処理を行ったRFプラズマCVD装置の概略を図1に示した。真空チャンバー1を排気口6に接続された真空ポンプ(図示せず)により5.2E−8Pa以下まで排気する。次にガス導入口5よりArガスを導入し、真空チャンバー内の圧力を7.5E−5Paに調整する。そして下部電極2と上部電極3間にRF電源4より300Wの高周波電力加え下部電極2と上部電極3との間にプラズマを発生させる。被処理材10は下部電極2上に置いておく。Arプラズマで所定時間クリーニング処理を行った後、高周波電源をオフしてプラズマ放電を停止させ、Arガスの供給を停止する。次にガス導入口5よりアセチレン、テトラメチルシラン、酸素を真空チャンバー内に導入し、各々のガスの分圧比がC2H2:TMS:O2=8.5:1:0.5で全圧が5.25E−5Paとなる用に調整する。ガス圧が安定するのを待ってRF電源4から下部電極2に100Wの高周波電力を印加し、プラズマを発生させ60分程度成膜を行う。こうすることにより被処理材10に約1μていどの黒色の被膜が形成される。形成された黒色皮膜についてレーザーラマン分光測定を行った結果、典型的な非晶質のダイヤモンドライクカーボンであることが確認された。さらに膜内部のXPS分析を行った。図2は全元素を対象としたXPSによる膜内部の分析結果を示したものである。結合エネルギー284eV付近にCls、100eV付近にSi2p、150eV付近にSi2sのヒークが検出された。また図3は530eV付近で酸素の結合状態を測定したものであるが、酸素のピーク位置が532eV付近であることから、SiO2が形成されていることが確認された。また表1はXPS分析による組成分析の結果を示したものである。これによると水素を除く組成で炭素含有量が96.4at%でシリコンが2.55%、酸素が1.01%という結果が得られた。これらのことから成膜中に添加した酸素により膜中にSiO2が微量形成されていることが確認された。
【0008】
【表1】
被処理材の表面に形成した非晶質硬質炭素膜の摩擦特性評価はボールオンディスク試験により行った。直径6mmのSUJ2ボールを相手材として、荷重10N、摺動速度10mm/secで約20mの距離を摺動させた。この結果を表2に示した。比較例実施例との比較を容易にするため、テトラメチルシランおよび酸素を添加せずにアセチレンだけで成膜を行った。成膜の手順、圧力などは実施例1と同様にして行った。膜厚、摩擦特性の測定結果を表2に示した。
【0009】
実施例2(酸素含有化合物を使用)
実施例1に示したのと同様の条件でテトラエトキシシラン(TEOS、(Si(OC2H5)4))を使用して成膜を行った。この場合には各々のガスの分圧比がC2H2:TMS:TEOS=8:1:1で全圧が5.25E−5Paとなるように調整した。XPS分析の結果は実施例1と同様に膜中にSiO2が形成されていることがわかった。実施例2による被膜の摩擦特性の評価結果を表2に示した。
【0010】
【表2】
表2で摩擦係数を比較すると比較例で膜中にSiO2のような金属酸化物が無い場合には高い摩擦係数を示す。一方実施例1および2で示されたように、膜中にSiO2のような金属酸化物が存在する場合には摩擦係数は0.05と低い値を示す。
【0011】
【発明の効果】
以上述べたように本発明による非晶質硬質炭素膜では成膜中に微量の酸素を添加したり、含酸素化合物を少量添加することにより容易に膜中に金属酸化物を形成することができ、これにより摩擦係数が約1/4に低減される。また摺動初期の摩擦係数の増加もなく安定な摩擦特性が得られるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明で使用されたRFプラズマCVD装置の概略図
【図2】 本発明による非晶質硬質炭素膜の全元素対象XPS分析結果
【図3】 本発明による非晶質硬質炭素膜のXPS分析結果
【符号の説明】
1…真空チャンバー
2…下部電極
3…上部電極
4…RF電源
5…ガス導入口
6…排気口
10…被処理材
Claims (3)
- 炭素と水素を主成分とする非晶質炭素膜であって、膜中に、Si,Ti,B及びWからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素の金属酸化物を含有し、かつ酸素の含有量が0.1〜10原子%であることを特徴とする非晶質硬質炭素膜。
- 炭素原料、金属含有原料及び酸素原料を、基材を設置した真空室内に導入して、前記基材上に金属酸化物を含有する請求項1記載の非晶質硬質炭素膜を形成する方法。
- 摺動部分を有する機械部品であって、少なくとも前記摺動部分が請求項1記載の非晶質硬質炭素膜でコーティングされた機械部品。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000135366A JP4612147B2 (ja) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 |
ES01110948T ES2256110T3 (es) | 2000-05-09 | 2001-05-05 | Pelicula de carbono amorfo que contiene oxido. |
DE60116407T DE60116407T2 (de) | 2000-05-09 | 2001-05-05 | Amorphe oxidhaltige Kohlenstoffschicht |
EP01110948A EP1154035B1 (en) | 2000-05-09 | 2001-05-05 | Amorphous carbon film containing oxide |
US09/850,192 US6821497B2 (en) | 2000-05-09 | 2001-05-08 | Amorphous hard carbon film, mechanical parts and method for producing amorphous hard carbon film |
ARP010102193A AR028432A1 (es) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | Pelicula de carbon dura y amorfa, partes mecanicas y metodos para producir una pelicula de carbon dura y amorfa |
BRPI0101812-4A BR0101812B1 (pt) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | pelÍcula de carbono rÍgida amorfa e parte mecÂnica contendo a mesma. |
IDP00200100370D ID30201A (id) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | Film karbon amorf keras, bagian mekanik dan metoda untuk memproduksi film karbon amorf keras |
KR10-2001-0025295A KR100404006B1 (ko) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | 비정질 경질 탄소막, 기계부품, 및 비정질 경질 탄소막의제조방법 |
CNB011212640A CN1229517C (zh) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | 非晶形硬碳膜,机械部件及生产非晶形硬碳膜的方法 |
TW090110922A TWI268962B (en) | 2000-05-09 | 2001-05-24 | Amorphous hard carbon film and mechanical parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000135366A JP4612147B2 (ja) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001316819A JP2001316819A (ja) | 2001-11-16 |
JP4612147B2 true JP4612147B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=18643455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000135366A Expired - Fee Related JP4612147B2 (ja) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4612147B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002097573A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-04-02 | Riken Corp | 摺動部材 |
JP5290564B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2013-09-18 | トーヨーエイテック株式会社 | 炭素質薄膜 |
JP4764868B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2011-09-07 | トーカロ株式会社 | 圧縮機翼及び火力発電用ガスタービン |
JP5198114B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-05-15 | 日本碍子株式会社 | アモルファス炭素成膜方法 |
JP5208554B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-12 | 日本碍子株式会社 | Dlc成膜方法 |
TWI466782B (zh) * | 2010-03-03 | 2015-01-01 | Taiyo Chemical Industry Co Ltd | To an immobilization method and a layered product comprising a layer of an amorphous carbon film |
JP5286528B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2013-09-11 | トーカロ株式会社 | 半導体加工装置用部材の製造方法 |
JP6043233B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2016-12-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 非晶質炭素系皮膜およびその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000096233A (ja) * | 1998-06-20 | 2000-04-04 | Nissin Electric Co Ltd | 炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-05-09 JP JP2000135366A patent/JP4612147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000096233A (ja) * | 1998-06-20 | 2000-04-04 | Nissin Electric Co Ltd | 炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001316819A (ja) | 2001-11-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070322 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090728 |
|
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100716 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101015 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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