JP2001316819A - 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 - Google Patents
非晶質硬質炭素膜及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001316819A JP2001316819A JP2000135366A JP2000135366A JP2001316819A JP 2001316819 A JP2001316819 A JP 2001316819A JP 2000135366 A JP2000135366 A JP 2000135366A JP 2000135366 A JP2000135366 A JP 2000135366A JP 2001316819 A JP2001316819 A JP 2001316819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon film
- film
- hard carbon
- amorphous hard
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高強度、高密着性かつ低摩擦係数の非晶質硬
質炭素膜及びその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 炭素と水素を主成分とする非晶質炭素膜
であって、膜中に金属酸化物を含有したことを特徴とす
る。この金属酸化物はＳｉ，Ｔｉ，Ｂ及びWからなる群
から選ばれた少なくとも１種以上の元素の酸化物を含む
ものである。
質炭素膜及びその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 炭素と水素を主成分とする非晶質炭素膜
であって、膜中に金属酸化物を含有したことを特徴とす
る。この金属酸化物はＳｉ，Ｔｉ，Ｂ及びWからなる群
から選ばれた少なくとも１種以上の元素の酸化物を含む
ものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐摩耗性の向上や低摩擦
目的とした保護膜として摺動部品などに適用する硬質炭
素膜及びその製造方法に関する。さらに本発明は、摺動
部品を非晶質硬質炭素膜でコーティングした機械部品に
関する。
目的とした保護膜として摺動部品などに適用する硬質炭
素膜及びその製造方法に関する。さらに本発明は、摺動
部品を非晶質硬質炭素膜でコーティングした機械部品に
関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】従来より金属材料の表
面処理方法としてめっき、窒化やＰＶＤ法、ＣＶＤ法な
どによるＴｉＣ、ＴｉＮ等の金属炭化物、金属窒化物等
の硬質薄膜を工具、金型などの金属材料表面にコーティ
ングして耐摩耗性、耐焼き付き性を向上させる方法があ
る。しかしながら、これらのコーティング層はＨｖ２０
００〜３０００と高硬度ではあるが、摩擦係数が０．２
〜０．８程度と比較的大きいため、相手材との摩擦にお
いて摺動抵抗が増加し、コーティング層の摩耗、相手材
の損傷といった問題を生じる。プラズマやイオンビーム
を用いたＣＶＤ法などにより形成される非晶質硬質炭素
膜は、高硬度（Ｈｖ約２０００〜６０００）であること
から、耐摩耗性の良い硬質コーティング材として注目さ
れている。非晶質硬質炭素膜は、アモルファスカーボン
膜、ダイヤモンドライクカーボン膜、ｉ−カーボン膜、
水素化アモルファスカーボン膜（ａ−Ｃ：Ｈ）等とも呼
ばれ、非晶質（アモルファス）状の炭素が主体の膜であ
る。このような非晶質硬質炭素膜は、摺動部材への適用
も検討されているが、膜自体の圧縮応力が大きいために
母材との密着性が悪く、厚くコーティングできないとい
う問題がある。密着性を改善する方法として基材との間
に中間層として金属、金属窒化物、金属炭化物の層を用
いることが提案されている。例えば特許公報平５−８２
４７２では周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属の炭化物、
炭窒化物、炭酸化物、炭窒酸化物、炭硼化又はＳｉの炭
化物、炭窒化物などの用いる方法が開示されている。ま
た、特開平１０−１３０８６５ではＡｌ，Ｃｒ，Ｓｎ，
Ｃｏ及びＢ，並びにこれらの酸化物、窒化物、及び炭化
物を主成分とした中間層が開示されている。しかしなが
ら、これらは密着性を向上させるために用いる中間層に
関するものであり、直接摺動に関与する表面層に関する
ものではない。Surface and Coatings Technology, 47,
710-721(1991)や特開平３−２４０９５７（特許２９７
１９２８号）では非晶質硬質炭素−水素−珪素薄膜で摺
動中に表面に形成された珪素酸化物（ＳｉＯ2）による
気体の吸着などにより、低摩擦係数が実現できることが
開示されている。しかしながら、ここでいう珪素酸化物
は予めＳｉを含んだ水素化アモルファスカーボン皮膜が
相手材との摺動することにより、表面に形成されるもの
であり、最初から膜中に存在しているものではない。そ
のため摺動初期の段階で摩擦係数が高くなり、本来の低
摩擦係数となるまでに時間を要すると言う問題があっ
た。
面処理方法としてめっき、窒化やＰＶＤ法、ＣＶＤ法な
どによるＴｉＣ、ＴｉＮ等の金属炭化物、金属窒化物等
の硬質薄膜を工具、金型などの金属材料表面にコーティ
ングして耐摩耗性、耐焼き付き性を向上させる方法があ
る。しかしながら、これらのコーティング層はＨｖ２０
００〜３０００と高硬度ではあるが、摩擦係数が０．２
〜０．８程度と比較的大きいため、相手材との摩擦にお
いて摺動抵抗が増加し、コーティング層の摩耗、相手材
の損傷といった問題を生じる。プラズマやイオンビーム
を用いたＣＶＤ法などにより形成される非晶質硬質炭素
膜は、高硬度（Ｈｖ約２０００〜６０００）であること
から、耐摩耗性の良い硬質コーティング材として注目さ
れている。非晶質硬質炭素膜は、アモルファスカーボン
膜、ダイヤモンドライクカーボン膜、ｉ−カーボン膜、
水素化アモルファスカーボン膜（ａ−Ｃ：Ｈ）等とも呼
ばれ、非晶質（アモルファス）状の炭素が主体の膜であ
る。このような非晶質硬質炭素膜は、摺動部材への適用
も検討されているが、膜自体の圧縮応力が大きいために
母材との密着性が悪く、厚くコーティングできないとい
う問題がある。密着性を改善する方法として基材との間
に中間層として金属、金属窒化物、金属炭化物の層を用
いることが提案されている。例えば特許公報平５−８２
４７２では周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属の炭化物、
炭窒化物、炭酸化物、炭窒酸化物、炭硼化又はＳｉの炭
化物、炭窒化物などの用いる方法が開示されている。ま
た、特開平１０−１３０８６５ではＡｌ，Ｃｒ，Ｓｎ，
Ｃｏ及びＢ，並びにこれらの酸化物、窒化物、及び炭化
物を主成分とした中間層が開示されている。しかしなが
ら、これらは密着性を向上させるために用いる中間層に
関するものであり、直接摺動に関与する表面層に関する
ものではない。Surface and Coatings Technology, 47,
710-721(1991)や特開平３−２４０９５７（特許２９７
１９２８号）では非晶質硬質炭素−水素−珪素薄膜で摺
動中に表面に形成された珪素酸化物（ＳｉＯ2）による
気体の吸着などにより、低摩擦係数が実現できることが
開示されている。しかしながら、ここでいう珪素酸化物
は予めＳｉを含んだ水素化アモルファスカーボン皮膜が
相手材との摺動することにより、表面に形成されるもの
であり、最初から膜中に存在しているものではない。そ
のため摺動初期の段階で摩擦係数が高くなり、本来の低
摩擦係数となるまでに時間を要すると言う問題があっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は係る問題点を
解決すべくなされたもので、本発明の目的は高硬度、高
密着性かつ低摩擦係数の非晶質硬質炭素膜及びその製造
方法を提供することにある。
解決すべくなされたもので、本発明の目的は高硬度、高
密着性かつ低摩擦係数の非晶質硬質炭素膜及びその製造
方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は炭素と水素を主
成分とする非晶質炭素膜であって、膜中に金属酸化物を
含有したことを特徴とする。この金属酸化物はＳｉ，Ｔ
ｉ，Ｂ及びＷからなる群から選ばれた少なくとも１種以
上の元素の酸化物を含むものである。また炭素膜中の酸
素の含有量は約０．１〜１０原子％が好適である。この
ような炭素と水素を主成分とし、金属酸化物を含有した
非晶質炭素膜は炭素原料、金属含有原料及び酸素原料
を、基材を設置した真空室内に導入することにより形成
することができる。また、本発明の非晶質硬質炭素膜は
高硬度で耐摩耗性に優れ、低摩擦係数であることから、
潤滑の困難な摺動部分を有する機械部品への適用が可能
である。
成分とする非晶質炭素膜であって、膜中に金属酸化物を
含有したことを特徴とする。この金属酸化物はＳｉ，Ｔ
ｉ，Ｂ及びＷからなる群から選ばれた少なくとも１種以
上の元素の酸化物を含むものである。また炭素膜中の酸
素の含有量は約０．１〜１０原子％が好適である。この
ような炭素と水素を主成分とし、金属酸化物を含有した
非晶質炭素膜は炭素原料、金属含有原料及び酸素原料
を、基材を設置した真空室内に導入することにより形成
することができる。また、本発明の非晶質硬質炭素膜は
高硬度で耐摩耗性に優れ、低摩擦係数であることから、
潤滑の困難な摺動部分を有する機械部品への適用が可能
である。
【０００５】
【作用】非晶質硬質炭素膜中にＳｉ，Ｔｉ，Ｗなどの安
定なカーバイドを形成しやすい金属元素を添加すること
により、鉄系の基材との密着性を良好なものとすること
ができる。また成膜中のプラズマに酸素を添加したり、
予め金属元素と酸素を含んだ材料を用いることにより非
晶質硬質炭素膜中に金属酸化物が形成される。例えばＳ
ｉを添加した非晶質硬質炭素膜では酸化物としてＳｉＯ
2膜中に生成する。ＳｉＯ2はそれ自体では摩擦係数は
１．０程度と大きいが雰囲気ガスの吸着によるコンタミ
ネーション潤滑現象により摩擦係数は０．２５程度まで
減少することが知られている。このようにして最表面ば
かりでなく膜中にも微量の金属酸化物を含有させること
により摺動初期から安定した低摩擦係数の非晶質硬質炭
素膜とすることができる。
定なカーバイドを形成しやすい金属元素を添加すること
により、鉄系の基材との密着性を良好なものとすること
ができる。また成膜中のプラズマに酸素を添加したり、
予め金属元素と酸素を含んだ材料を用いることにより非
晶質硬質炭素膜中に金属酸化物が形成される。例えばＳ
ｉを添加した非晶質硬質炭素膜では酸化物としてＳｉＯ
2膜中に生成する。ＳｉＯ2はそれ自体では摩擦係数は
１．０程度と大きいが雰囲気ガスの吸着によるコンタミ
ネーション潤滑現象により摩擦係数は０．２５程度まで
減少することが知られている。このようにして最表面ば
かりでなく膜中にも微量の金属酸化物を含有させること
により摺動初期から安定した低摩擦係数の非晶質硬質炭
素膜とすることができる。
【０００６】
【実施例】本発明による非晶質硬質炭素膜を形成するに
は、まず真空チャンバー内に基材を配設し、真空チャン
バー内を排気する。例えば５．２５Ｅ−８Ｐａ（７Ｅ−
６ｔｏｒｒ）以下まで排気する。次に、真空チャンバー
内を連続的に排気しながらＡｒガスを導入して直流電力
または高周波電力を基材に印加してプラズマ放電を励起
させ基材表面をクリーニングする。Ａｒガスを止めた
後、真空チャンバー内に炭素ガス、金属含有原料ガス及
び酸素ガスを、基材を設置した真空室内に導入して、プ
ラズマ放電を励起し、基材表面上に金属酸化物を含有す
る非晶質硬質炭素膜を形成する。炭素原料ガスとしては
メタン，アセチレンなどの炭化水素ガスを用いることが
できる。また金属含有原料ガスとしてはテトラメチルシ
ラン（Ｓｉ（ＣＨ3）4）、テトラエチルシラン（Ｓｉ
（Ｃ2Ｈ5）4）、テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3）4）、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4）やトリエトキシボロン（Ｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）、
テトラ−ｉ−プロポキチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（Ｃ
Ｈ3）2）4）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）などを
用いることができる。真空チャンバー内の圧力は７．５
Ｅ−６〜７．５Ｅ−５Ｐａ（１〜１０mmtorr）が好適で
ある。
は、まず真空チャンバー内に基材を配設し、真空チャン
バー内を排気する。例えば５．２５Ｅ−８Ｐａ（７Ｅ−
６ｔｏｒｒ）以下まで排気する。次に、真空チャンバー
内を連続的に排気しながらＡｒガスを導入して直流電力
または高周波電力を基材に印加してプラズマ放電を励起
させ基材表面をクリーニングする。Ａｒガスを止めた
後、真空チャンバー内に炭素ガス、金属含有原料ガス及
び酸素ガスを、基材を設置した真空室内に導入して、プ
ラズマ放電を励起し、基材表面上に金属酸化物を含有す
る非晶質硬質炭素膜を形成する。炭素原料ガスとしては
メタン，アセチレンなどの炭化水素ガスを用いることが
できる。また金属含有原料ガスとしてはテトラメチルシ
ラン（Ｓｉ（ＣＨ3）4）、テトラエチルシラン（Ｓｉ
（Ｃ2Ｈ5）4）、テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3）4）、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4）やトリエトキシボロン（Ｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）、
テトラ−ｉ−プロポキチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（Ｃ
Ｈ3）2）4）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）などを
用いることができる。真空チャンバー内の圧力は７．５
Ｅ−６〜７．５Ｅ−５Ｐａ（１〜１０mmtorr）が好適で
ある。
【０００７】以下本発明の実施例について説明する。 実施例１（酸素添加） 基材に鏡面仕上げしたＳＫＨ５１材を使用し、ＲＦプラ
ズマＣＶＤ法により基材表面に非晶質硬質炭素膜を成膜
し、評価試験を行った。本発明の成膜処理を行ったＲＦ
プラズマＣＶＤ装置の概略を図１に示した。真空チャン
バー１を排気口６に接続された真空ポンプ（図示せず）
により５．２Ｅ−８Ｐａ以下まで排気する。次にガス導
入口５よりＡｒガスを導入し、真空チャンバー内の圧力
を７．５Ｅ−５Ｐａに調整する。そして下部電極２と上
部電極３間にＲＦ電源４より３００Ｗの高周波電力加え
下部電極２と上部電極３との間にプラズマを発生させ
る。被処理材１０は下部電極２上に置いておく。Ａｒプ
ラズマで所定時間クリーニング処理を行った後、高周波
電源をオフしてプラズマ放電を停止させ、Ａｒガスの供
給を停止する。次にガス導入口５よりアセチレン、テト
ラメチルシラン、酸素を真空チャンバー内に導入し、各
々のガスの分圧比がＣ2Ｈ2：ＴＭＳ：Ｏ2＝８．５：
１：０．５で全圧が５．２５Ｅ−５Ｐａとなる用に調整
する。ガス圧が安定するのを待ってＲＦ電源４から下部
電極２に１００Ｗの高周波電力を印加し、プラズマを発
生させ６０分程度成膜を行う。こうすることにより比処
理材１０に約１μていどの黒色の被膜が形成される。形
成された黒色皮膜についてレーザーラマン分光測定を行
った結果、典型的な非晶質のダイヤモンドライクカーボ
ンであることが確認された。さらに膜内部のＸＰＳ分析
を行った。図２は全元素を対象としたＸＰＳ］による膜
内部の分析結果を示したものである。結合エネルギー２
８４ｅＶ付近にＣｌｓ、１００ｅＶ付近にＳｉ2ｐ、１
５０ｅＶ付近にＳｉ2ｓのヒ゜ークが検出された。また図3は
５３０ｅＶ付近で酸素の結合状態を測定したものである
が、酸素のピーク位置が５３２ｅＶ付近であることか
ら、ＳｉＯ2が形成されていることが確認された。また
表１はＸＰＳ分析による組成分析の結果を示したもので
ある。これによると水素を除く組成で炭素含有量が９
６．４ａｔ％でシリコンが２．５５％、酸素が１．０１
％という結果が得られた。これらのことから成膜中に添
加した酸素により膜中にＳｉＯ2が微量形成されている
ことが確認された。
ズマＣＶＤ法により基材表面に非晶質硬質炭素膜を成膜
し、評価試験を行った。本発明の成膜処理を行ったＲＦ
プラズマＣＶＤ装置の概略を図１に示した。真空チャン
バー１を排気口６に接続された真空ポンプ（図示せず）
により５．２Ｅ−８Ｐａ以下まで排気する。次にガス導
入口５よりＡｒガスを導入し、真空チャンバー内の圧力
を７．５Ｅ−５Ｐａに調整する。そして下部電極２と上
部電極３間にＲＦ電源４より３００Ｗの高周波電力加え
下部電極２と上部電極３との間にプラズマを発生させ
る。被処理材１０は下部電極２上に置いておく。Ａｒプ
ラズマで所定時間クリーニング処理を行った後、高周波
電源をオフしてプラズマ放電を停止させ、Ａｒガスの供
給を停止する。次にガス導入口５よりアセチレン、テト
ラメチルシラン、酸素を真空チャンバー内に導入し、各
々のガスの分圧比がＣ2Ｈ2：ＴＭＳ：Ｏ2＝８．５：
１：０．５で全圧が５．２５Ｅ−５Ｐａとなる用に調整
する。ガス圧が安定するのを待ってＲＦ電源４から下部
電極２に１００Ｗの高周波電力を印加し、プラズマを発
生させ６０分程度成膜を行う。こうすることにより比処
理材１０に約１μていどの黒色の被膜が形成される。形
成された黒色皮膜についてレーザーラマン分光測定を行
った結果、典型的な非晶質のダイヤモンドライクカーボ
ンであることが確認された。さらに膜内部のＸＰＳ分析
を行った。図２は全元素を対象としたＸＰＳ］による膜
内部の分析結果を示したものである。結合エネルギー２
８４ｅＶ付近にＣｌｓ、１００ｅＶ付近にＳｉ2ｐ、１
５０ｅＶ付近にＳｉ2ｓのヒ゜ークが検出された。また図3は
５３０ｅＶ付近で酸素の結合状態を測定したものである
が、酸素のピーク位置が５３２ｅＶ付近であることか
ら、ＳｉＯ2が形成されていることが確認された。また
表１はＸＰＳ分析による組成分析の結果を示したもので
ある。これによると水素を除く組成で炭素含有量が９
６．４ａｔ％でシリコンが２．５５％、酸素が１．０１
％という結果が得られた。これらのことから成膜中に添
加した酸素により膜中にＳｉＯ2が微量形成されている
ことが確認された。
【０００８】
【表１】 被処理材の表面に形成した非晶質硬質炭素膜の摩擦特性
評価はボールオンディスク試験により行った。直系６ｍ
ｍのＳＵＪ２ボールを相手材として、荷重１０Ｎ、摺動
速度１０mm／secで約２０ｍの距離を摺動させた。この
結果を表２に示した。 比較例 実施例との比較を容易にするため、テトラメチルシラン
および酸素を添加せずにアセチレンだけで成膜を行っ
た。成膜の手順、圧力などは実施例１と同様にして行っ
た。膜厚、摩擦特性の測定結果を表２に示した。
評価はボールオンディスク試験により行った。直系６ｍ
ｍのＳＵＪ２ボールを相手材として、荷重１０Ｎ、摺動
速度１０mm／secで約２０ｍの距離を摺動させた。この
結果を表２に示した。 比較例 実施例との比較を容易にするため、テトラメチルシラン
および酸素を添加せずにアセチレンだけで成膜を行っ
た。成膜の手順、圧力などは実施例１と同様にして行っ
た。膜厚、摩擦特性の測定結果を表２に示した。
【０００９】実施例２（酸素含有化合物を使用） 実施例１に示したのと同様の条件でテトラエトキシシラ
ン（ＴＥＯＳ、（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4））を使用して成
膜を行った。この場合には各々のガスの分圧比がＣ
2Ｈ2：ＴＭＳ：ＴＥＯＳ＝８：１：１で全圧が５．２５
Ｅ−５Ｐａとなるように調整した。ＸＰＳ分析の結果は
実施例１と同様に膜中にＳｉＯ2が形成されていること
がわかった。実施例2による被膜の摩擦特性の評価結果
を表2に示した。
ン（ＴＥＯＳ、（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4））を使用して成
膜を行った。この場合には各々のガスの分圧比がＣ
2Ｈ2：ＴＭＳ：ＴＥＯＳ＝８：１：１で全圧が５．２５
Ｅ−５Ｐａとなるように調整した。ＸＰＳ分析の結果は
実施例１と同様に膜中にＳｉＯ2が形成されていること
がわかった。実施例2による被膜の摩擦特性の評価結果
を表2に示した。
【００１０】
【表２】 表２で摩擦係数を比較すると比較例で膜中にＳｉＯ2の
ような金属酸化物が無い場合には高い摩擦係数を示す。
一方実施例１および２で示されたように、膜中にＳｉＯ
2のような金属酸化物が存在する場合には摩擦係数は
０．０５と低い値を示す。
ような金属酸化物が無い場合には高い摩擦係数を示す。
一方実施例１および２で示されたように、膜中にＳｉＯ
2のような金属酸化物が存在する場合には摩擦係数は
０．０５と低い値を示す。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように本発明による非晶質硬
質炭素膜では成膜中に微量の酸を添加したり、含酸素化
合物を少量添加することにより容易に膜中に金属酸化物
を形成することができ、これにより摩擦係数が約１／４
に低減される。また摺動初期の摩擦係数の増加もなく安
定な摩擦特性が得られるという効果もある。
質炭素膜では成膜中に微量の酸を添加したり、含酸素化
合物を少量添加することにより容易に膜中に金属酸化物
を形成することができ、これにより摩擦係数が約１／４
に低減される。また摺動初期の摩擦係数の増加もなく安
定な摩擦特性が得られるという効果もある。
【図１】 本発明で使用されたＲＦプラズマＣＶＤ装置
の概略図
の概略図
【図２】 本発明による非晶質硬質炭素膜の全元素対象
ＸＰＳ分析結果
ＸＰＳ分析結果
【図３】 本発明による非晶質硬質炭素膜のＸＰＳ分析
結果
結果
１…真空チャンバー ２…下部電極 ３…上部電極 ４…ＲＦ電源 ５…ガス導入口 ６…排気口 １０…被処理材
Claims (5)
- 【請求項１】 炭素と水素を主成分とする非晶質炭素膜
であって、膜中に金属酸化物を含有したことを特徴とす
る非晶質硬質炭素膜。 - 【請求項２】 前記金属酸化物がＳｉ，Ｔｉ，Ｂ及びＷ
からなる群より選ばれた少なくとも１種以上の元素の酸
化物を含む請求項１記載の非晶質硬質炭素膜。 - 【請求項３】 炭素膜中の酸素の含有量が約０．１〜１
０原子％である請求項１〜２記載の非晶質硬質炭素膜。 - 【請求項４】 炭素原料、金属含有原料及び酸素原料
を、基材を設置した真空室内に導入して、前記基材上に
金属酸化物を含有する非晶質硬質炭素膜を形成する方
法。 - 【請求項５】 摺動部分を有する機械部品であって、少
なくとも前記摺動部分が請求項１記載の非晶質硬質炭素
膜でコーティングされた機械部品。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000135366A JP4612147B2 (ja) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 |
| EP01110948A EP1154035B1 (en) | 2000-05-09 | 2001-05-05 | Amorphous carbon film containing oxide |
| DE60116407T DE60116407T2 (de) | 2000-05-09 | 2001-05-05 | Amorphe oxidhaltige Kohlenstoffschicht |
| ES01110948T ES2256110T3 (es) | 2000-05-09 | 2001-05-05 | Pelicula de carbono amorfo que contiene oxido. |
| US09/850,192 US6821497B2 (en) | 2000-05-09 | 2001-05-08 | Amorphous hard carbon film, mechanical parts and method for producing amorphous hard carbon film |
| KR10-2001-0025295A KR100404006B1 (ko) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | 비정질 경질 탄소막, 기계부품, 및 비정질 경질 탄소막의제조방법 |
| BRPI0101812-4A BR0101812B1 (pt) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | pelÍcula de carbono rÍgida amorfa e parte mecÂnica contendo a mesma. |
| ARP010102193A AR028432A1 (es) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | Pelicula de carbon dura y amorfa, partes mecanicas y metodos para producir una pelicula de carbon dura y amorfa |
| CNB011212640A CN1229517C (zh) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | 非晶形硬碳膜,机械部件及生产非晶形硬碳膜的方法 |
| IDP00200100370D ID30201A (id) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | Film karbon amorf keras, bagian mekanik dan metoda untuk memproduksi film karbon amorf keras |
| TW090110922A TWI268962B (en) | 2000-05-09 | 2001-05-24 | Amorphous hard carbon film and mechanical parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000135366A JP4612147B2 (ja) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001316819A true JP2001316819A (ja) | 2001-11-16 |
| JP4612147B2 JP4612147B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=18643455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000135366A Expired - Fee Related JP4612147B2 (ja) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4612147B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002097573A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-04-02 | Riken Corp | 摺動部材 |
| JP2009120885A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | 炭素質薄膜及びその製造方法 |
| JP2009138674A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Tocalo Co Ltd | 圧縮機翼及びその製造方法、並びに、火力発電用ガスタービン |
| JP2009235495A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Ngk Insulators Ltd | アモルファス炭素成膜方法 |
| JP2009242879A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Ngk Insulators Ltd | Ｄｌｃ成膜方法 |
| JP2011047052A (ja) * | 2010-10-01 | 2011-03-10 | Tocalo Co Ltd | 半導体加工装置用部材の製造方法 |
| WO2014171294A1 (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-23 | 株式会社神戸製鋼所 | 非晶質炭素系皮膜およびその製造方法 |
| JP2016052986A (ja) * | 2010-03-03 | 2016-04-14 | 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 | 非晶質炭素膜からなる層への固定化方法及び積層体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000096233A (ja) * | 1998-06-20 | 2000-04-04 | Nissin Electric Co Ltd | 炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-05-09 JP JP2000135366A patent/JP4612147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000096233A (ja) * | 1998-06-20 | 2000-04-04 | Nissin Electric Co Ltd | 炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002097573A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-04-02 | Riken Corp | 摺動部材 |
| JP2009120885A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | 炭素質薄膜及びその製造方法 |
| JP2009138674A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Tocalo Co Ltd | 圧縮機翼及びその製造方法、並びに、火力発電用ガスタービン |
| JP2009235495A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Ngk Insulators Ltd | アモルファス炭素成膜方法 |
| JP2009242879A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Ngk Insulators Ltd | Ｄｌｃ成膜方法 |
| JP2016052986A (ja) * | 2010-03-03 | 2016-04-14 | 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 | 非晶質炭素膜からなる層への固定化方法及び積層体 |
| JP2011047052A (ja) * | 2010-10-01 | 2011-03-10 | Tocalo Co Ltd | 半導体加工装置用部材の製造方法 |
| WO2014171294A1 (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-23 | 株式会社神戸製鋼所 | 非晶質炭素系皮膜およびその製造方法 |
| JP2014205894A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 非晶質炭素系皮膜およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4612147B2 (ja) | 2011-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1598441B1 (en) | Amorphous carbon film and process for producing the same | |
| KR100404006B1 (ko) | 비정질 경질 탄소막, 기계부품, 및 비정질 경질 탄소막의제조방법 | |
| EP1841896A1 (en) | Amorphous carbon film, process for forming the same, and high wear-resistant sliding member with amorphous carbon film provided | |
| JP2004169137A (ja) | 摺動部材 | |
| JP4122387B2 (ja) | 複合硬質皮膜、その製造方法及び成膜装置 | |
| JP2971928B2 (ja) | 潤滑性を有する硬質非晶質炭素―水素―珪素薄膜、表面に該薄膜を有する鉄系金属材料、およびその製造方法 | |
| JP4612147B2 (ja) | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 | |
| JP2009035584A (ja) | 摺動部材 | |
| JP3034241B1 (ja) | 高硬度高密着性ｄｌｃ膜の成膜方法 | |
| Sanchette et al. | Single cycle plasma nitriding and hard coating deposition in a cathodic arc evaporation device | |
| JP2000177046A (ja) | ダイヤモンド状炭素膜を被覆した部材 | |
| JP2539922B2 (ja) | ダイヤモンド被覆超硬合金 | |
| JP3192109B2 (ja) | 電気用部材 | |
| JP2990220B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜 | |
| JP3236594B2 (ja) | 炭素膜が形成された部材 | |
| JP2006169614A (ja) | 金属複合ダイヤモンドライクカーボン（ｄｌｃ）皮膜、その形成方法、及び摺動部材 | |
| JP3236602B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JP3236600B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JP3236598B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JP3236599B2 (ja) | 複合体 | |
| JP3236848B2 (ja) | 電気部品 | |
| JPS62256964A (ja) | セラミツクスが被着された部材 | |
| JP3236595B2 (ja) | 被膜形成方法 | |
| JP3236855B2 (ja) | 複合体 | |
| JP3321139B2 (ja) | 部 材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070322 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090728 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100716 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101012 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101015 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |