JP4602589B2 - フォトレジスト溶解液用消泡剤組成物 - Google Patents

フォトレジスト溶解液用消泡剤組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP4602589B2
JP4602589B2 JP2001133844A JP2001133844A JP4602589B2 JP 4602589 B2 JP4602589 B2 JP 4602589B2 JP 2001133844 A JP2001133844 A JP 2001133844A JP 2001133844 A JP2001133844 A JP 2001133844A JP 4602589 B2 JP4602589 B2 JP 4602589B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
photoresist
mass
solution
ethylene oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001133844A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002328478A (ja
Inventor
真 駄栗毛
泰彦 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
San Nopco Ltd
Asahi Kasei E Materials Corp
Original Assignee
San Nopco Ltd
Asahi Kasei E Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by San Nopco Ltd, Asahi Kasei E Materials Corp filed Critical San Nopco Ltd
Priority to JP2001133844A priority Critical patent/JP4602589B2/ja
Priority to CN02118847.5A priority patent/CN1271470C/zh
Publication of JP2002328478A publication Critical patent/JP2002328478A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4602589B2 publication Critical patent/JP4602589B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はフォトレジスト溶解液用消泡剤組成物と、これを添加して得られるフォトレジスト溶解液、該フォトレジスト溶解液を用いたフォトレジストの溶解方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、印刷回路の形成、リードフレーム等の金属加工、プラズマディスプレイパネルの隔壁形成加工、基材の保護材料としてフォトレジストが用いられている。フォトレジストの取り扱いに際してはフォトレジスト溶解液が用いられ、主なフォトレジスト溶解液としては、現像液と剥離液が知られている。
フォトレジストは活性線照射により現像液への溶解性が未露光部分と露光部分とで差が生じ、現像液は、溶解性を示す部分を除去するために用いられる。活性線照射されたフォトレジストの現像液に対する不溶性を示す部分は基材上に皮膜を形成し、フォトレジストの現像除去後露出した基材のエッチング、めっき等の加工や、皮膜で覆われた部分を保護し、レジストとしての性能を発揮する。
剥離液は、加工に用いられたフォトレジストの皮膜を基材から除去するために用いられる。
フォトレジスト溶解液は各種の溶液が用いられているが、従来からの有機溶剤のほかに近年は環境上の理由からアルカリ性溶液、特にアルカリ水溶液を用いる例が多くなっている。
フォトレジストの溶解方法としては、フォトレジスト溶解液を滴下、シャワーまたはスプレーによりレジスト表面へ供給する方法やフォトレジスト溶解液に浸漬する方法が用いられているが、循環使用されることが多く、特にスプレーにより発泡しやすくなるため消泡剤が使用される。
消泡剤としては、一般的にはシリコーン系統のものは消泡効果が高いことが知られている。しかしながら、フォトレジストの現像工程、剥離工程においてはシリコーンの高い被覆力及び撥水作用により現像後の基材の加工工程、剥離後の後工程において、種々の問題が生じるため敬遠されている。したがって、従来の消泡剤としてポリオキシアルキレンモノオールあるいはそれらのエステル化物、高級脂肪酸にアルキレンオキシドを付加した化合物等が消泡剤として使用されてきた。これらは特開平7−128865号公報、特開平7−319170号公報、特開平8−10600号公報、特開平8−160632号公報、特開平9−87380号公報、特開平9−87381号公報、特開平9−87382号公報、特開平9−293964号公報、特開平10−319606号公報、特開平11−258820号公報、特開平11−352700号公報等の技術として知られている。
【0003】
フォトレジスト溶解液は循環使用されるため、現像装置や剥離装置等の処理装置を長時間使用すると次第にフォトレジストの不溶分が析出するとか、消泡剤の種類によってはフォトレジストの成分と作用するなどして、油状物やゲル状物(以下凝集物)が発生する。凝集物は基材表面や処理槽、配管、ポンプ等に付着し、場合によっては固化することもある。処理槽、配管、ポンプ等に付着した凝集物を除去するには、かき落とすとか、分解清掃するなど手間のかかる作業である。また、油状物や凝集物は、基材に付着することで加工される部分の欠損、ショート等の原因になったり、保護されないで露出する部分の表面残さとなり、後工程の接合不良の原因となったりして問題となる。
近年の印刷回路幅、リードフレームピッチ、プラズマディスプレイパネル隔壁ピッチ等の微細化に伴いフォトレジスト溶解液の処理装置はスプレー式が主流になった。この方法では溶解部分の確実な除去のためスプレー圧を高めに設定する傾向があるためフォトレジスト溶解液が発泡しやすくなり、十分な消泡効果のある消泡剤が必要である。また、微細化に伴って、現像後に形成されるフォトレジスト皮膜のパターンの間隙も狭くなるため発生した凝集物が付着すると除去することが困難となり、凝集物の発生を抑制することがますます重要となっている。
しかしながら、現像液、剥離液に用いられた従来消泡剤のうち、エステル系の消泡剤はアルカリ濃度の高い状態では加水分解により効果の持続に劣った。消泡効果が無くなってくるとフォトレジスト溶解液の発泡がひどくなり、処理装置の停止による生産性低下、フォトレジスト溶解液の入れ替えによるコストアップの原因となった。
また従来のエーテル系の消泡剤は、消泡効果が見られる反面で、フォトレジスト溶解液中の分散性が悪く、現像液や剥離液に溶解したフォトレジスト成分と作用し凝集物の発生がより顕著になる傾向があり、製品の不良原因となった。
一方、フォトレジストは前記微細化に対応して高解像性が要求されている。フォトレジストは解像度を上げるために組成物のうち光重合性モノマーとして多官能モノマーを用いることが知られているが、この多官能モノマーは疎水性構造が多く、添加量により析出や油状物となったり、消泡剤と前記作用によって凝集物となり問題となる。特に、ウレタン系モノマーにおいて凝集物発生が顕著に見られた。
つまり、従来の消泡剤には凝集物の発生が少なく、消泡効果の十分な性能を兼ね備えたものは見うけられず、従来の消泡剤が添加されたフォトレジスト溶解液およびこの溶解液を用いた従来の溶解方法では、発泡による生産性低下およびコストアップ、凝集物発生による不良品の発生が改善されず、更にフォトレジストの高解像度化に対応するのが困難であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、凝集物の発生が少なく、消泡効果の十分な性能を兼ね備えたフォトレジスト溶解液用消泡剤組成物と、これを添加して得られるフォトレジスト溶解液、該フォトレジスト溶解液を用いたフォトレジストの溶解方法を提供する事を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記問題を解決すべく検討した結果、以下に示す化合物Aと化合物Bを消泡剤の必須成分として用いることにより、消泡性、分散性の両性能とも満足することを見いだし、本発明に到達した。即ち本発明は、式(1)
R−O(CHCHO)m−(CHCH(CH)O)n−H
・・・・(1)
(ただし、Rは炭素数10〜22の直鎖または分岐鎖アルキル基を示し、mが8〜20、nが10〜30の数を示す)で表される化合物Aと、
プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパンの中から選ばれる少なくとも1種にプロピレンオキシドを付加した後エチレンオキシドを付加した化合物であって、重量平均分子量が1,500〜5,000でかつポリエチレンオキシド基の化合物全体に占める割合が5〜25質量%である化合物Bとを、必須成分として含有することを特徴とするフォトレジスト溶解液用消泡剤組成物、および当該消泡剤組成物が0.01〜1.00体積%添加されていることを特徴とするフォトレジスト溶解液、ならびにそのフォトレジスト溶解液を用いることを特徴とするフォトレジストの溶解方法、さらには該溶解液を用いて特定の組成のレジストを溶解するフォトレジストの溶解方法である。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明について、以下具体的に説明する。
本発明において化合物Aは、炭素数10〜22の直鎖または分岐鎖アルキル基を有する高級アルコールにエチレンオキシドを付加反応させ、次いでプロピレンオキシドを付加反応させることによって容易に合成することができる。なお、エチレンオキシド中には若干量のエチレンオキシド以外のアルキレンオキシド(プロピレンオキシド、ブチレンオキシドなど)を含んでいても良く、プロピレンオキシド中には若干量のプロピレンオキシド以外のアルキレンオキシド(エチレンオキシド、ブチレンオキシドなど)を含んでいても良い。高級アルコールとしては例えばデシルアルコール、ラウリルアルコール、2−ブチルオクタノール、トリデシルアルコール、ミリスチルアルコール、2−ブチルデカノール、2−ヘキシルオクタノール、セチルアルコール、2−ヘキシルデカノール、2−オクチルデカノール、ステアリルアルコール、2−ヘキシルドデカノール、2−オクチルデカノール、ベヘニルアルコールまたはプロピレン重合体から作られる合成アルコールなどがあげられる。本高級アルコールの炭素数が10未満の場合、消泡性が非常に乏しく消泡剤として機能しない。また炭素数が22を超えると、分散性が低下して凝集物発生量が多くなる。これら高級アルコールに対するエチレンオキシドおよびプロピレンオキシドの付加反応は常法によって合成される。本発明の化合物Aはエチレンオキシドを付加反応させた後にプロピレンオキシドを付加反応させて得ることができる。付加反応の順序が逆の場合、あるいはエチレンオキシドとプロピレンオキシドの混合物を付加反応させた場合、消泡性が非常に乏しく消泡剤として機能しない。エチレンオキシドの付加数は8〜20モル、プロピレンオキシドの付加数は10〜30モルが適当である。エチレンオキシドの付加数が8モル未満かあるいはプロピレンオキシドの付加数が30モルを超えると、分散性が低下して凝集物発生量が多くなる。またエチレンオキシドの付加数が20モルを超えるかまたはプロピレンオキシドの付加数が10モル未満になると、消泡性が低下する。
【0007】
本発明における化合物Aは従来の技術に見られた消泡剤に比べ特に消泡性およびその持続性に優れる。特開平8−10600号公報に示された化合物は、炭素数24の直鎖または分岐鎖のアルキル基またはアルケニル基の高級アルコールにプロピレンオキシドを5〜60モル付加した後エチレンオキシドを1〜25モル付加した化合物とある。すなわち本発明の化合物Aとはプロピレンオキシドとエチレンオキシドの付加順序が逆である。前にも述べたが付加反応の順序が逆の場合、本発明のフォトレジスト溶解液において消泡性が不十分であった。
また特開平9−87380号公報に示された化合物は、炭素数8〜24の直鎖または分岐鎖の高級アルコールあるいは炭素数10〜24のアルキルフェノールにプロピレンオキシドを6〜60モルおよびエチレンオキシドを2〜50モル付加した後炭素数10〜24の脂肪酸でエステル化した化合物とある。すなわち本発明の化合物Aと異なりエステル基を導入している。前にも述べたが本発明のフォトレジスト溶解液においてエステル基はアルカリによって加水分解され、消泡効果が持続しなかった。
【0008】
化合物Aを単独でフォトレジスト溶解液に使用した場合、凝集物の発生を少なく抑え、かつ十分な消泡性を得ることができなかった。高級アルコールの種類、エチレンオキシド、プロピレンオキシドの付加数にもよるが、凝集物の発生が少ないものは消泡性が十分ではなく、また逆に十分な消泡性を示すものは凝集物が多く発生する傾向が認められ、消泡性と分散性の両性能を共に満足することはできなかった。
一方以下で説明する化合物Bは単独でフォトレジスト溶解液に使用した場合、凝集物の発生量は非常に少ないものの消泡性は非常に乏しかった。
そこで本発明者らは消泡性が優れた化合物Aに、凝集物の発生量が非常に少ない化合物Bを併用して消泡剤を調製した。その結果、化合物Bは所定の範囲内で化合物Aと併用することによって、化合物Aの消泡性をほとんど低下させずに凝集物の量を低減する効果があり、これを併用した消泡剤は消泡性と分散性の両性能を共に満足させることができた。
【0009】
化合物Bはプロピレングリコール、グリセリンまたはトリメチロールプロパンの中から選ばれる少なくとも1種類にプロピレンオキシドを付加反応させ、次いでエチレンオキシドを付加反応させることによって容易に合成することができる。なお、エチレンオキシド中には若干量のエチレンオキシド以外のアルキレンオキシド(プロピレンオキシド、ブチレンオキシドなど)を含んでいても良く、プロピレンオキシド中には若干量のプロピレンオキシド以外のアルキレンオキシド(エチレンオキシド、ブチレンオキシドなど)を含んでいても良い。これら多価アルコールに対するエチレンオキシドおよびプロピレンオキシドの付加反応は常法によって合成される。
化合物Bは重量平均分子量が1,500〜5,000であるものが適当である。重量平均分子量がこの範囲をはずれると分散性が低下して凝集物の発生量が多くなる。化合物Bのポリエチレンオキシド基の化合物全体に占める割合は5〜25質量%が適当である。この割合が5質量%未満では分散性が低下して凝集物の発生量が多くなり、25質量%を超えると消泡性が低下する。また化合物Bは1種類を用いてもよく、複数を用いてもよい。
本発明における消泡剤組成物中の化合物Bの割合は好ましくは3〜50質量%、さらに好ましくは5〜20質量%が適当である。化合物Bの割合が3質量%未満では凝集物を低減させる効果が現れず、50質量%を超えると消泡性が低下する。
【0010】
化合物Aと化合物Bからなる組成物は消泡性と分散性に悪影響を及ぼさない希釈剤成分を併用した消泡剤組成物として調製することができる。希釈剤成分を含有させることにより、製品粘度を低下させることによって容器からの取り出しを容易にするとかフォトレジスト溶解液に添加した際の拡散性を向上させる効果、あるいは製品の凝固点を低下させて冬季保管においても固化しないものにする効果が得られる。希釈剤成分としてはエチレングリコール、プロパンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、水などが挙げられ、1種類を用いてもよく、複数を用いてもよい。希釈剤成分は一般に、消泡剤組成物とフォトレジスト溶解液のいずれにも可溶の成分あるいは成分の組み合わせが選ばれる。希釈剤成分の併用割合は47質量%以下が適当である。希釈剤成分の割合は47質量%を超えると消泡性が低下する。
【0011】
本発明の消泡剤組成物はフォトレジスト溶解液に添加使用される。フォトレジスト溶解液の具体的な例としてはpH8.0〜14.0のアルカリ性溶解液が用いられている。使用するフォトレジストにより違いが見られるが、現像液の例としてpH8.0〜13.0温度20〜40℃のアルカリ性溶液、剥離液の例としてpH11.0〜14.0温度30〜60℃のアルカリ性溶液が用いられることが多い。
これらアルカリ性溶液は塩基性アルカリ金属塩化合物、アミン化合物等の塩基性化合物を含有するアルカリ性水溶液を用いることが多く、塩基性アルカリ金属塩化合物としては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、燐酸ナトリウム、燐酸カリウム等のアルカリ金属燐酸塩、メタケイ酸ナトリウムが挙げられ、アミン化合物としてはヒドロキシルアミン、エチルアミン、モノエタノールアミン等のアミン化合物またはアンモニア水などが挙げられる。
これらは単独または他の化合物と一緒に水溶液として用いられることが多い。
【0012】
本発明の消泡剤組成物の使用量はフォトレジスト溶解液の種類、濃度、消泡目的等種々の条件で異なるが、通常フォトレジスト溶解液に対する消泡剤組成物の添加量として0.01〜1.00体積%、多くの場合は0.05〜0.50体積%が使用される。添加方法は消泡剤組成物そのままでも良く、水やフォトレジスト溶解液等で希釈したものを添加しても良い。またフォトレジスト溶解液の調製時に添加しても良く、発泡したフォトレジスト溶解液に添加しても良い。希釈して用いる場合は消泡剤組成物としての添加量が前述の量になるように添加する。
【0013】
本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジスト溶解液で溶解されるフォトレジストに使用される光重合開始剤は、特に限定されるもので無く公知のものを用いることができる。具体例として、芳香族ケトン、ベンジル誘導体、2,4,5−トリアリールイミダゾール2量体類、アクリジン誘導体、フェニルグリシン誘導体、ジアゾニウム化合物、チオキサントン誘導体等を使用することができる。光重合開始剤の含有量は全質量基準で0.05〜30.00質量%、好ましくは 0.05〜20.00質量%、より好ましくは0.10〜15.00質量%である。含有量が少なすぎると十分な光感度が得られず、多すぎるとフォトレジスト表面の光吸収が増加して内部の光硬化が不足する傾向がある。
【0014】
本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジスト溶解液で溶解されるフォトレジストに使用される光重合性モノマーは分子内にエチレン性不飽和二重結合を含有する公知のものを用いることができる。光重合モノマーの例としてはポリオールの(メタ)アクリル酸エステル、アクリルアミド類、ビスフェノールAから変性誘導された(メタ)アクリル酸エステル類、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
【0015】
本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジスト溶解液で溶解されるフォトレジストに使用されるウレタンジ(メタ)アクリレートの具体例としてはポリオールとジイソシアナートとを反応させて得られる化合物にβ−ヒドロキシルアルキル(メタ)アクリレートを反応させて得られるものを用いる。ウレタンジ(メタ)アクリレートの分子量は500〜30,000好ましくは500〜25,000、より好ましくは800〜20,000である。分子量が小さすぎると硬化した皮膜の強度が不足し、大きすぎるとフォトレジスト溶解液による溶解性が悪化する傾向がある。
【0016】
本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジスト溶解液で溶解されるフォトレジストに使用されるビニル共重合体は、少なくともカルボキシル基を含むビニル単量体を共重合成分として得られるビニル共重合体を用いることができる。カルボキシル基を含むビニル単量体としては、公知のものを用いることができる。具体例として、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、n−プロピルアクリレート、n−プロピルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、スチレンおよびスチレン誘導体が挙げられる。ビニル共重合体はこれらビニル単量体2〜5種類を既知の手法で共重合させて得られるものを用いる。
【0017】
本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジスト溶解液で溶解されるフォトレジストは従来から採用されている形態で提供される。フォトレジストの形態としては溶液やドライフィルムレジストが広く用いられている。溶液のフォトレジストはフォトレジストの成分を溶媒に溶解させた溶液を、スピンコーター、ディップコーター、ロールコーター、カーテンコーター等の方法で基材上に塗布、乾燥させてフォトレジストの皮膜を得る。ドライフィルムレジストは、フォトレジスト成分を溶媒に溶解させた溶液をダイコーター、キスディッピング等の方法で支持フィルム上に塗布、乾燥させてフォトレジスト層を形成した後、必要に応じてカバーフィルムを張り合わせて通常はロール状に巻かれて提供される。ドライフィルムレジストはカバーフィルムを剥離した後ホットロール式ラミネーター等でフォトレジスト層が基材上になるように熱圧着してフォトレジストの皮膜を得る。なお、フォトレジスト層の基材とは逆側にある支持フィルムは、現像前や露光前に剥離される。
フォトレジストの溶解方法は、溶解されるフォトレジスト皮膜上にフォトレジスト溶解液を供給する方法やフォトレジスト皮膜を形成した基材全体をフォトレジスト溶解液に浸漬する方法等が用いられている。
具体的な例としては、周囲を樹脂又は金属で覆った槽内にスプレーノズルや穴等を配置した配管を設置し、フォトレジスト溶解液をポンプにより滴下又はスプレーする。基材はコンベアや治具によって搬送され、基材表面のフォトレジストの溶解される部分は滴下やスプレーで供給されたフォトレジスト溶解液で溶解される。使用されたフォトレジスト溶解液はポンプにより循環使用される。配管は搬送面に対して平行に設置されることが多い。
フォトレジスト溶解液に浸漬する例としては、基材を治具に取りつける等の方法でフォトレジスト溶解液を満たした槽に浸漬、必要により攪拌、揚動、超音波振動等を与える。
これら溶解方法では基材を所望の時間処理した後水等で洗浄され次の工程へ移る。
【0018】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明はこれに限定されない。
【0019】
化合物A−1
5リットルのオートクレーブに分岐のトリデシルアルコール200.0gと水酸化カリウム2.3gをオートクレーブに仕込み、系内を窒素置換した後、温度130℃、約100kPaの減圧下で30分間脱水し、アルコラート化を行った。次にエチレンオキシド528.0gを100〜110℃、100〜500kPaにて約3時間をかけて導入し、付加反応させた。次いでプロピレンオキシド 1044.0gを100〜110℃、100〜500kPaにて7〜8時間かけて導入し、付加反応させた。反応終了後、生成物のアルカリ価を滴定法にて測定し、小過剰量の乳酸水溶液にて触媒の中和処理を行った。ここで得られた化合物は、分岐のトリデシルアルコールのエチレンオキシド12モル、プロピレンオキシド18モル付加物である。これを化合物A−1とした。
【0020】
化合物A−2
n−テトラデシルアルコール214.0gと水酸化カリウム2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1と同様の方法でエチレンオキシド616.0g、次いでプロピレンオキシド1624.0gを付加反応させ、中和処理を行った。ここで得られた化合物は、n−テトラデシルアルコールのエチレンオキシド14モル、プロピレンオキシド28モル付加物である。これを化合物A−2とした。
【0021】
化合物A−3
n−デシルアルコール158.0gと水酸化カリウム2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1と同様の方法でエチレンオキシド352.0g、次いでプロピレンオキシド1740.0gを付加反応させ、中和処理を行った。ここで得られた化合物は、n−デシルアルコールのエチレンオキシド8モル、プロピレンオキシド30モル付加物である。これを化合物A−3とした。
【0022】
化合物A−4
ベヘニルアルコール326.0gと水酸化カリウム2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1と同様の方法でエチレンオキシド880.0g、次いでプロピレンオキシド1740.0gを付加反応させ、中和処理を行った。ここで得られた化合物は、ベヘニルアルコールのエチレンオキシド20モル、プロピレンオキシド30モル付加物である。これを化合物A−4とした。
【0023】
化合物A−5
ベヘニルアルコール326.0gと水酸化カリウム2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1と同様の方法でエチレンオキシド352.0g、次いでプロピレンオキシド580.0gを付加反応させ、中和処理を行った。ここで得られた化合物は、ベヘニルアルコールのエチレンオキシド8モル、プロピレンオキシド10モル付加物である。これを化合物A−5とした。
【0024】
化合物B−1
トリメチロールプロパンのプロピレンオキシド、エチレンオキシドブロック付加物で、重量平均分子量4,500でかつエチレンオキシドの化合物全体に占める割合が10質量%の市販の界面活性剤を化合物B−1とした。
【0025】
化合物B−2
ポリプロピレングリコールのエチレンオキシド付加物で、重量平均分子量 2,200でかつエチレンオキシドの化合物全体に占める割合が20質量%の市販の界面活性剤を化合物B−2とした。
【0026】
化合物B−3
グリセリンのプロピレンオキシド、エチレンオキシドブロック付加物で、重量平均分子量3,000でかつエチレンオキシドの化合物全体に占める割合が20質量%の市販の界面活性剤を化合物B−3とした。
【0027】
化合物B−4
ポリプロピレングリコールのエチレンオキシド付加物で、重量平均分子量 2,300でかつエチレンオキシドの化合物全体に占める割合が10質量%の市販の界面活性剤を化合物B−4とした。
【0028】
化合物ZA−1
2−エチルヘキシルアルコール130.0gと水酸化カリウム2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1と同様の方法でエチレンオキシド352.0g、次いでプロピレンオキシド1740.0gを付加反応させ、中和処理を行った。ここで得られた化合物は、2−エチルヘキシルアルコールのエチレンオキシド8モル、プロピレンオキシド30モル付加物である。これを化合物ZA−1とするが、これは化合物AのRの炭素数が好適範囲を外れた比較例である。
【0029】
化合物ZA−2
n−テトラデシルアルコール214.0gと水酸化カリウム2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1と同様の方法でエチレンオキシド220.0g、次いでプロピレンオキシド2030.0gを付加反応させ、中和処理を行った。ここで得られた化合物はn−テトラデシルアルコールのエチレンオキシド5モル、プロピレンオキシド35モル付加物である。これを化合物ZA−2とするが、これは化合物Aのエチレンオキシド、プロピレンオキシドの付加数が好適範囲を外れた比較例である。
【0030】
化合物ZB−1
ポリプロピレングリコールのエチレンオキシド付加物で、重量平均分子量 4,100でかつエチレンオキシドの付加割合が50質量%の市販の界面活性剤を化合物ZB−1とするが、これは化合物Bのポリエチレンオキシド割合が好適範囲を外れた比較例である。
【0031】
【実施例1】
化合物A−1を96質量部、化合物B−1を4質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
【実施例2】
化合物A−2を95質量部、化合物B−2を5質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
【実施例3】
化合物A−3を95質量部、化合物B−2を5質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
【実施例4】
化合物A−4を95質量部、化合物B−2を5質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
【実施例5】
化合物A−5を95質量部、化合物B−2を5質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
【実施例6】
化合物A−2を50質量部、化合物B−2を40質量部、3−メチル−1,5−ペンタンジオールを7重量部、水を3重量部混合し、消泡剤組成物を得た。
【実施例7】
化合物A−2を75質量部、化合物B−3を15質量部、3−メチル−1,5−ペンタンジオールを7重量部、水を3重量部混合し、消泡剤組成物を得た。
【実施例8】
化合物A−2を70質量部、化合物B−4を10質量部、3−メチル−1,5−ペンタンジオールを17重量部、水を3重量部混合し、消泡剤組成物を得た。
【0032】
【比較例1】
化合物A−1単独。
【比較例2】
化合物A−2単独。
【比較例3】
化合物ZA−1を95質量部、化合物B−2を5質量部混合し、組成物を得た。
【比較例4】
化合物ZA−2を95質量部、化合物B−2を5質量部混合し、組成物を得た。
【比較例5】
化合物A−2を70質量部、化合物ZB−1を10質量部、3−メチル−1,5−ペンタンジオールを17重量部、水を3重量部混合し、組成物を得た。
【比較例6】
シリコーン含有の市販消泡剤、SNデフォーマー470(サンノプコ株式会社製)。
【比較例7】
高級脂肪酸アルキレンオキシド付加物の市販消泡剤、SNデフォーマー265(サンノプコ株式会社製)。
【比較例8】
高級アルコールにプロピレンオキシド、エチレンオキシドの順に付加させた市販消泡剤、SNデフォーマー170(サンノプコ株式会社製)。
【0033】
前記実施例1〜8および比較例1〜8のサンプルを用い、次の性能評価試験を行った。
【0034】
【試験結果1】
現像試験液は、旭化成製ドライフィルムレジストAQ−4067(光重合性モノマー、光重合開始剤、ビニル共重合体、染料等からなるフォトレジスト組成物を支持フィルム上に厚み40μmとなるように塗布し、カバーフィルムを張り合わせ3層構造としてロール状の形態で提供されているフォトレジスト)の未露光のフォトレジスト層0.25mを30℃に温調した1dmの炭酸ナトリウム1質量%水溶液に浸漬、2時間攪拌し溶解させた液である。ここで用いた炭酸ナトリウム1質量%水溶液はpHが11.4、未露光のフォトレジスト組成物をこれに浸漬、溶解させた液はpHが10.5であった。
この現像試験液120mlと消泡剤サンプル0.24mlを市販の1リットルガラスメスシリンダーに入れ、30℃のウォーターバスで温調しながらガラスボールフィルターから空気を6,000ml/分の速度で送り込み、通気後30分後の泡の高さを記録する方法で行った。この結果を表1に示す。
【0035】
【試験結果2】
剥離試験液は上記フォトレジストの露光された部分0.75mを50℃に温調した1dmの水酸化ナトリウム3質量%水溶液に浸漬して2時間攪拌した後、フォトレジストを浸漬したまま室温下で22時間放置、その後未溶解フォトレジストを取り除いた液である。ここで用いた水酸化ナトリウム3質量%水溶液はpHが13.5、露光されたフォトレジスト組成物をこれに浸漬した液はpHが13.5であった。
この剥離試験液120mlと消泡剤サンプル0.06mlを市販の1リットルガラスメスシリンダーに剥離液を入れ、50℃のウォーターバスで温調しながらガラスボールフィルターから空気を6,000ml/分の速度で送り込み、通気後8時間後の泡の高さを記録する方法で行った。この結果を表2に示す。
【0036】
凝集物量の試験は、消泡性試験が終わった現像液、剥離液液をガラス瓶にとり、蓋をして室温下で約20時間静置した後、孔径5マイクロメートルのメンブランフィルターで減圧ろ過し、メンブランフィルターを50℃の乾燥機で3時間乾燥した際のフィルターの質量増を凝集物量として記録する方法で行った。各サンプルの性能試験結果を表1、表2に示す。
【0037】
判定基準としては、消泡性については泡高さが60mm未満を良、60mm以上120mm未満を可、120mm以上を不可とし、凝集物量については凝集物が20mg未満を良、20mg以上30mg未満を可、30mg以上を不可とした。
【0038】
【表1】
Figure 0004602589
【0039】
【表2】
Figure 0004602589
【0040】
【試験結果3】
以下の仕様からなるフォトレジストの溶解処理装置を用いて、ドライフィルムレジストの溶解部分を現像液で溶解した。この現像液は循環使用して泡の高さと凝集物の発生を観察した。
処理装置 :コンベア式自動溶解処理装置
液の供給 :スプレーノズルにより基材面に供給される。現像液は槽の下部に集まり、ポンプによりスプレーノズルに循環供給される。
搬送装置 :コンベア
現像液 :30℃に温調した炭酸ナトリウム1質量%水溶液
消泡剤 :実施例8、比較例6、比較例8の消泡剤組成物を0.05体積%添加
試験基板 :銅張積層板R-1766(松下電工製)に旭化成製ドライフィルムレジストAQ−4067をホットロール式ラミネーターで熱圧着させた基板
試験方法 :ドライフィルムレジスト表面の支持フィルムを剥離し未露光のフォトレジスト組成物を露出させた試験基板をコンベアにより上記溶解処理装置に投入、溶解槽にてスプレーノズルから供給される現像液でフォトレジスト層を溶解させた。基板は未露光のフォトレジスト層の溶解量が0.25m/dmに達するまで投入した。ポンプによるスプレー運転を継続し泡高さを計測、24時間後に停止、凝集物の発生を確認した。結果を表3にまとめた。
【0041】
【表3】
Figure 0004602589
【0042】
【発明の効果】
本発明の消泡剤組成物は実施例に見られるように、フォトレジスト溶解液において消泡性とともに良好な分散性も併せ持っている。これは従来用いられている消泡剤の技術に比べても、その効果は優れている。本発明の消泡剤組成物およびこれを添加して得られるフォトレジスト溶解液、該フォトレジスト溶解液を用いたフォトレジストの溶解方法はフォトレジストの現像工程、剥離工程で消泡効果が優れるだけでなく凝集物の発生が少ないことから、従来の消泡剤に見られた基材への凝集物付着、発泡による処理装置停止、凝集物付着によるフォトレジスト溶解液入れ替えや設備の清掃等の問題点を改善するものとして有用である。

Claims (6)

  1. 式(1)
    R−O(CHCHO)m−(CHCH(CH)O)n−H
    ・・・・(1)
    (ただし、Rは炭素数10〜22の直鎖または分岐鎖アルキル基を示し、mは8〜20、nは10〜30の数を示す)で表される化合物Aと、
    プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパンの中から選ばれる少なくとも1種にプロピレンオキシドを付加した後エチレンオキシドを付加した化合物であって、重量平均分子量が1,500〜5,000でかつポリエチレンオキシド基の化合物全体に占める割合が5〜25質量%である化合物Bとを、必須成分として含有することを特徴とするフォトレジスト溶解液用消泡剤組成物。
  2. 化合物Aを50〜97質量%、化合物Bを3〜50質量%含有する請求項1記載の消泡剤組成物。
  3. pH8.0〜14.0のアルカリ性溶液であって、請求項1または2記載の消泡剤組成物が0.01〜1.00体積%添加されていることを特徴とするフォトレジスト溶解液。
  4. 請求項3記載のフォトレジスト溶解液を用いることを特徴とするフォトレジストの溶解方法。
  5. フォトレジストが、全質量基準で光重合開始剤0.05〜 30.00質量%、分子内にエチレン性不飽和二重結合を有する光重合性モノマー15.00〜84.95質量%、少なくともカルボキシル基を含むビニル単量体を共重合成分として得られるビニル共重合体15.00〜84.95質量%からなることを特徴とする請求項4記載のフォトレジストの溶解方法。
  6. フォトレジストが光重合性モノマーとして分子量500〜 30,000のウレタンジ(メタ)アクリレートを10質量%以上含有することを特徴とする請求項5記載のフォトレジストの溶解方法。
JP2001133844A 2001-05-01 2001-05-01 フォトレジスト溶解液用消泡剤組成物 Expired - Fee Related JP4602589B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001133844A JP4602589B2 (ja) 2001-05-01 2001-05-01 フォトレジスト溶解液用消泡剤組成物
CN02118847.5A CN1271470C (zh) 2001-05-01 2002-04-29 用于光致抗蚀剂溶解液的消泡剂组合物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001133844A JP4602589B2 (ja) 2001-05-01 2001-05-01 フォトレジスト溶解液用消泡剤組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002328478A JP2002328478A (ja) 2002-11-15
JP4602589B2 true JP4602589B2 (ja) 2010-12-22

Family

ID=18981637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001133844A Expired - Fee Related JP4602589B2 (ja) 2001-05-01 2001-05-01 フォトレジスト溶解液用消泡剤組成物

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4602589B2 (ja)
CN (1) CN1271470C (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4595492B2 (ja) * 2004-11-05 2010-12-08 栗田工業株式会社 水中油型エマルション消泡剤組成物
CN100382871C (zh) * 2005-12-15 2008-04-23 南京四新科技应用研究所有限公司 一种印制电路板专用消泡剂
JP2007260540A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Aquas Corp 消泡剤、及び、水系水の消泡方法
JP5433829B2 (ja) * 2009-02-09 2014-03-05 サンノプコ株式会社 消泡剤及びこれを含有してなる樹脂
JP5459252B2 (ja) * 2011-03-31 2014-04-02 ダイキン工業株式会社 陰イオン界面活性剤含有液の消泡方法およびヘキサフルオロプロピレンオキシドの洗浄方法
CN107537185B (zh) * 2017-08-18 2021-01-15 佳化化学(茂名)有限公司 一种自乳化型消泡剂及其制备方法
CN114685776B (zh) * 2020-12-30 2024-05-14 博特新材料泰州有限公司 一种支链型混凝土消泡剂、其制备方法及应用

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6163842A (ja) * 1984-09-04 1986-04-02 Mitsubishi Yuka Fine Chem Co Ltd 印刷用合成樹脂版のエツチング方法
JPH01257846A (ja) * 1988-04-07 1989-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト用現像液
JPH0810600A (ja) * 1994-06-30 1996-01-16 Toho Chem Ind Co Ltd 感光性樹脂工業用消泡分散剤
JPH08113891A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 Kurita Water Ind Ltd 抄紙系消泡剤および消泡方法
JPH09117609A (ja) * 1995-10-25 1997-05-06 Sannopuko Kk 消泡剤
JPH09117607A (ja) * 1995-10-25 1997-05-06 Sannopuko Kk 消泡剤
JPH11199291A (ja) * 1998-01-14 1999-07-27 Sannopuko Kk 消泡剤、建材ボード及びその製造方法
JP2000162767A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6163842A (ja) * 1984-09-04 1986-04-02 Mitsubishi Yuka Fine Chem Co Ltd 印刷用合成樹脂版のエツチング方法
JPH01257846A (ja) * 1988-04-07 1989-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト用現像液
JPH0810600A (ja) * 1994-06-30 1996-01-16 Toho Chem Ind Co Ltd 感光性樹脂工業用消泡分散剤
JPH08113891A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 Kurita Water Ind Ltd 抄紙系消泡剤および消泡方法
JPH09117609A (ja) * 1995-10-25 1997-05-06 Sannopuko Kk 消泡剤
JPH09117607A (ja) * 1995-10-25 1997-05-06 Sannopuko Kk 消泡剤
JPH11199291A (ja) * 1998-01-14 1999-07-27 Sannopuko Kk 消泡剤、建材ボード及びその製造方法
JP2000162767A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1385755A (zh) 2002-12-18
JP2002328478A (ja) 2002-11-15
CN1271470C (zh) 2006-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6207346B1 (en) Waterborne photoresists made from urethane acrylates
KR20030067507A (ko) 세척 조성물
JP4602589B2 (ja) フォトレジスト溶解液用消泡剤組成物
CN113801291A (zh) 感光树脂组合物、感光干膜抗蚀剂和pcb板的制作方法
JP4586067B2 (ja) 感光性樹脂組成物これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
EP1722275B1 (en) Method for processing lithographic printing plates
CN1664707A (zh) 平版印刷术用洗涤剂及冲洗液
JPH07258587A (ja) β−ジケトン金属塩を含有するレジスト配合物の電着方法
CN1965269A (zh) 含水的边胶清除剂
JP2017120393A (ja) 積層体
US20030215754A1 (en) Residue reducing stable concentrate
US6887654B2 (en) Residue and scum reducing composition and method
US20060257798A1 (en) Alkaline developer for radiation sensitive compositions
CN109031889A (zh) 一种低泡型高附着性感光干膜抗蚀剂
KR100357292B1 (ko) 프린트배선판제조용현상액및프린트배선판의제조방법
KR20210018401A (ko) 레지스트층의 박막화 장치
CN109880699B (zh) 一种显影中和剂
KR101432389B1 (ko) 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제 및 이를 이용한 탈지방법
KR100951365B1 (ko) 포토레지스트 제거용 씬너 조성물
JP5113401B2 (ja) エマルジョン粒子およびそれを用いたスクリーン印刷用マスクの作製方法
CN109521656A (zh) 一种显影液辅助剂组合物及其配制方法
CN113176706B (zh) 一种干膜抗蚀剂组合物
US20060257789A1 (en) Method for processing lithographic printing plates
JP6927619B2 (ja) ダイシング工程用保護コーティング剤剥離用剥離剤
KR20160002326U (ko) 레지스트층의 박막화 장치

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20070115

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070115

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080131

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20090416

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090416

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100910

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100921

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100930

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4602589

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees