JP2017120393A - 積層体 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]
ベースフィルムと、
前記ベースフィルム上に設けられた、感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層と、
を備える積層体であって、
前記感光性樹脂組成物は、
(A)アルカリ可溶性高分子;
(B)エチレン性不飽和結合含有化合物;及び
(C)光重合開始剤;
を含み、
前記ベースフィルムは、前記感光性樹脂層から剥離可能であり、かつ
前記感光性樹脂組成物は、下記数式(1):
WX−DX≦5μm (1)
{式中、WXは、前記感光性樹脂層を、液体の存在下で、幅100μm及び深さ5μmの溝を有する基板上にラミネートした後に露光及び現像により得られるレジストパターンにおいて、200μm幅のレジストラインに対するスペース最小幅として規定される解像度(μm)であり、かつ
DXは、液体の非存在下で前記感光性樹脂層を前記基板上にラミネートした後に露光及び現像により得られるレジストパターンにおいて、200μm幅のレジストラインに対するスペース最小幅として規定される解像度(μm)である}
で表される関係を満たすことを特徴とする積層体。
[2]
前記感光性樹脂組成物は、
(D)添加剤と、
(E)重合禁止剤と、
を含み、
前記(D)添加剤は、カルボキシル基を含まず、且つアミノ基を含むベンゾトリアゾール化合物を含み、
前記(E)重合禁止剤は、エポキシ化合物を含む、[1]に記載の積層体。
[3]
前記(B)エチレン性不飽和結合含有化合物として、分子中に20モル以上のアルキレンオキサイド単位を有する付加重合性単量体を含む、[1]又は[2]に記載の積層体。
[4]
前記(B)エチレン性不飽和結合含有化合物として、下記一般式(II):
で表されるアルキレンオキサイド変性ビスフェノールA型ジ(メタ)アクリレート化合物を含む、[1]〜[3]のいずれか1項に記載の積層体。
[5]
前記(B)エチレン性不飽和結合含有化合物は、
下記一般式(III):
で表されるトリ(メタ)アクリレート化合物;
下記一般式(IV):
で表されるウレタンジ(メタ)アクリレート化合物;及び
下記一般式(VI):
で表されるo−フタレート化合物;
から成る群から選択される少なくとも1つを含む、[1]〜[4]のいずれか1項に記載の積層体。
[6]
前記(C)光重合開始剤は、N−アリールアミノ酸又はそのエステル化合物を含む、[1]〜[5]のいずれか1項に記載の積層体。
[7]
前記(C)光重合開始剤は、N−フェニルグリシン又はそのエステル化合物を含む、[6]に記載の積層体。
[8]
前記(A)アルカリ可溶性高分子は、前記(A)アルカリ可溶性高分子を構成する単量体の全質量を基準として40質量%以上のスチレンの構造単位を含む、[1]〜[7]のいずれか1項に記載の積層体。
[9]
ダイレクトイメージング露光用である、[1]〜[8]のいずれか1項に記載の積層体。
[10]
[1]〜[9]のいずれか1項に記載の積層体の前記感光性樹脂組成物を支持体に積層するラミネート工程;
該感光性樹脂組成物を露光する露光工程;及び
該露光された感光性樹脂組成物を現像する現像工程;
を含むレジストパターンの形成方法。
[11]
[1]〜[9]のいずれか1項に記載の積層体の前記感光性樹脂組成物を基板に積層するラミネート工程;
該感光性樹脂組成物を露光する露光工程;
該露光された感光性樹脂組成物を現像して、レジストパターンが形成された基板を得る現像工程;
該レジストパターンが形成された基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程;及び
該レジストパターンを剥離する剥離工程;
を含む配線板の製造方法。
なお、本明細書において用語「(メタ)アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。用語「(メタ)アクリロイル基」とは、アクリロイル基又はメタクリロイル基を意味する。用語「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」又は「メタクリレート」を意味する。
本実施形態では、感光性樹脂組成物が、(A)アルカリ可溶性高分子、(B)エチレン性不飽和結合含有化合物、及び(C)光重合開始剤を含む。所望により、感光性樹脂組成物は、(D)添加剤、(E)重合禁止剤などのその他の成分をさらに含んでよい。
WX−DX≦5μm (1)
{式中、WXは、感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を、液体の存在下で、幅100μm及び深さ5μmの溝を有する基板上にラミネートした後に露光及び現像により得られるレジストパターンにおいて、200μm幅のレジストラインに対するスペース最小幅として規定される解像度(μm)であり、かつ
DXは、液体の非存在下で感光性樹脂層を基板上にラミネートした後に露光及び現像により得られるレジストパターンにおいて、200μm幅のレジストラインに対するスペース最小幅として規定される解像度(μm)である}
で表される関係を満たす。
(A)アルカリ可溶性高分子は、アルカリ物質に溶解可能な高分子である。(A)アルカリ可溶性高分子は、単一種の共重合体、複数種の共重合体の混合物及び/又は複数種のホモポリマーの混合物でよい。
これらの中でも、レジストパターンのテント性を向上させるという観点から、メチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、又はtert−ブチル(メタ)アクリレートが好ましく、テント性の観点からn−ブチル(メタ)アクリレートがより好ましく、そして解像性の観点から、スチレン又は重合可能なスチレン誘導体が好ましい。
重合可能なスチレン誘導体としては、例えば、メチルスチレン、ビニルトルエン、tert−ブトキシスチレン、アセトキシスチレン、4−ビニル安息香酸、スチレンダイマー、スチレントリマー等が挙げられる。
(B)エチレン性不飽和結合含有化合物は、その構造中にエチレン性不飽和基を有することによって重合性を有する化合物である。エチレン性不飽和結合は、付加重合性の観点から、末端エチレン性不飽和基であることが好ましい。
アルキレンオキサイドとしては、例えば、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド等が挙げられる。
(b1)下記一般式(I):
で表されるエチレングリコールジ(メタ)アクリレート化合物;
(b2)下記一般式(II):
で表されるアルキレンオキシド変性ビスフェノールA型ジ(メタ)アクリレート化合物;
(b3)下記一般式(III):
で表されるトリ(メタ)アクリレート化合物;
(b4)下記一般式(IV):
で表されるウレタンジ(メタ)アクリレート化合物;
(b5)下記一般式(V):
で表されるヘキサ(メタ)アクリレート化合物;
(b6)下記一般式(VI):
で表されるo−フタレート化合物;及び
(b7)上記(b1)〜(b6)以外の付加重合性単量体;
から成る群から選択される少なくとも1つを含んでよい。
ヘテロ原子としては、例えば、ハロゲン原子等が挙げられ、そして置換基としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜18のアリール基、フェナシル基、アミノ基、炭素数1〜10のアルキルアミノ基、炭素数2〜20のジアルキルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボニル基、メルカプト基、炭素数1〜10のアルキルメルカプト基、アリール基、水酸基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、アルキル基の炭素数が1〜10のカルボキシアルキル基、アルキル基の炭素数が1〜10のアシル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜10のアルキルカルボニル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のN−アルキルカルバモイル基若しくは複素環を含む基、又はこれらの置換基で置換されたアリール基等が挙げられる。これらの置換基は縮合環を形成しているか、又はこれらの置換基中の水素原子がハロゲン原子等のヘテロ原子に置換されていてもよい。一般式(II)中の芳香環が複数の置換基を有する場合には、複数の置換基は同一であるか、又は異なっていてよい。
(b3)成分以外のトリ(メタ)アクリレート、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エトキシ化グリセリントリ(メタ)アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート等;
テトラ(メタ)アクリレート、例えば、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール(ポリ)アルコキシテトラ(メタ)アクリレート等;
ペンタ(メタ)アクリレート、例えば、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート等;
多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物;及び
グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物;
が挙げられる。
エッチングプロセス後のショート不良抑制性の観点から、(B)エチレン性不飽和結合含有化合物は、分子中に20モル以上のアルキレンオキサイド単位を有することが好ましい。分子中に20モル以上のアルキレンオキサイド単位を有するエチレン性不飽和結合含有化合物の含有量は、エッチングプロセス後のショート不良抑制性の観点から感光性樹脂組成物全体の5質量%以上が好ましく、10質量%以上がより好ましく、現像後解像度の観点から40質量%以下が好ましく、30質量%以下又は20質量%以下がより好ましい。
(C)光重合開始剤は、光により単量体を重合させる化合物である。感光性樹脂組成物は、光重合開始剤として本技術分野において一般に知られている化合物を含む。
これらの中でも、アクリジン類は、ダイレクトイメージング露光に特に適しており、そしてN−アリールアミノ酸又はそのエステル化合物は、感光性樹脂層の感度及びレジストパターンの解像性の観点から好ましい。
N−アリールアミノ酸のエステル化合物としては、例えば、N−フェニルグリシンエチルエステルが挙げられる。N−フェニルグリシンエチルエステルは、感光性樹脂層の感度又はレジストパターンの解像性の観点から特に好ましい。
本実施形態では、感光性樹脂組成物は、エッチング後のショート不良抑制性の観点から、(D)添加剤としての(i)カルボキシル基を含まず、且つアミノ基を含むベンゾトリアゾール化合物(以下「(i)化合物」と略記する)、及び(ii)重合禁止剤(E)としてのエポキシ化合物を含むことが好ましい。
で表される化合物が挙げられる。
感光性樹脂組成物のエッチングショート不良抑制、及び熱安定性又は保存安定性の観点から、感光性樹脂組成物は、安定化剤として、(i)化合物以外の添加剤を含有してもよい。
(i)化合物以外の添加剤としては、テトラゾール骨格、イミダゾール骨格、トリアゾール骨格及びチアゾール骨格を有する化合物等が好ましい。これらの化合物には、メルカプト基を含有することがさらに好ましい。
前記化合物の例としては、例えば、以下の:
イミダゾール類、例えば、2−メルカプト−1−メチルイミダゾール、2−メルカプトベンゾイミダゾール、2−メルカプト−5−メチル−ベンゾイミダゾール、5−クロロ−2−メルカプトベンゾイミダゾール、5−メトキシ−2−メルカプトベンゾイミダゾール;
チアゾール類、例えば、2−メルカプトベンゾチアゾール、6−アミノ−2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプト−5−メトキシベンゾチアゾール、5−クロロ−2−メルカプトベンゾチアゾール;
テトラゾール類、例えば、1−メチル−5−メルカプト−1H−テトラゾール、1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾール、1−メチル−5−アミノ−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−ベンジル−1H−テトラゾール、5−メチルテトラゾール、1−メチル−1H−テトラゾール、5−メチルチオ−1H−テトラゾール、5−フェニルテトラゾール、5−エチルチオ−1H−テトラゾール、5−ベンジルチオ−1H−テトラゾール;
芳香族環が縮合していないトリアゾール類、例えば、1,2,4−トリアゾール、1,2,3−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、1,3,4−トリアゾール−3−オール、3−メルカプト−4−メチル−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール;
ベンゾトリアゾール類、例えば、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5−クロロ−1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール;
ベンゾオキサゾール類、例えば、2−メルカプトベンゾオキサゾール;
等が挙げられる。
本実施形態では、感光性樹脂組成物に溶媒を添加することにより感光性樹脂組成物調合液を形成することができる。好適な溶媒としては、ケトン類、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)等;及びアルコール類、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。感光性樹脂組成物調合液の粘度が25℃で500mPa・秒〜4000mPa・秒となるように、溶媒を感光性樹脂組成物に添加することが好ましい。
本実施形態に係る積層体(以下、「感光性樹脂積層体」ともいう)は、ベースフィルムと、ベースフィルム上に設けられた、上記感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層とを備える。感光性樹脂積層体は、所望により、感光性樹脂層のベースフィルム側と反対側に保護層を有していてもよい。
レジストパターンの形成方法は、支持体に、上述の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層を積層するラミネート工程、感光性樹脂層を露光する露光工程、及び露光された感光性樹脂層を現像する現像工程を、好ましくはこの順に、含む。本実施形態においてレジストパターンを形成する具体的な方法の一例を以下に示す。
SAPは、基板全面に配置された導体シード層上の非回路部分にレジストを形成してから、回路部分のみをめっきで形成する方法である。
導体パターンの製造方法は、金属板、金属皮膜絶縁板等の基板に上述の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を積層するラミネート工程、感光性樹脂層を露光する露光工程、露光された感光性樹脂層の未露光部又は露光部を現像液で除去することによって、レジストパターンが形成された基板を得る現像工程、及びレジストパターンが形成された基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程を、好ましくはこの順に、含む。
導体パターンの製造方法により導体パターンを製造した後に、レジストパターンを、現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離する剥離工程を更に行うことにより、所望の配線パターンを有する配線板(例えば、プリント配線板)を得ることができる。
基板として銅、銅合金、又は鉄系合金等の金属板を用いて、レジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることにより、リードフレームを製造できる。先ず、現像により露出した基板をエッチングして導体パターンを形成する工程を行う。その後、配線板の製造方法と同様の方法でレジストパターンを剥離する剥離工程を行って、所望のリードフレームを得ることができる。
レジストパターン形成方法により形成されるレジストパターンは、サンドブラスト工法により基板に加工を施す時の保護マスク部材として使用することができる。この場合、基板としては、例えば、ガラス、シリコンウエハー、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、セラミック、サファイア、金属材料等が挙げられる。これらの基板上に、レジストパターン形成方法と同様の方法によって、レジストパターンを形成する。その後、形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付けて、目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、及び基板上に残存したレジストパターン部分をアルカリ剥離液等で基板から除去する剥離工程を行って、基板上に微細な凹凸パターンを有する基材を製造できる。
基板として大規模集積化回路(LSI)の形成が終了したウエハを用いて、レジストパターン形成方法によりウエハにレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることによって、半導体パッケージを製造することができる。先ず、現像により露出した開口部に銅、はんだ等の柱状めっきを施して、導体パターンを形成する工程を行う。その後、配線板の製造方法と同様の方法でレジストパターンを剥離する剥離工程を行って、更に、柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去する工程を行うことにより、所望の半導体パッケージを得ることができる。
なお、上述した各パラメータの値については特に断りのない限り、後述する実施例での測定方法に準じて測定される。
<高分子の重量平均分子量又は数平均分子量の測定>
高分子の重量平均分子量又は数平均分子量は、日本分光(株)製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)(ポンプ:Gulliver、PU−1580型、カラム:昭和電工(株)製Shodex(登録商標)(KF−807、KF−806M、KF−806M、KF−802.5)4本直列、移動層溶媒:テトラヒドロフラン、ポリスチレン標準サンプル(昭和電工(株)製Shodex STANDARD SM−105)による検量線使用)によりポリスチレン換算として求めた。
さらに、高分子の分散度は、数平均分子量に対する重量平均分子量の比(重量平均分子量/数平均分子量)として算出された。
本明細書において、酸当量とは、分子中に1当量のカルボキシル基を有する重合体の質量(グラム)を意味する。平沼産業(株)製平沼自動滴定装置(COM−555)を使用し、0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いて電位差滴定法により酸当量を測定した。
実施例1〜17及び比較例1〜7における評価用サンプルは以下のように作製した。
下記表1又は2に示す成分(但し、各成分の数字は固形分としての配合量(質量部)を示す)及び溶媒を十分に攪拌、混合して、感光性樹脂組成物調合液を得た。表1及び2中に略号で表した成分の名称を下記表3に示す。支持フィルムとして16μm厚のポリエチレンテレフタラートフィルム(三菱樹脂(株)製、R310−16B)を用い、その表面にバーコーターを用いて、この調合液を均一に塗布し、95℃の乾燥機中で2分間乾燥して、感光性樹脂組成物層を形成した。感光性樹脂組成物層の乾燥厚みは20μmであった。
研削材(日本カーリット(株)製、サクランダムR(登録商標#220))を用いて、35μm圧延銅箔を積層した0.4mm厚の銅張積層板をスプレー圧0.2MPaでジェットスクラブ研磨することにより、評価用基板を作製した。さらに、25μm厚みのドライフィルムレジストを用い、エッチング工法により幅100μm、深さ5μmの溝を評価用基板面に、評価基板の処理方向に平行、垂直となるようにそれぞれ形成した。
感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、50℃に予熱した評価用基板に、ホットロールラミネーター(旭化成(株)社製、AL−700)により、感光性樹脂積層体をロール温度105℃でラミネートして試験片を得た。エアー圧は0.35MPaとし、ラミネート速度は2.0m/分とした。
ラミネーション液として、イオン交換水を用意した。溝を形成した評価用基板をイオン交換水に浸漬し、基板表面にイオン交換水を塗布した。感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がし、イオン交換水に浸漬した評価用基板に、ホットロールラミネーター(旭化成(株)社製、AL−700)により、感光性樹脂積層体をロール温度105℃でラミネートして試験片を得た。エアー圧は0.35MPaとし、ラミネート速度は2.0m/分とした。
直接描画式露光装置(日本オルボテック株式会社製、ParagonUltra−100、主波長355nm)により、ストーファー21段ステップタブレットをマスクとして、種々の露光量で露光した。このとき、露光パターンが評価基板の溝に垂直となるように露光した。なお、解像度の値は、1μm刻みで得られるような描画パターンを用いて露光
を行なった。
感光性樹脂積層体からポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、(株)フジ機工製現像装置を用い、フルコーンタイプのノズルにて、現像スプレー圧0.15MPaで、30℃の1質量%Na2CO3水溶液を所定時間スプレーして現像し、感光性樹脂層の未露光部分を溶解除去した。このとき、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間として測定し、最小現像時間の2倍の時間で現像してレジストパターンを作製した。その際、水洗工程は、フラットタイプのノズルにて水洗スプレー圧0.15MPaで、現像工程と同時間処理した。
<ドライラミネーション解像度(現像後)>
上記ドライラミネーション後の上記露光及び現像により得られた硬化レジストパターンについて、200μm幅のレジストラインに対するスペース最小幅として規定される解像度の値を、ドライラミネーション解像度として得た。上記露光工程は、現像後の残膜限界段数が6段となる露光量で行われた。
なお、硬化レジストパターンにおいて、未露光部分の基板表面に残留レジストがなく基板表面が表出しており、硬化レジストから糸を引いたようなレジスト成分の突起もなく、ラインの直線性も良好であり、硬化レジスト同士の密着もない、正常に形成されている最小スペース幅を評価した。
上記ドライラミネーションの代わりに上記ウェットラミネーションを行なったこと以外は、上記ドライラミネーション解像度(現像後)の決定方法と同様に、ウェットラミネーション解像度(現像後)を得た。
ウェットラミネーション解像度(現像後)からドライラミネーション解像度(現像後)を引くことにより、ウェット−ドライラミネーション解像度差を算出して、以下の基準により評価した。
○(良好):ウェット−ドライラミネーション解像度差が5μm以下である。
×(不良):ウェット−ドライラミネーション解像度差が5μmを超える。
上記ドライラミネーション後に、上記露光及び現像工程時に、現像後の残膜限界段数が6段となる露光量を求めて、以下の基準により評価した。
○(良好):露光量は20mJ/cm2未満である。
△(許容):露光量は20mJ/cm2以上である。
ウェットラミネーション解像度(現像後)をエッチング後解像度として採用して、以下の基準により評価した。
◎(著しく良好):エッチング後解像度は、17μm未満である。
○(良好):エッチング後解像度は、17μm以上かつ20μm以下である。
△(許容):エッチング後解像度は、20μmを超え、かつ25μm未満である。
×(不良):エッチング後解像度は、25μm以上である。
ドライラミネーション解像度(現像後)を解像度(通常)として採用した。
実施例1〜17及び比較例1〜7の評価結果を下記表1、2又は3に示す。なお、表1及び2において、略号「長鎖ROモノマー」は、分子中に20モル以上のアルキレンオキサイド単位を有するモノマーを表す。
Claims (11)
- ベースフィルムと、
前記ベースフィルム上に設けられた、感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層と、
を備える積層体であって、
前記感光性樹脂組成物は、
(A)アルカリ可溶性高分子;
(B)エチレン性不飽和結合含有化合物;及び
(C)光重合開始剤;
を含み、
前記ベースフィルムは、前記感光性樹脂層から剥離可能であり、かつ
前記感光性樹脂組成物は、下記数式(1):
WX−DX≦5μm (1)
{式中、WXは、前記感光性樹脂層を、液体の存在下で、幅100μm及び深さ5μmの溝を有する基板上にラミネートした後に露光及び現像により得られるレジストパターンにおいて、200μm幅のレジストラインに対するスペース最小幅として規定される解像度(μm)であり、かつ
DXは、液体の非存在下で前記感光性樹脂層を前記基板上にラミネートした後に露光及び現像により得られるレジストパターンにおいて、200μm幅のレジストラインに対するスペース最小幅として規定される解像度(μm)である}
で表される関係を満たすことを特徴とする積層体。 - 前記感光性樹脂組成物は、
(D)添加剤と、
(E)重合禁止剤と、
を含み、
前記(D)添加剤は、カルボキシル基を含まず、且つアミノ基を含むベンゾトリアゾール化合物を含み、
前記(E)重合禁止剤は、エポキシ化合物を含む、請求項1に記載の積層体。 - 前記(B)エチレン性不飽和結合含有化合物として、分子中に20モル以上のアルキレンオキサイド単位を有する付加重合性単量体を含む、請求項1又は2に記載の積層体。
- 前記(B)エチレン性不飽和結合含有化合物は、
下記一般式(III):
で表されるトリ(メタ)アクリレート化合物;
下記一般式(IV):
で表されるウレタンジ(メタ)アクリレート化合物;及び
下記一般式(VI):
で表されるo−フタレート化合物;
から成る群から選択される少なくとも1つを含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の積層体。 - 前記(C)光重合開始剤は、N−アリールアミノ酸又はそのエステル化合物を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の積層体。
- 前記(C)光重合開始剤は、N−フェニルグリシン又はそのエステル化合物を含む、請求項6に記載の積層体。
- 前記(A)アルカリ可溶性高分子は、前記(A)アルカリ可溶性高分子を構成する単量体の全質量を基準として40質量%以上のスチレンの構造単位を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の積層体。
- ダイレクトイメージング露光用である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の積層体。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の積層体の前記感光性樹脂組成物を支持体に積層するラミネート工程;
該感光性樹脂組成物を露光する露光工程;及び
該露光された感光性樹脂組成物を現像する現像工程;
を含むレジストパターンの形成方法。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の積層体の前記感光性樹脂組成物を基板に積層するラミネート工程;
該感光性樹脂組成物を露光する露光工程;
該露光された感光性樹脂組成物を現像して、レジストパターンが形成された基板を得る現像工程;
該レジストパターンが形成された基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程;及び
該レジストパターンを剥離する剥離工程;
を含む配線板の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110317357A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 太阳油墨制造株式会社 | 感光性膜层积体及其固化物、以及电子部件 |
JP2023509861A (ja) * | 2019-12-31 | 2023-03-10 | コーロン インダストリーズ インク | 感光性樹脂層、それを用いたドライフィルムフォトレジスト、および感光性エレメント |
JP2023509862A (ja) * | 2019-12-31 | 2023-03-10 | コーロン インダストリーズ インク | 感光性樹脂層、それを用いたドライフィルムフォトレジスト、および感光性エレメント |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020076945A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-05-21 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05333542A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 感光性樹脂組成物 |
JPH0918114A (ja) * | 1995-04-28 | 1997-01-17 | Sony Chem Corp | フレキシブル回路基板の製造方法 |
JP2000075484A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、感光性積層体及びフレキシブルプリント板の製造法 |
JP2009137276A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-06-25 | E I Du Pont De Nemours & Co | 基板上への光重合性ドライフィルムのウェットラミネーションおよびそれに関連する組成物 |
JP2013210405A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
WO2014014087A1 (ja) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂エレメントの製造方法 |
WO2014050627A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、これを用いた硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置 |
WO2015178462A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及び回路パターンの形成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0374809A3 (en) * | 1988-12-23 | 1991-11-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Bubble free film/liquid solder mask-coated printed circuit boards by fluid pressurizing |
TW574628B (en) * | 1996-12-10 | 2004-02-01 | Morton Int Inc | High resolution positive acting dry film photoresist |
CN103076718B (zh) * | 2008-03-21 | 2015-01-21 | 旭化成电子材料株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性树脂层压体、抗蚀图案形成方法、以及印刷线路板、引线框、半导体封装体和凹凸基板的制造方法 |
CN103282829B (zh) * | 2010-12-24 | 2016-08-17 | 旭化成株式会社 | 感光性树脂组合物 |
KR102600211B1 (ko) * | 2015-09-11 | 2023-11-08 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 |
JP6567952B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2019-08-28 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体及びレジストパターン形成方法 |
-
2016
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05333542A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 感光性樹脂組成物 |
JPH0918114A (ja) * | 1995-04-28 | 1997-01-17 | Sony Chem Corp | フレキシブル回路基板の製造方法 |
JP2000075484A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、感光性積層体及びフレキシブルプリント板の製造法 |
JP2009137276A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-06-25 | E I Du Pont De Nemours & Co | 基板上への光重合性ドライフィルムのウェットラミネーションおよびそれに関連する組成物 |
US20100037799A1 (en) * | 2007-08-27 | 2010-02-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Wet lamination of photopolymerizable dry films onto substrates and compositions relating thereto |
JP2013210405A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
WO2014014087A1 (ja) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂エレメントの製造方法 |
WO2014050627A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、これを用いた硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置 |
WO2015178462A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及び回路パターンの形成方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110317357A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 太阳油墨制造株式会社 | 感光性膜层积体及其固化物、以及电子部件 |
TWI798403B (zh) * | 2018-03-30 | 2023-04-11 | 日商太陽油墨製造股份有限公司 | 感光性薄膜層合體及其硬化物,以及電子零件 |
JP2023509861A (ja) * | 2019-12-31 | 2023-03-10 | コーロン インダストリーズ インク | 感光性樹脂層、それを用いたドライフィルムフォトレジスト、および感光性エレメント |
JP2023509862A (ja) * | 2019-12-31 | 2023-03-10 | コーロン インダストリーズ インク | 感光性樹脂層、それを用いたドライフィルムフォトレジスト、および感光性エレメント |
JP7387900B2 (ja) | 2019-12-31 | 2023-11-28 | コーロン インダストリーズ インク | 感光性樹脂層、それを用いたドライフィルムフォトレジスト、および感光性エレメント |
JP7471420B2 (ja) | 2019-12-31 | 2024-04-19 | コーロン インダストリーズ インク | 感光性樹脂層、それを用いたドライフィルムフォトレジスト、および感光性エレメント |
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