JP4596790B2 - セラミックスヒータおよびこれを用いたウェハ支持部材 - Google Patents
セラミックスヒータおよびこれを用いたウェハ支持部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4596790B2 JP4596790B2 JP2004046660A JP2004046660A JP4596790B2 JP 4596790 B2 JP4596790 B2 JP 4596790B2 JP 2004046660 A JP2004046660 A JP 2004046660A JP 2004046660 A JP2004046660 A JP 2004046660A JP 4596790 B2 JP4596790 B2 JP 4596790B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- ceramic body
- wafer
- heating element
- resistance heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 250
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 182
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 113
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 64
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 79
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 26
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 11
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 2 O 3 Chemical class 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000287463 Phalacrocorax Species 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- HBAGRTDVSXKKDO-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)manganese lanthanum(3+) Chemical compound [La+3].[La+3].[O-][Mn]([O-])(=O)=O.[O-][Mn]([O-])(=O)=O.[O-][Mn]([O-])(=O)=O HBAGRTDVSXKKDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
や、ウェハを加熱する際に用いる導電体に関するものであり、半導体ウェハや液晶装置あるいは回路基板等のウェハ上に薄膜を形成したり、ウェハ上に塗布されたレジスト液を乾燥焼き付けしてレジスト膜を形成したりする際に好適な導電体を抵抗発熱体としたウェハ支持部材に関する。
また、前記導電性粒子の平均粒径が0.1〜5μmであり、前記絶縁性組成物の塊の平均粒径が3〜100μmであることを特徴とする。
張係数を有する部材で挟み込んで酸化物膜4aに作用する応力を緩和する効果が小さく、また、酸化物膜4aとの熱膨張差が大きくなり過ぎて酸化物4aが脆くなり、繰り返し加わる熱サイクルによって酸化物膜4aが剥離し易くなるからで、逆にガラス層4bの熱膨張係数が窒化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数より3.0×10 -6 /℃を超えて大きいと、酸化物膜4aを挟みこむことによる応力緩和効果が小さく、また、抵抗発熱体5の表面を強制空冷した際に、抵抗発熱体5の外周部にクラックが発生し易くなるからである。
のを用いることが好ましい。これらの結晶は熱熱膨張係数が小さいため、抵抗発熱体5の熱膨張係数を下げる効果があるとともに、ガラス中にクラックが発生しても上記結晶によってクラックの伸展を抑制することができるため、従来、50℃〜350℃の熱サイクル試験において10000サイクル程度で断線していた抵抗発熱体5の寿命を20000サイクルまで延ばすことができ、長寿命なウェハ保持部材1を提供することができる。
O 2 ) 2 、SiO 2 の少なくとも1種の結晶を含有させる方法としては、結晶化させるかあ
るいはガラス中に分散させれば良い。
焼き付け処理することによりガラス中に混在させるようにしても構わない。
ニウム質焼結体が空気中の水分と反応してアンモニアガスやアミン系のガスを発生させ、ウェハW上に形成した感光性樹脂の性質を劣化させてしまい、逆に酸化物膜4aの膜厚みTが5μmを超えると、酸化物膜4aが形成された後の冷却時に、表面の酸化物膜4aの収縮が、ヒータ部30を形成する窒化アルミニウム質焼結体に較べて大きいため(窒化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数:4.7×10 -6 /℃(20〜400℃)、アルミナからなる酸化物膜4aの熱膨張係数:7.3×10 -6 /℃(20〜400℃))、この収縮差により酸化物膜4aには常に引張応力が作用しており、この状態で抵抗発熱体5の昇温及び強制空冷によって熱衝撃が加わると、抵抗発熱体5にクラックが発生するからである。
Dが大きくなり、均一に加熱できるウェハWの大きさが板状セラミックス体2の直径Dに比較して小さくなり、ウェハWを加熱する電力に対するウェハ加熱効率が悪くなる。更に、板状セラミックス体2が大きくなることからウェハ製造装置の設置面積が大きくなり、最小の設置面積で最大の生産を行なう必要がある半導体製造装置の設置面積に対する稼働率を低下させ好ましくない。
せたペーストを用意し、所定のパターン形状にスクリーン印刷法等にて印刷した後、焼付けして、導電材を樹脂やガラスから成るマトリックスで結合すれば良い。マトリックスとしてガラスを用いる場合は、結晶化ガラス、非晶質ガラスのいずれでも良いが、熱サイクルによる抵抗値の変化を抑えるために結晶化ガラスを用いることが好ましい。
1700〜2300倍である。
める帯状の抵抗発熱体5の面積の比率を10%〜30%、さらには15%〜25%とすることが好ましい。
ミックス体2の熱伝導率より小さくなるように接触部材17の材料を選択することが好ましい。
緩和し、高い信頼性で電気的導通を維持できる。さらに、接点が点接触となるのを防止するため、弾性のある導体を中間層として挿入しても構わない。この中間層は単に箔状のシートを挿入するだけでも効果がある。そして、給電端子11の給電部6側の径は、1.5〜5mmとすることが好ましい。
だ抵抗発熱体ペーストを用い、本発明のセラミックスヒータを形成するにあたっては、ガラス層上に抵抗発熱体ペーストをプリント印刷し、600〜700℃の温度で焼き付けることにより形成し、従来のセラミックスヒータを形成するにあたっては、加熱板上に抵抗発熱体ペーストを直接プリント印刷し、600〜700℃の温度で焼き付けることにより形成した。
をスクリーン印刷法にて所定のパターン形状に印刷した後、150℃に加熱して有機溶剤を乾燥させ、さらに550℃で30分間脱脂処理を施した後、700〜900℃の温度で焼き付けを行なうことにより、厚みが50μmの抵抗発熱体を形成した。抵抗発熱体のパターン配置は、中心部から放射方向に円と円環状に分割し、中心部に円形の1つにパターンを形成し、その外側の円環状の部分に2つにパターンを形成し、更にその外側に4つのパターンの計7個のパターン構成とした。そして、最外周の4つのパターンの外接円Cの直径を310mmとした。しかるのち抵抗発熱体に給電部をロウ付けし固着させることにより、板状セラミックス体を製作した。
イクル後の抵抗変化率が1.63%とやや大きく、定常時のウェハの温度差が0.77℃とやや大きかった。また、過渡時のウェハ面内の最大温度差は6.4℃とやや大きかった。これは、導電体である抵抗発熱体が熱サイクルにより動き、微小部分で剥離等の現象が生じたためと推測される。
2、72:板状セラミックス体
3、73:載置面
5、75:抵抗発熱体、導電体
6:給電部
8:支持ピン
10:ガイド部材
11、77:給電端子
16:ボルト
17:接触部材
18:弾性体
20:ナット
21:底面
23:排出孔
24:ガス噴射口
25:ウェハリフトピン
26:貫通孔
27:熱電対
28:ガイド部材
29、79:ケース
W:半導体ウェハ
Claims (6)
- 板状セラミックス体の表面または内部に導電体からなる抵抗発熱体を備えてなるセラミックスヒータにおいて、前記導電体は絶縁性組成物と金属からなる導電性粒子との複合材からなり、多数の前記導電性粒子に囲まれた前記絶縁性組成物の塊を有するとともに、前記絶縁性組成物を成す粉末の粒度分布は2つ以上の極大値を有することを特徴とするセラミックスヒータ。
- 前記絶縁性組成物の塊の平均粒径が前記導電性粒子の平均粒径の3倍以上であることを特徴とする請求項1に記載のセラミックスヒータ。
- 前記導電性粒子の平均粒径が0.1〜5μmであり、前記絶縁性組成物の塊の平均粒径が3〜100μmであることを特徴とする請求項1または2に記載のセラミックスヒータ。
- 前記絶縁性組成物からなる粒子の平均粒径が前記導電性粒子の平均粒径の30倍以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のセラミックスヒータ。
- 請求項1〜4記載のセラミックスヒータにおける前記板状セラミックス体の一方の主面を、ウェハを載せる載置面としたことを特徴とするウェハ支持部材。
- 前記板状セラミックス体と前記導電体との間に絶縁層を形成したことを特徴とする請求項5に記載のウェハ支持部材。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004046660A JP4596790B2 (ja) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | セラミックスヒータおよびこれを用いたウェハ支持部材 |
US11/065,181 US20060000822A1 (en) | 2004-02-23 | 2005-02-23 | Ceramic heater, wafer heating device using thereof and method for manufacturing a semiconductor substrate |
CNB2005100065632A CN100525547C (zh) | 2004-02-23 | 2005-02-23 | 陶瓷加热器、晶片加热装置以及半导体基板的制造方法 |
KR1020050015161A KR100782395B1 (ko) | 2004-02-23 | 2005-02-23 | 세라믹 히터, 그것을 이용한 웨이퍼 가열장치 및 반도체 기판 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004046660A JP4596790B2 (ja) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | セラミックスヒータおよびこれを用いたウェハ支持部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005235701A JP2005235701A (ja) | 2005-09-02 |
JP4596790B2 true JP4596790B2 (ja) | 2010-12-15 |
Family
ID=35018416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004046660A Expired - Lifetime JP4596790B2 (ja) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | セラミックスヒータおよびこれを用いたウェハ支持部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4596790B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007115736A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハ加熱用ホットプレート |
KR101200967B1 (ko) * | 2010-09-14 | 2012-11-13 | 이원배 | 세라믹글래스를 이용한 면상발열체 |
JP6913493B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2021-08-04 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001028291A (ja) * | 1999-05-07 | 2001-01-30 | Ibiden Co Ltd | ホットプレート及び導体ペースト |
JP2001244059A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Kyocera Corp | セラミックヒーター及びこれを用いたウエハ加熱装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6060983A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-08 | 株式会社デンソー | セラミックヒ−タ及びその製造方法 |
JP2625710B2 (ja) * | 1987-03-17 | 1997-07-02 | 株式会社デンソー | セラミツクヒータ |
JPH0260103A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Uchiya Thermostat Kk | 溶射技術を用いた抵抗体の製造方法 |
JP3588240B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2004-11-10 | 京セラ株式会社 | セラミックヒータ |
JPH11214124A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-06 | Kyocera Corp | セラミックヒータ |
-
2004
- 2004-02-23 JP JP2004046660A patent/JP4596790B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001028291A (ja) * | 1999-05-07 | 2001-01-30 | Ibiden Co Ltd | ホットプレート及び導体ペースト |
JP2001244059A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Kyocera Corp | セラミックヒーター及びこれを用いたウエハ加熱装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005235701A (ja) | 2005-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6534751B2 (en) | Wafer heating apparatus and ceramic heater, and method for producing the same | |
TWI353631B (en) | Wafer heating device and semiconductor equipment | |
KR100782395B1 (ko) | 세라믹 히터, 그것을 이용한 웨이퍼 가열장치 및 반도체 기판 제조방법 | |
JP3921060B2 (ja) | ウエハ加熱装置 | |
JP4596790B2 (ja) | セラミックスヒータおよびこれを用いたウェハ支持部材 | |
JP4845389B2 (ja) | ヒータ及びウェハ加熱装置 | |
JP4325925B2 (ja) | セラミックスヒータ | |
JP2007142441A (ja) | ウェハ支持部材 | |
JP2002198297A (ja) | ウエハ加熱装置 | |
JP4146707B2 (ja) | ウェハ加熱装置 | |
JP4593770B2 (ja) | ウエハ加熱装置 | |
JP4975146B2 (ja) | ウエハ加熱装置 | |
JP3805318B2 (ja) | ウェハ加熱装置 | |
JP4671592B2 (ja) | セラミックスヒータ | |
JP3847045B2 (ja) | セラミックヒーターとその製造方法及びこれを用いたウエハ加熱装置 | |
JP3924513B2 (ja) | ウェハ支持部材 | |
JP4359927B2 (ja) | ウエハ加熱装置及びその製造方法 | |
JP4776157B2 (ja) | セラミックスヒータ | |
JP4776156B2 (ja) | セラミックスヒータ | |
JP3563728B2 (ja) | ウェハ加熱装置 | |
JP3909266B2 (ja) | ウェハ支持部材 | |
JP4666909B2 (ja) | セラミックスヒータ | |
JP2004063813A (ja) | ウエハ加熱装置 | |
JP4189243B2 (ja) | ウェハ支持部材 | |
JP3904826B2 (ja) | ウェハ加熱装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100824 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4596790 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |