JP4591111B2 - Iii族窒化物系化合物半導体素子又は発光素子の製造方法 - Google Patents
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サファイヤ基板101の底面に当たる外側の最下部には、膜厚約500nmのアルミニウム(Al)より成る反射金属層150が、金属蒸着により成膜されている。尚、この反射金属層150は、Rh、Ti、W等の金属の他、TiN、HfN等の窒化物でも良い。
井戸層1061の形成開始時から終了時まで、TMIの供給量を目標供給量で一定とした他は実施例1と全く同様にして半導体発光素子100を形成した。発光波長は468nm、光度134μWであった。
101:サファイヤ基板
102:バッファ層
103:ノンドープGaN層
104:高キャリア濃度n+層
105:多重層
106:MQW発光層
1061:InGaN井戸層
1062:GaN障壁層
107:p型AlGaN層
108:ノンドープAlGaN層
109:p型コンタクト層
110:透光性薄膜p電極
120:p電極
130:保護膜
140:n電極
150:反射金属層
Claims (1)
- 少なくともインジウム(In)を含む井戸層を有する単一又は多重量子井戸構造の発光層を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、
III族窒化物系化合物半導体から成る障壁層の成長に続いて、気相成長法により前記井戸層の成長を開始する際には、In源の供給量を、目標供給量の5%以上である安定して供給可能な最低供給量から供給を開始し、一定時間の間に、前記目標供給量まで漸増させ、
その後、In源の供給量を、前記目標供給量に一定となるように保持して前記井戸層を成長させ、
前記井戸層の成長を終了させる際には、In源の供給量を、一定時間の間に、前記目標供給量から前記最低供給量まで漸減させ、
In源以外のIII族原料源については、In源供給の開始から供給終了までの間、一定供給量で供給し、
前記障壁層と前記井戸層との界面において、伝導帯においては電子の滞留を生じ、価電子帯においてはホールの滞留を生じさせるIn濃度が前記井戸層の他の領域よりも高い領域が形成されないようにした
ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
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