JP4575262B2 - ウェーハ支持構造及びウェーハ製造装置 - Google Patents
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このシリコンの単結晶層は、例えば直径が200mmで厚さが0.75mmのウェーハの場合に数μm程度の厚さを有する極薄い層であり、一般的にエピタキシャル膜と呼ばれる。このエピタキシャル膜の成長に用いられるウェーハ製造装置として、シリコンウェーハを1枚ずつ処理する枚葉式と称されるウェーハ製造装置がある(例えば、特許文献1,2参照)。
この枚葉式のウェーハ製造装置においては、通常、ウェーハWを1枚だけ水平に支持するサセプタ1(ウェーハ支持台)が処理チャンバ内に設けられている。チャンバ11は、不図示のベースリングを石英よりなる透光性の窓4a,4bによって上下から挟んでなり、内部の閉空間は反応炉5となっている。
サセプタ1はエピタキシャル膜の成長処理操作の間、ウェーハWの板面と平行な面内において、鉛直軸を回転中心として回転動を行う。
サセプタ支持軸14及びサセプタサポート2は、下部熱源7からの光を遮ることのないよう、高純度の透明な石英によって形成される。
サセプタサポートの中心軸2aは、回転駆動用モータ28からの動力伝達により回転運動するサセプタ支持軸14の上端に連結されている。
上記の発明によれば、サセプタサポートの回転中心とサセプタの中心とを同軸上に位置させることができ、エピタキシャル膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
上記の発明によれば、サセプタサポートの回転中心とウェーハの中心とを同軸上に位置させることができ、エピタキシャル膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
図1(A)は本発明のサセプタサポートの斜視図、図1(B)はサセプタサポートの縦断面図である。図2(A)はサセプタを上面側から見た平面図、図2(B)〜(D)はサセプタとサセプタサポートとの係合関係を示す要部の拡大断面図である。
ウェーハ製造装置によって成膜処理されたウェーハWについて、図3(A)に示すように、ウェーハ中心Oを通る任意の直交2軸(X,Y)方向におけるエピタキシャル膜の膜厚を調べた。
このように、本発明によれば、プロセスガスや洗浄時の薬液によるエッチング作用の不具合も回避することができる。
2…サセプタサポート 2a…中心軸 2b…アーム部 2c…頭部(先端頭部)
4a…窓 4b…窓
5…反応炉
6…上部熱源
7…下部熱源
8…流入口
9…排出口
11…チャンバ
12…ウェーハ収納用凹部
14…サセプタ支持軸
25…ブラケット
26…ベアリングユニット
27…ギヤ
28…回転駆動用モータ
29…駆動ギヤ
30…タイミングベルト
31…サセプタリング
36…リフトピン
O…ウェーハ中心
Q…サセプタ中心
W…ウェーハ。
Claims (2)
- ウェーハを支持するサセプタと、
前記サセプタの下面を支持し前記サセプタに回転動力を与えるサセプタサポートと、
を有するウェーハ製造装置において、
前記サセプタの前記サセプタサポートとの当接部は、サセプタ半径方向の縦断面形状が円弧状の面形状を有する凹部をなし、
前記サセプタサポートの前記サセプタとの当接部である前記頭部の先端形状は球面状をなし、
前記頭部の球面の半径は前記凹部の円弧の半径よりも小さく、
前記サセプタの中心が回転中心軸上に自動調芯されることを特徴とするウェーハ製造装置。 - サセプタと、前記サセプタの下面を支持し前記サセプタに回転動力を与えるサセプタサポートと、を有し、
前記サセプタの前記サセプタサポートとの当接部は、サセプタ半径方向の縦断面形状が円弧状の面形状を有する凹部をなし、
前記サセプタサポートの前記サセプタとの当接部である前記頭部の先端形状は球面状をなし、
前記頭部の球面の半径は前記凹部の円弧の半径よりも小さく、
前記サセプタの中心が回転中心軸上に自動調芯され、
前記サセプタによりウェーハを支持することを特徴とするウェーハ支持構造。
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