JP2003133397A - 半導体ウェハ製造装置の回転式サセプタ支持機構 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 サセプタの傾き及び回転中心の偏芯を補正で
きる支持軸構造を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ製造装置１は、ウェハ１０
を支持するサセプタ１１と、サセプタ１１を支持するサ
セプタ支持軸１４と、回転駆動用モータ２８によって回
転動力を与えられる駆動軸１５と、駆動軸１５に対して
サセプタ支持軸１４を所望の傾き及び水平位置で固定で
きる連結部材１６とを備える。連結部材１６は、サセプ
タ支持軸の曲がりを補正する機構を有するため、サセプ
タ上面の偏芯と傾きを補正することで、サセプタリング
とサセプタとの間での処理ガス流れの乱れを低減するこ
とができ、エピタキシャル膜の平坦度を向上させること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハにエピタキ
シャル膜を形成するための半導体ウェハ製造装置に関
し、特に、サセプタに回転駆動を与える支持軸の構造に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ウェハ基板上に同じ結晶方位をもったシ
リコンの単結晶層を成長させることにより、結晶欠陥が
なく、所望の抵抗率を有するシリコンウェハを製造する
技術が知られている。このシリコンの単結晶層は、例え
ば直径が２００ｍｍで厚さが０．７５ｍｍのウェハの場
合に数μｍ程度の厚さを有する極薄い層であり、一般的
にエピタキシャル膜と呼ばれる。このエピタキシャル膜
の成長に用いられるウェハ製造装置として、シリコンウ
ェハを１枚ずつ処理する枚葉式と称されるものがある。

【０００３】この枚葉式のウェハ製造装置においては、
通常、ウェハを１枚だけ水平に支持するサセプタ（ウェ
ハ支持台）が処理チャンバ内に設けられている。また、
サセプタ上にウェハを搬送するために、ウェハをサセプ
タに対して上下動させるためのリフト機構が設けられて
いる。一般のリフト機構は、サセプタを貫通して延びる
複数本のリフトピンを有しており、これらのリフトピン
の上端にウェハを載せ、リフトピンを上下動させること
で、ウェハを昇降させることができるようになってい
る。このようなリフト機構により、搬送用アームのハン
ドに載せられてチャンバ内に運ばれてきたウェハをサセ
プタ上に移載したり、或いはその逆に、ウェハをサセプ
タからハンドに受け渡したりすることが可能となる。

【０００４】また、エピタキシャル膜の成長を行うため
には、ウェハ上に処理ガス（原料ガス及びキャリアガ
ス）を流し、サセプタ上で支持されたウェハを１０００
〜１２００℃程度の高温に加熱する必要がある。このた
め、多数のハロゲンランプ（赤外線ランプ又は遠赤外線
ランプ）を処理チャンバの上下に配置し、サセプタ及び
ウェハを加熱している。

【０００５】近年、半導体集積回路の高集積化・高機能
化と共にデザインルールの微細化が急速に進み、半導体
ウェハに対する要求は更に厳密かつ厳格になってきてい
る。そして、エピタキシャル膜についても、表面の平坦
度や異物付着の限界サイズなどの要求が非常に厳しいも
のとなっており、中でも特にエピタキシャル膜の品質項
目として平坦度の向上が望まれている。この平坦度に影
響を与える要因として、ウェハを載置するサセプタの上
面とサセプタの周囲を囲むサセプタリング上面との上下
方向の位置ずれ、及び、サセプタとサセプタリングの隙
間の不均一があげられる。これは、位置ずれや隙間の不
均一によってウェハの上面における処理ガスの流れが乱
れ、成膜量が不均一になるからである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】サセプタの支持方法と
しては図９に示すように、サセプタ１１を支持するサセ
プタ支持軸４４の下端部に設けられた略円錐台形状の挿
入部４７を、回転運動する駆動軸４５の上端に設けられ
た支持部４６へ直接挿入し、上下方向の支持と回転力の
伝達を行っている。サセプタ支持軸は高温に加熱される
温度環境と、処理ガスに対する耐食性が必要であること
から石英ガラスが使用されている。このサセプタ支持軸
は、エピタキシャル膜の成膜工程において、熱源である
ハロゲンランプからの輻射熱を遮らないように、透明に
する必要がある。

【０００７】一般に、石英製のサセプタ支持軸を透明に
するためには、支持軸の形状加工の後、研削面の仕上げ
加工として火炎が当てられる。また、サセプタ支持軸は
複数の部品を溶接によってつなぎ合わせて形成されるこ
ともある。しかし、この火炎や溶接時の加熱によりサセ
プタ支持軸に内部応力が残留するため、最終工程として
アニール処理を行い、軸内に残留する内部応力を除去し
ている。アニール処理は約１２００℃の高温の炉内に、
加工後の支持軸を数時間配置するものであるが、炉内が
高温であるために石英の軟化が起こり、支持軸の形状変
化が起こる。特に、サセプタ支持軸はサセプタの回転中
心となるため、軸の曲がりが問題となる。

【０００８】しかしながら、従来技術の構造では、サセ
プタ支持軸の曲がり及びこれに伴う回転中心の偏芯を補
正する機構がないため、サセプタ上面は偏芯と傾きをも
った状態で回転していた。そのため、サセプタに載置さ
れたウェハ上面においては処理ガスが不均一に当たり、
その結果、成長するエピタキシャル膜の厚さが不均一に
なり、所望の平坦度の確保が困難であった。

【０００９】本出願に係る発明は、上記のような問題点
を解決するためになされたものであり、その目的とする
ところは、サセプタの傾き及び回転中心の偏芯を補正で
きる支持軸構造を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本出願に係る第１の発明は、ウェハを支持するサセ
プタと、前記サセプタを支持する支持軸と、回転駆動手
段によって回転動力を与えられ、回転運動する駆動軸
と、前記駆動軸に対して前記支持軸を所望の位置で固定
できる連結手段と、を有することを特徴とする半導体ウ
ェハ製造装置である。

【００１１】また、本出願に係る第２の発明は、前記連
結手段が、前記支持軸の材質よりも硬度が低い材料より
なり、前記支持軸を把持する把持手段を備えることを特
徴とする上記第１の発明に記載の半導体ウェハ製造装置
である。

【００１２】更に、本出願に係る第３の発明は、前記把
持手段が、フッ素ゴムよりなるＯリングであることを特
徴とする上記第２の発明に記載の半導体ウェハ製造装置
である。

【００１３】また、本出願に係る第４の発明は、前記把
持手段が、２個のＯリングと、テーパ面を持った楔と、
押圧手段とからなることを特徴とする上記第２または第
３の発明に記載の半導体ウェハ製造装置である。

【００１４】更に、本出願に係る第５の発明は、前記駆
動軸が円柱形状であり、前記連結手段の前記駆動軸との
連結部は、前記駆動軸の外径よりも大きい内径を有する
穴と、該穴の内壁面から突出可能な固定手段とを備え、
前記穴内に前記駆動軸を配置し、前記駆動軸の外周面に
前記固定手段を当接させることにより前記駆動軸に前記
連結手段を固定することを特徴とする上記第１〜第４の
何れか１つの発明に記載の半導体ウェハ製造装置であ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】［実施の形態１］以下、本出願に
係る発明の第１の実施の形態について、図１〜図７に基
づいて詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体ウ
ェハ製造装置１の概略構造を示す縦断面である。

【００１６】チャンバ２は、不図示のベースリングを石
英よりなる透光性の窓３，４によって上下から挟んでな
り、内部の閉空間は反応炉５となっている。さらに、反
応炉５を加熱する熱源６，７をチャンバ２の上下に備え
ている。本実施の形態においては、上下の熱源６，７は
それぞれ複数本のハロゲンランプから構成されている。
チャンバ２の左右には開口８，９が形成されており、一
方の流入口８から原料ガスおよびキャリアガスが流入
し、他方の排出口９から反応後のガスおよびキャリアガ
スが排出される。

【００１７】反応炉５内には、ウェハ１０を上部に支持
するサセプタ１１を収納している。サセプタ１１は上方
から見ると円板形状をしており、その直径はウェハ１０
よりも大きく、サセプタ１１の上面にはウェハ１０が収
納される円形状のウェハ収納用凹部１２を設けている。
サセプタ１１は、本実施の形態においては炭素Ｃの基材
に炭化シリコンＳｉＣの被膜を施したものであり、ウェ
ハ１０を加熱する際にウェハ１０全体の温度を均一に保
つ均熱盤としての役割を果たす。そのため、サセプタ１
１はウェハ１０よりも数倍の厚さ、すなわち数倍の熱容
量を有している。サセプタ１１はエピタキシャル膜の成
長処理操作の間、ウェハ１０の板面と平行な面内におい
て、垂直軸を回転中心として回転動を行う。

【００１８】サセプタ１１には貫通穴が設けられてお
り、その貫通穴にウェハ１０を昇降させるためのリフト
ピン３６が挿通している。リフトピン３６の形状や、リ
フトピン３６の昇降機構については、従来より種々のも
のが知られているため、本実施の形態においてはリフト
ピン３６の機構についての具体的な説明は省略する。

【００１９】サセプタ１１を支持するために、サセプタ
１１の下面には３本の支持アーム１３（図において１本
は不図示）が当接している。支持アーム１３はサセプタ
支持軸の頂上部に設けられており、サセプタ１１の上方
から見たときに３本の支持アーム１３それぞれの成す角
度が等しくなるように、サセプタ支持軸１４の頂上部を
中心として放射状に配置される。支持アーム１３とサセ
プタ１１下面との３点の当接部は、正三角形状に配置さ
れるのが好ましく、更にその正三角形の重心位置がサセ
プタ１１の重心位置と一致することが望ましい。サセプ
タ支持軸１４は、サセプタ支持軸１４の軸心とサセプタ
１１の重心とが一致する位置に設けられ、サセプタ支持
軸１４の回転によりサセプタ１１が安定して回転する。
サセプタ支持軸１４への回転は、後述する回転駆動用モ
ータ２８によって与えられる。

【００２０】サセプタ支持軸１４及び支持アーム１３
は、下部熱源７からの光を遮ることのないよう、透光性
の石英によって形成される。一般にサセプタ支持軸１４
は、ステンレス製の円筒状の駆動軸１５の上端に連結し
ている。図２（ａ）にサセプタ支持軸１４と駆動軸１５
との連結構造を示す。サセプタ支持軸１４と駆動軸１５
とは、軸継手であるステンレス製の連結部材１６によっ
て相互に連結される。連結部材１６は略円柱形状をな
し、円柱上面にはサセプタ支持軸１４が嵌合するための
上部円柱穴１７を設けている。また、連結部材１６の円
柱下面には駆動軸１５が挿入されるための下部円柱穴１
８を設けている。連結部材１６の中腹には、内部壁１９
を設けている。

【００２１】上部円柱穴１７の内径は、サセプタ支持軸
１４の直径よりもやや大きく、サセプタ支持軸１４は上
部円柱穴１７内にＯリング２０を介して支持される。上
部円柱穴１７の内壁面には、内周に沿って２本の環状溝
２１を設けており、この環状溝２１に輪状のＯリング２
０を内側から嵌合させる。サセプタ支持軸１４は上方か
ら上部円柱穴１７に挿入され、Ｏリング２０によって連
結部材１６内に把持される。

【００２２】Ｏリング２０は、石英製のサセプタ支持軸
１４が割れるのを防止するために設けるものであり、石
英よりも軟質な樹脂のような部材や、ゴムのような弾性
部材によって形成する必要がある。また、サセプタ支持
軸１４から成膜処理時の熱が伝達するため、耐熱性を有
することも必要とされる。Ｏリング２０の材質として
は、耐熱性を有するフッ素ゴム等を用いることができ
る。このようにしてサセプタ支持軸１４は、連結部材１
６の上部円柱穴１７内に上下方向及び回転方向に不動に
支持される。このとき、サセプタ支持軸１４の下端面
は、剛体との接触による破損を防止するために、内部壁
１９には接触していない方が好ましい。

【００２３】一方、下部円柱穴１８の内径は、駆動軸１
５の直径よりも大分大きく形成されている。例えば、直
径１２ｍｍの駆動軸１５に対して、内径１３ｍｍの下部
円柱穴１８が用いられる。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ
−Ａ´断面図である。図２（ｂ）に示すように連結部材
１６の下部円柱穴１８の肉厚部２２には、軸心から放射
状に3本の雌ねじ２３ａ〜２３ｃが切られている。３本
の雌ねじ２３ａ〜２３ｃは連結部材１６の中心軸を法線
とする同一の水平面上に配置され、下部円柱穴１８の肉
厚部２２を貫通して、連結部材１６の外周壁に開口を有
している。更に、図２（ａ）に示すように同様の位置関
係を有する３本の雌ねじ２３ｄ〜２３ｆ（２３ｆは不図
示）が、連結部材１６の中心軸を法線とする前記とは異
なる他の水平面上に配置されている。従って、下部円柱
穴１８の肉厚部２２には計６本の雌ねじ２３ｄ〜２３ｆ
が穿設されている。

【００２４】連結部材１６の下方から下部円柱穴１８内
に駆動軸１５を挿入し、外周から雌ねじ２３ａ〜２３ｆ
にステンレス製のいもねじ２４ａ〜２４ｆをねじ込む。
このように６点で支持することにより、連結部材１６は
所望の水平位置及び傾きを保った状態で駆動軸１５に確
実に固定される。

【００２５】さらに図２（ａ）に示すように、本実施の
形態においては、駆動軸１５の上端に駆動突起３４を備
え、サセプタ支持軸１４の下端部には駆動凹部３５を備
えている。駆動突起３４は直方体形状をなし、駆動凹部
３５は駆動突起３４が嵌合するように直方体形状に凹ん
だ形状をなしている。連結部材１６の中腹に設けられた
内部壁１９には、駆動突起３４が挿通するための貫通穴
が設けてあり、駆動突起３４はこの貫通穴を通って駆動
凹部３５に所定の遊びをもって緩く嵌合する。なお、こ
の駆動突起３４と駆動凹部３５は、サセプタ支持軸１４
と駆動軸１５が空回りするのを防止するために設けたも
のであり、本発明の必須の構成要件ではないため、設計
的事項として適宜省略することもできる。

【００２６】図１に示すように、駆動軸１５はブラケッ
ト２５に固定されたベアリングユニット２６に垂直に保
持され、さらに駆動軸１５の軸心を中心に回転動自在に
支持されている。駆動軸１５はその軸下部がベアリング
ユニット２６を貫通して延び出ており、軸下端部にはギ
ヤ２７を固定している。ブラケット２５には回転軸を垂
直下方に向けて配置された回転駆動用モータ２８が固定
され、この回転駆動用モータ２８の回転軸端部には駆動
ギヤ２９を設けている。

【００２７】駆動ギヤ２９とギヤ２７をわたって円環状
のタイミングベルト３０が掛けられており、回転駆動用
モータ２８の回転駆動が駆動ギヤ２９からタイミングベ
ルト３０を伝わってギヤ２７に与えられる。ギヤ２７の
回転により駆動軸１５に与えられた回転動力は、連結部
材１６を回転させ、連結部材１６の上部にＯリング２０
を介して固定されたサセプタ支持軸１４が回転する。

【００２８】サセプタ支持軸１４は、内部応力を除去す
るために焼きなまし処理が行われるが、その焼きなまし
処理の際に１２００℃程度まで加熱されるため、本来直
線状であるべきはずのサセプタ支持軸１４が図３に示す
ように曲がってしまう場合がある。図３の場合において
は、サセプタ１１の中心に対してサセプタ支持軸１４の
下端部はαｍｍだけ水平方向にずれており、更に下端部
は垂直方向に対してβ°傾いている。

【００２９】このようにサセプタ支持軸１４が曲がって
いる状態で駆動軸１５に連結させると、図４（ａ）に示
すようにサセプタ１１の中心が駆動軸１５の回転中心に
対してαｍｍだけ偏芯し、さらにサセプタ１１の上面が
サセプタリング３１の上面に対してβ°傾くことにな
る。このようにサセプタ１１が偏芯した状態で成膜処理
を行うと、サセプタリング３１とサセプタ１１との隙間
が不均一であるために、サセプタリング３１とサセプタ
１１の間に流れ込む処理ガスの流れが不均一になり、ウ
ェハ１０上に形成されるエピタキシャル膜の平坦度に影
響することがある。

【００３０】また、サセプタ１１が傾いた状態で成膜処
理を行うと、サセプタ１１上に配置されたウェハ１０に
対して処理ガスが均一に当たらないため、図４（ｂ）に
示すようにウェハ１０の上面に形成されるエピタキシャ
ル膜厚が不均一になり、平坦度が保てないことがある。
例えば、形成されるエピタキシャル膜厚の目標値を６μ
ｍとしたときに、±０．１μｍ程度の不均一を生じるこ
とがある。

【００３１】［動作説明］そのため本願発明において
は、まず図５に示すようにサセプタ支持軸１４と駆動軸
１５とを連結部材１６によって仮止めする。この時点で
は、いもねじ２４ａ〜２４ｆはきつくねじ込むのではな
く、駆動軸１５に対して連結部材１６が動かない程度に
ゆるく締めておく。サセプタ１１とサセプタリング３１
との隙間を検出するレーザー変位計３２と、サセプタ１
１上面の高さの変位を検出するレーザー変位計３３を配
置し、その状態で駆動軸１５をゆっくりと回転させる。

【００３２】レーザー変位計３２によってサセプタ１１
とサセプタリング３１との隙間の変化を検出することに
より、サセプタ１１の偏芯の距離α及び偏芯の位置を検
出することができる。また、レーザー変位計３３によっ
てサセプタ１１上面の高さの変位を検出することによ
り、サセプタ１１の傾きを検出することができる。な
お、レーザー変位計３３としては、回転するサセプタ１
１上面の高さの変位を検出するものであっても、また、
サセプタリング３１の上面とサセプタ１１の上面との差
分を検出するものであっても良い。

【００３３】続いて、上記の検出結果に基づいて、いも
ねじ２４ａ〜２４ｆのねじ込み具合を調節することによ
って駆動軸１５に対するサセプタ支持軸１４の偏芯αお
よび傾きβを補正する。連結部材１６によって傾きを補
正した状態を図６（ａ）に示す。図２を用いて説明した
ように、サセプタ支持軸１４の下端部は連結部材１６の
上部円柱穴１７に対して真直ぐに固定されるだけであ
り、サセプタ支持軸１４と連結部材１６との固定角度を
変化させることはできない。したがって、傾きβ及び偏
芯αの補正は、サセプタ支持軸１４よりも強度が高い駆
動軸１５と連結部材１６との固定部で行う。

【００３４】図７は図６（ａ）のＢ部を拡大表示したも
のであり、サセプタ支持軸１４の下端部を左に傾けた状
態で固定している様子を示している。同図において、左
下に位置しているいもねじ２４ａのねじ込み量を少なく
し、右下に位置しているいもねじ２４ｂのねじ込み量を
多くしている。また左上に位置しているいもねじ２４ｄ
のねじ込み量は、左下のいもねじ２４ａのねじ込み量よ
りも多く、右上に位置しているいもねじ２４ｅのねじ込
み量は右下のいもねじ２４ｂのねじ込み量よりも少な
い。このようにステンレス製の駆動軸１５に対して６本
のいもねじ２４ａ〜２４ｆ（２４ｃ、２４ｆは図７にお
いては記載を省略している。）によって連結部材１６を
固定しているため、駆動軸１５と連結部材１６を確実に
固定することができる。

【００３５】また、いもねじ２４ａ〜２４ｆのねじ込み
量を調節することにより、駆動軸１５に対する連結部材
１６の傾きを調整することができる。更に、下部円柱穴
１８の穴径を駆動軸１５の直径よりも大きく形成してい
るため、水平方向の偏芯も補正することができる。この
ように連結部材１６を６個の支持点で駆動軸１５に固定
することにより、駆動軸１５に対して連結部材１６を所
望の傾き及び偏芯位置で固定することができ、サセプタ
１１の中心を回転中心に一致させることができる。な
お、本実施の形態においては、６本のいもねじ２４ａ〜
２４ｆによって固定する例を示しているが、支持点の数
は６点に限られるものではなく、上方及び下方のそれぞ
れに４点以上の支持点を設けても良い。

【００３６】図６（ａ）に示すように、傾き及び偏芯を
補正した状態でサセプタ１１を回転させると、サセプタ
１１とサセプタリング３１との隙間がほぼ一定であり、
さらにサセプタ１１上面とサセプタリング３１の上面の
高さ変位も一定になっていることがわかる。図６（ｂ）
は、補正後のウェハ製造装置１によってエピタキシャル
膜を製造したときの、エピタキシャル膜厚の変位を示す
グラフである。図４（ｂ）に比べると、ウェハ１０の中
心からの位置によってエピタキシャル膜の厚さが変化す
ることなく、一定の厚さを保っていることがわかる。

【００３７】このように本発明によれば、半導体ウェハ
に要求される厳密かつ厳格なエピタキシャル膜の平坦度
という基準をクリアすることができ、高品質のウェハを
提供することができる。

【００３８】［実施の形態２］次に、本発明の第２の実
施の形態について、図８を用いて説明する。本実施の形
態は、サセプタ支持軸１４と駆動軸１５との連結部の構
造のみが上記の第１の実施の形態と異なるため、連結部
分についてのみ詳細に説明する。本実施の形態において
は、サセプタ支持軸１１４と駆動軸１１５との間に駆動
突起３２及び駆動凹部３３による噛合いがないものを用
いて説明するが、駆動突起３２及び駆動凹部３３による
連結を排除するものではない。

【００３９】連結部材１１６は、サセプタ支持軸１１４
と上部円柱穴１１７との固定部分に特徴を有している。
上部円柱穴１１７は、サセプタ支持軸１１４が若干の公
差をもって嵌合する第一穴１００と、第一穴１００の穴
径よりも大きな穴径を有する第二穴１０１より構成され
る。第二穴１０１の底部には、耐熱性のフッ素ゴムより
なる輪状のＯリング１０２を配置し、その上に断面形状
が台形状をなすリング状の楔部材１０３を配置する。楔
部材１０３はステンレスで形成され、外周の直径は第二
穴１０１の穴径よりも小さく、第二穴１０１に対して上
下動可能になっている。さらに、楔部材１０３の上にＯ
リング１０４を配置し、その上にステンレス製のリング
ワッシャー１０５を載置する。

【００４０】連結部材１１６の上部円柱穴１１７上端に
キャップ部材１０６を取り付け、リングワッシャー１０
５が外れないように押さえつけられる。キャップ部材１
０６は押圧面１０７と雌ねじ部１０８を有しており、連
結部材１１６の上部外周に形成された雄ねじ部１０９に
キャップ部材１０６の雌ねじ部１０８が螺合する。

【００４１】キャップ部材１０６をねじ込むことにより
押圧面１０７が下降し、押圧面１０７によってリングワ
ッシャー１０５が下方に押し付けられる。リングワッシ
ャー１０５の上面と押圧面１０７は摺動するため、リン
グワッシャー１０５は回転することなく下降し、Ｏリン
グ１０４を楔部材１０３に押し付ける。押し付けられた
楔部材１０３は上下動可能であるため、さらに下降して
Ｏリング１０２を押し付ける。押圧された２本のＯリン
グ１０２，１０４は、楔部材１０３のテーパ面にならっ
てサセプタ支持軸１１４に向かって押し出され、サセプ
タ支持軸１１４を把持する。連結部材１１６の下部は、
第１の実施の形態と同様に６本のいもねじ１２４ａ〜１
２４ｆによって駆動軸１１５に固定される。

【００４２】本実施の形態によれば、キャップ部材１０
６のねじ込み量によってＯリング１０２，１０４による
把持力を調節することができるため、連結部材１０６に
対してサセプタ支持軸１１４を確実に固定することがで
きる。

【００４３】

【発明の効果】本願発明は、サセプタ支持軸と駆動軸の
間に、サセプタ支持軸の曲がりを補正する機構をもつ連
結部材を設け、サセプタ上面の偏芯と傾きを補正するこ
とで、サセプタリングとサセプタとの間での処理ガス流
れの乱れを低減することができ、エピタキシャル膜の平
坦度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明のウェハ製造装置の概略を示す、縦断
面図である。

【図２】図２（ａ）は駆動軸とセサプタ支持軸を連結す
る連結部材の縦断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−
Ａ´断面図である。

【図３】サセプタ支持軸が曲がった様子を示す概念図で
ある。

【図４】図４（ａ）はサセプタ支持軸が曲がった状態で
本願発明の連結部材を用いることなく駆動軸に連結した
状態を示す概念図、図４（ｂ）はウェハ上に成長するエ
ピタキシャル膜厚のＸ方向に対する変位を示すグラフで
ある。

【図５】レーザー変位計によって、サセプタとサセプタ
リングの隙間およびサセプタの高さ方向の変位を検出し
ている状態を示す概念図である。

【図６】図６（ａ）は、駆動軸とサセプタ支持軸を連結
部材によって補正した状態を示す概念図、図６（ｂ）
は、ウェハ上に成長するエピタキシャル膜厚のＸ方向に
対する変位を示すグラフである。

【図７】図６（ａ）のＢ部分を拡大して示した縦断面図
である。

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る連結部材の縦
断面図である。

【図９】従来技術におけるサセプタ支持軸と駆動軸との
連結構造である。

【符号の説明】

１…ウェハ製造装置 ２…チャンバ ３…上部窓 ４…下部窓 ５…反応炉 ６…上部熱源 ７…下部熱源 ８…ガス流入口 ９…ガス排出口 １０…ウェハ １１…サセプタ １２…ウェハ収納用凹部 １３…支持アーム １４…サセプタ支持軸 １５…駆動軸 １６…連結部材 １７…上部円柱穴 １８…下部円柱穴 １９…内部壁 ２０…Ｏリング ２１…環状溝 ２２…肉厚部 ２３ａ〜２３ｆ…雌ねじ ２４ａ〜２４ｆ…いもねじ ２５…ブラケット ２６…ベアリングユニット ２７…ギヤ ２８…回転駆動用モータ ２９…駆動ギヤ ３０…タイミングベルト ３１…サセプタリング ３２…レーザー変位計 ３３…レーザー変位計 ３４…駆動突起 ３５…駆動凹部 ３６…リフトピン ４４…サセプタ支持軸 ４５…駆動軸 ４６…支持部 ４７…挿入部 １００…第一穴 １０１…第二穴 １０２…Ｏリング １０３…楔部材 １０４…Ｏリング １０５…リングワッシャー １０６…キャップ部材 １０７…押圧面 １０８…雌ねじ部 １０９…雄ねじ部 １１４…サセプタ支持軸 １１５…駆動軸 １１６…連結部材 １１７…上部円柱穴 １１８…下部円柱穴 １２４ａ〜１２４ｆ…いもねじ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 英俊 神奈川県平塚市万田1200番地 株式会社小 松製作所研究本部内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 EA07 FA01 HA02 HA07 HA33 KA02 LA01 LA07 LA13 LA14 MA28 PA14 5F045 AB02 AF03 BB02 DP03 DQ10 EK12 EM10

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ウェハを支持するサセプタと、 前記サセプタを支持する支持軸と、 回転駆動手段によって回転動力を与えられ、回転運動す
   る駆動軸と、 前記駆動軸に対して前記支持軸を所望の位置で固定でき
   る連結手段と、を有することを特徴とする半導体ウェハ
   製造装置。
2. 【請求項２】前記連結手段は、 前記支持軸の材質よりも硬度が低い材料よりなり、前記
   支持軸を把持する把持手段を備えることを特徴とする請
   求項１に記載の半導体ウェハ製造装置。
3. 【請求項３】前記把持手段は、フッ素ゴムよりなるＯリ
   ングであることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウ
   ェハ製造装置。
4. 【請求項４】前記把持手段は、 ２個のＯリングと、テーパ面を持った楔と、押圧手段と
   からなることを特徴とする請求項２または３に記載の半
   導体ウェハ製造装置。
5. 【請求項５】前記駆動軸が円柱形状であり、 前記連結手段の前記駆動軸との連結部は、前記駆動軸の
   外径よりも大きい内径を有する穴と、該穴の内壁面から
   突出可能な固定手段とを備え、 前記穴内に前記駆動軸を配置し、前記駆動軸の外周面に
   前記固定手段を当接させることにより前記駆動軸に前記
   連結手段を固定することを特徴とする請求項１〜４の何
   れか１つに記載の半導体ウェハ製造装置。