JP4562674B2 - Esd保護回路 - Google Patents
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Description
Michael Stockinger,et al, "Boosted and Distributed Rail Clamp Networks for ESD Protection in Advanced CMOS Technologies",EOS/ESD Symposium 2003.
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載のESD保護回路において、前記デプレッション型のMOSトランジスタのゲートをソースに直結したことを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1に記載のESD保護回路において、前記デプレッション型のMOSトランジスタのゲートをソースに対して抵抗を介して接続したことを特徴とする。
20:トリガ回路
31,32:インバータ
Claims (3)
- 電源端子と接地端子との間に接続したエンハンスメント型のMOSトランジスタからなるクランプ回路と、前記電源端子と前記接地端子との間に接続され前記電源端子に印加するESDパルスによって所定時間だけ前記クランプ回路のエンハンスメント型のMOSトランジスタを導通させるトリガ回路とを備えるESD保護回路において、
前記トリガ回路は容量Cと抵抗Rとを直列接続したCR時定数回路からなり、該抵抗Rの抵抗成分としてデプレッション型のMOSトランジスタを使用し、該デプレッション型のMOSトランジスタと前記容量Cの一端とを接続した共通ノードが前記クランプ回路のエンハンスメント型のMOSトランジスタのゲートに接続され、
前記デプレッション型のMOSトランジスタが前記共通ノードに関して前記接地端子の側にあるときは、前記デプレッション型のMOSトランジスタと前記クランプ回路のエンハンスメント型のMOSトランジスタの導電型をN型とし、
前記デプレッション型のMOSトランジスタが前記共通ノードに関して前記電源端子の側にあるときは、前記デプレッション型のMOSトランジスタと前記クランプ回路のエンハンスメント型のMOSトランジスタの導電型をP型とした、
ことを特徴とするESD保護回路。 - 請求項1に記載のESD保護回路において、
前記デプレッション型のMOSトランジスタのゲートをソースに直結したことを特徴とするESD保護回路。 - 請求項1に記載のESD保護回路において、
前記デプレッション型のMOSトランジスタのゲートをソースに対して抵抗を介して接続したことを特徴とするESD保護回路。
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