JP4562285B2 - 蒸着層で密封されたチャンバを有するウエハー対 - Google Patents
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Description
(技術分野)
この発明は、真空包封された微細構造装置に関する。この発明は2ウエハー間の空洞部の真空密封、特に空洞部からガスを排出する止栓の可能な穴を有する2枚のウエハーに関する。
【0002】
微細構造赤外(IR)装置のような各種の装置においては最適化のため真空包封が必要である。従来の真空包装は複雑でコスト高になっていた。ウエハーレベルの真空封入の周知の従来法では十分に低い圧力が得られず、高々0.5トルの範囲に限られている。この圧力の状態では、例えば熱電(TE)装置では50%の信号損失が生じる。
【0003】
(発明の開示)
本発明は止栓可能な穴を有する2枚のウエハーを密封しその間に空洞部を形成し、空洞部から止栓可能な穴を通してガスを排出する構成を得る。空洞部からガスを排出した後この穴は蒸着した金属で止栓される(塞がれる)。この結果一体の真空包装(IVP)が得られる。この方法では同時に真空密封を行う要がなく2枚のウエハーを密封可能である。最終に真空密封は金属の厚い層を蒸着あるいはスパッタリングして小さなガス排出穴を塞ぐことにより高真空下で実行可能である。この方法によれば、最終の真空密封の前にウエハー間の密封部及び内面を完全に焼き付け可能である。この方法は2機能を分離し、焼き付けを半田処理法に限定されない。密封及び焼き付けに対し独立的に制御され、ボンド出来高が最大にされ残留圧力が最小にされる。またこの方法によれば、各真空空洞部に直接接近可能であるので、ウエハーの周部から内側へポンプする必要がない。この方法が実施されその結果、空洞部内の圧力センサにより測定して残留圧力の真空レベルが10ミリトルより小さかった。この密封により基板形態が効果的にカバーされる。0.25ミクロンの形態に対する密封が実証された。必要な処理温度は300℃より低い。このチップは周知のチップ処理装置で処理可能である。この処理により90%を超える作業が行われる。この真空密封されたチップのコストは周知の真空密封チップのコストより低く80〜90%である。この方法によれば、100ミリトルより低い圧力に対し10年(最高150℃の外気温度でのテストデータにより示される)の高温寿命を有する密封されたTE装置が得られる。
【0004】
(発明を実施するための最良の形態)
図1a、図1b及び図2は真空排出ポート11及び蒸着されたプラグの最終の真空密封部12を有する装置10を示す。蒸着層12によりプラグ11が密封されチャンバ16が気密に密封される。ウエハー13、14はシリコンのような同一の材料で作られ、従って同一の熱膨張率を有している。ウエハー13、14は半田密封リング15で共に接着される。ウエハー13は検出器ウエハーであり、一方ウエハー14はトップキャップウエハーである。チヤンバ16はウエハー13の表面の検出器からなるアレイ17を含み、トップキャップウエハー14の反射防止被覆されたシリコン窓を通して入射される放射線を検出するチャンバである。
【0005】
チヤンバ16は境界部18を有するウエハー14内の約125ミクロンのくぼみ部により区画される。後でガスを排出して真空空洞部になるのはこのチヤンバである。トップキャップウエハー14の厚さは約430ミクロンであり、チップウエハー13の厚さは約500ミクロンである。密封リング15は90%の鉛と10%のインジウムからなる配合物である。プラグ12の厚さは約20ミクロンであり、50%の鉛と50%のインジウムからなる配合物である。
【0006】
図3は同一の材料のウエハーからなり、ウエハーを密封し複数の空洞部を形成する複数のチップ10からなるウエハー20を示す。各チャンバ16は開口ポート11を有しており、チャンバ16は焼き付けされガス抜きされる。次に真空の環境下でポート11を有するウエハー13の表面に金属12を蒸着し、こあれによりポート11が閉鎖されチャンバ16が閉鎖されて内部が真空状態にされる。閉鎖されたポートを密封するための半田ボールが試みられたが、空洞部内を低圧あるいは真空に維持することが殆どできなかった。密封されたトップキャップウエハーによりもろい微細構造装置17が保護できるので、接着され密封された後、このウエハー13、14は破断することなく個々のチップに分断できる。更にプラグは変位可能な半田ボール若しくはプラグではなく蒸着層12であるので、プラグは変位されることはない。
【0007】
チップ10を形成する方法が図4a〜図4mに示される。検出器ウエハー13の作成方法は2度研磨された(100)シリコンウエハー13から開始される。図4aでは、SiO2で作られた1−ミクロン層22a、23aがウエハー13上に成長され、低圧化学蒸着法(LPCVD)によりSi3N4で作られた0.3−ミクロン層22b、23bが蒸着される。Si3N4層22b及びSiO2層22aはウエハー13の「正面」から除去される。1000−オングストロームの熱SiO2層24は図4bのウエハー13の正面上で成長される。図4cではSi3N4(ボトムブリッジ窒化物)の2000オングストロームの層25が層24上に蒸着される。熱電対の第1の金属NiFe(60:40)が層25上の1100−オングストローム層26として蒸着され、次に第1の金属層26がイオンミリングにより第1のマスクを用いてパターン化処理されて図4dの如き配列になる。
【0008】
熱電対検出器の第2の金属の場合、クロムで作成された千−オングストローム層27が層25、26上に蒸着される。図4eの層27はイオンミリング及び湿潤エッチングにより第2のマスクを用いてパターンイング処理される。図4fではトップブリッジ窒化物として6000オングストロームのSi3N4からなる層28が金属層26、27及び層25上に蒸着される。吸収材29が図4gの層28上に蒸着され第3のマスクを用いてパターンイング処理される。吸収材29はSi3N4の層30でキャップ処理(cap)される。図4hに示すのように、金属層27に対しプラズマエッチング処理されたバイア穴31はパターンイング処理され第4のマスクを用いて形成される。図4iで最終エッチングのためプラズマエッチング処理されたバイア穴32はパターンイング処理され第5のマスクを用いて掘り形成される。5000オングストロームのCr、2000オングストロームのNi、及び5000オングストロームのAuが蒸着され、パターン化処理され、リフトオフ処理されて図4jのパッド・半田フレーム金属33が形成される。第1の金属26あるいは第2の金属27内の活性導出部40は図4jの密封リング金属33の下部を延びている。図4kではプラズマエッチング処理されたガス排出ポートバイア穴11はウエハー13の背部の層23b、23a上でパターンイング処理され掘り形成される。図41ではウエハー13の背部がウエハー13の90%KOHエッチングされてポート11が形成される。図4mに示すように、ポート11が完成されると、エッチングバイア穴32がウエハー13の正面へ向かって貫通される。
【0009】
検出器ウエハー13と同様に、トップキャップウエハー14が300℃で焼き付けし低いガス抜きに匹敵する膜で形成される。ウエハー14は赤外装置17の窓として作用する。このとき付加構成の制限は、ウエハー14が低酸素シリコン(即ち、浮動ゾーンシリコン)から作られ、8−14ミクロン波長窓でのSiO2吸収ピークが最小にされる。トップキャップウエハー14には反射防止被覆34が被覆される。ウエハー14は半田接着金属・半田リング15を有し、リング15は検出器ウエハー13、検出器17上のチャンバ16を形成する境界部18、及びチップウエハー13上のワイヤボンドパッドにアクセスするためのウエハー14を貫通する穴35と整合される。
【0010】
図5a〜図5fはトップキャップウエハー14を製造する工程を示す。開始材料は2度研磨された(100)シリコンウエハー14であり、最小酸素成分の浮動ゾーンにより成長される。図5aで熱成長されたSiO236a、37aの1.8ミクロン層が0.3ミクロンのLPCVD Si3N4層36b、37bによりカバーされてKOHエッチングがマスクされる。図5bでは外側層36a、36bをプラズマエッチング処理してパターンイング処理されてバイア穴35が形成され、Si3N4の内側層37bにくぼみ部が形成される。次に図4cに示すように、ウエハー14は固定装置に置かれ、外側表面35、36bがエッチング処理され、内側16、37bがKOHエッチングウエハー14をトップキャップウエハー14の90%貫通する穴35に対し保護される。ウエハー14はエッチング固定装置から外され、図5dの残りのSiO2層37aがバッファ酸化物エッチングにより除去されて穴が形成される。また図5dはウエハー14の内側をエッチング処理してくぼみ部を形成した状態を示している。窒化物/酸化物マスク層36a、36b、37a、37bがウエハー14から除去される。反射防止被覆38がウエハー14上に塗布される。積層リストン法を用いリフトオフ処理により半田リングパターンがくぼみ部を囲む内側表面に与えらえる。5百オングストロームのTi、2000オングストロームのNi及び500オングストロームのAuの接着金属39が電子ビーム蒸着装置内で蒸着される。InPb(10:90)半田からなる5ミクロン層40が熱蒸着装置内で接着金属39上に蒸着される。リストンマスクがリフトオフ処理されBOE内の電界SiO2がエッチオフ処理(etch off)されて、図5fに示す半田リング18が得られる。
【0011】
検出器ウエハー13及びトップキャップウエハー14の接着および密封は清浄な面で行われる。ウエハー13、14の面接着はウエハー接着を行う前にスパタリングにより清浄にされる。以下の一連の流れは図6a、図6b及び図6cのウエハー対13、14を整合、接着及び密封する方法を示す。当初検出器ウエハー13のAu半田リング面33がスパタリングにより清浄にされる。トップキャップウエハー14のリング18のInPb面は酸素プラズマにより清浄にされる。図6aのウエハー13、14はウエハー間に0.002インチ(約0.005cm)スペーサを用いて接着カセット内で整合される。整合されたウエハー対は真空プレス装置内に置かれ、プレス装置はターボポンプを用いて良好な真空度まで排気される。図6bでウエハー13、14は約400ポンドの圧力で共にプレス処理される。ウエハーの温度は約1時間かけて最大300℃まで変化させられる。次にウエハー13、14はこの得られた温度及び圧力で5分間保持される。次にウエハー13、14は室温まで冷却され真空チャンバは排気される。
【0012】
接着されたウエハー対13、14は電子ビーム蒸着システム内に置かれ、排気ポート11の表面が、その後500オングストロームのTi、1000オングストロームのNi及び500オングストロームのAuからなる接着層がスパタリングにより清浄にされる。ウエハー対13、14は熱蒸着システム内に置かれ、好ましくは真空下で4時間の間250℃で焼き付けされる。ウエハー対13、14は冷却されるが、ウエハー対の周囲の環境は所望の真空圧に維持される。20ミクロンのInPb(50:50)12が検出器ウエハー13の背側上に蒸着され、図6cのポート11が閉鎖され、ウエハー対13、14の真空チャンバ16が密封される。ウエハー20上で、複数のチップ内の複数のポート11が閉鎖される。次にウエハー20として組み合わされるウエハー13、14は真空に対し除去される。ウエハー20は個々のチップに切断され、各チップは検出器17を囲む密封チャンバ16を有している。
【0013】
更に本発明の変更例は良好なIR伝達を与えるゲルマニウム、広い伝達バンド(即ち、可視光及びIR)を与えるZnSe、あるいは特定光バンドパス動作を与える他の光学材料で作られるトップキャップウエハー14を含む。トップキャップウエハー14は検出器ウエハー13上の一体構成部品の外に、その表面上あるいはその内部に一体の構成部品を組込むことが可能である。ダイアフラム圧力センサを有する検出器ウエハー13はその内部に一体に形成され、次に密封されたチャンバは規準真空圧を形成する。検出器ウエハー13はウエハー内に一体に形成された表示電子回路を有する赤外ボロメータアレイを持たせることができる。検出器ウエハー13は他の機能の目的のためチャンバ内に密封される可動部品であることできる。図6c内の接着されたウエハー対13、14はチャンバ内の装置に対し単に排気されるのではなく、最適な熱的、機械的あるいは他の特性のため特定ガスタイプの残留圧力を調整することにより気密密封できる。
【図面の簡単な説明】
【図1a】 図1aは蒸着されたプラグ真空密封部を有するチャンバを備えた検出チップの平面図である。
【図1b】 図1bは蒸着されたプラグ真空密封部を有するチャンバを備えた検出チップの断面図である。
【図2】 図2は蒸着されたプラグ真空密封部を有する検出チップの斜視図である。
【図3】 図3は複数のプラグ上に蒸着された真空密封部を有する複数の検出器を備えたウエハーを示す図である。
【図4a】 図4aは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4b】 図4bは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4c】 図4cは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4d】 図4dは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4e】 図4eは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4f】 図4fは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4g】 図4gは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4h】 図4hは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4i】 図4iは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4j】 図4jは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4k】 図4kは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4l】 図4lは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図4m】 図4mは検出器ウエハーの製造工程を示す図である。
【図5a】 図5aはトップキャップウエハーの製造工程を示す図である。
【図5b】 図5bはトップキャップウエハーの製造工程を示す図である。
【図5c】 図5cはトップキャップウエハーの製造工程を示す図である。
【図5d】 図5dはトップキャップウエハーの製造工程を示す図である。
【図5e】 図5eはトップキャップウエハーの製造工程を示す図である。
【図5f】 図5fはトップキャップウエハーの製造工程を示す図である。
【図6a】 図6aは検出器ウエハー及びトップキャップウエハーを整合し、接着し密封する工程を示す図である。
【図6b】 図6bは検出器ウエハー及びトップキャップウエハーを整合し、接着し密封する工程を示す図である。
【図6c】 図6cは検出器ウエハー及びトップキャップウエハーを整合し、接着し密封する工程を示す図である。
Claims (30)
- 密封されたチャンバを有するウエハー組立体であって、前記ウエハー組立体は、
くぼみ部を有する第1のウエハーと、くぼみ部の外周部を越え第1のウエハー上に配置される密封リングと、密封リングの外周部内にポートを有し密封リング上に配置されくぼみ部からチャンバを形成する第2のウエハーと、を有し、前記チャンバは焼き付けされ、焼き付けにより除去されるガスが前記ポートを通って前記チャンバから排出され、前記前記ウエハー組立体はさらに、第2のウエハー上に蒸着された金属でなりポートを閉鎖しチャンバを密封する層を備える密封されたチャンバを有するウエハー組立体。 - 密封リングが半田から作られる請求項1記載のウエハー組立体。
- 蒸着された金属で作られる層が半田で作られる請求項2記載のウエハー組立体。
- チャンバには少なくとも1つの装置が内蔵される請求項1記載のウエハー組立体。
- 少なくとも1つの装置が熱電装置である請求項4記載のウエハー組立体。
- 少なくとも1つの装置がボロメータである請求項4記載のウエハー組立体。
- 複数のくぼみ部を有する第1のウエハーと、第1のウエハー近傍の第2のウエハーと、複数のくぼみ部の各々の外周部で第1及び第2のウエハー間に配置され第1及び第2のウエハーに付設される密封材料で作られるリングと、複数のポートを有する第2のウエハーと、第2のウエハー上に蒸着された密封材料で作られ複数のポートを閉鎖して複数の気密密封された焼き付けされた内側表面を備える容積部を形成する層とを備え、複数のポートの少なくとも1つが複数のくぼみ部の各くぼみ部の外周部内にある、複数の気密密封された容積部を有したウエハー組立体。
- 密封材料が金属である請求項7記載のウエハー組立体。
- ウエハー対が複数のチップに分割され、各チップが気密密封された複数の容積部を持つスペーサを有する請求項8記載のウエハー組立体。
- 少なくとも1つの気密密封された容積部が少なくとも1つの装置を内蔵する請求項9記載のウエハー組立体。
- 少なくとも1つの装置が熱電検出器である請求項9記載のウエハー組立体。
- 少なくとも1つの装置がボロメータである請求項9記載のウエハー組立体。
- 第1の側から第1のウエハーを貫通し第2の側へ延びるポートを有した第1のシリコンウエハーと、第1の側にくぼみ部を有する第2のシリコンウエハーと、ポートを含む第1のウエハーの第1の側に形成される材料でなる層とを備え、第2のウエハーの第1の側が第1のウエハーの第1の側と接着され、くぼみ部は第1及び第2のウエハーの外気に対し密封された焼き付けされた内側表面を備えるチャンバを形成する、密封されたチャンバを有したウエハー組立体。
- 第1のウエハーの第2の側に形成されチャンバ内に配置される検出器を備える請求項13記載のウエハー組立体。
- 第2のウエハーが検出器と外気との間の光学的な窓である請求項14記載のウエハー組立体。
- 第1の側から第1のウエハーを貫通し第2の側へと延びる複数のポートを有する第1のウエハーと、第1の側に複数のくぼみ部を有する第2のウエハーとを備え、第2のウエハーの第1の側が第1のウエハーの第2の側と接着され、複数のくぼみ部の各々が複数のポートのうちの少なくとも1つのポートを持つ焼き付けされた内側表面を備えるチャンバを形成するウエハー組立体。
- 第1及び第2のウエハーが真空の外気内に配置され、各チャンバ内の真空が複数のくぼみ部の各々により形成され、第1の側に形成される材料層を備え、材料層は第1のウエハーの複数のポートを含み外気に対し各チャンバを密封する請求項16記載のウエハー組立体。
- 各チャンバ内に配置される少なくとも1つの検出器を備え、第2のウエハーが各チャンバナイン少なくとも1つの検出器と第1の外気環境との間の光学的な窓である請求項17記載のウエハー組立体。
- 第1及び第2のウエハーがシリコンで作られる請求項18記載のウエハー組立体。
- 第1及び第2のウエハーが一以上の密封されたチャンバを有するチップに切断される請求項19記載のウエハー組立体。
- 第1のシリコンウエハーと、第1のシリコンウエハーの第1の側上に形成される複数のボロメータ装置と、第1のウエハーの第1及び第2の側間で第1のシリコンウエハー内に形成される複数の排気ポートと、第2のウエハーの第1の側に形成される複数のくぼみ部及び複数の密封リングを有する第2のシリコンウエハーと、第1のシリコンウエハーの第2の側の複数の排気ポート上に蒸着される材料でなる層とを備え、第2のシリコンウエハーの第1の側は密封リングを介し第1のシリコンウエハーに対し接着され、複数の密封リングと関連する複数のくぼみ部及び第1のシリコンウエハーの第1の側は複数のチャンバを形成し、複数のチャンバの各々は複数のボロメータ装置の少なくとも1つを囲み、且つ複数の排気ポートの少なくとも1つを囲み、複数のチャンバの各々は焼き付けされた内側表面を備える、ウエハー組立体。
- 複数のチャンバの各々が密封され0.5トルより小さな圧力を有する請求項21記載のウエハー組立体。
- 第1のウエハーがシリコンで作られる請求項22記載のウエハー組立体。
- 検出器が密封リングの下部に延びる電気接続部を有する請求項23記載のウエハー組立体。
- 第1のシリコンウエハーと、第1のシリコンウエハーの第1の側に形成される複数の装置と、第1のシリコンウエハーの第1及び第2の側間で第1のシリコンウエハー内に形成される複数の排気ポートと、複数のくぼみ部及び第2のシリコンウエハーの第1の側上に形成される複数の密封リングを有する第2のシリコンウエハーと、第1のシリコンウエハーの第2の側の複数の排気ポート上に蒸着される材料でなる層とを備え、第2のシリコンウエハーの第1の側が密封リングを介し第1のシリコンウエハーの第1の側に対し接着され、複数の密封リングと関連する複数のくぼみ部及び第1のシリコンウエハーの第1の側は複数のチャンバを形成し、複数のチャンバの各々は複数の装置の少なくとも1つ及び複数の排気ポートの少なくとも1つを囲み、複数のチャンバの各々は焼き付けされた内側表面を備える、ウエハー組立体。
- 複数のチャンバの各々が密封される請求項25記載のウエハー組立体。
- 複数のチャンバの各々が0.5トルより低い圧力を有する請求項26記載のウエハー組立体。
- 複数の装置が熱電検出器である請求項26記載のウエハー組立体。
- 複数の装置がボロメータである請求項26記載のウエハー組立体。
- 複数の装置がエミッタである請求項26記載のウエハー組立体。
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